专利名称：制作可平衡气体压力的流道的方法
技术领域：
本发明涉及一种可平衡气体压力的流道的利记博彩app，尤指一种可避免晶 片在进行双面工艺时因压力差而受损的方法。
背景技术：
相较于半导体元件的结构，微机电元件由于兼具电子与机械双重特性， 因此其结构往往较复杂，而需利用双面工艺加以制作。在现行制作孩支机电元 件的工艺中，例如制作微感测器、微致动器与微镜面结构等工艺中，必须先 对晶片的正面进行正面工艺以制作出腔体，接下来将晶片的正面贴附于承载 晶片，再对晶片的背面进行背面工艺。然而，当晶片的正面贴附于承载晶片 时，晶片正面的腔体会被承载晶片与粘着层封闭而形成密闭空间。现行工艺 往往在真空状态下进行，在此状况下当晶片进行背面工艺时由于腔体内的压 力与工艺环境的压力差，容易使微机电结构破裂，特别是在使用薄晶片的状 况下，此问题更显得严重而待改进。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种制作可平衡气体压力的流道的方法，以 提升双面工艺的成品率。
根据本发明的一优选实施例，提供一种制作可平衡气体压力的流道的方 法。首先提供元件晶片，该元件晶片包含有一正面。接着对该元件晶片进行 正面工艺，该正面工艺包含在该元件晶片的该正面形成多个腔体，且所述腔 体之间未互相导通。随后在该元件晶片的该正面形成多条流道，且所述腔体 通过所述流道而互相导通。接着提供承载晶片，并将该元件晶片的该正面贴 附于该承载晶片上。该承载晶片覆盖于该元件晶片的所述腔体上，且通过所 述流道使所述腔体内的压力与所述腔体外的压力达到平衡。
为了使能更近一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发 明的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明
加以限制。
图1至图5为本发明一优选实施例的制作可平衡气体压力的流道的方法
示意图。
图6至图11为本发明另一优选实施例的制作可平衡气体压力的流道的 方法示意图。
附图标记说明
30元件晶片32正面
34腔体36流道
40承载晶片42粘着层
50元件晶片52正面
54腔体56牺牲层
58流道60承载晶片
62粘着层
具体实施例方式
请参考图1至图5。图1至图5为本发明一优选实施例的制作可平衡气 体压力的流道的方法示意图，其中图1与图3为俯视图，图2、图4与图5 为剖面示意图。如图1与图2所示，首先提供元件晶片30,例如硅晶片，且 元件晶片30包含有正面32。接着对元件晶片30进行正面工艺，正面工艺依
蚀刻与掺杂等工艺。在本实施例中，正面工艺包含有在元件晶片30的正面 32形成多个腔体34，其中腔体34的制作可视腔体34的形状与深宽比等而 选用干式湿刻例如反应性离子蚀刻(RIE)，或是湿式蚀刻例如利用氢氧化钾溶 液或氢氧化四曱基铵(TMAH)溶液作为蚀刻液，且各腔体34之间未互相导通。
接着如图3所示，进行切割工艺，利用切割刀具噪元件晶片30的正面 32形成多条流道36，其中流道36的深度小于腔体34的深度，其作用在于 使腔体34之间互相导通，但不影响腔体34的结构。在本实施例中，流道36
呈现纵向的条状排列，-f旦不限于此，在J吏腔体34可通过流道36与外界环境 连通的前提下，流道36亦可为橫向的条状排列、斜向的条状排列或矩阵状排列等。
如图4所示，随后提供承载晶片40，并在承栽晶片40的表面形成粘着 层42。粘着层42的材并+可为光致抗蚀剂、苯环丁烯(benzocyclobutene， BCB)、 聚酰亚胺(polyimide)、蜡、千膜、热释放胶带(thermal release tape)或紫外线 胶带(UVtape)等，或其它任何可在后续工艺轻易以蚀刻、加热或光照等方式 加以去除的材料。
如图5所示，利用粘着层42将元件晶片30的正面32贴附于承载晶片 40的表面，随后再对元件晶片30进行背面工艺，待背面工艺完毕后，再去 除粘着层42。由于流道36的设置，使得承载晶片40覆盖于元件晶片30的 腔体34上时，腔体34会与外界环境流通而使得腔体34内的压力与腔体34 外的压力达到平tf而具有相同压力。
请参考图6至图11。图6至图11为本发明另一优选实施例的制作可平 衡气体压力的流道的方法示意图，其中图6与图9为俯视图，图7至图8与 图10至图11为剖面示意图。如图6与图7所示，首先提供元件晶片50，且 元件晶片50包含有正面52。 4矣着对元件晶片50进行正面工艺，上述正面工 艺包含有在元件晶片50的正面52形成多个腔体54，且各腔体54之间未互 相导通。
接着如图8与图9所示，在元件晶片50的52正面涂布牺牲层56。牺牲 层56可选用感光性牺牲层，且在此状况下可利用光刻工艺去除部分感光性 牺牲层，以形成多个流道58。另外，牺牲层56亦可使用非感光性材料，在 此状况下可在牺牲层56上形成另一光致抗蚀剂层(图未示)，并利用光刻工艺 与蚀刻工艺在牺牲层56中形成多个流道58。同样地，流道58的作用在于使 腔体54之间互相导通。在本实施例中，流道58呈现矩阵状排列，但不限于 此而亦可如前一实施例呈纵向的条状排列，或为横向的条状排列、斜向的条 状排列等。
如图IO所示，随后提供承载晶片60，并在承载晶片60的表面形成粘着 层62。粘着层62的材料可为前述实施例所披露的材料，或其它任何适合具 有粘着性并可在后续工艺轻易以蚀刻、加热或光照等方式加以去除的材料。
如图11所示，利用粘着层62将元件晶片50的正面52贴附于承载晶片60的表面，随后再对元件晶片50进行背面工艺，待背面工艺完毕后，再去 除粘着层62。由于流道58的设置，使得承载晶片60覆盖于元件晶片50的 腔体54上时，腔体54会与外界环境流通而使得腔体54内的压力与腔体54 外的压力达到平衡而具有相同压力。
由上述可知，本发明利用连通腔体的流道释放腔体内的气体压力，使得 元件晶片在进行背面工艺时，腔体内的压力与腔体外的压力达到平衡而可避 免微机电结构因压力差产生破裂。本发明的方法可大幅提升双面工艺的成品 率，特别是对于薄晶片(晶片厚度小于200微米)的双面工艺而言，且本发明 的方法利用承载晶片作载具的作法亦可直接利用现行机台的传送架构，而不 需变更机台的设计。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的等同变 化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种制作可平衡气体压力的流道的方法，包含提供元件晶片，该元件晶片包含有一正面；对该元件晶片进行一正面工艺，该正面工艺包含在该元件晶片的该正面形成多个腔体，且所述腔体之间未互相导通；在该元件晶片的该正面形成多条流道，且所述腔体通过所述流道而互相导通；以及提供承载晶片，并将该元件晶片的该正面贴附于该承载晶片上，其中该承载晶片覆盖于该元件晶片的所述腔体上，且通过所述流道使所述腔体内的压力与所述腔体外的压力达到平衡。
2. 如权利要求1所述的方法，其中所述流道利用切割工艺形成。
3. 如权利要求1所述的方法，其中所述流道利用蚀刻工艺形成。
4. 如权利要求1所述的方法，其中形成所述流道的步骤包含 在该元件晶片的该正面涂布感光性牺牲层；以及进行光刻工艺，去除部分该感光性牺牲层，以形成所述流道。
5. 如权利要求1所述的方法，其中所述流道呈条状排列。
6. 如权利要求1所述的方法，其中所述流道呈矩阵状排列。
7. 如权利要求1所述的方法，其中该元件晶片为一薄晶片。
8. 如权利要求1所述的方法，另包含在该元件晶片的该正面贴附于该承载晶片上之后，对该元件晶片进行一背面工艺。
9. 如权利要求1所述的方法，其中该元件晶片的该正面利用一粘着层贴附于该承载晶片上。
10. 如权利要求9所述的方法，其中该粘着层的材料包含有光致抗蚀剂、 苯环丁烯、聚酰亚胺、蜡、干膜、热释放胶带或紫外线胶带。
全文摘要
本发明公开了一种制作可平衡气体压力的流道的方法。首先提供一元件晶片，并在元件晶片的正面形成多个腔体，且腔体之间未互相导通。随后在元件晶片的正面形成多条流道，且腔体通过流道而互相导通。接着将元件晶片的正面贴附于承载晶片上，且通过流道使腔体内的压力与腔体外的压力达到平衡。
文档编号B81C1/00GK101172572SQ200610136600
公开日2008年5月7日 申请日期2006年10月31日 优先权日2006年10月31日
发明者张宏达 申请人:探微科技股份有限公司