膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法、以及半导体装置的制造方法

膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法、以及半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供能够缓解由膨胀的差别引起的应力的膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法。本发明提供一种热固化型的膜状胶粘剂，其含有丙烯酸类树脂、环氧树脂及导电性粒子，导电性粒子含有纵横比为5以上的片状粒子，导电性粒子100重量％中的片状粒子的含量为5重量％～100重量％，热固化后的150℃的储能模量为5MPa～100MPa。
【专利说明】
膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方 法、以及半导体装置
技术领域
[0001] 本发明涉及膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法、以及 半导体装置。
【背景技术】
[0002] 在半导体装置的制造中将半导体元件与金属引线框等粘接的方法(所谓的芯片接 合法)从以往的金-硅共晶开始，正在发展为借助焊料、树脂胶的方法。目前，采用的是使用 导电性的树脂胶的方法。
[0003] 但是，在使用树脂胶的方法中，存在有因空隙而使导电性降低、树脂胶的厚度不均 匀、焊盘因树脂胶的渗出而受到污染的问题。为了解决这些问题，有时取代树脂胶而使用含 有聚酰亚胺树脂的膜状的胶粘剂(例如参照专利文献1)。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开平6-145639号公报

【发明内容】

[0007] 发明所要解决的问题
[0008] 然而，在半导体装置中，很重视可靠性。作为评价可靠性的试验，例如有温度循环 试验、高压炉试验、吸湿回流试验等。
[0009] 近年来，在智能手机、便携式电脑中，为了兼顾性能提高和机器的薄型化，搭载有 很多薄型的半导体装置。但是，半导体装置越薄，在温度循环试验中因硅芯片与金属引线框 的线膨胀的差而产生的应力的影响就越大，将硅芯片与金属引线框接合的胶粘剂的不良增 多。
[0010] 本发明的目的在于，解决所述问题，提供能够缓解由线膨胀的差引起的应力的膜 状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法。
[0011] 用于解决问题的方法
[0012] 本发明提供一种热固化型的膜状胶粘剂，其含有丙烯酸类树脂、环氧树脂及导电 性粒子，导电性粒子含有纵横比为5以上的片状粒子，导电性粒子100重量％中的片状粒子 的含量为5重量％~100重量％，热固化后的150°C的储能模量为5MPa~lOOMPa。
[0013] 本发明的膜状胶粘剂由于热固化后的150°C的储能模量为lOOMPa以下，因此可以 缓解由线膨胀差引起的应力，可以减少温度循环试验中的不良。另外，由于含有纵横比为5 以上的片状粒子，因此可以利用片状粒子之间的面接触形成导电路径。因此，与仅含有利用 点接触形成导电路径的球状粒子的胶粘剂相比，本发明的膜状胶粘剂可以获得优异的导电 性。
[0014] 从环氧基之间的距离远、可以降低热固化后的储能模量的理由考虑，优选具有双 酚型骨架的环氧树脂。环氧树脂的环氧当量优选为180g/eq.~3500g/eq.。
[0015] 优选本发明的膜状胶粘剂还含有酚醛树脂，酚醛树脂的羟基当量为200g/eq.以 上。由此，就可以很容易地使热固化后的储能模量降低。
[0016] 本发明的膜状胶粘剂优选含有重均分子量为20万~100万的高分子量丙烯酸类树 月旨。由此，可以使热固化后的储能模量降低。
[0017] 本发明的膜状胶粘剂优选含有包含与环氧基反应的官能团的低分子量丙烯酸类 树脂。低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量优选为500~10万。这是因为，可以使低分子量 丙烯酸类树脂固化，可以降低热固化后的储能模量。
[0018] 本发明的膜状胶粘剂优选还含有磷系催化剂。这是因为，咪唑系催化剂会被纳入 交联结构，因此会引起热固化后的储能模量的增加，而磷系催化剂不会被纳入交联结构，因 此可以抑制热固化后的储能模量的增加。
[0019] 另外，本发明还提供一种半导体装置的制造方法，其包括夹隔着膜状胶粘剂在被 粘物上芯片接合半导体芯片的工序、和在被粘物上芯片接合半导体芯片的工序之后使膜状 胶粘剂热固化的工序。
[0020] 另外，本发明还提供具备切割带、以及配置于切割带上的热固化型的膜状胶粘剂 的带有膜状胶粘剂的切割带。
[0021] 另外，本发明还提供一种半导体装置的制造方法，其包括在带有膜状胶粘剂的切 割带的膜状胶粘剂上配置半导体晶片的工序、切割配置于膜状胶粘剂上的半导体晶片而形 成半导体芯片的工序、将半导体芯片与膜状胶粘剂一起拾取的工序、夹隔着膜状胶粘剂在 被粘物上芯片接合半导体芯片的工序、和在被粘物上芯片接合半导体芯片的工序之后使膜 状胶粘剂热固化的工序。
[0022]另外，本发明还提供一种半导体装置。
[0023]发明效果
[0024]根据本发明，可以提供能够缓和由线膨胀的差引起的应力的导电性膜状胶粘剂、 带有膜状胶粘剂的切割带、半导体装置的制造方法。
【附图说明】
[0025]图1是膜状胶粘剂的示意剖面图。
[0026]图2是带有膜状胶粘剂的切割带的示意剖面图。
[0027] 图3是变形例的带有膜状胶粘剂的切割带的示意剖面图。
[0028] 图4是表示在带有膜状胶粘剂的切割带上配置有半导体晶片的样子的概略的剖面 图。
[0029]图5是表示将半导体晶片单片化的样子的概略的剖面图。
[0030] 图6是带有半导体芯片的被粘物的示意剖面图。
[0031] 图7是半导体装置的示意剖面图。
【具体实施方式】
[0032] 以下将列举实施方式，对本发明进行详细说明，然而本发明并不仅限定于这些实 施方式。
[0033] [实施方式1]
[0034] (膜状胶粘剂）
[0035] 如图1所示，实施方式1的膜状胶粘剂3的形态为膜状。膜状胶粘剂3具备热固性。 [0036]关于树脂成分，膜状胶粘剂3含有环氧树脂、酚醛树脂、高分子量丙烯酸类树脂。实 施方式1中，酚醛树脂可以作为环氧树脂的固化剂发挥作用。
[0037]使膜状胶粘剂3热固化后的150 °C的储能模量为5MPa以上，优选为20MPa以上。由于 为5MPa以上，因此可以确保丝焊性。另一方面，热固化后的150 °C的储能模量为1 OOMPa以下。 由于为lOOMPa以下，因此可以缓和由线膨胀差引起的应力，可以减少温度循环试验中的不 良。
[0038]所谓热固化后的150 °C的储能模量，是指通过在140 °C加热1小时、然后在200 °C加 热1小时而使之热固化后的150°c的储能模量。具体而言，可以利用实施例中记载的方法测 定。
[0039] 热固化后的150°C的储能模量可以利用环氧树脂的环氧当量、酚醛树脂的羟基当 量、高分子量丙烯酸类树脂的酸值、低分子量丙烯酸类树脂的酸值、导电性粒子的粒径等控 制。例如，通过配合环氧当量大的环氧树脂、配合羟基当量大的酚醛树脂、配合酸值低的高 分子量丙烯酸类树脂、配合酸值低的低分子量丙烯酸类树脂、配合粒径大的导电性粒子等， 可以降低热固化后的150°C的储能模量。
[0040] 作为环氧树脂没有特别限定，例如可以举出具有双酚型骨架的环氧树脂、甲酚线 性酚醛型环氧树脂、苯酚线性酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂等。其中，从环氧基之间的距 离远、可以降低热固化后的储能模量的理由考虑，优选具有双酚型骨架的环氧树脂。作为具 有双酚型骨架的环氧树脂，例如可以举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环 氧树脂等。
[0041]环氧树脂的环氧当量优选为180g/eq.以上，更优选为300g/eq.以上，进一步优选 为400g/eq.以上。另一方面，环氧树脂的环氧当量优选为3500g/eq.以下，更优选为1500g/ eq.以下，进一步优选为1000g/eq.以下，特别优选为700g/eq.以下。
[0042] 而且，环氧树脂的环氧当量可以利用JIS K 7236-2009中规定的方法测定。
[0043]酚醛树脂是作为环氧树脂的固化剂发挥作用的物质，例如可以举出苯酚线性酚醛 树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚线性酚醛树脂、叔丁基苯酚线性酚醛树脂、壬基苯酚线性酚醛 树脂等线性酚醛型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。 [0044] 酚醛树脂的羟基当量优选为200g/eq.以上。若为200g/eq.以上，则可以很容易地 降低热固化后的储能模量。另一方面，酚醛树脂的羟基当量优选为3500g/eq.以下，更优选 为1500g/eq.以下，进一步优选为1000g/eq.以下，更进一步优选为700g/eq.以下，特别优选 为300g/eq.以下。
[0045] 对于环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如优选以相对于环氧树脂成分中的每1 当量环氧基使酚醛树脂中的羟基为0.5~2.0当量的方式配合。更优选为0.8~1.2当量。即 因为，若两者的配合比例脱离所述范围，则不会进行充分的固化反应，固化物的特性容易劣 化。
[0046] 膜状胶粘剂3中的环氧树脂及酚醛树脂的合计含量优选为5重量％以上，更优选为 8重量％以上，进一步优选为10重量％以上。若为5重量％以上，则对于固化后的膜状胶粘剂 3可以获得合适的硬度。另外，环氧树脂及酚醛树脂的合计含量优选为30重量％以下，更优 选为20重量％以下，进一步优选为15重量％以下。若为30重量％以下，则可以获得合适的导 电性。
[0047]高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量优选为20万以上，更优选为30万以上，进一 步优选为50万以上。若为20万以上，则对于固化后的膜状胶粘剂3可以获得合适的韧性。另 一方面，高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量优选为100万以下，更优选为95万以下。若为 100万以下，则在有机溶剂中的溶解性及溶解了的聚合物溶液的操作性优异。
[0048]而且，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱）测定、并利用聚苯乙烯换算算出的 值。
[0049] 作为高分子量丙烯酸类树脂，没有特别限定，可以举出以具有碳原子数30以下、特 别是碳原子数4~18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为 成分的聚合物（丙烯酸类共聚物）等。作为所述烷基，例如可以举出甲基、乙基、丙基、异丙 基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、 壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或 十--烷基等。
[0050] 另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其他单体，没有特别限定，例如可以举 出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等 那样的含羧基单体、马来酸酐或衣康酸酐等那样的酸酐单体、（甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、 (甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4 一羟基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟基己酯、（甲 基)丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、（甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙 烯酸(4一羟甲基环己基）甲酯等那样的含羟基单体、苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-（甲基)丙烯 酰胺基一 2-甲基丙磺酸、（甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、（甲基)丙烯酸磺丙酯或（甲基)丙烯酰 氧基萘磺酸等那样的含磺酸基单体、或丙烯酰磷酸2 -羟基乙酯等那样的含磷酸基单体。
[0051] 高分子量丙烯酸类树脂优选含有能够与环氧基反应的官能团。由此，就可以使高 分子量丙烯酸类树脂与环氧树脂交联。
[0052] 在高分子量丙烯酸类树脂中，作为能够与环氧基反应的官能团，例如可以举出羧 基、羟基等。其中，从与环氧基的反应性高的理由考虑，优选羧基。
[0053]高分子量丙稀酸类树脂的酸值优选为lmgKOH/g以上，更优选为3mgK0H/g以上，进 一步优选为4mgK0H/g以上。若为lmgKOH/g以上，贝lj高分子量丙稀酸类树脂与环氧树脂的交 联合适，对于膜状胶粘剂3可以获得良好的凝聚力。另一方面，高分子量丙烯酸类树脂的酸 值优选为100mgK0H/g以下，更优选为50mgK0H/g以下，进一步优选为30mgK0H/g以下。若为 100mgK0H/g以下，则可以防止导电性粒子的腐蚀，可以防止导电性的降低。
[0054] 而且，酸值可以利用JIS K 0070 -1992中规定的中和滴定法测定。
[0055]高分子量丙稀酸类树脂的酸当量优选为560g/eq.以上，更优选为1120g/eq.以上， 进一步优选为1870g/eq.以上。若为560g/eq.以上，贝lj可以防止导电性粒子的腐蚀。另一方 面，高分子量丙烯酸类树脂的酸当量优选为56110g/eq.以下，更优选为18700g/eq.以下，进 一步优选为14030g/eq.以下。若为56110g/eq.以下，则可以获得良好的凝聚力。
[0056] 而且，酸当量可以根据酸值求出。
[0057] 膜状胶粘剂3优选在高分子量丙烯酸类树脂以外，还含有低分子量丙烯酸类树脂。 由此，就可以使低分子量丙烯酸类树脂与环氧树脂交联。
[0058]在低分子量丙烯酸类树脂中，作为能够与环氧基反应的官能团，例如可以举出羧 基、羟基等。其中，从与环氧基的反应性高的理由考虑，优选羧基。
[0059]低分子量丙烯酸类树脂的酸值优选为10mgK0H/g以上，更优选为30mgK0H/g以上， 进一步优选为50mgK0H/g以上。若为10mgK0H/g以上，则可以很容易地将热固化后的储能模 量调整为合适范围。另一方面，低分子量丙烯酸类树脂的酸值优选为l〇〇〇mgKOH/g以下，更 优选为500mgK0H/g以下，进一步优选为300mgK0H/g以下。若为1000mgK0H/g以下，贝lj可以防 止导电性粒子的腐蚀，从而可以防止导电性的降低。
[0000]低分子量丙稀酸类树脂的酸当量优选为56g/eq.以上，更优选为187g/eq.以上。若 为56g/eq.以上，则可以防止导电性粒子的腐蚀，从而可以防止导电性的降低。另一方面，低 分子量丙烯酸类树脂的酸当量优选为5610g/eq.以下，更优选为1120g/eq.以下。若为 5610g/eq.以下，则可以很容易地将热固化后的储能模量调整为合适范围。
[0061] 低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量优选为500以上，更优选为1000以上，进一步 优选为1500以上。若为500以上，则可以提高膜状胶粘剂3的固化前的凝聚性。另一方面，低 分子量丙烯酸类树脂的重均分子量优选为10万以下，更优选为5万以下，进一步优选为3万 以下。若为10万以下，则可以抑制膜状胶粘剂3的固化前的储能模量的升高，从而可以获得 良好的芯片粘贴性。
[0062] 作为低分子量丙烯酸类树脂，可以举出包含来自于含羧基单体的构成单元的树脂 等。作为含羧基单体，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣 康酸、马来酸等。其中，从聚合物合成时的向聚合物中导入的容易度的理由考虑，优选丙烯 酸。
[0063] 低分子量丙烯酸类树脂也可以包含来自于含羧基单体的构成单元以外的其他构 成单元。作为其他构成单元，例如可以举出来自于苯乙烯的构成单元等。通过包含来自于苯 乙烯的构成单元，与其他配合成分的分散性就会变得良好。
[0064] 膜状胶粘剂3中的丙烯酸类树脂的含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以 上，进一步优选为4重量％以上。若为1重量％以上，则可以获得良好的成膜性。另一方面，丙 烯酸类树脂的含量优选为20重量％以下，更优选为10重量％以下，进一步优选为7重量％以 下。若为20重量％以下，则可以获得合适的导电性。
[0065] 在膜状胶粘剂3含有高分子量丙烯酸类树脂及低分子量丙烯酸类树脂的情况下， 丙烯酸类树脂1〇〇重量％中的高分子量丙烯酸类树脂的含量优选为70重量％以上，更优选 为80重量％以上，进一步优选为85重量％以上。若为70重量％以上，则获得良好的成膜性。 另一方面，丙烯酸类树脂100重量％中的高分子量丙烯酸类树脂的含量优选为97重量％以 下，更优选为95重量％以下，进一步优选为93重量％以下。若为97重量％以下，则可以在芯 片粘贴温度下调整为合适的熔融粘度，从而可以获得良好的芯片粘贴性。
[0066] 膜状胶粘剂3优选含有固化催化剂。由此，可以促进热固化。作为固化催化剂没有 特别限定，例如可以举出磷系催化剂、咪唑系催化剂等。其中，优选磷系催化剂。这是因为， 咪唑系催化剂会被纳入交联结构中，因此会引起热固化后的储能模量的增加，但磷系催化 剂不被纳入交联结构中，因此可以抑制热固化后的储能模量的增加。
[0067] 作为磷系催化剂没有特别限定，然而从保存性的理由考虑，优选四苯基鱗四苯基 硼酸盐、四苯基鱗四对甲苯基硼酸盐。
[0068] 固化催化剂的含量相对于环氧树脂100重量份优选为0.1重量份以上，更优选为 0.5重量份以上，进一步优选为1重量份以上。另一方面，固化催化剂的含量相对于环氧树脂 100重量份，优选为10重量份以下，更优选为5重量份以下。若为10重量份以下，则可以获得 合适的保存性。
[0069] 膜状胶粘剂3含有导电性粒子。由此，可以赋予导电性。作为导电性粒子，可以举出 金粒子、银粒子、铜粒子、包覆粒子等。
[0070] 包覆粒子具备芯粒子及包覆芯粒子的包覆膜。芯粒子可以是导电性、非导电性的 任意一种，例如可以使用玻璃粒子等。作为包覆膜，可以举出含有金的膜、含有银的膜、含有 铜的I吴等。
[0071] 导电性粒子的平均粒径没有特别限定，然而优选相对于膜状胶粘剂3的厚度为 0.001倍以上(膜状胶粘剂3的厚度X 0.001以上），更优选为0.1倍以上。若小于0.001倍，则 难以形成导电路径，会有导电性不稳定的趋势。另外，导电性粒子的平均粒径优选相对于膜 状胶粘剂3的厚度为1倍以下(膜状胶粘剂3的厚度以下），更优选为0.8倍以下。若大于1倍， 则会有引起芯片破裂的危险性。
[0072] 而且，导电性粒子的平均粒径是利用光度式的粒度分布计（H0RIBA制、装置名； LA-910)求出的值。
[0073] 导电性粒子的比重优选为0.7以上，更优选为1以上。若小于0.7,则制作胶粘剂组 合物溶液(清漆)时导电性粒子会浮起，导电性粒子的分散有可能变得不均匀。另外，导电性 粒子的比重优选为22以下，更优选为21以下。若大于22,则导电性粒子容易沉降，导电性粒 子的分散有可能变得不均匀。
[0074]导电性粒子含有片状粒子。
[0075] 作为片状粒子，例如可以举出纵横比为5以上的片状的粒子。若为5以上，则片状粒 子之间容易发生面接触，可以容易地形成导电路径。
[0076] 纵横比优选为8以上，更优选为10以上。另一方面，纵横比优选为10000以下，更优 选为100以下，进一步优选为70以下，特别优选为50以下。
[0077] 片状粒子的纵横比是平均长径与平均厚度的比(平均长径/平均厚度）。
[0078]本说明书中，片状粒子的平均长径是通过利用扫描型电子显微镜(SEM)观察膜状 胶粘剂3的剖面、测定随机选择的100个片状粒子的长径而得到的平均值。
[0079]另外，片状粒子的平均厚度是通过利用扫描型电子显微镜（SEM)观察膜状胶粘剂3 的剖面、测定随机选择的100个片状粒子的厚度而得到的平均值。
[0080] 片状粒子的平均长径优选为0.5μηι以上，更优选为1. Ομπι以上。若为0.5μηι以上，则 片状粒子的接触概率提高，容易取得导通。
[0081] 另一方面，片状粒子的平均长径优选为50μπι以下，更优选为30μπι以下。若为50μπι以 下，则难以产生涂布清漆阶段中的粒子的沉降，可以制作稳定的涂布清漆。
[0082] 导电性粒子100重量％中的片状粒子的含量为5重量％以上，优选为40重量％以 上，更优选为60重量％以上，进一步优选为70重量％以上。导电性粒子100重量％中的片状 粒子的含量也可以为1 〇〇重量％，然而优选为90重量％以下，更优选为85重量％以下。
[0083] 导电性粒子优选含有球状的球状粒子。
[0084] 导电性粒子100重量％中的球状粒子的含量优选为10重量％以上，更优选为15重 量％以上。导电性粒子100重量％中的球状粒子的含量优选为95重量％以下，更优选为60重 量％以下，进一步优选为40重量％以下，特别优选为30重量％以下。
[0085] 导电性粒子也可以含有针状粒子、丝状粒子等。
[0086]膜状胶粘剂3中的导电性粒子的含量优选为30重量％以上，更优选为60重量％以 上，进一步优选为70重量％以上，更进一步优选为75重量％以上，特别优选为80重量％以 上。若小于30重量％，则会有难以形成导电路径的趋势。另外，导电性粒子的含量优选为95 重量％以下，更优选为90重量％以下，进一步优选为88重量％以下。若大于95重量％，则会 有难以膜化的趋势。
[0087] 膜状胶粘剂3也可以在所述成分以外，还适当地含有膜制造中普遍使用的配合剂， 例如交联剂等。
[0088] 膜状胶粘剂3可以利用通常的方法制造。例如，可以通过制作含有所述各成分的胶 粘剂组合物溶液，将胶粘剂组合物溶液以达到给定厚度的方式涂布于基材隔片上而形成涂 布膜后，使该涂布膜干燥，而制造膜状胶粘剂3。
[0089] 作为胶粘剂组合物溶液中所用的溶媒，没有特别限定，然而优选可以将所述各成 分均匀地溶解、混炼或分散的有机溶媒。例如可以举出二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲 基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮类溶媒、甲苯、二甲苯等。涂布方法没有特别限定。作 为溶剂涂布的方法，例如可以举出模涂机、凹版涂布机、辊涂机、逆转辊涂布机、逗点型刮刀 涂布机、管式刮刀涂布机、丝网印刷等。其中，从涂布厚度的均匀性高的方面考虑，优选模涂 机。
[0090] 作为基材隔片，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟 类剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料膜或纸等。作为胶 粘剂组合物溶液的涂布方法，例如可以举出辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，涂布膜的干 燥条件没有特别限定，例如可以以70~160°C的干燥温度、1~5分钟的干燥时间来进行。
[0091] 作为膜状胶粘剂3的制造方法，例如也适合为将所述各成分用混合机混合、将所得 的混合物压制成形而制造膜状胶粘剂3的方法等。作为混合机可以举出行星混合机等。
[0092] 膜状胶粘剂3的厚度没有特别限定，然而优选为5μπι以上，更优选为15μπι以上。若小 于5μπι，则会产生与发生翘曲的半导体晶片或半导体芯片不粘接的部位，粘接面积会变得不 稳定。另外，膜状胶粘剂3的厚度优选为100μπι以下，更优选为50μηι以下。若大于100μπι，则会 因芯片粘贴的负荷而使膜状胶粘剂3过度地渗出，从而会污染焊盘。
[0093] 膜状胶粘剂3的表面粗糙度(Ra)优选为0.1~5000nm。若小于O.lnm，则在配合上困 难。另一方面，若大于5000nm，则芯片粘贴时的与被粘物的贴附性有可能降低。
[0094]膜状胶粘剂3的电阻率越低越好，例如为9Χ10_2Ω ·πι以下。若为9Χ10_2Ω ·πι以 下，则导电性良好，可以应对小型、高密度安装。另一方面，电阻率优选为1Χ1〇_6Ω ·πι以 上。
[0095] 膜状胶粘剂3的热导率越高越好，例如为0.5W/m · Κ以上。若为0.5W/m · Κ以上，则 散热性良好，可以应对小型、高密度安装。另一方面，若小于0.5W/m · K，则散热性差，热量蓄 积，有可能使导电性恶化。
[0096]膜状胶粘剂3的120 °C的拉伸储能模量优选为lOMPa以下，更优选为5MPa以下。若为 lOMPa以下，则热固化温度附近的膜状胶粘剂3的流动性高，容易利用压力下的加热消灭空 隙。120°C的拉伸储能模量优选为O.OIMPa以上，更优选为0.05MPa以上。若为O.OIMPa以上， 则膜状胶粘剂3难以渗出。
[0097] 120°C的拉伸储能模量可以利用以下的方法测定。
[0098] 120°C的拉伸储能模量的测定
[0099]从膜状胶粘剂3中，裁切出纵30mm、宽1 Omm、厚400μπι的条状的测定片。对测定片，使 用固定粘弹性测定装置(RSA- II、Rheometric Scientific公司制)在频率1Hz、升温速度10 °C /分钟的条件下测定夹盘宽度22.6mm、0 °C~200 °C的拉伸储能模量。
[0100] 120°C的拉伸储能模量可以利用热塑性树脂的玻璃化转变温度、导电性粒子的配 合量等来控制。例如，通过配合玻璃化转变温度低的热塑性树脂，可以降低120°C的拉伸储 能模量。
[0101] 膜状胶粘剂3被用于半导体装置的制造中。其中，可以特别合适地用于功率半导体 装置的制造中。具体而言，可以作为将引线框等被粘物与半导体芯片粘接(芯片粘贴）的芯 片粘贴膜使用。作为被粘物，可以举出引线框、内插板、半导体芯片等。其中，优选引线框。
[0102] 膜状胶粘剂3优选以带有膜状胶粘剂的切割带的形态使用。若以该形态使用，则可 以处置贴附于带有膜状胶粘剂的切割带上的状态的半导体晶片，因此可以减少以单独的半 导体晶片处置的机会，处置性良好。因而，即使是近年的薄型的半导体晶片，也可以良好地 处置。
[0103] [带有膜状胶粘剂的切割带]
[0104] 对带有膜状胶粘剂的切割带进行说明。
[0105] 如图2所示，带有膜状胶粘剂的切割带10具备切割带1、以及配置于切割带1上的膜 状胶粘剂3。切割带1具备基材11及配置于基材11上的粘合剂层12。膜状胶粘剂3配置于粘合 剂层12上。
[0106] 如图3所示，带有膜状胶粘剂的切割带10也可以是仅在工件(半导体晶片4等)贴附 部分形成有膜状胶粘剂3的构成。
[0107] 基材11是成为带有膜状胶粘剂的切割带10的强度母体的材料，优选具有紫外线透 射性的材料。作为基材11，例如可以举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密 度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲 基戊烯等聚烯烃、乙烯一乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯一（甲基）丙烯酸共聚物、乙 烯一（甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯一丁烯共聚物、乙烯一己烯共聚物、聚氨酯、 聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰 亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸）、玻璃、玻璃布、氟 树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、硅树脂、金属(箱）、纸等。
[0108] 对于基材11的表面，为了提高与相邻的层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表 面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离射线处理等化学或物理处 理、借助底涂剂(例如后述的粘合物质）的涂布处理。
[0109] 基材11的厚度可以没有特别限制地适当地决定，一般为5~200μπι左右。
[0110] 作为粘合剂层12的形成中所用的粘合剂，没有特别限制，例如可以使用丙烯酸类 粘合剂、橡胶类粘合剂等一般的压敏胶粘剂。作为压敏胶粘剂，从半导体晶片或玻璃等忌避 污染的电子部件的借助超纯水、醇等有机溶剂的清洁洗涤性等方面考虑，优选以丙烯酸类 聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
[0111] 作为丙烯酸类聚合物，例如可以举出将（甲基)丙烯酸烷基酯（例如甲酯、乙酯、丙 酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异 辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、 十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子数为1~30、特别是碳原子数为4~18的直链状或 支链状的烷基酯等)及（甲基)丙烯酸环烷基酯（例如环戊酯、环己酯等）的1种或2种以上作 为单体成分使用的丙烯酸类聚合物等。而且，所谓（甲基)丙烯酸酯，是指丙烯酸酯和/或甲 基丙烯酸酯，本发明的所谓（甲基)全是相同的意味。
[0112] 丙烯酸类聚合物也可以出于凝聚力、耐热性等改性的目的，根据需要含有与能够 与所述（甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这样的单体 成分，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基)丙烯酸羧乙酯、（甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康 酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体;马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；（甲基)丙烯酸 2-羟基乙酯、（甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基)丙烯酸4 一羟基丁酯、（甲基)丙烯酸6-羟 基己酯、（甲基）丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸12-羟基 十二烷基酯、（甲基）丙烯酸(4一羟基甲基环己基）甲酯等含羟基单体;苯乙烯磺酸、烯丙磺 酸、2-（甲基)丙烯酰胺基一 2-甲基丙磺酸、（甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、（甲基)丙烯酸磺丙 酯、（甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体;丙烯酰磷酸2 -羟基乙酯等含磷酸基单体； 丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可以共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些可以共聚的单 体的使用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
[0113] 此外，为了使丙烯酸类聚合物交联，也可以根据需要作为共聚用单体成分含有多 官能性单体等。作为这样的多官能性单体，例如可以举出己二醇二（甲基)丙烯酸酯、（聚）乙 二醇二（甲基)丙烯酸酯、（聚)丙二醇二（甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基)丙烯酸酯、季戊 四醇二（甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基)丙烯酸酯、二 季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、环氧（甲基)丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯酸酯、氨基甲酸酯（甲 基）丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。对于多官能性单体的使用 量，从粘合特性等方面考虑，优选为全部单体成分的30重量％以下。
[0114] 丙烯酸类聚合物可以通过将单一单体或2种以上的单体混合物加以聚合而得到。 聚合可以利用溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意的方式进行。从防止对洁净 的被粘物的污染等方面考虑，优选低分子量物质的含量小。从这一点考虑，丙烯酸类聚合物 的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万~300万左右。
[0115] 另外，在所述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分 子量，也可以适当地采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体的方法，可以举出添加聚异 氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂并使之反应 的方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用量可以根据与应当交联的基础聚合物的平衡， 此外根据作为粘合剂的使用用途适当地决定。一般而言，相对于所述基础聚合物100重量 份，优选配合5重量份左右以下，更优选配合0.1~5重量份。此外，在粘合剂中，根据需要，也 可以在所述成分之外，还使用现有公知的各种的增粘剂、抗老化剂等添加剂。
[0116] 粘合剂层12可以利用射线固化型粘合剂来形成。射线固化型粘合剂可以因紫外线 等射线的照射而使交联度增大，从而很容易地使其粘合力降低。
[0117] 通过仅对图2所示的粘合剂层12的与工件贴附部分对应的部分12a进行射线照射， 就可以设置与其他的部分12b的粘合力的差。该情况下，由未固化的射线固化型粘合剂形成 的所述部分12b与膜状胶粘剂3粘合，可以确保进行切割时的保持力。
[0118] 另外，通过与图3所示的膜状胶粘剂3匹配地使射线固化型的粘合剂层12固化，可 以形成粘合力明显地降低的所述部分12a。该情况下，可以在由未固化的射线固化型粘合剂 形成的所述部分12b固定晶片环。
[0119] 即，在利用射线固化型粘合剂形成粘合剂层12的情况下，优选以使粘合剂层12的 所述部分12a的粘合力<其他部分12b的粘合力的方式对所述部分12a进行射线照射。
[0120] 射线固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳一碳双键等射线固化性的官 能团、并且显示出粘合性的物质。作为射线固化型粘合剂，例如可以例示出在所述丙烯酸类 粘合剂、橡胶类粘合剂等一般的压敏粘合剂中配合了射线固化性的单体成分或低聚物成分 的添加型的射线固化型粘合剂。
[0121] 作为所配合的射线固化性的单体成分，例如可以举出氨基甲酸酯低聚物、氨基甲 酸酯（甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四（甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五（甲基）丙 烯酸酯、二季戊四醇六（甲基)丙烯酸酯、1，4一丁二醇二（甲基)丙烯酸酯等。另外，射线固化 性的低聚物成分可以举出氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种 低聚物，适合为其分子量为100~30000左右的范围的低聚物。射线固化性的单体成分或低 聚物成分的配合量可以根据所述粘合剂层的种类，适当地确定为可以降低粘合剂层的粘合 力的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物1〇〇重量份，例如为5 ~500重量份，优选为40~150重量份左右。
[0122] 另外，作为射线固化型粘合剂，除了所述说明过的添加型的射线固化型粘合剂以 外，还可以举出作为基础聚合物使用了在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳一碳双 键的聚合物的内在型的射线固化型粘合剂。内在型的射线固化型粘合剂不需要含有作为低 分子成分的低聚物成分等，或者不用大量含有，因此不会有低聚物成分等随时间推移在粘 合剂层中移动的情况，可以形成稳定化的层结构的粘合剂层，因此优选。
[0123] 所述具有碳一碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳一碳双键、并 且具有粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的 聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以举出前面所例示的丙烯酸类聚合物。
[0124] 碳一碳双键向所述丙烯酸类聚合物中的导入法没有特别限制，可以采用各种方 法，而将碳一碳双键导入聚合物侧链在分子设计上容易。例如，可以举出预先使具有官能团 的单体与丙烯酸类聚合物共聚后、在维持碳一碳双键的射线固化性的同时使具有能够与该 官能团反应的官能团及碳一碳双键的化合物进行缩聚或加成反应的方法。
[0125] 作为这些官能团的组合的例子，可以举出羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟 基与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从追踪反应的容易度考虑，适合为羟基与异氰 酸酯基的组合。另外，只要是借助这些官能团的组合生成所述具有碳一碳双键的丙烯酸类 聚合物的组合，则官能团处于丙烯酸类聚合物和所述化合物的哪一侧都可以，而在所述的 优选的组合中，适合为丙烯酸类聚合物具有羟基、所述化合物具有异氰酸酯基的情况。该情 况下，作为具有碳一碳双键的异氰酸酯化合物，例如可以举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2 - 甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基一α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙 烯酸类聚合物，可以使用将所述例示的含羟基单体或2 -羟基乙基乙烯基醚、4 一羟基丁基 乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚类化合物等共聚而得的聚合物。
[0126] 所述内在型的射线固化型粘合剂可以单独地使用所述具有碳一碳双键的基础聚 合物(特别是丙烯酸类聚合物），然而也可以以不使特性恶化的程度配合所述射线固化性的 单体成分或低聚物成分。射线固化性的低聚物成分等通常相对于基础聚合物1〇〇重量份为 30重量份的范围内，优选为0~10重量份的范围。
[0127] 在所述射线固化型粘合剂中，在利用紫外线等使之固化的情况下含有光聚合引发 剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出4一（2-羟基乙氧基）苯基（2 -羟基一2-丙基）酮、 α -羟基一α，α'一二甲基苯乙酮、2 -甲基一2 -羟基苯丙酮、1 一羟基环己基苯基酮等α-酮 醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基一2 -苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2 - 甲基一 1 一 [4一（甲硫基）一苯基]一2 -吗啉基丙烷一 1 一酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙 醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；联苯酰二甲基缩酮等缩酮类化合 物;2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1，1-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光 活性肟类化合物;二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3'_二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮 类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4_二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4_二 氯噻吨酮、2,4_二乙基噻吨酮、2,4_二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物;樟脑酮；卤代酮;酰 基膦氧化物;酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物 等基础聚合物100重量份，例如为0.05~20重量份左右。
[0128] 另外，作为射线固化型粘合剂，例如可以举出日本特开昭60-196956号公报中公开 的、含有具有2个以上的不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合 性化合物、和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鑰盐类化合物等光聚合引发剂的橡 胶类粘合剂或丙烯酸类粘合剂等。
[0129] 在所述射线固化型的粘合剂层12中，根据需要，也可以含有因射线照射而着色的 化合物。通过使粘合剂层12中含有因射线照射而着色的化合物，可以仅将被射线照射的部 分着色。因射线照射而着色的化合物是在射线照射前为无色或淡色、因射线照射而变为有 色的化合物，例如可以举出染料隐色体等。因射线照射而着色的化合物的使用比例可以适 当地设定。
[0130] 粘合剂层12的厚度没有特别限定，然而从防止芯片切断面的缺损、保持膜状胶粘 剂3的固定的兼顾性等方面考虑，优选为1~50μηι左右。更优选为2~30μηι，进一步优选为5~ 25μπι 〇
[0131 ]带有膜状胶粘剂的切割带10的膜状胶粘剂3优选由隔片保护（未图示）。隔片具有 在用于实际应用之前保护膜状胶粘剂3的作为保护材料的功能。隔片在将工件贴合于膜状 胶粘剂3上时被剥下。作为隔片，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(ΡΕΤ)、聚乙烯、聚丙烯、 或利用氟类剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料膜或纸 等。
[0132]带有膜状胶粘剂的切割带10可以利用通常的方法制造。例如，通过将切割带1的粘 合剂层12与膜状胶粘剂3贴合，可以制造带有膜状胶粘剂的切割带10。
[0133] 在剥离温度25°C、剥离速度300mm/min的条件下，将膜状胶粘剂3从切割带1剥离时 的剥离力优选为0.01~3.00N/20mm。若小于0.01N/20mm，则切割时有可能产生芯片飞散。另 一方面，若大于3.00N/20mm，则会有拾取变得困难的趋势。
[0134] [半导体装置的制造方法]
[0135] 对半导体装置的制造方法进行说明。
[0136] 如图4所示，将带有膜状胶粘剂的切割带10压接于半导体晶片4上。作为半导体晶 片4,可以举出硅晶片、碳化硅晶片、化合物半导体晶片等。作为化合物半导体晶片，可以举 出氣化嫁晶片等。
[0137] 作为压接方法，例如可以举出利用压接辊等按压工具进行按压的方法等。
[0138] 压接温度（贴附温度)优选为35°C以上，更优选为50°C以上。优选压接温度的上限 低，优选为80 °C以下，更优选为50 °C以下，进一步优选为45 °C以下。通过在低温下进行压接， 可以防止对半导体晶片4的热影响，从而可以抑制半导体晶片4的翘曲。
[0139] 另外，压力优选为1 X l〇5Pa~1 X 107Pa，更优选为2 X 105Pa~8 X 106Pa。
[0140] 然后，如图5所示，进行半导体晶片4的切割。即，将半导体晶片4切割为给定的尺寸 而单片化，裁切出半导体芯片5。切割可以依照常法进行。另外，本工序中，例如可以采用切 入至带有膜状胶粘剂的切割带10的被称作全切的切割方式等。作为本工序中所用的切割装 置没有特别限定，可以使用现有公知的切割装置。另外，由于半导体晶片4由带有膜状胶粘 剂的切割带10粘接固定，因此可以抑制芯片缺损或芯片飞散，同时还可以抑制半导体晶片4 的破损。
[0141]为了将粘接固定于带有膜状胶粘剂的切割带10上的半导体芯片5剥离，进行半导 体芯片5的拾取。作为拾取的方法没有特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如，可以 举出用针将各个半导体芯片5从带有膜状胶粘剂的切割带10侧顶起、利用拾取装置拾取被 顶起的半导体芯片5的方法等。
[0142] 在此，在粘合剂层12为紫外线固化型的情况下，在对该粘合剂层12照射紫外线后 进行拾取。由此，粘合剂层12对膜状胶粘剂3的粘合力降低，半导体芯片5的剥离变得容易。 其结果是，可以不损伤半导体芯片5地拾取。紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没 有特别限定，只要适当地根据需要设定即可。
[0143] 如图6所示，将所拾取的半导体芯片5夹隔着膜状胶粘剂3粘接固定于被粘物6上， 得到带有半导体芯片的被粘物61。带有半导体芯片的被粘物61具备被粘物6、配置于被粘物 6上的膜状胶粘剂3、以及配置于膜状胶粘剂3上的半导体芯片5。
[0144] 芯片粘贴温度优选为80°C以上，更优选为100°C以上，进一步优选为130°C以上。另 外，芯片粘贴温度优选为170 °C以下，更优选为160 °C以下。通过设为170 °C以下，可以防止芯 片粘贴后的翅曲的广生。
[0145] 接下来，通过加热带有半导体芯片的被粘物61而使膜状胶粘剂3热固化，使半导体 芯片5与被粘物6固着。优选通过在加压下加热带有半导体芯片的被粘物61而使膜状胶粘剂 3热固化。通过在加压下使膜状胶粘剂3热固化，可以消灭存在于膜状胶粘剂3与被粘物6之 间的空隙，从而可以确保膜状胶粘剂3与被粘物6接触的面积。
[0146] 作为在加压下进行加热的方法，例如可以举出将配置于填充有惰性气体的腔室内 的带有半导体芯片的被粘物61加热的方法等。
[0147] 加压气氛的压力优选为0.5kg/cm2(4.9 X 10_2MPa)以上，更优选为lkg/cm2(9.8 X 10 一 2MPa)以上，进一步优选为5kg/cm2(4.9 X 10-^Pa)以上。若为0 · 5kg/cm2以上，则可以容易 地消灭存在于膜状胶粘剂3与被粘物6之间的空隙。加压气氛的压力优选为20kg/cm 2 (1 · 96MPa)以下，更优选为 18kg/cm2 (1 · 77MPa)以下，进一步优选为 15kg/cm2 (1 · 47MPa)以下。 若为20kg/cm2以下，则可以抑制由过度的加压造成的膜状胶粘剂3的渗出。
[0148] 在加压下进行加热时的加热温度优选为80°C以上，更优选为100°C以上，进一步优 选为120 °C以上，特别优选为170 °C以上。若为80 °C以上，则可以将膜状胶粘剂3制成适度的 硬度，可以利用加压固化使空隙有效地消失。加热温度优选为260°C以下，更优选为200°C以 下，更优选为180°C以下。若为260°C以下，则可以防止固化前的膜状胶粘剂3的分解。
[0149] 加热时间优选为0.1小时以上，更优选为0.2小时以上，进一步优选为0.5小时以 上。若为0.1小时以上，则可以充分地获得加压的效果。加热时间优选为24小时以下，更优选 为3小时以下，进一步优选为1小时以下。
[0150]然后，进行将被粘物6的端子部（内部引线）的前端与半导体芯片5上的电极焊盘 (未图示)利用焊线7电连接的丝焊工序。作为焊线7,例如可以使用金线、铝线或铜线等。进 行丝焊时的温度优选为80°C以上，更优选为120°C以上，该温度优选为250°C以下，更优选为 175°C以下。另外，其加热时间为数秒~数分钟（例如1秒~1分钟）。接线是在加热为所述温 度范围内的状态下，通过组合使用超声波的振动能与加压的压接能来进行。
[0151]接下来，进行利用密封树脂8将半导体芯片5密封的密封工序。本工序是为了保护 搭载于被粘物6上的半导体芯片5、焊线7而进行。本工序是通过用模具将密封用的树脂成型 而进行。作为密封树脂8,例如使用环氧类的树脂。树脂密封时的加热温度优选为165°C以 上，更优选为170°C以上，该加热温度优选为185°C以下，更优选为180°C以下。
[0152] 根据需要，也可以将密封物进一步加热（后固化工序）。由此，就可以使密封工序中 固化不足的密封树脂8完全固化。加热温度可以适当地设定。
[0153] 如上所述，实施方式1中，利用包含夹隔着膜状胶粘剂3在被粘物6上芯片接合半导 体芯片5的工序、和在被粘物6上芯片接合半导体芯片5的工序之后使膜状胶粘剂3热固化的 工序的方法，制造半导体装置。
[0154] 更具体而言，实施方式1的方法包含:在带有膜状胶粘剂的切割带10的膜状胶粘剂 3上配置半导体晶片4的工序、切割配置于膜状胶粘剂3上的半导体晶片4而形成半导体芯片 5的工序、将半导体芯片5与膜状胶粘剂3-起拾取的工序、夹隔着膜状胶粘剂3在被粘物6上 芯片接合半导体芯片5的工序、在被粘物6上芯片接合半导体芯片5的工序之后使膜状胶粘 剂3热固化的工序。
[0155] 以上，对实施方式1进行了说明。
[0156] [实施方式2]
[0157] (膜状胶粘剂）
[0158] 实施方式2在膜状胶粘剂3的组成方面与实施方式1不同。
[0159] 对于树脂成分，实施方式2的膜状胶粘剂3含有环氧树脂、高分子量丙烯酸类树脂、 以及包含能够与环氧基反应的官能团的低分子量丙烯酸类树脂。实施方式2中，低分子量丙 烯酸类树脂可以作为环氧树脂的固化剂发挥作用。因而，实施方式2中，也可以不配合酚醛 树脂。
[0160] 合适的环氧树脂与实施方式1相同。
[0161] 膜状胶粘剂3中的环氧树脂的含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，进 一步优选为3重量％以上。若为1重量％以上，则可以获得合适的固化物。另外，环氧树脂的 含量优选为15重量％以下，更优选为10重量％以下，进一步优选为7重量％以下。若为15重 量％以下，则可以获得合适的导电性。
[0162] 合适的高分子量丙烯酸类树脂与实施方式1相同。
[0163] 低分子量丙烯酸类树脂包含能够与环氧基反应的官能团。作为能够与环氧基反应 的官能团，例如可以举出羧基、羟基等。其中，从与环氧基的反应性高的理由考虑，优选羧 基。
[0164] 低分子量丙烯酸类树脂的合适的酸值、酸当量、重均分子量等与实施方式1相同。
[0165] 膜状胶粘剂3中的丙烯酸类树脂的含量优选为1重量％以上，更优选为5重量％以 上，进一步优选为10重量％以上，特别优选为12重量％以上。若为1重量％以上，则可以获得 良好的成膜性。另一方面，丙烯酸类树脂的含量优选为20重量％以下，更优选为17重量％以 下，进一步优选为15重量％以下。若为20重量％以下，则可以获得合适的导电性。
[0166] 丙烯酸类树脂100重量％中的高分子量丙烯酸类树脂的含量优选为20重量％以 上，更优选为30重量％以上，进一步优选为40重量％以上。若为20重量％以上，则可以防止 在芯片粘贴时的温度下膜状胶粘剂3过度地熔融，从而可以抑制膜状胶粘剂3的渗出。另一 方面，丙烯酸类树脂100重量％中的高分子量丙烯酸类树脂的含量优选为98重量％以下，更 优选为80重量％以下，进一步优选为60重量％以下。若为98重量％以下，则可以获得合适的 导电性。
[0167] 膜状胶粘剂3优选含有固化催化剂。合适的固化催化剂与实施方式1相同。固化催 化剂的合适的含量与实施方式1相同。
[0168] 膜状胶粘剂3优选含有导电性粒子。合适的导电性粒子与实施方式1相同。导电性 粒子的合适的含量与实施方式1相同。
[0169] 以上，对实施方式2进行了说明。
[0170] [实施例]
[0171] 以下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不限 定于以下的实施例。
[0172] 对实施例中使用的成分进行说明。
[0173] Teisan Resin SG - 70L:Nagase ChemteX(株）制的Teisan Resin SG - 70L(含有 羧基及羟基的丙稀酸类共聚物、Mw:90万、酸值:5mgK0H/g、酸当量:11222g/eq.)
[0174] Paracron W-248E:根上工业(株）制的Paracron W-248E(含有羟基的丙烯酸类树 月旨、Mw:45万、酸值:8.5mgK0H/g、酸当量:6601g/eq.)
[0175] 一 3510:东亚合成（株）制的7少7才^1^-3510(含有羧基的丙烯酸 类树脂、Mw: 2000、酸值:70mgK0H/g、酸当量:802g/eq.)
[0176] 7少7才^1^-3080:东亚合成（株）制的7少7才^1^_3080(含有羧基的丙烯酸 类树脂、Mw: 14000、酸值:230mgK0H/g、酸当量:244g/eq ·)
[0177] JER828:三菱化学(株)制的JER828(具有双酚型骨架的环氧树脂、环氧当量184g/ eq.~194g/eq.)
[0178] EXA-4850 - 150:DIC(株）制的EPICLON EXA - 4850 -150(具有双酚型骨架的环氧 树脂、环氧当量450g/eq.)
[0179] JER1001:三菱化学（株）制的JER1001(具有双酚型骨架的环氧树脂、环氧当量 450g/eq·~500g/eq·)
[0180] JER1004:三菱化学（株）制的JER1004(具有双酚型骨架的环氧树脂、环氧当量 875g/eq.~975g/eq.)
[0181] HP - 4032D:DIC(株）制的EPICLON HP - 4032D(具有萘型骨架的环氧树脂、环氧当 量136g/eq.~148g/eq.)
[0182] EPPN-501HY:日本化药(株）的EPPN - 501HY(具有多官能型骨架的环氧树脂、环氧 当量163g/eq.~175g/eq.)
[0183] MEH - 7851SS:明和化成（株）制的MEH - 7851SS(酚醛树脂、羟基当量201g/eq.~ 205g/eq.)
[0184] - 7851 - 4H:明和化成（株）制的MEH-7851 - 4H(酚醛树脂、羟基当量235g/eq. ~245g/eq.)
[0185] MEH - 8000H:明和化成（株）制的MEH - 8000H(酚醛树脂、羟基当量139g/eq.~ 143g/eq.)
[0186] TPP-K:北兴化学(株)制的TPP-K(四苯基鱗四苯基硼酸盐）
[0187] 1200YP:三井金属矿业(株)制的1200YP(片状铜粉、平均粒径3.5μπι、纵横比：10、比 重 8.9)
[0188] EHD:三井金属矿业(株)制的EHD (银粉、球状、平均粒径0 · 7μπι、比重10 · 5)
[0189] [膜状胶粘剂及带有膜状胶粘剂的切割带的制作]
[0190] (实施例1~7及比较例1)
[0191]依照表1中记载的配合比，将表1中记载的各成分及溶媒（甲乙酮)加入混合搅拌机 (KEYENCE制ΗΜ-500)的搅拌釜中，以搅拌模式搅拌、混合3分钟。将所得的清漆利用模涂机 涂布于脱模处理膜(三菱树脂(株)制的MRA50)上后，使之干燥，制作出厚30μπι的导电性膜状 胶粘剂。
[0192] 将所得的膜状胶粘剂裁切为直径230mm的圆形，在25°C粘贴在切割带（日东电工 (株)制的P2130G)的粘合剂层上，制作出带有膜状胶粘剂的切割带。
[0193] [镜面硅晶片的制作]
[0194] 使用晶圆磨背机（（株)DISC0制的DFG - 8560)，磨削至硅晶片（信越化学工业(株） 制、厚0 · 6mm)的厚度为0 · 1mm，制作出镜面娃晶片。
[0195] [评价]
[0196] 对所得的膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割带，进行了以下的评价。将结果表示 于表1中。
[0197] (热固化后的150°C下的储能模量）
[0198] 重叠膜状胶粘剂，直至膜状胶粘剂的厚度为500μπι。其后，在140°C加热1小时，再在 200 °C加热1小时而使之热固化。然后，用切刀裁切为长22.5mm(测定长度）、宽10_的条状， 使用固体粘弹性测定装置(RSAII、Rheometric Scientif ic(株）制），测定出一50°C~300°C 的储能模量。测定条件设为频率1Hz、升温速度10°C/min。将此时的150°C下的值作为热固化 后的150°C下的储能模量的测定值。
[0199] (温度循环评价）
[0200] 在带有膜状胶粘剂的切割带的膜状胶粘剂面，贴合镜面硅晶片。贴合是使用贴片 机（日东精机制)MA-3000111、以粘贴速度10mm/min、粘贴温度70°C进行。然后，用切割机进 行切割，得到5mmX5mm的带有膜状胶粘剂的芯片。其后，用芯片接合机在铜制的引线框(大 日本印刷公司制、制品名：QFN32，64)上芯片粘贴带有膜状胶粘剂的芯片。芯片粘贴条件设 为温度：150°C、保持时间：0.5秒、压力：0.5MPa。其后，在140°C保持1小时后，在200°C加热1 小时而使膜状胶粘剂热固化，得到温度循环评价用的封装件。对10个封装件在温度：一 55°C ~150 °C进行1000个循环的热循环试验。试验是依照JEDEC标准22-A104C条件Η进行。
[0201] 在热循环试验后用超声波显微镜观察10个封装件，即使观察到1个芯片的剥离的 情况也判定为X，将10个封装件全都没有观察到剥离的情况判定为〇。
[0202][综合判定]
[0203]将满足以下的全部条件的情况判定为?，将不满足任意一个的情况判定为X。 [0204] 条件（1):热固化后的150°C的储能模量为5MPa~lOOMPa。
[0205] 条件(2):温度循环评价的判定结果为〇。
[0206] [表1]
[0208] 符号的说明
[0209] 1〇 带有膜状胶粘剂的切割带，
[0210] 1 切割带，
[0211] 11 基材，
[0212] 12 粘合剂层，
[0213] 3 膜状胶粘剂，
[0214] 4 半导体晶片，
[0215] 5 半导体芯片，
[0216] 6 被粘物，
[0217] 61 带有半导体芯片的被粘物，
[0218] 7 焊线，
[0219] 8 密封树脂
【主权项】
1. 一种热固化型的膜状胶粘剂，其含有丙烯酸系树脂、环氧树脂及导电性粒子， 所述导电性粒子含有纵横比为5以上的片状粒子， 所述导电性粒子100重量％中的所述片状粒子的含量为5重量％~100重量％， 热固化后的150 °C的储能模量为5MPa~IOOMPa。2. 根据权利要求1所述的膜状胶粘剂，其中， 所述环氧树脂具有双酚型骨架。3. 根据权利要求1或2所述的膜状胶粘剂，其中， 所述环氧树脂的环氧当量为180g/eq.~3500g/eq.。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的膜状胶粘剂，其中， 还含有酚醛树脂， 所述酚醛树脂的羟基当量为200g/eq.以上。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的膜状胶粘剂，其中， 所述丙烯酸系树脂含有重均分子量为20万~100万的高分子量丙烯酸系树脂。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的膜状胶粘剂，其中， 所述丙烯酸系树脂含有重均分子量为500~10万的低分子量丙烯酸系树脂， 所述低分子量丙烯酸系树脂包含与环氧基反应的官能团。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的膜状胶粘剂，其中， 还含有磷系催化剂。8. -种半导体装置的制造方法，其包括： 借助权利要求1~7中任一项所述的膜状胶粘剂，在被粘物上芯片粘贴半导体芯片的工 序;和 在被粘物上芯片接合所述半导体芯片的工序之后，使所述膜状胶粘剂热固化的工序。9. 一种半导体装置，其利用权利要求8所述的制造方法得到。10. -种带有膜状胶粘剂的切割带，其具备切割带、以及配置于所述切割带上的热固化 型的膜状胶粘剂， 所述膜状胶粘剂含有丙烯酸系树脂、环氧树脂及导电性粒子， 所述导电性粒子含有纵横比为5以上的片状粒子， 所述导电性粒子100重量％中的所述片状粒子的含量为5重量％~100重量％， 所述膜状胶粘剂的热固化后的150 °C的储能模量为5MPa~lOOMPa。11. 一种半导体装置的制造方法，其包括： 在权利要求10所述的带有膜状胶粘剂的切割带的所述膜状胶粘剂上配置半导体晶片 的工序； 切割配置于所述膜状胶粘剂上的所述半导体晶片而形成半导体芯片的工序； 将所述半导体芯片与所述膜状胶粘剂一起拾取的工序； 借助所述膜状胶粘剂，在被粘物上芯片接合所述半导体芯片的工序;和 在被粘物上芯片接合所述半导体芯片的工序之后，使所述膜状胶粘剂热固化的工序。12. -种半导体装置，其利用权利要求11所述的制造方法得到。
【文档编号】C09J163/00GK105899630SQ201480072328
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年12月26日
【发明人】菅生悠树, 大西谦司
【申请人】日东电工株式会社