专利名称：无氰镀铜方法
技术领域：
本发明涉及一种无氰镀铜的方法，属于电化学镀铜领域。
背景技术：
长期以来，镀铜都是利用氰化物的镀铜工艺，由于氰化物的剧毒，对环境甚至人身 安全都存在巨大的威胁。近年来，由于对环保要求提高，推出了很多无氰镀铜工艺，但由于 存在镀层结合力差，溶液维护困难，操作繁琐等问题，很少有用于实际生产的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种镀层结合力强、镀液维护简单、操作简便 的无氰镀铜方法。为了解决上述技术问题，本发明提供一种无氰镀铜方法，该方法是在电镀液中铜 离子络合处理过程中，先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余 的铜离子辅助络合。进一步，所述电镀液的PH值采用HEDP和KOH调整为9 11。再进一步，所述电镀液内的电流密度为0. 2 2. 5A/dm2。本发明的有益效果在于本发明技术方案通过合适的络合剂对溶液中铜离子进行络合，并对金属基体进行 活化，通过合适的辅助络合剂对溶液中剩余铜离子进行络合，提高阴极极化，使铜离子放电 更加困难而有效防止置换析出，提高镀层结合力；其效果是镀铜层结合力明显提高，工艺操 作简单、镀液维护方便。本发明应用前景及经济效益预测本发明可广泛应用于需要预镀铜的电镀工艺 中，有广泛的应用前景。随着国家对清洁生产越来越重视，氰化物必然被替代，从保护环境 和人身安全角度，有着深远的社会效益。下面结合具体实施方式
对本发明作进一步详细描述。
具体实施例方式本发明采用如下工艺流程常温除油或超声波除油一热水洗一冷水洗一酸洗或喷 砂一冷水洗一活化一预镀铜一冷水洗一镀其它金属。实施例1 用去离子水及电镀级化学原料，调整PH值用HEDP和Κ0Η，ρΗ值为9，有空 气搅拌或阴极移动，带电入槽，电流密度为0. 2A/dm2 ；在电镀液中铜离子络合处理过程中， 先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余的铜离子辅助络合。其 余操作过程与常规操作方式相同，在此不再赘述。实施例2 用去离子水及电镀级化学原料，调整pH值用HEDP和Κ0Η，ρΗ值为10，有 空气搅拌或阴极移动，带电入槽，电流密度为2A/dm2 ；在电镀液中铜离子络合处理过程中， 先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余的铜离子辅助络合。其
3余操作过程与常规操作方式相同，在此不再赘述。实施例3 用去离子水及电镀级化学原料，调整pH值用HEDP和KOH，pH值为11， 有空气搅拌或阴极移动，带电入槽，电流密度为2. 5A/dm2 ；在电镀液中铜离子络合处理过程 中，先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余的铜离子辅助络 合。其余操作过程与常规操作方式相同，在此不再赘述。本发明保护范围不限于上述实施方式，凡本发明技术原理所做的技术变形，均落 入本发明的保护范围之内。
权利要求
一种无氰镀铜方法，其特征在于，该方法是在电镀液中铜离子络合处理过程中，先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余的铜离子辅助络合。
2.根据权利要求1所述的无氰镀铜方法，其特征在于，所述电镀液的PH值采用HEDP和 KOH调整为9 11。
3.根据权利要求2所述的无氰镀铜方法，其特征在于，所述电镀液内的电流密度为 0. 2 2. 5A/dm2。全文摘要
本发明公开一种无氰镀铜方法，该方法是在电镀液中铜离子络合处理过程中，先采用HEDP将电镀液中的铜离子络合，再采用EDTA将电镀液中剩余的铜离子辅助络合；本发明技术方案通过合适的络合剂对溶液中铜离子进行络合，并对金属基体进行活化，通过合适的辅助络合剂对溶液中剩余铜离子进行络合，提高阴极极化，使铜离子放电更加困难而有效防止置换析出，提高镀层结合力；其效果是镀铜层结合力明显提高，工艺操作简单、镀液维护方便。
文档编号C25D5/04GK101914789SQ20101025120
公开日2010年12月15日 申请日期2010年8月12日 优先权日2010年8月12日
发明者任清, 刘书强 申请人:河南平原光电有限公司