非贵金属MoS₂修饰的CdS纳米棒光催化剂及其制备方法和应用

非贵金属MoS₂修饰的CdS纳米棒光催化剂及其制备方法和应用
【专利摘要】本发明公开了非贵金属MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂及其制备方法和应用，该光催化剂是在CdS纳米棒的表面修饰有非贵金属MoS2颗粒，制备时通过简单的原位光还原的方法实现在CdS纳米棒的表面沉积MoS2。本发明的光催化剂具有纳米棒状形貌，在MoS2含量为0.2wt.％时即可表现出高效、稳定的可见光分解水产氢活性，本发明的催化剂制备工艺简单，使用非贵金属MoS2作为助催化剂，大幅度降低了催化剂成本，所得样品具有高效、稳定的可见光分解水产氢活性。
【专利说明】
非贵金属MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂及其制备方法和应用
技术领域
[0001]本发明涉及一种非贵金属修饰纳米棒状CdS光催化剂的制备及其在可见光下光催化分解水生产氢气的研究，属于材料制备领域，
【背景技术】
[0002]化石能源枯竭所导致的能源危机以及大规模使用化石能源所引起的环境污染是当今世界可持续发展所面临的两大问题。氢能以其清洁、来源广、燃烧热值高等优点被认为是解决这两大问题的理想方案。开发以氢能为代表的清洁、高效、可持续的新能源，无论对中国、还是对世界的可持续发展都极具意义。
[0003]作为典型的二次能源，自然界中单质态的氢极少存在，因此必须将含氢物质转化后方能得到氢气。目前的制氢原料主要基于各种化石燃料、水、生物质等。按底物能否再生分为不可再生制氢和可再生制氢两种途径。大概95%的氢是通过重整煤、天然气、石油等化石燃料来获得。基于化石能源的枯竭及环境问题，由化石资源获取氢能并不是长久之计。电解水制氢是目前仅次于天然气重整制氢的第二大制氢方法，占现有制氢总量的4%左右。电解水制氢存在的最大问题是槽电压过高，导致能耗大、制氢成本高。另一方面，对水源的纯度要求高，使用有杂质的水会显著降低电解池使用寿命。太阳能是太阳内部连续不断的核聚变反应产生的能量，每年辐射到地面的太阳能高达173，000TW，而全人类每年消耗的能源总量却不及这个数值的百分之一。如果能利用太阳能来制氢，那就等于把无穷无尽的、分散的太阳能转变成了高度集中的干净能源，其意义十分重大。1972年Honda和Fujishima应用n-Ti02电极首次实现了光电催化分解水制氢[Nature 1972,238(5358)，37_38]，正式拉开了光催化分解水产氢的研究序幕。
[0004]光解水产氢的基本原理是建立在半导体能带理论基础上，其整个过程可分为三个部分:(I)载流子的产生。当入射光光子能量大于半导体的带隙时，电子就会被激发，从价带跃迀到导带，同时在价带上留下一个带正电荷的空穴；(2)载流子的分离和迀移。上述光生电子和空穴从体相迀移至催化剂表面；(3)表面载流子同水的反应。当半导体的价带电势高于VQ2/H2Q= 1.23V( VS.NHE，pH= 7)时水就会被空穴氧化，生成氧气。当导带的电势低于Vh+/h2= 0V(vs.NHE，pH= 7)时，水就会被光生电子还原为氢气。光解水的量子效率主要制约于光催化剂的光吸收范围、载流子的有效分离和表面水的氧化还原反应等三个过程。
[0005]CdS是最为典型的可见光光解水催化剂，其带隙为2.4eV，可有效利用太阳光谱中占主要部分的可见光。制备特定形貌如具有量子限域效应的一维纳米棒状的CdS或对其进行贵金属修饰(如能形成肖特基势皇的Pt、Pd或Ru等)，能显著提高光生载流子的迀移和分离效率，进而提高产氢量子效率和抑制CdS的光腐蚀现象发生。目前，绝大多数光解水催化剂都需要负载一定量的贵金属才能显现出显著的分解水产氢活性。然而，铂族金属作为贵金属，不但价格昂贵且自然界中储量稀少，大大阻碍了其大规模商业化应用。此外，所修饰负载上的贵金属团聚严重，不能有效利用，贵金属含量至少要求在0.5wt.%[J.Phys.Chem.C 2013,II7,783-790；Journal of Materials Chemistry A 2014,2,3407-3416]以上方可显著提高产氢效率。因此，开发出价格低廉且具较高活性与稳定性的非铂催化剂来替代贵金属助催化剂，被认为是降低催化剂成本，进而实现光解水制氢的商业化应用的重要一环。

【发明内容】

[000?]本发明旨在提供一种新型的非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂及其制备方法和在可见光分解水产氢中的应用，所要解决的技术问题是现有光解水催化剂制备工艺的复杂和新型非贵金属助催化剂的开发利用。
[0007]本发明解决技术问题，采用如下技术方案:
[0008]本发明的非贵金属MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂，是在CdS纳米棒的表面修饰有非贵金属M0S2颗粒。其中所述非贵金属M0S2的修饰量为0.1?1.0wt.% (修饰量是指非贵金属MoS2占催化剂中CdS纳米棒质量的比例)。
[0009]本发明非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂的制备方法，是按如下步骤进行:
[0010](I)将非贵金属MoS2前驱物溶于乙二胺中，获得MoS2前驱物溶液；
[0011](2)称取四水合硝酸镉和硫脲至聚四氟乙烯容器中，然后加入乙二胺，剧烈搅拌至溶解，获得CdS原料溶液；
[0012](3)将步骤(2)中盛有CdS原料溶液的聚四氟乙烯容器装入不锈钢水热釜，然后放置于150-180°C鼓风烘箱中，溶剂热处理24-48h，最后自然冷却至室温，得反应液；
[0013](4)将步骤(3)所得反应液中的固体产物进行离心、洗涤、真空烘干，即得CdS纳米棒；
[0014](5)将步骤(4)所得CdS纳米棒分散于去离子水中，然后加入乳酸作为牺牲剂，同时加入步骤(I)所得的MoS2前驱物溶液，搅拌均匀，体系密闭抽真空，获得悬浊液；
[0015](6)将步骤(5)所得悬浊液在λΜΟΟηπι的可见光下进行照射2?4h，然后对所得反应液中的固体产物进行离心、洗涤、真空烘干，即得非贵金属MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂。
[0016]优选的，步骤(I)中所述贵金属MoS2前驱物为(NH4)2MoSl
[00? 7] 优选的，步骤(I)中非贵金属M0S2前驱物与乙二胺的用量比为162.5mg: 50mL ；步骤
(2)中四水合硝酸镉、硫脲及乙二胺的用量比为4.66g: 3.45g: 60mL;步骤(5)中CdS纳米棒、去离子水、乳酸及MoS2前驱物溶液用量比为0.05g: 90mL:1OmL: 25yL?250yL。
[0018]优选的，步骤(4)和步骤(6)中真空烘干的温度为80°C。
[0019]为获得具有所需要的非贵金属修饰量的CdS纳米棒，在前期投料时，首先根据四水合硝酸镉和所得产物CdS纳米棒的摩尔量相同，通过四水合硝酸镉的质量算得CdS纳米棒产物的质量，然后取出一定量的CdS置于密闭反应容器中，最后再根据催化剂质量确定修饰的非贵金属前驱物溶液的用量。
[0020]本发明还公开了上述制备方法所制备的CdS纳米棒光催化剂的应用，其特点在于:用于在可见光下催化分解水产生氢气。
[0021]使用本发明的光催化剂可见光分解水产生氢气的应用方法，包括以下步骤:
[0022]1、称取适量所制备的CdS纳米棒于上照式光催化反应器中，然后加入适量体积的纯水和少量乳酸(作为牺牲剂，用于消除光生空穴)，再加入一定量的MoS2前驱物溶液，搅拌形成悬浊液；
[0023]2、将上述光催化反应器接入封闭的测试系统，随后将系统抽至真空(压力〈lKPa);
[0024]3、依次开启搅拌器、冷凝装置、气相色谱，待系统稳定后开启氙灯光源(波长〉400nm)；
[0025]4、光照一定时间后将系统中所产生的氢气进行在线色谱分析。
[0026]与已有技术相比，本发明的显著优点在于:
[°027 ]本发明公开了一种新的非贵金属修饰的CdS纳米棒光催化剂的制备方法，制备工艺简单、条件温和，通过溶剂热法和原位光还原的方法即可完成CdS纳米棒的形成和随后的非贵金属M0S2的修饰。通过一步光反应操作，实现M0S2的光还原沉积和随后的光催化分解水产氢，简化了反应操作流程;此外，该发明制备催化剂所需的非贵金属MoS2含量低，其在所制备的CdS纳米棒上呈高分散状态，无团聚;本发明的CdS纳米棒光催化剂在较低非贵金属含量下即可高效稳定地分解水产氢。
【附图说明】
[0028]为了清楚体现本发明的技术方案和优点，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述，其中:
[0029]图1为实施例1、2、3所得光催化剂样品的X射线粉末衍射图；
[0030]图2为实施例1、2、3所得样品的紫外可见漫反射光谱图；
[0031]图3为实施例1、2所得样品的扫描电镜图和实施例2所得样品的透射电镜图；
[0032]图4为实施例2所得样品的面扫描元素分布图；
[0033]图5为实施例2所得样品的X射线光电子能谱分析图；
[0034]图6为实施例1、2、3所得样品在可见光下分解水产氢的产氢速率图；
[0035]图7为实施例1、2、4、5、6所得样品在可见光下分解水产氢的产氢速率图；
[0036]图8为实施例2所得样品在可见光下分解水产氢的寿命图。
【具体实施方式】
[0037]实施例1
[0038]本实施例按如下步骤合成CdS纳米棒:
[0039]用电子天平称取4.66g分析纯四水合硝酸锦和3.45g硫脲至10mL圆柱形聚四氟乙烯容器中，然后加入60mL分析纯乙二胺，剧烈搅拌至溶解，获得CdS原料溶液;将聚四氟乙烯容器密封，装入不锈钢水热釜，于160°C的鼓风干燥箱中热处理48h;自然冷却至室温后，对所得样品进行离心、去离子水洗涤，最后于80°C下真空烘干，即得CdS纳米棒光催化剂。
[0040]本实施例所得样品记为CdS-N。
[0041 ] 实施例2
[0042]将162.5mg(NH4)2MoS4溶于50mL乙二胺中，获得MoS2前驱物溶液；
[0043]取0.05g实施例1所得的CdS纳米棒品于制氢装置反应器中，加入90mL去离子水、1mL乳酸作为牺牲剂，同时加入50yL的MoS2前驱物溶液搅拌均匀，体系密闭抽真空，获得悬浊液;将悬浊液在加滤光片的300W Xe灯下(λΜΟΟηπι的可见光下)进行照射3h，对所得反应液中的固体产物进行离心、洗涤和80°C真空烘干，即得非贵金属MoS2修饰的CdS纳米棒光催化剂，MoS2的修饰量为0.2wt.%。
[0044]本实施例所得样品记为0.2%MoS2/CdS_N。
[0045]实施例3
[0046]本实施例按实施例2相同的步骤合成非贵金属MoS2(0.1-1.0wt.% )修饰的CdS纳米棒，区别仅在于在制备过程中MoS2前驱物溶液的加入量不同。本实施例所得样品依次记为0.I % MoS2/CdS-N，0.3 % Mo S2/CdS-N，0.5 % MoS2/CdS-N ,1.0% MoS2/CdS-N。
[0047]实施例4
[0048]本实施例按如下步骤合成MoS2(0.2wt.% )修饰的CMS纳米棒:
[0049]取1.09g实施例1合成的CdS纳米棒，加入30mL分析纯乙二胺至50mL圆柱形聚四氟乙烯容器中，搅拌溶解，然后加入实施例2中的MoS2前驱物溶液1.lmL，获得原料溶液;将聚四氟乙烯容器密封，装入不锈钢水热釜，于200°C的鼓风干燥箱中热处理24h;自然冷却至室温后，用去离子水对所得样品进行洗涤、离心，最后于80°C下真空烘干，即得0.2%MoS2/CdS-N纳米棒光催化剂。
[0050]本实施例所得样品记为0.2%MoS2/CdS_N TS-E。
[0051 ] 实施例5
[0052]本实施例按如下步骤合成MoS2(0.2wt.% )修饰的CMS纳米棒:
[0053]用电子天平称取2.33g分析纯四水合硝酸镉和1.72g硫脲至50mL圆柱形聚四氟乙烯容器中，然后加入30mL分析纯乙二胺，再加入实施例2中的MoS2前驱物溶液1.lmL，剧烈搅拌至溶解，获得原料溶液;将聚四氟乙烯容器密封，装入不锈钢水热釜，于200°C的鼓风干燥箱中热处理24h;自然冷却至室温后，用去离子水对所得样品进行洗涤、离心，最后于80°C下真空烘干，即得0.2 %MoS2/CdS-N纳米棒光催化剂。
[0054]本实施例所得样品记为0.2%MoS2/CdS_N 0S-E。
[0055]实施例6
[0056]本实施例按如下步骤合成MoS2(0.2wt.% )修饰的CMS纳米棒:
[0057]取0.3g实施例1方法合成的CdS纳米棒，加入实施例2中的MoS2前驱物溶液0.3mL，酌情加少量水超声浸渍，然后80°C下真空烘干;最后所得样品380°C、出保护下煅烧处理4h，即得0.2 %MoS2/CdS-N纳米棒光催化剂。
[0058]本实施例所得样品记为0.2%MoS2/CdS-N_IR。
[0059]性能测试
[0060]图1为实施例1-3所得光催化剂样品的粉末X射线衍射图。从图中可以看出所合成的六个样品的XRD衍射峰均可归属为六方相CdS。六个纳米棒状样品(CdS-N，0.1^MoS2/CdS-N，0.2%MoS2/CdS-N,0.3%MoS2/CdS-N,0.5%MoS2/CdS-N, 1.0%MoS2/CdS-N)都具有较强的衍射峰而且无其他杂质峰，表明纳米棒状样品具有更高结晶度和纯度。在制备纳米棒状MoS2/CdS-N过程中，往溶液中添加前驱体溶液并没有影响CdS纳米棒的形貌，这些样品的XRD衍射图谱与纯的CdS纳米棒(CdS-N)的图谱几乎一样。由于MoS2的负载量仅为0.1-1.0wt.%,在所有谱图中均未观察到任何MoS2衍射峰。
[0061]图2为实施例1、2、3所得样品的紫外可见漫反射光谱图。从图中可以看出无论是纳米棒状CdS还是MoS2/CdS-N的吸收带边均在在530nm左右。对应的带隙能为2.34eV。说明MoS2只是负载在CdS表面，并没有改变CdS的内部结构。非贵金属MoS2修饰纳米棒后，样品在可见区的光吸收强度稍有增强，但带边位置未发生变化。
[0062]图3为实施例1、2所得样品的扫描电镜图(图3a为CdS-N;图3b为0.2%MoS2/CdS_Ν;)和实施例2所得样品的透射电镜图(图3c)和高分辨透射电镜图(图3d)。从图中可以看出原位光还原法沉积MoS2形成MoS2/CdS-N后，依然保持CdS的纳米棒状结构，纳米棒的平均宽度为50nm。
[0063]图4为实施例2所得样品的和面扫描元素分布图。图中结果进一步证实了实施例2所得样品为纳米棒状。图4面扫描的元素分析显示S、Cd、Mo元素呈均匀分布状态(图3b_d)。
[0064]图5为实施例2所得样品的X射线光电子能谱分析图。依据特征结合能峰出现结果可知样品由Cd、S和Mo元素构成。Mo元素化合价为+4价，说明MoS2/CdS-N的形成。
[0065]图6为实施例1、2、3所得样品在可见光下分解水的产氢速率图。实验考查了不同含量MoS2对产品产氢活性的影响。对比实验的结果显示，在产氢体系中仅仅加入MoS2前驱液，产氢速率仅为7μηιο1.h—I说明前驱液无产氢活性，产氢量可以忽略不计。当在产氢体系中没有添加MoS2前驱液，样品CdS-N的产氢速率仅为127μπι01.h—1，加入一定量的MoS2前驱液后产氢速率均有显著的提升，而当加入相对应0.2 %MoS2的前驱液后，速率达到最大404μmo I.h—1.g—1。当加入的前驱液对应MoS2的量大于0.2%时，活性开始降低。这表明MoS2/CdS-N的最佳优化量是0.2 % MoS2。
[0066]图7为实施例1、2、4、5、6所得样品在可见光下分解水的产氢速率图。对于不同方法合成的M0S2修饰的CdS纳米棒，实施例2的原位光还原法所得样品的活性(404μηιοI.h—1)显著大于两步法(0.2%MoS2/CdS-N TS-E,251ymol.h—O，一步法(0.2%MoS2/CdS-N OS-E,108μπιο1.h—O和浸渍-还原法(0.2%MoS2/CdS-N-1R，108ymol.h—O)所得的样品。这一结果表明，原位光还原法合成的纳米棒状结构0.2 %MoS2/CdS-N更有利于分解水产氢。
[0067]图8为实施例2所得样品在可见光下分解水产氢的寿命图。结果显示，在5轮循环光照实验中，所得的产氢量随光照时间的变化曲线几乎平行。随着乳酸的消耗，样品的产氢活性稍有下降，重新加入乳酸后，产氢活性可恢复。这些结果证实了所得样品的活性稳定性。
[0068]现有非贵金属修饰的催化剂体系主要是通过两步进行合成:(I)先制备出催化剂；
(2)将催化剂与非贵金属前驱物溶液进行浸渍，再用外部还原剂如H2/Ar、NaBH4、甲醛、光生电子等将贵金属前驱物还原为单质态或者在高温煅烧下得到所需要的物质。而在本发明的这个体系中，非贵金属的还原沉积是通过原位光还原的简单方法进行的。
【主权项】
1.非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂，其特征在于:是在CdS纳米棒的表面修饰有非贵金属M0S2颗粒。2.根据权利要求1所述的非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂，其特征在于:所述非贵金属M0S2的修饰量为0.1?1.0wt.%。3.—种权利要求1或2所述的非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行: (1)将非贵金属MoS2前驱物溶于乙二胺中，获得MoS2前驱物溶液； (2)称取四水合硝酸镉和硫脲至聚四氟乙烯容器中，然后加入乙二胺，剧烈搅拌至溶解，获得CdS原料溶液； (3)将步骤(2)中盛有CdS原料溶液的聚四氟乙烯容器装入不锈钢水热釜，然后放置于.150-180 0C鼓风烘箱中，溶剂热处理24-48h，最后自然冷却至室温，得反应液； (4)将步骤(3)所得反应液中的固体产物进行离心、洗涤、真空烘干，即得CdS纳米棒； (5)将步骤(4)所得CdS纳米棒分散于去离子水中，然后加入乳酸作为牺牲剂，同时加入步骤(I)所得的MoS2前驱物溶液，搅拌均匀，体系密闭抽真空，获得悬浊液； (6)将步骤(5)所得悬浊液在λΜΟΟηπι的可见光下照射2?4h，然后对所得反应液中的固体产物进行离心、洗涤、真空烘干，即得非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于: 步骤(I)中所述非贵金属MoS2前驱物为(NH4)2MoSl5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于: 步骤(I)中非贵金属MoS2前驱物与乙二胺的用量比为162.5mg:50mL; 步骤(2)中四水合硝酸镉、硫脲及乙二胺的用量比为4.66g: 3.45g: 60mL; 步骤(5)中CdS纳米棒、去离子水、乳酸及MoS2前驱物溶液用量比为0.05g:90mL:10mL:25yL?250yL。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于:步骤(4)和步骤(6)中真空烘干的温度为 80°C。7.—种权利要求1或2所述非贵金属M0S2修饰的CdS纳米棒光催化剂的应用，其特征在于:用于在可见光下催化分解水产生氢气。
【文档编号】B01J27/051GK105833885SQ201610285209
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】付先亮, 张莉, 刘理华, 陈士夫
【申请人】淮北师范大学