专利名称：立方氮化硼高压合成装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于超硬材料合成技术领域，特别涉及一种立方氮化硼高压合成装置。
背景技术：
目前合成立方氮化硼主要是在高温高压条件下进行的，通常采用的合成装置是由 原料六方氮化硼和触媒两种粉末均匀混合压制成圆柱形合成棒，放入石墨加热管中，两端 盖上与石墨管外径相同直径的碳片，装入叶腊石传压密封块的圆柱形腔体中，两端再放置 导电金属片和导电钢圈组成完整的高压合成装置，将该装置放入六面顶压机的高压工作腔 中，经过六面同步加压，同时通入大电流使石墨管加热，使合成棒中原料六方氮化硼在触媒 催化作用下转化成立方氮化硼并进行晶体生长。在现有技术中，由于合成棒两端部位是处 于压力高，温度低的条件下，造成两端部一个薄层内立方氮化硼生长细小，质量差，生长少 甚至不能生长，导致单位体积内立方氮化硼的转化率低，因此不仅浪费六方氮化硼原料和 触媒材料，而且影响立方氮化硼质量的一致性。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种能够减小合成腔体压力及温度梯度，使整个腔体压 力、温度分布较为均匀，同时提高单位体积内立方氮化硼的转化率，并使立方氮化硼质量一 致性得到提高的立方氮化硼高压合成装置。 实现本实用新型所采取的技术方案是在原合成基础上进行的改进，具体为在合 成腔内石墨加热管的上下两端装有与合成棒同直径的陶瓷片，陶瓷片与合成棒之间设有一 个同直径的石墨加热片，该陶瓷片与石墨加热片及合成棒的累加高度与石墨加热管的高度 相一致。 所述陶瓷片采用氧化物陶瓷片，是由氧化镁，氧化钙和氧化铝中的一种或几种混 合物压制成型的片状结构。 按照上述方案制成的立方氮化硼高压合成装置，具有良好的传压保温性能，合成 棒压力、温度分布的均匀性能够得到有效改善，使合成腔体压力及温度梯度减小，立方氮化 硼的转化率得以提高，而且生长的立方氮化硼晶体质量一致性也得到了提高。
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
参看图l，本实用新型属的立方氮化硼加热装置，是由叶腊石块1、导电钢圈2、导 电金属片3、石墨加热片4、陶瓷片5、石墨加热片6、石墨加热管7、合成棒8组成，各组件按 常规方式依次组装而成，其中，在合成腔内石墨加热管7的上下两端装有与合成棒8同直径的陶瓷片5，该陶瓷片5为氧化镁、氧化钙、氧化铝等氧化物中的一种或几种混合并加入结 合剂压制成型为片状结构，这种陶瓷片5具有良好的传压保温性能，可使合成棒8压力、温 度分布的均匀性得到改善，合成腔体压力及温度梯度减小。在陶瓷片5与合成棒8之间设 有一个同直径的石墨加热片6，以减少合成棒两端与中间部位的温度梯度。陶瓷片5与石墨 加热片6及合成棒8的累加高度与石墨加热管7的高度相一致。由此组成的合成装置能够 使合成棒全部区域内都有立方氮化硼生成并均匀生长，避免出现生长不到两端及生长不均 匀的现象，使原材料转化率和立方氮化硼晶体生长质量的一致性得到提高。
权利要求一种立方氮化硼高压合成装置，其特征在于在合成腔内石墨加热管的上下两端装有与合成棒同直径的陶瓷片，陶瓷片与合成棒之间设有一个同直径的石墨加热片，该陶瓷片与石墨加热片及合成棒的累加高度与石墨加热管的高度相一致。
2. 根据权利要求1所述的立方氮化硼高压合成装置，其特征在于所述陶瓷片采用氧 化物陶瓷片。
专利摘要本实用新型涉及一种立方氮化硼高压合成装置，其主要特点是在合成腔内石墨加热管的上下两端装有与合成棒同直径的陶瓷片，陶瓷片与合成棒之间设有一个同直径的石墨加热片，该陶瓷片与石墨加热片及合成棒的累加高度与石墨加热管的高度相一致。该装置具有良好的传压保温性能，能使合成棒压力、温度分布的均匀性得到有效改善，并使合成腔体压力及温度梯度减小，立方氮化硼的转化率得以提高，而且生长的立方氮化硼晶体质量一致性也得到了提高。
文档编号B01J3/06GK201537480SQ20092009231
公开日2010年8月4日 申请日期2009年8月11日 优先权日2009年8月11日
发明者张相法 申请人:郑州中南杰特超硬材料有限公司