具有彼此不同间距的声学元件的部件的声学探头的利记博彩app

文档序号:9239332阅读:643来源:国知局
具有彼此不同间距的声学元件的部件的声学探头的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及声学探头,并且具体涉及具有声学换能器或元件的阵列和对应的声学元件电路的声学探头。
【背景技术】
[0002]声学(例如超声学)成像系统在越来越多的背景中被采用。声学成像系统一般采用声学探头,以用于将声束提供到待成像的区域并且接收从所述区域返回的声波。声学探头可以采用声学阵列来生成声束,所述声束可以被聚焦并转向到感兴趣区域。声学阵列可以被配置为单行的声学元件、用于对二维(2D)图像平面进行成像的一维(ID)阵列、或用于对三维区域进行成像的二维(2D)阵列。这些声学元件中的每个包括声学换能器元件,以及对应的声学元件电路。2D阵列包括沿方位和高度两个方向延伸的声学元件,所述元件可以被完全独立地操作以沿任何方位或高度方向对射束进行聚焦和转向。可以以平的或弯曲的取向来配置这些阵列。
[0003]在影响声学探头和声学成像系统的性能的声学阵列重要参数中有相邻声学元件之间的间距或间隔以及声学阵列的大小。具体而言,在一些应用中期望提供在相邻声学元件之间具有小间距的大声学阵列。然而,从实用角度看,难以生产单个的半导体模来实现可以与期望的一样大的声学阵列。另外,将大的半导体模安装在声学探头的外壳的弯曲表面上可能是有问题的。

【发明内容】

[0004]因此,期望提供一种声学探头,所述声学探头包括在相邻声学元件之间具有小间距的大声学阵列。还期望提供一种半导体模,所述半导体模可以在这样的声学阵列中被采用。还期望提供一种半导体晶片,可以在所述半导体晶片上制造一个或多个这样的模。
[0005]在本发明的一个方面中,一种设备包括声学探头,所述声学探头具有彼此分离并隔开的多个声学阵列部件。所述声学阵列部件中的每个包括:声学元件电路的阵列,其被设置为沿至少第一方向以第一间距彼此邻近;多个焊盘,每个焊盘对应于所述声学元件电路中的一个并且被形成在对应的所述声学元件电路的电路区域内,所述焊盘沿至少所述第一方向以第二间距被布置;多个互连凸块,每个互连凸块对应于所述焊盘中的一个并且被设置为与对应的所述焊盘电气连接,其中,所述互连凸块沿至少所述第一方向以第三间距被设置;以及在所述互连凸块上的多个声学换能器元件,其中,所述声学换能器元件沿至少所述第一方向以第四间距被设置,并且其中,所述第一间距、所述第二间距、所述第三间距和所述第四间距中的至少两个是彼此不同的。
[0006]在一些实施例中,所述第三间距大于所述第二间距。
[0007]在一些实施例中,所述第四间距大于所述第三间距。
[0008]在一些实施例中,所述第二间距大于所述第一间距。
[0009]在这些实施例的一些版本中,所述第二间距、所述第三间距和所述第四间距彼此近似相同。
[0010]在这些实施例的一些版本中,所述第四间距与所述第二间距基本相同,并且所述第三间距大于所述第四间距。
[0011]在这些实施例的一些版本中,所述第二间距与所述第一间距近似相同。
[0012]在这些实施例的一些版本中,所述第三间距与所述第一间距近似相同,并且所述第四间距大于所述第一间距。
[0013]在这些实施例的一些版本中,所述第三间距大于所述第一间距,并且所述第四间距与所述第三间距近似相同。
[0014]在一些实施例中,在所述多个声学阵列部件中的至少第一声学阵列部件和第二声学阵列部件被一起提供在公共半导体基底上,其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述焊盘一起形成焊盘阵列,并且其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述焊盘在整个所述焊盘阵列上具有基本一致的间距。
[0015]在这些实施例的一些版本中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述声学换能器元件一起形成声学换能器元件的阵列,并且其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述声学换能器元件在整个所述声学换能器元件的阵列上具有基本一致的间距。
[0016]在一些实施例中,在所述多个声学阵列部件中的至少第一声学阵列部件和第二声学阵列部件被提供在彼此不同的半导体基底上,其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述焊盘一起形成焊盘阵列,并且其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述焊盘在整个所述焊盘阵列上具有基本一致的间距。
[0017]在这些实施例的一些版本中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述声学换能器元件一起形成声学换能器元件的阵列,并且其中,所述第一声学阵列部件和所述第二声学阵列部件的所述声学换能器元件在整个所述声学换能器元件的阵列上具有声学换能器元件的一致的间距。
[0018]在本发明的另一方面中,一种设备包括:基底,其包括至少第一电路区和第二电路区,其中,所述第一电路区和所述第二电路区由用于从所述基底划出模的划道彼此分离并隔开。所述电路区中的每个包括:声学元件电路的阵列,其沿至少第一方向以第一间距被设置;以及多个焊盘,每个焊盘对应于所述声学元件电路中的一个并且被形成在对应的所述声学元件电路的电路区域内,其中,所述第一电路区和所述第二电路区的所述焊盘一起形成焊盘阵列,所述焊盘阵列在整个所述焊盘阵列上沿至少所述第一方向具有基本一致的间距,其中,所述一致的间距是大于所述第一间距的第二间距。
[0019]在一些实施例中,所述声学元件电路的阵列包括:在所述阵列的第一端处的第一声学元件电路,所述第一声学元件具有对应的第一焊盘;以及在所述阵列的第二端处的末尾声学元件电路,所述末尾声学元件电路与所述阵列的所述第一端相对,所述末尾声学元件具有对应的末尾焊盘,其中,所述第一焊盘和所述末尾焊盘相对于彼此沿对应的所述声学元件电路的相对侧被设置。
[0020]在一些实施例中,所述基底包括至少第三电路区和第四电路区,其中,所述第一电路区、所述第二电路区、所述第三电路区和所述第四电路区形成二维阵列,并且由一个或多个划道彼此分离并隔开。
[0021]在一些实施例中,所述设备还包括多个互连凸块,每个互连凸块对应于所述焊盘中的一个并且被设置为与对应的所述焊盘电气连接。
[0022]在这些实施例的一些版本中,所述设备还包括在所述互连凸块上的多个声学换能器元件,其中,所述互连凸块。
[0023]在本发明的又另一方面中,一种设备包括:声学元件电路的阵列,其沿至少第一方向以第一间距被设置在基底上;以及多个焊盘,每个焊盘对应于所述声学元件电路中的一个并且被形成在对应的所述声学元件电路的电路区域内,所述焊盘沿至少所述第一方向以第二间距被设置,其中,所述第二间距大于所述第一间距。
[0024]在一些实施例中,所述声学元件电路的阵列包括:在所述阵列的第一端处的第一声学元件电路,第一声学元件具有对应的第一焊盘;以及在所述阵列的第二端处的末尾声学元件电路,所述末尾声学元件电路与所述阵列的所述第一端相对,所述末尾声学元件具有对应的末尾焊盘,其中,所述第一焊盘和所述末尾焊盘相对于彼此沿对应的所述声学元件电路的相对侧被设置。
[0025]在一些实施例中,所述设备还包括:多个互连凸块,每个互连凸块对应于所述焊盘中的一个并且被设置为与对应的所述焊盘电气连接;以及被设置在所述互连凸块上的多个声学换能器元件。
【附图说明】
[0026]图1以方框图的形式图示了包括具有弯曲的二维声学阵列的声学探头的声学成像系统。
[0027]图2图示了声学阵列的部分。
[0028]图3图示了基底的电路区的范例实施例,其中,所述电路区包括声学元件电路的阵列。
[0029]图4图示了基底的电路区的范例实施例,其中,所述电路区包括声学元件电路的阵列,每个具有对应的焊盘。
[0030]图5图示了包括多个电路区的半导体晶片的范例性实施例的部分,其中,每个电路区包括声学元件电路的阵列,每个声学元件电路具有对应的焊盘。
[0031]图6图示了包括声学元件电路的阵列的设备的范例实施例,所述声学元件电路每个具有对应的焊盘和互连凸块、以及被设置在互连凸块上的声学换能器。
[0032]图7图示了包括声学元件电路的阵列的设备的实施例,所述声学元件电路每个具有对应的焊盘和互连凸块、以及被设置在互连凸块上的多个声学换能器元件。
[0033]图8图示了包括声学元件的阵列的声学阵列部件的第一范例实施例。
[0034]图9图示了包括声学元件的阵列的声学阵列部件的第二范例实施例。
[0035]图10图示了包括声学元件的阵列的声学阵列部件的第三范例实施例。
[0036]图11图示了声学阵列的第一实施例的部分。
[0037]图12图示了声学阵列的第二实施例的部分。
[0038]图13图示了声学阵列的第三实施例的部分。
[0039]图14图示了声学阵列的第四实施例的部分。
【具体实施方式】
[0040]现在下文将参考附图更全面地描述本发明,在所述附图中示出了本发明的优选实施例。然而,本发明可以以不同的形式来体现,并且不应被解释为限于本文中所述的实施例。相反,这些实施例被提供作为本发明的教导范例。在本公开和权利要求内,当某事物被说成具有“近似”某值时,则意味着它在该值的2%内,当某事物被说成
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