一种柱式膜组件静置封装装置与方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及膜组件加工技术领域，尤其涉及一种柱式膜组件静置封装装置与工
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【背景技术】
[0002]在制作膜组件时，必须使用粘结剂对膜与膜之间、膜与壳体之间进行封装浇筑，现有的浇筑方法一般采取静置加胶或者离心封装，也有少部分采用的是震动的方法。三者均存在明显缺陷。静止加胶:无法保证胶水很好的流动性因而让胶水充满膜丝缝隙，胶层内易产生大量气泡，且加胶时间长，生产效率低；离心封装:将膜组件放入离心机内，由其产生的离心力将粘结剂填充于膜与膜之间、膜与壳体之间，这种方法需要离心机，占用生产空间大，装置成本高，粘结剂容易被甩出，造成浪费，也易产生生产事故，且其浇筑端面呈不平整状态，给后续工序带来麻烦。震动加胶:比如ZL201110160844.9，名称为:一种膜元件静态浇铸方法的专利所描述的震动加胶需要有较大的震动平台和可靠的固定装置，并且在作业过程中会产生较大的噪音。
[0003]同时由于胶水反应时间及粘度受温度影响较大，冬天胶水温度较低，其流动性不佳，并且低温将极大延长胶水固化时间，影响生产效率。
【发明内容】
[0004]针对现有技术膜组件的加胶封装存在加胶时间长、生产效率低、加胶质量差的缺陷，本发明提供一种结构简单、加胶时间短，加胶质量好的柱式膜组件静置封装装置与工
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[0005]为实现上述发明目的，本发明采用如下的技术方案:
一种柱式膜组件静置封装装置，包括封装台，所述的封装台上开设若干定位槽，每个定位槽下方安装电磁加热装置，封装台上方设有通气管，通气管一端连接真空泵，膜组件下端置于封装模具内并放入定位槽中，膜组件上端由密封封头密封，密封封头顶部预留气管接口，通气管的另一端可通过气管接口与膜组件内部连通，所述的电磁加热装置连接有温度传感器和变频器。电磁加热装置通过变频器控制输出功率大小，每个定位槽下方安装电磁加热装置便于更好的控制加胶温度，气管接口的设置使真空气压的控制变得容易。
[0006]作为优选，所述电磁加热装置的功率为300-500瓦。功率相对较小，适合加胶温度的加热与控制。
[0007]作为优选，所述的温度传感器为贴片式传感器，位于定位槽中，膜组件置于定位槽时，温度传感器紧贴封装模具。可实时感知胶水的温度。
[0008]一种柱式膜组件静置封装工艺，使用一种柱式膜组件静置封装装置，包括以下步骤:
1)将待封装膜组件组装好放入封装模具，安装好密封封头，置于封装台的定位槽内；
2)打开电磁加热装置将温度设置在35°C?45°C，同时从封装模具的加胶口往膜组件中加入环氧胶水；
3)5?10分钟后，待环氧胶水全部流进膜组件中停止加胶，并将加胶管上的球阀关闭，使膜组件内部形成封闭空间，将一端连接真空泵的通气管与气管接口连接，打开真空泵，使膜组件内部压力保持在-0.1?-0.15MPa，温度继续保持35°C?45°C，持续半小时；
4)降低电磁加热装置的加热功率，保持温度传感器探测温度在25°C?30°C，持续2小时；
5)关闭真空泵，使膜组件内部压力恢复正常，三个半小时后完全关闭电磁加热器，可取下膜组件，待胶水完全固化后脱模完成一头的封装。
[0009]胶水在温度约40°C的时候粘度只有500 mPa.S，此时胶水会在5?10分钟内流进组件。由于胶水在高温下反应会产生大量气泡，故胶水全部流进膜组件后就需要及时进行抽真空为其中的胶水脱泡。因为在接下来的半小时中，胶水粘度将逐渐上升到800 mPa.s，之后胶水粘度将快速上升，并在6小时内初步固化，因而胶水全部流进膜组件后的半小时为脱泡最佳时间。保持真空度不变，使电磁加热装置在加胶结束后的半小时中将胶水温度控制在40°C上下。半小时后控制电磁加热装置功率逐渐降低，此时电磁加热装置为辅助保持温度，胶水将靠自身反应发出的热量维持内部温度并保持快速反应。通过此方案，在最初加胶阶段将使胶水保持较低粘度及较高的流动性，避免中心胶水不足，并且低粘度有助于降低胶水爬胶高度。膜组件中的负压将极大加快胶水中的气泡排出，使胶水固化后具有较高的密实程度。同时较高的反应温度降极大的减少胶水固化所需要的时间，提高生产效率。
[0010]作为优选，步骤2)和步骤3)所述的温度均设置在40°C。
[0011]作为优选，步骤4)所述的温度设置在27°C。
[0012]本发明的一种柱式膜组件静置封装装置与工艺不需进行离心振动，通过温度和真空度的分阶段控制，能在最初加胶阶段将使胶水保持较低粘度及较高的流动性，避免中心胶水不足，降低胶水爬胶高度而且负压将极大加快胶水中的气泡排出，使胶水固化后具有较高的密实程度，同时较高的反应温度降极大的减少胶水固化所需要的时间，提高了生产效率。
【附图说明】
[0013]图1为本发明实施例所用装置的结构示意图。
[0014]图2为图1中封装台的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合图1、2与【具体实施方式】对本发明做进一步的说明。
[0016]一种柱式膜组件静置封装装置，如图1-2所示，包括封装台1，所述的封装台I上开设若干定位槽2，每个定位槽2下方安装电磁加热装置3，封装台I上方设有通气管4，通气管4 一端连接真空泵5，膜组件6下端置于封装模具7内并放入定位槽2中，膜组件6上端由密封封头8密封，密封封头8顶部预留气管接口 9，通气管4的另一端可通过气管接口 9与膜组件6内部连通，所述的电磁加热装置3连接有温度传感器和变频器。所述电磁加热装置3的功率为300-500瓦。所述的温度传感器为贴片式传感器，位于定位槽2中，膜组件6置于定位槽2时，温度传感器紧贴封装模具7。封装模具7侧面开有加胶口，与加胶口连接的加胶管上设置开关球阀。(图中未示出)
一种柱式膜组件静置封装工艺，使用一种柱式膜组件静置封装装置，其特征在于:包括以下步骤:
1)将待封装膜组件组装好放入封装模具，安装好密封封头，置于封装台的定位槽内；
2)打开电磁加热装置将温度设置在40°C，同时从封装模具的加胶口往膜组件中加入环氧胶水；
3)10分钟后，待环氧胶水全部流进膜组件中停止加胶，并将加胶管上的球阀关闭，使膜组件内部形成封闭空间，将一端连接真空泵的通气管与气管接口连接，打开真空泵，使膜组件内部压力保持在-0.15MPa，温度继续保持40°C，持续半小时；
4)降低电磁加热装置的加热功率，保持温度传感器探测温度在27°C，持续2小时；
5)关闭真空泵，使膜组件内部压力恢复正常，三个半小时后完全关闭电磁加热器，可取下膜组件，待胶水完全固化后脱模完成一头的封装。
[0017]综上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围，凡依本申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本发明的技术范畴。
【主权项】
1.一种柱式膜组件静置封装装置，包括封装台(I)，其特征在于:所述的封装台(I)上开设若干定位槽(2)，每个定位槽(2)下方安装电磁加热装置(3)，封装台(I)上方设有通气管(4)，通气管(4) 一端连接真空泵(5)，膜组件(6)下端置于封装模具(7)内并放入定位槽(2)中，膜组件(6)上端由密封封头(8)密封，密封封头(8)顶部预留气管接口(9)，通气管(4)的另一端可通过气管接口(9)与膜组件(6)内部连通，所述的电磁加热装置(3 )连接有温度传感器和变频器。
2.根据权利要求1所述的一种柱式膜组件静置封装装置，其特征在于:所述电磁加热装置(3 )的功率为300-500瓦。
3.根据权利要求1所述的一种柱式膜组件静置封装装置，其特征在于:所述的温度传感器为贴片式传感器，位于定位槽(2 )中，膜组件(6 )置于定位槽(2 )时，温度传感器紧贴封装模具(7)。
4.一种柱式膜组件静置封装工艺，使用权利要求1或2或3中所述的一种柱式膜组件静置封装装置，其特征在于:包括以下步骤: 1)将待封装膜组件组装好放入封装模具，安装好密封封头，置于封装台的定位槽内； 2)打开电磁加热装置将温度设置在35°C?45°C，同时从封装模具的加胶口往膜组件中加入环氧胶水； 3)5?10分钟后，待环氧胶水全部流进膜组件中停止加胶，并将加胶管上的球阀关闭，使膜组件内部形成封闭空间，将一端连接真空泵的通气管与气管接口连接，打开真空泵，使膜组件内部压力保持在-0.1?-0.15MPa，温度继续保持35°C?45°C，持续半小时； 4)降低电磁加热装置的加热功率，保持温度传感器探测温度在25°C?30°C，持续2小时； 5)关闭真空泵，使膜组件内部压力恢复正常，三个半小时后完全关闭电磁加热器，取下膜组件，待胶水完全固化后脱模完成一头的封装。
5.根据权利要求4所述的一种柱式膜组件静置封装工艺，其特征在于:步骤2)和步骤3)所述的温度均设置在40°C。
6.根据权利要求4所述的一种柱式膜组件静置封装工艺，其特征在于:步骤4)所述的温度设置在27V。
【专利摘要】本发明涉及膜组件加工技术领域，尤其涉及一种柱式膜组件静置封装装置，包括上开定位槽的封装台，定位槽下方安装电磁加热装置，封装台上方设有一端连接真空泵的通气管，膜组件下端置于封装模具内并放入定位槽中，膜组件上端由密封封头密封，通气管的另一端通过气管接口与膜组件内部连通。本发明还公开了一种柱式膜组件静置封装工艺，包括以下步骤：安装膜组件；温度设置在约40℃加胶；保持温度，真空压力约-0.1MPa，持续半小时；保持温度27℃，持续2小时关真空泵；三个半小时后关闭电磁加热器。本发明的一种柱式膜组件静置封装装置与工艺，既能避免膜组件中心胶水不足，也能使胶水内无气泡，具有加胶时间短，加胶质量好的优点。
【IPC分类】B29C39-44, B29C39-38, B29C39-10
【公开号】CN104626430
【申请号】CN201410835947
【发明人】童威洋, 赵辉, 张星星
【申请人】杭州求是膜技术有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年12月30日