专利名称：多晶硅破碎台的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶硅破碎台。
背景技术：
多晶硅是硅产品产业链中极为重要的中间产品，是当代人工智能、 自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的基础材料。近年来随 着绿色能源太阳能的大规模推广应用，多晶硅作为硅基太阳能电池的 最主要和最基础的原材料，引起了人们广泛的关注。
在多晶硅的多种制备方法中，已经商业化应用的是改良西门子法 冶金硅粉与氯化氢在一定温度、压力条件下生成三氯氢硅，对其精镏 提纯，纯化后的高纯三氯氢硅与氢气混合后供入还原炉，在一定温度、 压力下，在倒U型的硅芯载体上进行气相化学沉积，生成棒状多晶硅， 反应结束时珪棒直径可达150 ~ 170mm，长度约2300mm。
多晶硅棒经直拉法制备成单晶硅，即，将多晶硅棒破碎成一定尺 寸的硅块，放入坩埚，以定向的籽晶为生长晶核，生长出一定晶向的 单晶。在硅棒破碎过程中，多晶硅棒放置在破碎台上，多以汽锤等机 械方式击打破碎。在此过程中，破碎台表面承受较大外力，造成表面 磨损，脱落下的碎屑会混入硅块、硅粉尘中，引入污染物，造成多晶 硅块纯度的下降，继而对单晶质量造成影响。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种多晶硅破碎台，该多晶硅破碎台的 破碎台表面由高纯硅形成。特别是，所述高纯硅包括彼此紧密排列的 多个高纯硅芯，所述多个高纯硅芯的对应多个上表面一起形成所述破 碎台表面。
本实用新型的多晶硅破碎台在工作时，将待破碎的多晶硅棒放置 在由高纯硅形成的破碎台表面上，并用汽锤等机械方式击打破碎该多 晶硅棒以形成碎硅块。当外力冲击造成破碎台表面磨损时，所产生的 碎屑会混入多晶硅棒形成的碎硅块中，但是由于该碎屑本身就是高纯硅，因此，不会造成产品纯度下降，有利于后续拉制单晶的进行。
图l为本实用新型的多晶硅破碎台的透视图。
图2为从多晶硅破碎台的支撑台的短边(围堰的开口部)一侧看过 去的多晶硅破碎台的侧视图。
图3为从多晶硅破碎台的支撑台的长边看过去的多晶硅破碎台的 侧视图。
具体实施方式
以下实施例是对本实用新型的进一步说明，而不是限制本实用新 型的范围。
图l示出了本实用新型的多晶硅破碎台的一个示例。该多晶硅破碎 台包括支架2，支撑台l、围堰3和多个高纯硅芯4。支架2用于支撑整个 多晶硅破碎台。支撑台1设置在支架2上，多个高纯硅芯4布置在支撑台 l上，以形成高纯硅层。各个高纯硅芯4可以为圆柱状，其长度可以在2~ 5mm之间，直径可以在8 ~ 12mm之间。通常，该高纯娃芯4可以是纯度不 小于99. 99%的高纯硅。
这些高纯硅芯4彼此紧密地排列在支撑台1的表面上。支撑台l可以 长方形。为了图示清楚起见，图1中的高纯硅芯4仅覆盖支撑台1的一部 分表面。实际上，这些高纯硅芯4可铺满支撑台1的整个表面(如图3所 示)。
这些高纯硅芯4的高度基本相同，这样，当将这些高纯硅芯4铺设 在支撑台的表面上时，它们的各个上表面就一起形成了本实用新型的 多晶硅破碎台的破碎台表面4，(参见图2和图3)。而且，可以对该破碎 台表面4，进行打磨，以使得各个高纯硅芯4的上表面基本处于同一平面 内，从而使得该破碎台表面4，形成为平面。
在工作时，将待破碎的多晶硅棒置于该破碎台表面4，上，并用汽锤
等机械方式击打破碎。
为了保持这些高纯硅芯4在支撑台1上的位置，在这些高纯硅芯4的 周围设置有围堰3。而且，如图2清楚所示，围堰3的高度可以大于高纯 硅芯4的高度。这样，多晶硅棒破碎后形成的碎块也能够被容易地保持在围堰3内。在一个实施例中，围堰3可以有开口部3，，这样可以方便地 通过该开口部3，将在围堰3内积聚的多晶硅棒碎块铲出'该开口部3，可 以形成于长方形支撑台l的短边处。
特别优选的是，该围堰3可以与该支撑台1一体成形，并从支撑台l 的边缘向上伸出。
权利要求1.一种多晶硅破碎台，包括用于承载待破碎的多晶硅的破碎台表面，其特征在于，所述破碎台表面由高纯硅层的表面形成。
2. 根据权利要求l所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述高纯 硅层包括彼此紧密排列的多个高纯硅芯，所述多个高纯硅芯的对应多 个上表面一起形成所述破碎台表面。
3. 根据权利要求2所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述多个 高纯硅芯的各个上表面处于同一平面内。
4. 根据权利要求1或2所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括 围堰，所述围堰围绕所述高纯硅层设置。
5. 根据权利要求4所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰 的高度超过所述破碎台表面。
6. 根据权利要求5所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰 包括开口部，以便移除破碎后的多晶硅。
7. 根据权利要求4所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括支 撑台，所述高纯硅层设置在所述支撑台上。
8. 根据权利要求7所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰 与所述支撑台形成一体。
9. 根据权利要求7所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括支 架，所述支撑台设置在所述支架上。
10.
11.根据权利要求1或2所述的任一多晶硅破碎台，其特征在于 所述高纯硅层的纯度不小于99. 99%。
专利摘要一种多晶硅破碎台，包括破碎台表面，多晶硅棒置于该破碎台表面上以便进行破碎，其特征在于，所述破碎台表面由高纯硅层的表面形成。本实用新型的多晶硅破碎台在工作时，将待破碎的多晶硅棒放置在由高纯硅形成的破碎台表面上，并用汽锤等机械方式击打破碎该多晶硅棒以形成碎硅块。当外力冲击造成破碎台表面磨损时，所产生的碎屑会混入多晶硅棒形成的碎硅块中，但是由于该碎屑本身就是高纯硅，因此，不会造成产品纯度下降，有利于后续拉制单晶的进行。
文档编号F24C7/04GK201373478SQ20082018236
公开日2009年12月30日 申请日期2008年12月10日 优先权日2008年12月10日
发明者文 刘, 王荣跃 申请人:江苏中能硅业科技发展有限公司