一种单晶硅废料再生功率散热器的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及散热器技术领域，具体涉及一种单晶硅废料再生功率散热器
【背景技术】
[0002]我国是太阳能光伏发电器材生产大国，仅2015年1-4月份，光伏发电装机容量382万千瓦，企业的产能会更大，光伏发电主要依靠半导体光电转換，硅光电池生产过程中，由圆柱形单晶硅棒至矩形光电板的形成，不仅需要半导体化，镀膜等工艺，还需经过多道切割工序，而切割下来的单晶硅边角料含有多油质(切割过程的冷却剂)，多杂质，往往作为废料处理，既浪費了资源，又污染了环境，面对数量巨大的单晶硅边角料，目前现有技术中尚无很好利用方法。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术的不足，本发明提供一种单晶硅废料再生功率散热器的方法。
[0004]为达到上述目的，本发明所采取的技术方案为:
[0005]本发明提供一种单晶硅废料再生功率散热器的方法，包括以下步骤:
[0006](I)提油、清洗、干燥:
[0007]将所述单晶硅废料置入油水分离池内进行油水分离，再将油水分离后的单晶硅废料置入清洗池中洗净，将清洗后的单晶硅废料送入烘炉内干燥；
[0008](2)初步粉碎、除杂:
[0009]将步骤(I)中干燥后的单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎，再将粉碎后的单晶硅废料送入筛选机进行筛选与磁选，进而形成单晶硅粗粉体；
[0010](3)精细粉碎:
[0011]将步骤(2)中得到的单晶娃粗粉体置入精细粉碎机中进行粉粹，并过精细筛得到单晶娃细粉体；
[0012](4)配料:
[0013]按质量比单晶硅细粉体:碳:石英粉/云母粉:无铅釉料:滑石粉:氧化铝为68?83:5?10:5?16:2?10:0.5?12:0?5的比例进行配料混合形成混合粉料。
[0014](5)研磨混合，喷雾造粒:
[0015]将步骤(4)中混合粉料置入球磨机或搅拌磨机或振磨机中，按水:球:料为2?4:1:1的质量比加入水和球，并加入粘合剂，经过研磨混合形成混合浆料，将所述混合浆料送入喷雾造粒机中进行干燥造粒；
[0016](6)压制成形:
[0017]将步骤(5)中造粒好的粉料置入压制成型机料筒中，通过所需的模具，压制成散热器坯块；
[0018](7)排胶烧成:
[0019]将所述散热器坯块置入烧缽中，并将烧缽放置在排胶烧成窑炉推板上，送入窑炉中排胶与烧制，得到散热器初始体；
[0020](8)表面加工:
[0021]用传统机械、激光、超声波等设备的切、钻、銑等方法对无法用压制模具形成的形状进行进一步加工；
[0022](9)涂覆背胶:
[0023]在散热器表面平整的一面涂覆粘接胶，涂覆后粘上防粘膜。
[0024]进一步地，步骤⑴中烘炉内的干燥温度为150°C?200°C。
[0025]进一步地，步骤⑵中单晶娃废料送入粗粉碎机中粉碎的时间为I?5h。
[0026]进一步地，步骤(2)中所述单晶硅废料送入50?200目筛选机进行筛选与磁选进行筛选。
[0027]进一步地，步骤(3)中单晶硅粗粉体在精细粉碎机中进行粉粹的时间为8?50h。
[0028]进一步地，步骤(3)中精细筛的规格为1000?1500目。
[0029]进一步地，骤(3)中单晶硅细粉体的规格为1000?1500目。
[0030]进一步地，步骤(5)中混合粉料研磨时间为2?48h。
[0031]进一步地，步骤(7)中窑炉的温度设置为:排胶段为200°C?650°C，烧制段为780°C?1300°C，时间为 8 ?16h。
[0032]本发明的有益效果在于:
[0033]本发明提供的一种单晶硅废料再生功率散热器的方法有效的利用了硅光电池生产过程中产生的单晶硅边角料，既节约了资源，又保护了环境，同时通过本方法制备的功率散热器具有比重轻，散热效果好等优点。
【附图说明】
[0034]图1为本发明一种单晶硅废料再生功率散热器的方法制备的曲面形散热器的结构示意图；
[0035]图2为本发明一种单晶硅废料再生功率散热器的方法制备的波浪形散热器的结构示意图；
[0036]图3的为本发明一种单晶硅废料再生功率散热器的方法制备的多半球形散热器结构示意图；
[0037]图4为本发明一种单晶硅废料再生功率散热器的方法制备的多椎体形散热器。
【具体实施方式】
[0038]下面结合附图具体阐明本发明的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制。
[0039]本发明提供一种单晶硅废料再生功率散热器的方法，包括以下步骤:
[0040](I)提油、清洗、干燥:
[0041 ] 将所述单晶硅废料置入油水分离池内进行油水分离，再将油水分离后的单晶硅废料置入清洗池中洗净，将清洗后的单晶硅废料送入烘炉内干燥，烘炉内的干燥温度为150-200°C，在本步骤中提取的切割冷却油仍可循环使用；
[0042](2)初步粉碎、除杂:
[0043]将步骤(I)中干燥后的单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎，粉碎的时间为I?5h，再将粉碎后的单晶硅废料送入50?200目的筛选机进行筛选与磁选，进而形成单晶硅粗粉体，本步骤中筛去粉碎不了的杂质，磁选除去铁质杂质，进而形成单晶硅粗粉；
[0044](3)精细粉碎:
[0045]将步骤⑵中得到的单晶硅粗粉体置入精细粉碎机中进行粉粹，粉粹时间为8?50h，并过精细筛得到单晶硅细粉体，大于1000目的余料，混入下批次粗料中再次进行精细粉碎，精细筛的规格为1000?1500目，单晶硅细粉体的规格为1000?1500目；
[0046](4)配料:
[0047]按质量比单晶硅细粉体:碳:石英粉/云母粉:无铅釉料:滑石粉:氧化铝为68?83:5?10:5?16:2?10:0.5?12:0?5的比例进行配料混合形成混合粉料。
[0048](5)研磨混合，喷雾造粒:
[0049]将步骤(4)中混合粉料置入球磨机或搅拌磨机或振磨机中，按水:球:料为2-4:1:1的质量比加入水和球，并加入粘合剂，经过研磨混合形成混合浆料，混合粉料研磨时间为2?48h，将所述混合浆料送入喷雾造粒机中进行干燥造粒，造好粒的料装入专用桶中；
[0050](6)压制成形:
[0051]将步骤(5)中造粒好的粉料置入压制成型机料筒中，计算好密度，调整好适需模具进行压制，形成散热器坯块；凡适合模具压制的孔，槽，凹，凸，半圆，半矩形，曲面均应在此工序形成，特别是増加散热面积的曲面形，波浪形，多半圆形，多锥角体形均应在压制模具上体现，对于不适合用模具压制的孔，槽，凹，凸，半圆，半矩形，曲面等形状留待后续机加工；
[0052](7)排胶烧成:
[0053]将所述散热器坯块置入烧缽中，并将烧缽放置在排胶烧成窑炉推板上，送入窑炉中排胶与烧制，得到散热器初始体，窑炉的温度设置为:排胶段为200°C?650°C，烧制段为780°C~ 1300°C，时间为 8 ?16h ;
[0054](8)表面加工:
[0055]用传统机械、激光、超声波等设备的切、钻、銑等方法对散热器不适合用模具压制的孔，槽，凹，凸，半圆，半矩形，曲面等形状进行进一步加工，以满足用户需求；
[0056](9)涂覆背胶:
[0057]在散热器表面平整的一面涂覆粘接胶，涂覆后粘上防粘膜，以方便客户取下即用和计数。
[0058]本发明提供的一种单晶硅废料再生功率散热器的方法有效的利用了硅光电池生产过程中产生的单晶硅边角料，既节约了资源，又保护了环境，该方法可以根据实际需要加工成型出不同形状的散热器，如图1至图4所示，同时通过本方法制备的功率散热器具有比重轻，散热效果好等优点。
[0059]以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例，不能以此来限定本发明的权利保护范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于: 包括以下步骤: (1)提油、清洗、干燥: 将所述单晶硅废料置入油水分离池内进行油水分离，再将油水分离后的单晶硅废料置入清洗池中洗净，将清洗后的单晶硅废料送入烘炉内干燥； (2)初步粉碎、除杂: 将步骤(I)中干燥后的单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎，再将粉碎后的单晶硅废料送入筛选机进行筛选与磁选，进而形成单晶硅粗粉体； (3)精细粉碎: 将步骤(2)中得到的单晶娃粗粉体置入精细粉碎机中进行粉粹，并过精细筛得到单晶硅细粉体； (4)配料: 按质量比单晶硅细粉体??碳:石英粉/云母粉:无铅釉料:滑石粉:氧化铝为68?83:5?10:5?16:2?10:0.5?12:0?5的比例进行配料混合形成混合粉料。 (5)研磨混合，喷雾造粒: 将步骤(4)中混合粉料置入球磨机或搅拌磨机或振磨机中，按水:球:料为2?4:1:1的质量比加入水和球，并加入粘合剂，经过研磨混合形成混合浆料，将所述混合浆料送入喷雾造粒机中进行干燥造粒； (6)压制成形: 将步骤(5)中造粒好的粉料置入压制成型机料筒中进行压制，形成散热器坯块； (7)排胶烧成: 将所述散热器坯块置入烧缽中，并将烧缽放置在排胶烧成窑炉推板上，送入窑炉中排胶与烧制，得到散热器初始体； (8)表面加工: 用机械、激光或超声波设备的切、钻、銑方法对无法用压制模具形成的形状进行进一步加工； (9)涂覆背胶: 在散热器表面平整的一面涂覆粘接胶，涂覆后粘上防粘膜。2.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(I)中烘炉内的干燥温度为150°C?200 °C。3.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(2)中单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎的时间为I?5h。4.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(2)中所述单晶硅废料送入50?200目筛选机进行粗筛选与磁选进行筛选。5.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(3)中单晶硅粗粉体在精细粉碎机中进行粉粹的时间为8?50h。6.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(3)中精细筛的规格为1000?1500目。7.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:骤(3)中单晶硅细粉体的规格为1000?1500目。8.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(5)中混合粉料研磨时间为2?48h。9.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于:步骤(7)中窑炉的温度设置为:排胶段为200°C?650°C，烧制段为780°C?1300°C，时间为8?16h。
【专利摘要】本发明提供一种单晶硅废料再生功率散热器的方法，包括单晶硅废料的清洗提油、干燥、初步粉碎、筛选除杂、精细粉碎、重新配料、研磨混合，喷雾造粒、压制成型、排胶烧结、表面修饰、涂覆背胶等工序，本方法有效的利用了硅光电池生产过程中产生的单晶硅边角料，既节约了资源，又保护了环境，同时通过本方法制备的功率散热器具有比重轻、散热效果好等优点。
【IPC分类】B09B3/00
【公开号】CN105032897
【申请号】CN201510459934
【发明人】曾清隆, 陈泽同
【申请人】辰硕电子(九江)有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年7月30日