散热器、散热器制造方法和半导体激光装置的利记博彩app

专利名称：散热器、散热器制造方法和半导体激光装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种具有让冷却介质流过的流动通道的散热器(heat sink)、这种散热器的制造方法以及具有安装在这种散热器上的半导体激光元件的半导体激光装置。
背景技术：
在产生数瓦特 数十瓦特范围内的高输出的半导体激光装置中，使用散热器来有效地散发(冷却)半导体激光器所产生的热量。作为这样的散热器，已知一种具有微细流动通道结构的微通道散热器，在该微细流动通道结构的内部有诸如水等冷却介质流过。典型地，这种类型的微通道散热器如图9所示是通过层叠多个薄板而构成的。也就是说，散热器100具有安装有半导体激光元件并被设置用于冷却的冷却用薄板101、上部散热翅片形成用薄板102、分隔用薄板103、下部散热翅片形成用薄板104和冷却剂流入流出薄板105。上述各薄板在高温加压条件下通过接合金属而被接合起来。使用液相扩散接合或铜焊等作为接合方法。为了防止在进行液相扩散接合时由于接合金属熔化而使微细结构部分被掩埋，例如在冷却用薄板101、分隔用薄板103和冷却剂流入流出薄板105上镀覆有接合金属，而在均具有微结构的上部散热翅片形成用薄板102和下部散热翅片形成用薄板104上则未进行镀覆。当以这样的方式间隔镀覆之后再将各层接合起来时，流动通道的内壁具有这样的结构该结构中，有不同种类的金属露出。也就是说，在这种结构中，在流动通道中混合有基材露出的部分和接合金属露出的部分。然而，这样的结构具有随着使用时间的推移会发生电化腐蚀的缺点。电化腐蚀是这样的现象当在冷却介质中不同类的金属彼此接触时，离子会发生移动，因而具有离子化倾向的贱金属(base metal)变薄(减少)。具体地，当在冷却介质中不同类的金属彼此接触时，通过冷却介质在不同类的金属间产生了电位差。当在这种状态下使冷却介质进行大约数千小时的长时间循环时，由于润湿部分的电化学机制，在散热器内的贱金属(例如， 铜)侧发生减薄，而在贵金属(例如，金或银)侧发生腐蚀产物的沉积和粘附。因此，会发生流动通道内的结构异常(通水数千小时之后冷却能力降低)或者发生与散热器外壁的导通(通水数千小时之后冷却介质泄漏)，从而使散热器的可靠性降低。为了解决这一问题，曾提议采用下面的方法。第一种方法是如图IOA所示，通过固相扩散接合将薄板111至薄板115接合起来，并且在上述各薄板之间没有接合金属。第二种方法是如图IOB所示，在薄板111至薄板115每一者的表面上都镀覆有接合金属120， 然后将这些薄板接合起来。第三种方法是如图IOC所示，仅在薄板111至薄板115每一者的接合部处涂敷有接合金属120，然后使这些薄板接合起来(例如见日本专利申请公开公报特开第2008-300596号)。通过上述各种方法制造的各种散热器IlOA 散热器IlOC的流动通道的内壁具有这样的结构该结构中，露出单一金属或近似只露出基材。因此，人们认为在如图IOA所示的散热器IlOA和如图IOB所示的散热器IlOB中，可能不会发生上述的在不同类的金属间发生的电化腐蚀，因而可以长期使用。另外，人们还认为如图IOC所示的散热器IlOC可以抑制电化腐蚀的发生。然而，通过上述任何方法都难以完全防止电化腐蚀等的发生。在图IOC所示的方式中，在结构上难以完全抑制腐蚀反应。在图IOB所示的方式中，由于冷却介质的循环所造成的腐蚀导致了覆盖着流动通道内壁的接合金属的溶脱，从而使基材露出并因此发生电化腐蚀。在图IOA所示的方式中，电化腐蚀得到了抑制，但在使用一般被用作微通道散热器的散热器作为向半导体激光元件供电的导电通路的情况下，相对于冷却介质的电位差导致了散热器的金属溶脱到冷却介质中，即，发生了减薄，从而使散热器最终难以使用。

发明内容
鉴于上述原因，本发明的目的是期望提供一种散热器，这种散热器能够防止流动通道的内壁由于诸如电化腐蚀等腐蚀所导致的结构劣化并能够提高可靠性，本发明还期望提供这种散热器的制造方法以及将半导体激光元件安装在这种散热器上而得到的半导体激光装置。本发明一个实施例提供了一种散热器，所述散热器包括主体，所述主体设有流动通道，在所述流动通道的内部有冷却介质流过，并且在所述主体内所述流动通道的内壁表
面被钝化膜覆盖着。本发明另一个实施例提供了一种散热器制造方法，所述方法包括下列步骤(A)至步骤(C)(A)对多个薄板镀覆钝化用金属，所述多个薄板中的至少一个薄板具有流动通道， 在所述流动通道的内部有冷却介质流过；(B)形成散热器主体，在所述散热器主体中，通过各所述薄板之间的所述钝化用金属将所述多个薄板接合起来，并且所述散热器主体具有所述流动通道；以及(C)通过对所述钝化用金属进行氧化，在所述流动通道的内壁上形成钝化膜。这里，“钝化用金属”是能够通过氧化来形成钝化膜的金属，并且可以是例如镍 (Ni)、铬(Cr)、锡(Sn)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)、铅(Pb)、铌(Nb)、锑(Sb)、锆(Zr)、铝(Al) 或者这些金属的合金。本发明又一实施例提供了一种半导体激光装置，在所述半导体激光装置中，半导体激光元件被安装在本发明上述实施例的散热器上。在本发明实施例的散热器和半导体激光装置中，因为所述流动通道的内壁表面上覆盖有在化学上稳定的钝化膜，因此提高了抗腐蚀性。在本发明实施例的散热器制造方法中，在通过各所述薄板之间的所述钝化用金属将所述多个薄板接合起来之后，对所述钝化用金属进行氧化从而在所述流动通道的内壁上形成所述钝化膜，于是能够在保持现有工序的同时制造出抗腐蚀性更好的散热器。根据本发明实施例中的散热器(和半导体激光装置)以及散热器制造方法，因为所述流动通道的内壁表面上覆盖有在化学上稳定的钝化膜，因此能够防止诸如电化腐蚀等由于电位差所导致的腐蚀。换言之，在保持了现有工序的同时，能够防止流动通道的内壁中出现结构劣化，并能够提高可靠性。应当理解的是，前面的总体说明和后面的详细说明都是示例性的，旨在为本发明要求保护所述的技术方案提供进一步的解释。


本发明所包含的附图为本发明的内容提供了进一步的理解，这些附图并入在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图中图示了实施例，并与说明书一起用于解释技术原理。图1是图示了本发明第一实施例的半导体激光装置的截面图。图2是图1所示的散热器的分解立体图。图3中的部分(A) 部分(D)是图示了散热器制造方法的制造工序图。图4是图示了图1所示的半导体激光装置的外观的立体图。图5是图示了本发明第二实施例的半导体激光装置的截面图。图6是图示了本发明第三实施例的半导体激光装置的截面图。图7中的部分㈧ 部分(C)是图示了本发明第三实施例的散热器制造方法的制造工序图。图8是本发明变形例的散热器的分解立体图。图9是图示了相关技术的半导体激光装置的示例的分解立体图。图IOA 图IOC是相关技术的散热器的截面图。
具体实施例方式下面将参照附图详细说明本发明的实施例。顺便提及地，将按照下列顺序进行说明1.第一实施例(在对金属薄板全体镀覆钝化用金属并形成流动通道之后，进行钝化处理的技术)；2.第二实施例(在形成流动通道并对该流动通道的内部镀覆钝化用金属之后，进行钝化处理的技术)；3.第三实施例(在仅对将要成为流动通道内壁的部位涂敷钝化用金属或能够形成钝化膜的非金属且随后形成流动通道之后，进行钝化处理的技术)；4.变形例。第一实施例图1图示了本发明第一实施例的半导体激光装置的截面结构。图2图示了应用于这种半导体激光装置的散热器IA的具体内部结构的示例。在这种半导体激光装置中，半导体激光元件2安装在具有微细流动通道结构的微通道型散热器IA上。半导体激光元件2是具有一个发光点的单个激光元件或具有两个以上发光点的阵列激光元件。散热器IA(主体)具有这样的结构该结构中，多个薄板层叠并接合起来，且在内部形成有让冷却介质流过的流动通道3 (供给流动通道3A、中间流动通道3B和排出流动通道3C)。在本实施例中，总共5层薄板(即，第一层21、第二层22、第三层 23、第四层对和第五层2 按照将第一层21布置为最上层的方式层叠起来。另外，在流动通道3的内壁表面(侧壁面、底面和顶面)上形成有钝化膜6。优选的是散热器IA的第一层21 第五层25中的每一层是用由单一金属材料制成的薄板形成。作为具体的基材，期望使用具有高导热性并适于加工的铜(Cu)，但基材不限于Cu，也可以使用例如银(Ag)或金(Au)等其他材料。第一层21的顶面上安装有半导体激光元件2，并且第一层21被设置用来进行冷却。第二层22是散热翅片形成用板，并且如图2所示具有中间流动通道形成部16和散热翅片16f。中间流动通道形成部16被形成为垂直地穿透第二层22。多个散热翅片16f平行地布置在与半导体激光元件2的安装位置的下部相对应的位置处，并且冷却介质流过这些散热翅片16f。同样地，第四层M也是散热翅片形成用板，并且如图2所示具有中间流动通道形成部14和散热翅片14f。第四层M还具有供给流动通道形成孔12和排出流动通道形成孔 18。供给流动通道形成孔12和排出流动通道形成孔18垂直地穿透第四层24。第三层23具有中间流动通道形成部13和中间流动通道形成部15以及排出流动通道形成孔17。中间流动通道形成部13和中间流动通道形成部15以及排出流动通道形成孔17分别垂直地穿透第三层23。中间流动通道形成部13和中间流动通道形成部15分别被形成为例如矩形，并且中间流动通道形成部13位于第四层M的供给流动通道形成孔 12之上，而中间流动通道形成部15位于第二层22的散热翅片16f与第四层M的散热翅片 14f之间。第五层25具有供给流动通道形成孔11和排出流动通道形成孔19。供给流动通道形成孔11和排出流动通道形成孔19垂直地穿透第五层25。第五层25的供给流动通道形成孔11、第四层M的供给流动通道形成孔12和第三层23的中间流动通道形成部13分别设置在垂直方向上的相互对应的位置处，从而一起形成供给流动通道3A，冷却介质沿着从下层侧至上层侧的方向流过供给流动通道3A。从冷却介质流过来的那一侧开始依次布置有第四层对的中间流动通道形成部14和散热翅片14f、 第三层23的中间流动通道形成部15以及第二层22的散热翅片16f和中间流动通道形成部16，并且上述这些部分一起形成中间流动通道:3B，冷却介质流过供给流动通道3A之后再流过该中间流动通道3B。第三层23的排出流动通道形成孔17、第四层M的排出流动通道形成孔18和第五层25的排出流动通道形成孔19分别布置在垂直方向上的相互对应的位置处，从而一起形成排出流动通道3C，冷却介质流过中间流动通道;3B之后沿着从上层侧至下层侧的方向流过该排出流动通道3C。流动通道3是通过将第一层21至第五层25层叠起来而形成的，并且在流动通道3 的内壁表面上形成有钝化膜6。该钝化膜6是镀覆在第一层21至第五层25的全部表面上的接合金属5的氧化膜。作为接合金属5，期望采用适于固体扩散接合的金属，在上述固体扩散接合过程中，该金属在低温下与第一层21至第五层25的基材(例如Cu)进行扩散并成为合金，从而提高了各层的接合性。上述金属的示例包括能够在低温下成为合金的锡(Sn)、 镍(Ni)和铬(Cr)等。另外，例如，可以使用基于上述金属的诸如CuNi、Cu6Sn5和Cu3Sn等金属合金。镀覆在第一层21至第五层25上的接合金属5的厚度例如为1 μ m 10 μ m，并且在这个厚度中，通过氧化而形成的钝化膜6的厚度为数十A (几nm)。作为用于形成钝化膜6的方法，例如可以采用使用硝酸、硝酸-氢氟酸(nitric hydrofluoric acid)或浓缩硫酸等的强氧化处理或者可以采用在300°C 700°C下的退火处理。在这样的半导体激光装置中，散热器IA的供给流动通道A及排出流动通道3C与被称为舵杆(tiller)的循环器(未图示)相连接，该舵杆用于进行冷却介质的供给和排出以及温度控制。在散热器IA中，当向供给流动通道3A供给冷却介质(冷却剂)时，如上所述该冷却介质从供给流动通道3A流向中间流动通道3B。接着，该冷却介质从排出流动通道 3C排出。半导体激光元件2将从驱动电路(未图示)接收到的电信号转换成光信号，并输出该光信号。因半导体激光元件2被驱动而产生的热量从激光器芯片安装板(第一层21) 传递至散热器IA内部。在散热器IA内部，散热翅片14f和散热翅片16f均设置在与半导体激光元件2的安装位置相对应的位置处。因此，利用冷却介质沿着流动通道3的流动，从半导体激光元件2接收的热量得以有效地释放。这样，半导体激光元件2被冷却。下面，将参照图3和图4说明散热器IA和半导体激光装置的制造方法。首先，如图3中的部分㈧所示，例如，为第一层21至第五层25中的每一层准备厚度为0.2mm Imm的基材薄板。接着，如图3中的部分⑶所示，对基材薄板进行蚀刻并由此形成包括散热翅片等的流动通道结构。具体地，可以应用典型的微通道散热器的制造工序，并且流动通道结构可通过例如切削、适于批量生产的模切(diecutting)或允许进一步微细加工的蚀刻等过程来精确地形成。接着，如图3中的部分(C)所示，在第一层21至第五层25中的每一层上镀覆例如 Ni以用作接合金属5，由此形成厚度为2μπι 5μπι的Ni膜。然后，如图3中的部分⑶ 所示，将第一层21至第五层25层叠起来，并在高温(例如30(TC SO(TC)高压(例如数 MPa至数十MPa)下对这些层进行加压，由此在真空中或在氩气氛围中通过固相扩散接合将第一层21至第五层25接合起来。因此，形成了内部涂敷有能够被钝化的金属的流动通道 3。这里，固相扩散接合是以固相状态在固相表面间进行接合，并且该接合是在接合材料的熔点以下的温度中进行的。因此，在接合时，使得在流动通道3内部的结构很少出现材料不均勻。然后，在流动通道3的内壁表面上形成钝化膜6。具体地，在流动通道3中，例如， 通过使用浓度为30% 50%的硝酸溶液循环15分钟来对上述Ni膜进行钝化处理，从而在流动通道的内壁表面上形成由NW2制成的钝化膜6。这样就完成了散热器1A。接着，如图4所示，在散热器IA上安装半导体激光元件2。具体地，在散热器IA的外周上镀覆例如M/Au，然后使用例如AuSn焊料将半导体激光元件2安装在第一层21上的与散热翅片16f相对应的位置处。作为上述焊料，可以使用例如SnAgCu焊料或具有低应力的h焊料等其他类型的焊料。最后，使用诸如Au线或Au带等布线8使半导体激光元件2 与电极7彼此电连接，从而完成了半导体激光装置。在本实施例中，散热器IA的流动通道3的整个内壁上覆盖有耐腐蚀作用且稳定的钝化膜6，因而即使在冷却介质长时间流动时散热器IA中的微结构也不会被腐蚀。另外，不会发生先前所述的电化腐蚀，因而提高了可靠性。此外，散热器IA本身兼用作向半导体激光元件2供电的导电通路，因此可能在散热器IA与冷却介质之间产生电位差，但即使产生了电位差，通过该钝化膜6也会抑制电解腐蚀的发生。
如上所述，在本实施例的散热器IA和半导体激光装置中，在流动通道3的整个内壁上都形成有钝化膜6，因此能够防止在包括翅片等的微结构中由于冷却介质的流动而导致的腐蚀。这使得能够从初期开始就保持高的冷却效率。另外，流动通道3的内部被钝化膜6覆盖着且该钝化膜6是单一膜，因此流动通道3的内部处于没有不同类的金属共存的状态，这就防止了由于电化腐蚀而导致的流动通道内壁结构的劣化并提高了可靠性。另外， 防止了在将散热器IA兼用作向半导体激光元件2供电的导电通路时可能会出现的电解腐蚀的发生，因此能够长期使用。另外，在本实施例的散热器IA的制造方法中，可以使用典型的微通道散热器的制造工序，仅需要在将薄板接合起来的工序之后增加基于例如硝酸等强酸在流动通道3中的循环或者基于退火处理的钝化处理工序。换言之，在几乎保持了小的外形尺寸及其工艺的同时，能够提供可靠的散热器。另外，在不使用例如Ag或Au等贵金属的情况下也可以制造散热器1A，因此能够降低成本。下面，将说明本发明的其他实施例，但与第一实施例中的元件基本相同的元件将使用与第一实施例中的附图标记相同的附图标记，并适当地省略对它们的说明。第二实施例图5图示了第二实施例的半导体激光装置。本实施例的半导体激光装置设置有散热器IB来替代第一实施例中的散热器1A(图1)。该散热器IB的基本结构与第一实施例的散热器IA的基本结构大体相同，只是在第一层21至第五层25中的每一层上的接合金属5 的种类以及钝化膜6的形成方法方面存在差异。在本实施例中，首先，在每隔一层的薄板(例如第一层21、第三层23和第五层25) 的表面上镀覆例如Ag作为接合金属5。接着，通过固相扩散接合将第一层21至第五层25 接合起来从而形成流动通道3。应当注意的是，可以用与第一实施例相同的方式对第一层 21至第五层25中的每一层进行镀覆。随后，例如，让用来镀覆诸如钽(Ta)等钝化用金属 6A的镀覆用溶液流入流动通道3，并通过例如很少会形成小孔的电镀技术在流动通道的内壁上形成钝化用金属6A的膜。接着，以与第一实施例相同的方式，对流动通道3中的钝化用金属6A实施钝化处理，由此在流动通道3的内壁上形成钝化膜6。应当注意的是，接合金属5不限于Ag，也可以使用诸如Au等其他金属。最后，以与第一实施例相同的方式，在散热器IB的外周上镀覆例如Ni/Au，并使用例如AuSn焊料来安装半导体激光元件2，然后如图4所示，通过布线8使半导体激光元件2 与电极7彼此电连接，从而完成了半导体激光装置。以这样的方式，在本实施例中，在典型的流动通道形成工序之后增加了钝化用金属6A的镀覆工序，但与第一实施例不同的是，可以只对流动通道3的内壁实施这种钝化用金属的镀覆。因此，可以自由地选择钝化用金属。换言之，作为流动通道3中用于镀覆的金属，除了可以使用在第一实施例中使用的Sn、Cr、Ni以及它们的合金之外，还可以使用易于钝化的金属Ta、Ti和Nb。另外，也可以使用例如铁(Fe)、CoJb和Sb等其他金属。如上所述，在本实施例的散热器IB和半导体激光装置中，在形成流动通道3之后， 在流动通道3的内部镀覆钝化用金属6A，并进行钝化处理。因此，除了具有第一实施例的效果之外，还可以自由地选择能够被钝化的金属。于是，可以使用诸如Ta、Ti和Nb等各种类型的金属，因而能够更容易地形成钝化膜6。
第三实施例图6图示了本发明第三实施例的半导体激光装置。该半导体激光装置设置有散热器IC来替代前述的散热器IA (图1)。该散热器IC的基本结构与散热器IA的基本结构大体相同，只是在第一层21至第五层25中的每一层上的接合金属5的种类以及钝化膜6的形成方法方面存在差异。在本实施例的散热器IC中，在对第一层21至第五层25中的每隔一层镀覆例如Ag 等接合金属5之后，在接合之前对将要成为流动通道3的表面涂敷能够被钝化的金属6A或非金属6B。顺便提及地，由于前述原因，期望如同第二实施例中的方式一样选择第一层21、 第三层23和第五层25作为镀覆对象的薄板，但也可以选择第二层22和第四层24。在本实施例中，将说明对第二层22和第四层M进行镀覆的示例。图7图示了散热器IC的制造工序。首先，如图7中的部分(A)所示，按照与第一实施例相同的方式对基材薄板进行蚀刻并由此形成包括翅片等的流动通道结构。然后，如图7中的部分(B)所示，在第二层22和第四层对上镀覆例如Ag等接合金属5。接着，将第一层21至第五层25各自的接合部遮挡住，并且对在把第一层21至第五层25层叠后会成为流动通道3的部位涂敷钝化用金属6A(例如锆(Zr)或铝(Al))或者能够被钝化的非金属6B(例如硅(Si))。应当注意的是，接合金属5不限于Ag，而是可以采用诸如Au等其他 ^^ I^l ο接下来，如图7中的部分(C)所示，将第一层21至第五层25层叠并通过固相扩散接合将第一层21至第五层25接合起来，由此形成流动通道3。接着，以与第一实施例相同的方式，对流动通道3中的钝化用金属6A (或者能够被钝化的非金属6B)实施钝化处理，并在流动通道3的内壁上形成钝化膜6。这样就完成了散热器1C。最后，在散热器IC上安装半导体激光元件2，并完成半导体激光元件2的布线。以这样的方式，在本实施例中，在典型的制造工序中增加了对接合部进行遮挡并且对将要成为流动通道3的部位涂敷钝化用金属6A(或者能够被钝化的非金属6B)的工序。因此，与上述各实施例不同的是，可以选择诸如Si等难以用来涂敷的非金属或者诸如 Zr和Al等不适于镀覆的金属。如上所述，在本实施例的散热器IC和半导体激光装置中，在对第一层21至第五层 25中的每隔一层或者每一层镀覆例如^Vg等接合金属5之后，对第一层21至第五层25中的每一层的接合面进行遮挡，并对将要成为流动通道3的部位涂敷钝化用金属6A(或者能够被钝化的非金属6B)。所以，除了可以采用不适于镀覆的金属之外，还可以采用诸如Si等非金属元素作为钝化膜，因此能够形成比源自于金属的钝化膜更稳定的共价钝化膜。这使得能够进一步提高散热器的可靠性。变形例在上述第一实施例至第三实施例中，流动通道3是利用五个薄板形成的。然而，层叠的薄板的数量不限于五个，例如，如图8中的散热器ID所示，可以采用包括第一层31、第二层32和第三层33的三层结构。第一层31是上述的冷却用薄板(第一层21)与上部散热翅片形成用薄板(第二层22)的结合。第二层32相当于上述的第三层23，并具有中间流动通道形成部13和中间流动通道形成部15以及排出流动通道形成孔17。第三层33是下部散热翅片形成用薄板(第四层24)与冷却剂流入流出薄板(第五层25)的结合。可以通过切削或半蚀刻过程来形成第一层31和第三层33。以这样的方式，根据本变形例，通过切削或半蚀刻过程，冷却用薄板与上部散热翅片形成用薄板结合起来，且下部散热翅片形成用薄板与冷却剂流入流出薄板也结合起来。 因此，能够减少构件的数量和将要被接合的部位。这使得能够降低成本，并且还能够提高可靠性。已经对第一实施例至第三实施例以及变形例进行了说明。然而，本发明不限于上述各实施例等，并且可以进行各种改变。例如，在各实施例等中所说明的流动通道结构不限于附图中所示的结构，而可以是其他结构。此外，在第一实施例中散热器IA是用五个薄板形成的，但可以将上部散热翅片形成用薄板(第二层2 和下部散热翅片形成用薄板(第四层24)每一者设置为两层以上的薄板。这就能够增大流动通道的横截面积，从而减小流动通道的压力下降。另外，上述的散热器IA至散热器ID每一者被用作半导体激光元件2的散热部件， 但这些散热器不限于这样的用途，而是可以应用于除了半导体激光元件之外的其他半导体元件的散热部件。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。
权利要求
1.一种散热器，其包括主体；流动通道，所述流动通道设置于所述主体内，并且在所述流动通道的内部有冷却介质流过；以及钝化膜，所述钝化膜覆盖着所述流动通道的内壁表面。
2.根据权利要求1所述的散热器，其中，所述钝化膜是由镍、锡、钛、钽、铁、钴、铅、铝、 硅、锆、铌、锑或它们的合金制成的氧化膜。
3.根据权利要求1所述的散热器，其中，所述主体具有包括多个薄板的层叠结构，并且在所述多个薄板中的至少一个薄板内具有所述流动通道。
4.根据权利要求3所述的散热器，其中，各所述薄板由铜、银或金制成。
5.根据权利要求3所述的散热器，其中，所述多个薄板通过兼用作接合金属的钝化用金属而被彼此接合起来，并且所述钝化膜是由所述接合金属制成的氧化膜。
6.根据权利要求5所述的散热器，其中，所述钝化用金属是锡、镍、铬或它们的合金。
7.根据权利要求3所述的散热器，其中，所述多个薄板通过由银或金形成的接合金属而被彼此接合起来。
8.一种散热器制造方法，所述方法包括如下步骤对多个薄板镀覆钝化用金属，所述多个薄板中的至少一个薄板具有流动通道，在所述流动通道的内部有冷却介质流过；形成散热器主体，在所述散热器主体中，通过各所述薄板之间的所述钝化用金属将所述多个薄板接合起来，并且所述散热器主体具有所述流动通道；以及通过对所述钝化用金属进行氧化，在所述流动通道的内壁上形成钝化膜。
9.根据权利要求8所述的散热器制造方法，其中，通过固相扩散接合将所述多个薄板接合起来。
10.一种半导体激光装置，其包括散热器；以及半导体激光元件，所述半导体激光元件安装在所述散热器上，其中，所述散热器是根据权利要求1至7任一项所述的散热器。
全文摘要
本发明公开了散热器、散热器制造方法和半导体激光装置。所述散热器包括主体；设置于所述主体内的流动通道，在所述流动通道的内部有冷却介质流过；以及覆盖着所述流动通道的内壁表面的钝化膜。所述散热器制造方法包括如下步骤对多个薄板镀覆钝化用金属，所述多个薄板中的至少一个薄板具有流动通道，在所述流动通道的内部有冷却介质流过；形成散热器主体，在所述散热器主体中，通过各所述薄板之间的所述钝化用金属将所述多个薄板接合起来，并且所述散热器主体具有所述流动通道；以及通过对所述钝化用金属进行氧化，在所述流动通道的内壁上形成钝化膜。本发明能够防止流动通道的内壁由于腐蚀所导致的结构劣化，并能够提高可靠性。
文档编号F28F19/00GK102384694SQ20111018441
公开日2012年3月21日 申请日期2011年6月29日 优先权日2010年7月8日
发明者丹羽善昭 申请人:索尼公司