专利名称：一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种厚规格低峰值的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法，属于电解铜箔领域。
背景技术：
针对一般厚规格铜箔峰值较高，容易产生脱粉现象，生产时只能用低电流密度生产，生产效率较低。
发明内容
本发明的目的是一种厚规格低峰值的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法。 本发明的技术方案通过本发明所选的原材料及其合理浓度的电解液，并通过添加适当的添加剂，在高电流密度条件下进行电沉积来实现，具体如下采用高纯度电解铜(铜含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量彡98.0% )作为原材料，并在加热条件下生成电解液，使电解液中铜含量70 100g/L，硫酸含量110 160g/L，氯离子含量2 5mg/L，温度45 65°C，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200mL/min 1000mL/min，最后将电解液流量控制在45 60m3/h流入电解槽，用电流密度6000 10000A/m2条件下进行电沉积，生成厚规格低峰值电解铜箔。通过本发明所选的原材料及其合理浓度的电解液，并通过添加适当的添加剂，在高电流密度条件下进行电沉积，生成厚规格低峰值铜箔，提高了生产效率。
具体实施例方式实施例I :70μ低峰值电解铜箔，采用高纯度电解铜(铜含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98. 0% )作为原材料，并在加热条件下生成电解液，电解液中铜含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯离子含量控制在2 5mg/L，温度控制在45 65°C，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200mL/min 1000mL/min，最后将电解液流量控制在45 60m3/h流入电解槽，用电流密度6500A/m2条件下进行电沉积，生成70 μ电解铜箔，该电解铜箔毛面峰值Rz < 8 μ m。实施例2 :105 μ低峰值电解铜箔，采用高纯度电解铜(铜含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98.0%)作为原材料，并在加热条件下生成电解液，电解液中铜含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯离子含量控制在< 2 5mg/L，温度控制在45 65°C，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200mL/min 1000mL/min，最后将电解液流量控制在45 60m3/h流入电解槽，用电流密度8000A/m2条件下进行电沉积，生成105 μ电解铜箔，该电解铜箔毛面峰值Rz < 10 μ m。实施例3 :70 μ低峰值电解铜箔，采用高纯度电解铜(铜含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98. 0% )作为原材料，并在加热条件下生成电解液，电解液中铜含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯离子含量控制在2 5mg/L，温度控制在45 65°C，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200mL/min 1000mL/min，最后将电解液流量控制在45 60m3/h流入电解槽，用电流密度8000A/m2条件下进行电沉积，生成70 μ电解铜箔，该电解铜箔毛面峰值Rz < 8 μ m。实施例4 :105 μ低峰值电解铜箔，采用高纯度电解铜(铜含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98.0%)作为原材料，并在加热条件下生成电解液，电解液中铜含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯离子含量控制在< 2 5mg/L，温度控制在 45 65°C，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200mL/min 1000mL/min，最后将电解液流量控制在45 60m3/h流入电解槽，用电流密度8500A/m2条件下进行电沉积，生成105 μ电解铜箔，该电解铜箔毛面峰值Rz < 10 μ m。
权利要求
1.一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法，其特征在于所述的制备采用铜含量≥ 99. 95%的高纯度无氧铜杆和硫酸含量> 92. 0%的电池硫酸作为原材料，并在加热条件下生成电解液；电解液中铜含量70 100g/L,硫酸含量110 160g/L,氯尚子含量2 5mg/L,温度45 65°C的参数配合，并向电解液中添加合适的添加剂，使电解液流量为45 60m3/h,该电解液添加的添加剂为硫脲,添加剂流量为200mL/min 1000mL/min。
2.根据权利要求I所述的一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法，其特征在于所述的制备方法电解后，还要进行电沉积，电沉积在电流密度6000 10000A/m2条件下进行。
全文摘要
本发明涉及一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法，采用高纯度电解铜(铜含量≥99.95％)和硫酸(硫酸含量≥98.0％)作为原材料，并在加热条件下生成电解液，使电解液中铜含量70～100g/L，硫酸含量110～160g/L，氯离子含量2～5mg/L，温度45～65℃，并向电解液中添加添加剂硫脲，且添加剂流量为200～1000mL/min，最后将电解液流量控制在45～60m3/h流入电解槽，用电流密度6000～10000A/m2条件下进行电沉积，生成厚规格低峰值电解铜箔。本发明所选的原材料及其合理浓度的电解液、添加剂，在高电流密度条件下进行电沉积，生成厚规格低峰值铜箔，提高了生产效率。
文档编号C25D3/38GK102797020SQ20111013406
公开日2012年11月28日 申请日期2011年5月23日 优先权日2011年5月23日
发明者黄文荣, 郭伟, 吴伟安 申请人:建滔(连州)铜箔有限公司