电镀方法

专利名称：：电镀方法电镀方法
技术领域：
：本发明涉及在金属基体的表面上进行电镀的电镀方法，本发明特别是涉及下述的方法，其中，防止电镀前的金属基体的溶解，即使为极薄的金属基体，仍可利用诱导共析现象，在短时间内，通过电镀而得到均匀的覆膜。背景狱在过去，作为半导体元件内的微细金属布线形成方法，其按照下述方式进行，该方式为通过溅射法(sputtering)，在于基板上形成比如，铝薄膜之后，涂敷光刻胶(photoresist)，通过曝光'显影处理，进行布图处理(Patterning)，通过蚀刻，形成规定的布线。但是，伴随半导体电路元件的高集成化、细微化，难以采用这样的布线形成方法，由此，实施通过预先形成布线用的槽或孔，化学气相成长CVD法，溅射等方式，在槽或孔中埋入铝或铜，然后，通过化学机械抛光CMP(ChemicalMechanicalPolishing)法，对表面进行研磨，由此，形成布线的方法，所谓的金属镶嵌(damascene)法。在该金属镶嵌法中，在形成槽时，还开设底层的布线的连接孔，同时将铝、铜填充于该连接孔和槽中，从而形成布线的方法称为双道金属镶嵌(Dualdamascene)法。近年，作为半导体装置的布线形成步骤，采用电解镀法的金属镶嵌(damascene)法成为主流(参照下面的专利文献1，2)。在这里，通过图3和图4，对采用在下述的专利文献1中作为已有实例而公开的金属镶嵌(damassin)法的3维实装用半导体装置的布线的形成方法进行说明。该布线的形成方法如图3A所示，比如，在硅衬底等的衬底70的表面上，通过光刻(lithography)和蚀刻技术，形成孔72，接着，如图3B所示，在该衬底70的表面上，比如通过CVD，而形成由Si02形成的绝缘膜74，通过绝缘膜74，覆盖孔72的表面，因此不漏电，另外，如图3C所示，在绝缘膜74上通过比如CVD或溅射方式形成作为电解镀的供电层的晶种层76。然后，如图3D所示，通过在衬底70的表面上，进行电解镀的镀铜处理，在衬底70的孔72的内部填充铜，并且在绝缘膜74上堆积镀铜膜78，然后，如图3E所示，通过CMP，去除衬底70上的镀铜膜78和绝缘膜74，按照孔72内部中填充着的镀铜膜78的表面与衬底70的表面基本呈同一平面的方式，对其进行埋设布线处理。在下面的专利文献1中公开的埋设布线，可适用于孔72的直径W在520pm的范围内，深度D在507(Him的情况。另外，在下面的专利文献1公开的发明中，为了在图3D所示的由电解镀引起的镀铜步骤中防止如图4A所示的那样的情况，即，在孔72的入口附近处，铜悬出(overhung)，从而在铜布线的内部产生孔隙(穴)的情况，如图4B所示，在电解镀步骤当中，追加对电镀膜的一部分进行蚀刻的步骤，另夕卜，如图4C和图4D所示，反复进行所需次数的电解镀步骤和电镀膜的蚀刻步骤，由此，如图4E所示，通过铜78，填埋槽72的内部。另外，由于即使采用上述的专利文献1中公开的发明，仍难以在0.20pm或其以下这样的窄槽或孔内，以没有孔隙的方式埋入铜，故在下述的专利文献2公开的发明中，通过下述方式来应对，该方式为调整电镀液的组分，调整槽或孔的底部侧和入口侧的金属析出速度。专利文献1:JP特开2003_96596号文献(权利要求书，第0003段0010段、0011段，图4，图6，图8);专利文献2:JP特开2005—259959号公报(权利要求书，第0011段，0013段，0029段，图1，图2);专利文献3:JP特开2003—321798号公报(第00010009段)；专利文献4:JP特开2005—154816号公报(权利要求15，第00230036段，图1);专利文献5:JP特开平7—268696号公报(权利要求书，第00210022段，图1，图2);
发明内容发明所解决的课题如上述那样，在金属镶嵌法(damascene)或双道金属镶嵌法(Dualdamascene)中，在绝缘膜的表面上，通过CVD法或溅射法，形成作为电解镀的供电层的晶种层，B卩，极薄的金属基体，并且在该金属基体的表面上，电镀同种的金属。但是，按照我们的实验，如果将该金属基体浸渍于电镀液中，进行同种的金属电镀，则即使在金属基体为厚板的情况下，由于金属基体溶解，因此，仍无法获得正常平滑的电镀表面，电镀不良的情况较多。这样的现象，尤其是在采用金属基体的溶解速度快的超临界流体或亚临界流体的电镀法(上述专利文献3，4)的情况下显著地出现。发明人等认为，如果抑制金属基体在电镀液中的溶解，则可抑制上述这样的电镀不良，从而对其反复地进行了各种实验，其结果是发现，预先在电镀液中，按照进行电镀的金属不溶解的量(溶解度)以上的程度，大量地添加进行电镀的金属的粉末，使其过饱和，由此，通过进行搅拌等的方式，将进行电镀的金属粉末分散于电镀液中，在该状态下进行电镀，此时，由于即使在金属基体浸渍于电镀液中的情况下，金属基体仍难以溶解于电镀液中，故正常地进行电镀，并且利用诱导共析现象，在短时间获得均匀的覆膜，由此，完成了本发明。艮P，本发明的目的在于提供一种电镀方法，其防止电镀前的金属基体的溶解，特别是防止电镀前的金属基体的溶解，即使为极薄的金属基体，仍可利用诱导共析现象，在短时间内得到均匀的覆膜。另外，在上述专利文献5中，公开了如下的技术，其目的在于调整镍系列镀液中的镍浓度，在溶解槽内，直接添加颗粒状或粉末状的镍，但是，该文献没有有关电镀槽的记载，显然，该技术是将己获得的镍系电镀液供给单独的电镀槽，从而完成电镀。解决鹏的方法为了实现上述目的，本发明的电镀方法涉是，在金属基体的表面上进行电镀的方法，其特征在于包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态下，采用诱导共析现象，进行电镀。另外，本说明书中的诱导共析现象是指，在电镀时，金属粉末的一部分也同时地获取到电镀膜中的现象。另外，本发明涉及上述的电镀方法，其特征在于上述金属粉末是，与金属基体和通过电镀处理获得的金属覆膜中的至少一者为相同种类的金属。此外，本发明涉及上述的电镀方法，其特征在于上述金属粉末的平均粒径在lpm以上，在100pm以下。还有，本发明涉及上述的电镀方法，其特征在于上述金属粉末的平均粒径在lnm以上，小于lpm。再有，本发明涉及上述的电镀方法，其特征在于在将上述金属基体浸渍于上述电镀液中之前开始，施加上述金属基体不溶解的电压。此外，本发明涉及上述的电镀方法，其特征在于上述金属基体不溶解的电压为电镀时的电压。发明效果本发明通过上述这样的方法，实现在下面描述的优良的效果。即，按照本发明的电镀方法，在金属基体的表面上进行电镀时包括，二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态下，采用诱导共析现象进行电镀，这样，电镀液和金属基体的接触是在乳化(emulsion)状态下进行。由此，电镀液也快速地浸入细微的孔或槽内，这样，即使为复杂形状的金属基体的情况下，即使用于形成高集成化、细微化的半导体电路元件的细微布线，仍可有效地进行电镀。另外，按照本发明的电镀方法，由于在电镀液中分散有金属粉末的状态下进行电镀，故电镀液中的金属浓度处于饱和或过饱和状态。由此，即使在将金属基体浸渍于电镀液中的情况下，仍可抑制金属基体的溶解速度，另外，可利用诱导共析现象，通过短时间的电镀获得均匀的覆膜。此外，按照本发明的电镀方法，由于即使在将金属基体浸渍于电镀液中的情况下，仍可抑制金属基体的溶解速度，即便金属基体是，形成在设置于基板上的绝缘膜的表面上的金属薄膜的情况下，仍可正常地进行电镀，可有效地适用于形成特别是金属镶嵌法或双金属镶嵌法等的高度集成化、细微化的半导体电路元件的细微布线。此外，按照本发明的电镀方法，由于金属粉末的平均粒径在lpm以上，10(Him以下，由于相对电解液的金属的粉末的溶解度快，可有效地将金属离子供给到电解液中。另外，在此场合，要析出的衬底的细微结构必须为lpm以上的精度。如果金属粉末的平均粒径超过100pm，则金属粉末的溶解速度慢，因此，该方式是不好的。还有，按照本发明的电镀方法，由于金属粉末的平均粒径在lnm以上，小于lpm，故金属粉末向电解液中的分散容易，不仅难以凝聚，而且还可容易电镀于具有小于lpm精度的细微结构中。再有，按照本发明，由于在将金属基体浸渍于电镀液中之前开始，施加金属基体不溶解的电压，故即使在将金属基体浸渍于电镀液中的情况下，金属基体仍不溶解，这样，在金属基体浸渍于电镀液中之后，其处于充分稳定的状态，于是，可施加电镀所必需的电压，这样，可特别适用于形成细微布线的场合。另外，按照本发明，由于在将金属基体浸渍于电镀液中之前，施加电镀时的电压，故如果将金属基体浸渍于电镀液中，则马上在金属基体表面上进行电镀，于是，可短时间地获得所需的电镀层。图1为各实验例中所采用的电镀装置的示意图2为表示来自电气铜试样的铜溶解量和经历时间之间的关系的图；图3A图3E依次说明已有例的3维安装用半导体装置的布线的形成步骤的图4为说明在图3所示的过去采用的孔隙抑制步骤的图。附图iHB说明10:电镀装置；11:耐压电镀槽;12:二氧化碳气瓶；13:高压泵组件;14:阀；15:圭.rm.;16:入口；17:出口；18:压力调整组件；19:电镀液；20:搅拌子；21:烘箱；22:金属基体试样；23:对电极；24:直流电源。下面通过各种实验例和附图，对用于实施本发明的最佳方式进行具体说明，但是，在下面描述的各种实验例并不是将本发明限定在这里记载的情况，本发明可等同地适用于在不脱离权利要求书中给出的技术构思的情况下，进行各种变更的场合。另外，图l为在各实验例中采用的电镀装置的示意图，图2为表示来自电气铜试样的铜溶解量和经历时间之间的关系的图。电镀液在下面描述的各种实验例中所采用的铜用的电镀液的组分、实验系统的构成如下所述。电镀液的组分硫酸铜(CuS045H20)70g/L硫酸(H2S04)180g/L氯离子(CD50mg/L非离子表面活性剂Oml/L另外，在下面，将上述组分的铜用电镀液称为"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)。电镀装置作为电镀装置10，如图1所示，为了采用超临界流体或亚临界流体而进行电镀，从而采用耐压电镀槽ll。在该耐压电镀槽ll中，可根据需要，将来自二氧化碳气瓶12的二氧化碳经由高压泵组件13和阀14，供给设置于顶部的盖15上的入口16，另外，可将二氧化碳从设置于顶部的盖15上的出口17，经由压力调整组件18，排到周围大气中。接着，耐压电镀槽11可通过取下盖15，注入规定量的电镀液19，并且在耐压电镀槽ll的内部，插入作为搅拌机构的搅拌子(stirrer)20，此外，可将耐压电镀槽11放置于烘箱21的内部，将插入到内部的电镀液19维持在规定的恒温状态。另外，从耐压电镀槽11的顶部，按照电绝缘的方式设置金属基体试样22和对电极23(counterelectrode)，此外，金属基体试样22与直流电源24的"一"端子电连接，对电极23与直流电源24的"+"端子电连接。此外，在下面的实验例等中，金属基体采用铜板或形成于TaN膜表面上的铜薄膜，在该电镀装置10中，在于超临界状态或亚临界状态进行实验时，通过下述方式进行，该方式为对二氧化碳气瓶12、高压泵组件13、阀14、压力调整组件18进行操作，将耐压电镀槽11的内部压力维持在810Mpa，并且通过对烘箱21进行操作，将电镀液19加热到40°C，使耐压电镀槽11处于超临界状态或亚临界状态。另外，在于1个大气压的条件下进行实验时，通过对二氧化碳气瓶12、高压泵组件13、阀14、压力调整组件18进行操作，将耐压电镀槽ll内部开放至大气压下，对烘箱21进行操作，由此，将电镀液19加热到规定温度，由此，进行各种实验。实验例13:作为实验例13，采用上述"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)，对于在超临界状态下进行电镀的金属基体的溶解性进行调査。金属基体试样22为，采用通过溅射法，在TaN膜上形成厚度为65nm的铜薄膜而获得的试样。在对该金属基体试样22进行酸洗前处理之后，将该试样22与对电极23—起，按照不与电镀液19接触的方式设置于上述耐压电镀槽11内的电镀液19的上部。另外，电镀液19的使用量为30ml。在该状态下，将耐压电镀槽ll内的电镀液的温度加热到4(TC，不用搅拌子20搅拌电镀液19，而通过对二氧化碳气瓶12、高压泵组件13、阀14、压力调整组件18进行操作，按照耐压电镀槽11内的压力为10Mpa的方式进行加压。另外，当耐压电镀槽ll内的压力到达10Mpa的同时通过搅拌子20对电镀液19进行搅拌。如果这样形成，由于电镀液19的温度为4(TC时，二氧化碳的临界压力约为7.38Mpa,故在上述温度和压力条件下，耐压电镀槽11内部实质上处于超临界状态或亚临界状态，因电镀液19中包含有表面活性剂，电镀液19实质上处于乳化状态，该乳化状态的电镀液19处于充满于耐压电镀槽11的内部，与金属基体试样22和对电极23充分地接触的状态。实验例1:从耐压电镀槽11内的压力到达10Mpa时开始，过5分钟之后，从直流电源24，在金属基体试样22和对电极23之间，施加电镀用电压；实验例2:当耐压电镀槽ll内的压力到达10Mpa时，同时地从直流电源24，在金属基体试样22和对电极23之间，施加电镀用电压；实验例3:在耐压电镀槽ll内的压力上升开始的同时，从直流电源24，在金属基体试样22和对电极23之间，施加电镀用电压；观察以上3种条件下的金属基体试样22的表面的电镀状态。其结果如下面的表1所述。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>艮口，在实验例l的条件下，由于由铜薄膜形成的金属基体试样22在施加电镀电压之前，完全溶解，故无法获得镀铜覆膜。在实验例2的条件下，由铜薄膜形成的金属基体试样22中的相当多的部分溶解，但是局部残留的部分被电镀。另外，在实验例3的条件下可以获得电镀膜，但是不均匀，呈斑点状。通过上述的方法，在临界状态甚至亚临界状态下，在由铜形成的金属基体上电镀铜时，因在使用一般采用的"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)时，电镀液和由铜薄膜形成的金属基体之间的反应快，故无法获得良好的电镀覆膜。实验例4:于是，作为实验例4，观察采用上述"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)，不处于临界状态的加压条件下的电镀状态。SP，在耐压电镀槽11的内部，注入作为电镀液的"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)40ml，将耐压电镀槽11内部的电镀液19的温度加热到4(TC。接着，采用由与上述相同的铜薄膜形成的金属基体试样22，由铜薄膜形成的金属基体试样22按照浸渍于电镀液19中的方式设置。接着，在该状态下，不通过搅泮子20搅拌电镀液19，而通过对二氧化碳气瓶12、高压泵组件13、阔14、压力调整组件18进行操作，按照耐压电镀槽11的内部的压力达到5MPa的方式进行加压。另外，在耐压电镀槽11的内部的压力到达5Mpa时，同时地通过搅拌子20对电镀液19进行搅拌，并且从直流电源24，在金属基体试样22和对电极23之间，施加电镀用电压。在该5Mpa的加压状态下，由于在4(TC的条件下未到达临界状态，故HighThrow浴不是以液态状态存在。即使在该情况下，在直流电压施加之前，由铜薄膜形成的金属基体的大部分被溶解掉，仅仅在局部获得电镀膜。实验例5:根据上述实验例14的结果，由于由铜形成的金属基体在作为铜用的电镀液的"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)中的溶解速度快，故对电镀液的组分进行分析。即，在上述"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)中，为了稳定化而添加硫酸及氯离子。于是，在实验例5中，为了减慢由铜形成的金属基体的溶解速度，采用了不用硫酸和氯离子的下述组分的电镀液，进行实验。另外，表面活性剂与上述相同。电镀液组分硫酸铜(CuS045H20)70g/L硫酸(H2S04)Og/L氯离子(CDOmg/L非离子表面活性剂lOml/L采用如图I所示的电镀装置IO，在该耐压电镀槽ll的内部，注入上述组分的电镀液40ml，将耐压电镀槽11内的电镀液加热到40'C的温度。接着，采用由与在实验例14中采用的相同的铜薄膜形成的金属基体试样22，该金属基体试样22按照浸渍于电镀液19中的方式设置。在该状态下，特别是在未加压的大气压状态下，通过搅拌子20，对电镀液19进行搅拌，并且在从直流电源24，在金属基体试样22和对电极23之间，施加电镀用电压。在该实验例5中，在一部分上，从金属基体试样22，产生铜薄膜的溶出，但是，局部地获得电镀覆膜。因此，即使在从过去的铜用电镀液中，除去硫酸、氯离子，也产生铜薄膜的溶出，仍无法正常地进行电镀。实验例6:从实验例15的结果可知，为了在由铜形成的金属基体上，进行铜的电镀，必须减小铜相对于铜用电镀液的溶解速度。于是，作为实验例6，调查相对铜用电镀液的铜溶解速度。首先，配备2cmX2cmX5mm的电铜试样，将40ml由实验例14所采用的"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)形成的铜用电镀液注入到耐压电镀槽11的内部，将该电铜试样浸渍于铜用电镀液19的内部中，调査1个气压60'C的溶解速度。通过重量测定，测定相对电铜试样的铜的溶解量。图2表示铜溶解量和经历时间之间的关系。根据图2所示的结果而知道，即使在经过31小时的情况下，"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)中的铜浓度仍未达到饱和浓度，由此，在采用大量(bulk)的铜的场合，为了使铜用电镀液中的铜浓度处于饱和状态，必须要求相当的时间。于是研究了，另外，在于实验例14中采用的铜用电镀液中，添加铜粉末时的溶解性。铜粉末采用300筛网(mesh)通过粒径量，在对上述"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)500ml进行搅拌的同时，添加0.3g，此时，获得铜粉末以分散状态存在的电镀液。由此可知，对于在过去采用的铜用的电镀液，为了使铜饱和，最好添加粉末状态的铜。实验例710:接着，观察在各种铜用电镀液中，在大气压25'C下浸渍与上述实验例15所采用的相同的金属基体试样时的溶解性。铜用电镀液采用下述的实验例7实验例10的4种。另外，实验例9和10的铜粉末的添加比例与实验例6相同，将300筛网(mesh)通过粒径量的铜粉末在"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)500ml中进行搅拌，同时添加0.3g。另外，实验例10所采用的表面活性剂与在"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)中添加的类型相同，其直接添加于耐压电镀槽11的内部。实验例7:"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)实验例8:"铜镀浴配方"十电铜31小时溶解(实验例6的组分)实验例9:"铜镀浴配方"+铜粉末实验例10:相对实验例9的场合，还添加0.4ml非离子表面活性剂将上述4种的铜用电镀液40ml分别注入到耐压电镀槽11中，在大气压下在25'C的温度下将金属基体试样浸渍于该4种铜用电镀液中，观察经过3分钟，5分钟，IO分钟，12分钟和15分钟之后的各自的表面状态。将结果显示在表2中。另外，在表2所示的结果中，未认定在铜表面上有溶解的情况由O表示，确认在铜表面上有溶解状态的情况由A表示，铜全部溶解的情况由X表示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>注)〇未变化表面溶解X:整体溶解根据表2所示的结果可知，即使相对"铜镀浴配方"，预先溶解大量(bulk)的电铜的情况下，仍无法抑制由铜形成的金属基体的溶出，但是，添加铜金属粉末，使铜金属粉末在以粉末状态分散的状态下，可抑制由铜形成的金属基体的溶出，另外，如果较多地添加表面活性剂，则可抑制由铜形成的金属基体的溶出。实验例U12:根据表2所示的结果可明确地知道，采用添加铜金属粉末而使铜金属粉末以粉末状态分散的状态的铜电镀液，并且如果较多地添加表面活性剂，则可进一步抑制由铜形成的金属基体的溶出，故采用实验例10的电镀液，观察相对与在上述实验例15中所采用的相同的铜的金属基体试样，改变施加于金属基体试样和对电极之间的电压的情况的、由金属基体的铜的溶出状态的变化。艮P，在实验例ll中，未施加电压，在实验例12中，施加1V的电压，在实验例13中，施加5V的电压，另外，各自的电镀液的使用量为40ml，电镀液的温度为4(TC，在完全搅拌状态下进行操作。另外，该1V的电压指，从理论上，未进行镀铜，并且未溶解有铜的电压。将结果汇总，由表3表示。另外，在表3中，在目视状态下，形成正常的铜电镀覆膜的情况由〇表示，形成镀覆膜的场合具有不均匀的情况由A表示，全部溶解的情况由X表示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>注)〇电镀有不均匀X:整体溶解根据表3所示的结果可知，最好，按照在"铜镀浴配方"中添加铜粉末，铜粉末处于浮游状态的方式，并且为了采用大量添加表面活性剂的电镀液，而在由铜形成的金属基体中进行镀铜处理，在将金属基体浸渍于电镀液中之前开始，施加电镀所必需的电压(在这里为5V)。实验例14:在实验例14中，采用表3所示的结果最好的实验例13的条件，使用图l所示的电镀装置10，在超临界条件下，进行电镀。作为铜的电镀液，与实验例13的方式相同，将在"铜镀浴配方"(High-ThrowBath)中添加了铜粉末，铜粉末处于浮游状态的溶液30ml注入到耐压电镀层11的内部，另外，还添加0.3ml的非离子表面活性剂。接着，金属基体试样22采用通过溅射法，在2cmX2cm的TaN衬板上，形成厚度为65nm的铜薄膜的试样。在对该金属基体试样22进行酸洗前处理之后，将其与对电极23—起，按照不接触电镀液19的方式设置于上述耐压电镀槽11内的电镀液19的上部。另外，电镀液19的使用量为30ml。接着，在对与实验例15所采用的相同的金属基体试样22进行酸洗前处理之后，将其与对电极23—起，按照不接触电镀液19的方式设置于上述耐压电镀槽ll内的电镀液19的上部。在该状态下，将耐压电镀槽ll内的电镀液加热到4(TC的温度，金属基体试样22和对电极23之间，施加5V的电压，在最初，不用搅拌子20搅拌电镀液19，通过对二氧化碳气瓶12、高压泵组件13、阀14、压力调整组件18进行操作，按照耐压电镀槽11的内部的压力为lOMPa的方式对其进行加压。另夕卜，在耐压电镀槽11内部的压力达到10Mpa时，同时地通过搅拌子20对电镀液19进行搅拌。维持该状态3分钟，接着，通过在于金属基体试样22和对电极23之间，施加5V的电压的状态下，对压力调整组件18进行操作，慢慢地排出耐压电镀槽11内的二氧化碳，将其压力下降到大气压。在已获得的金属基体试样22的表面上，形成良好的镀铜覆膜。于是，显然，按照在实验例14中采用的操作条件，也可适用于超临界流体的金属镶嵌法，或双金属镶嵌法。另外，在上述实验例中，铜粉末采用300筛网(mesh)通过的粒度的粉末，但是，由于该铜粉末的目的在于将电镀液中的铜浓度实质上维持在饱和浓度，故粒径可较小，以便增加溶解速度。特别是如果釆用小于lpm的颗粒，则向电解液中的分散状态良好，另外，由于难以凝聚，故还可在具有小于l[im的精度的衬底结构上容易地进行电镀。另外，虽然目前，难以获得金属的平均粒径小于lnm的细微的金属粉末，但是，可实现到平均粒径lnm的程度。此外，在上述各实验例中，对金属基体和电镀的金属均为铜的场合进行了说明，但是，本发明的电镀方法在金属基体和电镀的金属为相同种类的场合，实现同样的效果。由此，金属基体和电镀的金属不仅适用于铜的场合，还可等同地适用于锌，铁，镍，钴等。权利要求1、一种电镀方法，其为在金属基体的表面上进行电镀的方法，其特征在于包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态下采用诱导共析现象进行电镀。2、根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，上述金属粉末为与金属基体或通过电镀处理获得的金属覆膜中的至少一者相同种类的金属。3、根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，上述金属粉末的平均粒径在lpm以上100nm以下。4、根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，上述金属粉末的平均粒径在lnm以上，小于lpm。5、根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，在将上述金属基体浸渍于上述电镀液之前开始，施加上述金属基体不溶解的电压。6、根据权利要求5所述的电镀方法，其特征在于，上述金属基体不溶解的电压为电镀时的电压。全文摘要在于金属基体的表面上进行电镀时，包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态，采用诱导共析现象，进行电镀。由于电镀液中的金属浓度为饱和或过饱和状态，故可抑制金属基体的溶解速度，并且采用诱导共析现象，在短时间获得平滑表面的电镀层。本发明的电镀方法可适用于下述情况，即，金属基体由形成在设置于基板上的绝缘膜的表面上的金属薄膜形成的情况下，上述金属为铜、锌、铁、镍、钴时都可以适用。通过采用这样的方案，可提供下述的电镀方法，在于金属基体的表面上进行电镀时，可防止金属基体的溶解，即使是极薄的金属基体，仍可正常地进行电镀。文档编号C25D5/00GK101535531SQ20078003692公开日2009年9月16日申请日期2007年9月21日优先权日2006年10月2日发明者宫田清藏,曾根正人,清水哲也,田岛永善申请人:S.E.S.株式会社;宫田清藏