有机电致发光元件以及有机电致发光元件用材料的利记博彩app

专利名称：：有机电致发光元件以及有机电致发光元件用材料的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及新型有机电致发光(EL)元件用材料、以及含有该材料的有机电致发光元件，涉及驱动电压低、长寿命、并且泄漏电流少的有机EL元件。
背景技术：
：使用有机物质的有机电致发光(EL)元件，期待其作为固体发光型的价格便宜的大面积全彩色显示元件的用途，进行了许多开发。通常EL元件由发光层和夹持该层的一对对向电极构成。发光如果在两电极间施加电场，则从阴极侧注入电子，从阳极侧注入空穴，该电子在发光层中与空穴复合，产生激发态，激发态是在返回到基底状态时将能量作为光放出的现象。以往的有机EL元件与无机发光二极管相比，驱动电压高，泄漏电流少、且发光亮度和发光效率也低。另外，特性劣化也显著，不能达到实用化。虽然最近的有机EL元件正缓慢改良(例如，参照专利文献l以及专利文献2)，但还要求进一步降低驱动电压，延长寿命，并且减少泄漏电流。专利文献l:日本专利第3571977号说明书专利文献2:日本专利第3614405号公报
发明内容本发明是为了解决上述课题而进行的，其提供有用的新型化合物作为有机EL元件的构成成分，其目的在于通过使用该化合物，实现驱动电压低、长寿命、并且泄漏电流少的实用的有机EL元件。本发明人为了实现上述目的，重复进行深入的研究，结果发现，通过在有机EL元件中使用具有特定结构的新型化合物，可以降低有机EL元9件的驱动电压，延长寿命，并且减少泄漏电流，从而完成了本发明。艮卩，本发明提供一种化合物，其特征在于，在1个分子中具有至少1个下述的结构(1)。另外，本发明提供含有本发明的上述化合物的有机EL元件用材料以及有机EL元件用空穴注入材料或空穴传输材料。另外本发明提供一种有机EL元件，其至少具有一对电极和在它们之间夹持的有机发光层，其中，含有本发明的上述化合物。另外，本发明还提供具有上述有机EL元件的装置。本发明的化合物在作为有机EL元件材料、特别是作为空穴注入材料使用时显示出良好的性能。另外，在日本特开平03-232886中记载了二氰基四氮杂萘的合成例，但对于各化合物的物性和应用尚无具体记载。另外，在日本特开2004-323434中具有二氰基吡嗪喹喔啉衍生物在电子接受性和电子迁移率方面优异的报告例。但是，没有对用于电子器件、例如有机EL元件的情况下的性能等的说明，没有如本发明所述的作为有机EL元件材料、特别是作为空穴注入材料使用时的例子。另外，本发明的化合物除了结构(1)的部位之外，例如通过使其与氮杂荧蒽骨架组合，使电子接受性进一步提高等的电子状态达到最佳，或者通过使分子的立体结构变化，可以抑制结晶化等改变薄膜状态，能够提高有机EL元件性能。艮口，本发明的化合物在具有高电子接受性的同时，可以形成良好的薄膜，因此，能够低电压驱动，泄漏电流减少，并且能够长寿命和降低电压上升。具体实施例方式本发明的新型化合物在1个分子中具有至少1个下述的结构(1)。优选在1个分子中具有2个以上下述的结构(1)。结构(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>结构(1)作为这样的化合物(1)，可以列举以下的化合物，但并不限于这些'(1)由下述通式(1)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>通式(1)(式中，R^R4选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同。另外，R,R4中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构)。在通式(1)中，优选R,与R2分别互相结合形成环结构。另外，优选A与R2分别互相结合形成环结构，且R3与R4分别互相结合形成环结构。(2)由下述通式(2)通式(4)中的任一个表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>通式(2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>通式(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>通式(4)(式中，ARs选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同。另外，^Rs中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构，其中，R3Rs中至少l个选自取代烷基、取代芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、说明书第4/52页酰胺基、取代或未取代的苯氧基以及氨基。X为N或者CH)。通式(2)通式(4)中，优选I^R2为氰基。另外，优选R3R,中至少1个为含氟的取代基。(3)由下述通式(5)表示的化合物R4R3通式(5)(式中，R,Rs选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同。另外，R!Rs中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构)。在通式(5)中，优选R,R2分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟烷基以及氟芳基中的吸电子基团。R3R8选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同，R3R8中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。通式(5)中，优选R,R2为氰基。另外，优选R3Rs中至少1个为含氟的取代基。(4)由下述通式(6)表示的化合物通式(6)12(式中，AC环由下述的结构(2)(4)构成，AC环中的至少一个为结构(2)。结构(2)结构(3)结构(4)在此，R,R6选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。X广X2以及Y广Y2选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。另夕卜，R,R6、X,X2以及Y,Y2中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。ntri2以及niim2为0或1的整数。AiA2、BiB2、dC2、DiD2、EtE2以及F!F2形成六元环，分别选自属于第14族第15族(日本使用的元素周期表)的元素，可以相同也可以不同)。通式(6)中，优选A!A2以及D,D2为氮原子。另外，优选R!及R2为氰基。(5)由下述通式(7)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>通式(7)(式中，A环以及B环由下述的结构(2)或结构(3)构成，A环以及B环中的至少一个为结构(2)。乂y、结构(2)结构(3)在此，R,R6选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。X,以及Y,选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。另外，R广R6、X!以及Y,中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。m以及nn为0或l的整数。A"Bpd、Di、E!以及Fi形成六元环，分别选自属于第14族第15族的元素，可以相同也可以不同)。通式(7)中，优选A环以及B环均为结构(2)。另外，A,及D,优选为氮原子，Ri及R2优选为氰基。(6)由下述通式(9)或通式(10)表示的化合物通式(9)14通式(10)(式中，R,Ru)选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。X选自由取代或未取代的烷烃、取代或未取代的芳香族环、取代或未取代的杂环、取代或未取代的芳香族环氢氧化物以及胺衍生的m价的基团。另外，R,Ru)以及X中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。m为2以上的整数。AiA2、B!B2、QC2、D,D2、E!E2以及FiF2形成六元环，分别选自属于第14族第15族的元素，可以相同也可以不同)。优选通式(9)中的Ri及R2或者通式(10)中的R,R4为氰基。另外，优选A!A2、B,B2、QC2、D!D2、E,E2以及FiF2为碳。(7)由下述通式(11)表示的化合物R16R13通式(11)(式中，R9R^分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟垸基以及氟芳基中的吸电子基团。R^R"分别独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。另夕卜，RBR"中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构)。优选通式(11)中的R9R^为氰基。(8)由下述通式(12)表示的化合物(式中，R口R^分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟烷基以及氟芳基中的吸电子基团。R"R"分别独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，可以相同也可以不同。另外，R"R^中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构)。优选通式(12)中的R^R"为氰基。在通式(1)通式(10)的化合物中，由通式(1)的R,R4、通式(2)(4)的R,Rs、通式(5)的R,Rs、通式(6)的R,Re、通式(7)的R,R6、通式(9)以及通式(10)的R!Ru)、通式(11)的R13R16、以及通式(12)的R"R"表示的取代或未取代的烷基可以为直链或者支链中的任一种，优选碳原子数为130。另外，作为取代基可以列举羟基、氨基、氰基、硝基、卤素原子等。上述垸基可以具有l个或者多个上述取代基。具体而言，可以列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、l一羟乙基、2—羟乙基、2—羟基异丁基、1，2—二羟基乙基、1，3—二羟基异丙基、2，3—二羟基叔丁基、1，2，3—三羟基丙基、或环己基、环戊基等环状垸基、或氟垸基(优选碳原子数为116，例如，三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、全氟环己基、全氟金刚烷基等)、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯异丁基、1，2—二氯乙基、1，3通式(12)1620078一二氯异丙基、2,3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴异丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴异丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘异丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘异丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2,3—三碘丙基等取代或未取代的碳原子数为130的卣代烷基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基异丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基异丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基异丁基、1，2一二氰基乙基、1，3—二氰基异丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基异丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基异丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基等。其中，优选为取代或未取代的碳原子数为110的垸基，例如为甲基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、乙基、丙基、五氟乙基、氰基甲基。在通式(1)通式(10)的化合物中，由通式(1)的R!R4、通式(2)(4)的R!Rs、通式(5)的R,Rs、通式(6)的RiR6、通式(7)的R^R6、通式(9)以及通式(10)的R!Ru)、通式(11)的R13R16、以及通式(12)的R"R"表示的取代或未取代的芳基可以为单环式或者多环式中的任一种，优选环原子数为640。另外，作为取代基，可以列举碳原子数为120的烷基、碳原子数为120的垸氧基、苯氧基、羟基、氨基、氰基、硝基、卤原子等。上述芳基可以具有l个或者多个上述取代基。例如为氟芳基(优选环原子数为640，例如，五氟苯基、四氟苯基、三氟苯基、二氟苯基、氟苯基、三氟甲基苯基、双三氟甲基苯基、三三氟甲基苯基、四三氟甲基苯基、五三氟甲基苯基等)等。具体而言，可以列举苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、l-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、l-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对三联苯-4-基、对三联苯-3-基、对三联苯-2-基、间三联苯-4-基、间三联苯-3-基、间三联苯-2-基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、对(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-l-萘基、4-甲基-l-蒽基、4，17-甲基联苯基、4"-叔丁基对三联苯-4-基、荧蒽基、芴基等。其中，优选为取代或未取代的环原子数为620的芳基，例如苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芘基、窟基、荧蒽基、芴基。这些基团也可以由上述的取代基取代。在通式(1)通式(10)的化合物中，由通式(1)的R!R4、通式(2)(4)的R!Rs、通式(5)的R^Rs、通式(6)的R^R6、通式(7)的RiR6、通式(9)以及通式(10)的R!Rh)、通式(11)的R13R16、以及通式(12)的11211126表示的取代或未取代的杂环可以为单环式或者多环式中的任一种，优选环原子数为318。另外，作为取代基，可以列举碳原子数为120的烷基、碳原子数为120的垸氧基、苯氧基、羟基、氨基、氰基、硝基、卤原子等。上述芳基可以具有l个或者多个上述取代基。具体而言，可以列举例如l一吡咯垸基、2—吡咯垸基、3—吡咯烷基、l一哌啶基、2—哌啶基、3—哌啶基、4一哌啶基、1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、l-B引哚基、2-B引哚基、3-刚哚基、4』引哚基、5-H引哚基、6-卩引哚基、7』引哚基、l一异吲哚基、2—异吲哚基、3—异吲哚基、4一异吲哚基、5—异吲哚基、6—异吲哚基、7—异吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一异苯并呋喃基、3—异苯并呋喃基、4一异苯并呋喃基、5—异苯并呋喃基、6—异苯并呋喃基、7—异苯并呋喃基、2—喹啉基、3一喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一异喹啉基、3—异喹啉基、4—异喹啉基、5—异喹啉基、6—异喹啉基、7—异喹啉基、8—异喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—昨唑基、4一咔唑基、.9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9—吖啶基、1，7—菲绕啉一2—基、1，7—菲绕啉一3—基、1，7—菲绕啉一4—基、1，7—菲绕啉一5—基、1，7—菲绕啉—6—基、1，7—菲绕啉一8—基、1，7—菲绕啉一9—基、1，7—菲绕啉一10—基、1，8—菲绕啉—2—基、1，8—菲绕啉—3—基、1，8—菲绕啉—4—基、1，8—菲绕啉一5—基、1，8—菲绕啉—6—基、1，8—菲绕啉一7—基、1，8—菲绕啉一9—基、1，8—菲绕啉—IO—基、1，9—菲绕啉一2—基、1，9—菲绕啉一3—基、1，9一菲绕啉—4一基、1，9—菲绕啉一5—基、1，9—菲绕啉一6—基、1，9一菲绕啉一7—基、1，9一菲绕啉一8—基、1，9一菲绕啉一10—基、1，10—菲绕啉—2—基、1，10—菲绕啉一3—基、1，10—菲绕啉一4一基、1，10—菲绕啉一5—基、2，9—菲绕啉一1一基、2，9—菲绕啉一3—基、2，9—菲绕啉一4—基、2，9—菲绕啉一5—基、2，9—菲绕啉一6—基、2，9—菲绕啉一7_基、2，9—菲绕啉一8—基、2，9—菲绕啉一10—基、2，8—菲绕啉一l一基、2，8—菲绕啉一3—基、2，8一菲绕啉一4一基、2，8—菲绕啉一5—基、2，8—菲绕啉一6—基、2，8一菲绕啉—7—基、2，8—菲绕啉一9—基、2，8—菲绕啉—10—基、2，7—菲绕啉一1—基、2，7—菲绕啉一3—基、2，7—菲绕啉一4—基、2，7一菲绕啉一5—基、2，7—菲绕啉一6—基、2，7—菲绕啉一8—基、2，7一菲绕啉一9一基、2，7—菲绕啉—10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、1—吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、1一吩嗯嗪基、2—吩赚嗪基、3—吩嚼嗪基、4一吩瞎、嗪基、IO—吩嗯嗪基、2—隨、唑基、4一嚼、唑基、5—嗨唑基、2—聰二唑基、5—卩恶二唑基、3—呋咱基、2—噻吩基、3—噻吩基、2—甲基吡咯一1—基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一l一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1一基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1—吲哚基、4一叔丁基—l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。其中，优选为取代或未取代的环原子数为520的杂环，例如为吡啶基、吡嗪基、喹啉基、喹喔啉基、菲绕啉基。在通式(1)通式(10)的化合物中，作为由通式(1)的R,R4、通式(2)(4)的R,Rg、通式(5)的R，Rs、通式(6)的R!R6、通式(7)的&R6、通式(9)以及通式(10)的RiRn)、通式(11)的WR16、以及通式(12)的R"R"表示的上述以外的基团，可以列举例如以下的基团作为卤原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等；作为酯基，优选为碳原子数为16的酯基，可以列举例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基等；i4r4!而it日亡宜TTThl万lt傲餘宜而4日亡龙/^/7"^rWNJtT—、、乙甲甚驗某西条B吝某(_(C=0)NMe2)、N-苯基N-甲基羧基酰胺基(-(C=0)NPh2);院氧基及取代或未取代的苯氧基是由-OY表示的基团，作为Y以及取代基的例子，可以列举与在上述垸基及芳基中说明的基团同样的例子，优选为碳原子数为130的取代或未取代的苯氧基；作为其他的基团，可以列举氰基、硝基、氨基。在通式(6)通式(10)的化合物中，由通式(6)的X,X2以及Y!Y2、通式(7)的X，以及Y,、通式(9)以及通式(10)的X表示的取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，与上述相同。在通式(6)通式(10)的化合物中，由通式(6)的R广R6、X！X2以及Y,Y2中相邻接的基团、通式(7)的R广R4、Xi以及Y!中相邻接的基团、通式(9)以及通式(10)的RiRu)以及X中相邻接的基团，可以分别互相结合而形成环结构。优选分别互相结合而形成芳香环，更优选形成五元环或六元环，特别优选形成六元环。在通式(6)通式(10)的化合物中，由通式(6)的A!A2、B！B2、C,C2、D!D2、E,E2以及F!F2、通式(7)的A,、B,、d、D!、E以及F,、通式(9)以及通式(10)的A,A2、B,B2、dC2、D广D2、E广E2以及F广F2形成六元环，分别选自属于第14族第15族的元素，可以相同也可以不同。作为属于第14族第15族的元素，可以列举C、N、Si、P等，优选为C或者N。以下示出由通式(1)通式(10)表示的化合物的具体例子。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>22<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>OPh26另外，以下示出由通式(5)、通式(11)以及通式(12)表示的化合物的具体例子。NC"^N入M28(A—19)(A-20)(A—27)(A—28)(本发明的化合物的合成方法)作为一个例子，以下示出几个合成路线，但并不限定于这些。(1)利用二氯吡嗪衍生物与胺化合物的合成法(参照OrganicLettersVol.6,No.12,20072010(2004)等)(2)利用二氨基吡嗪衍生物与羰基化合物的合成法(参照OrganicLettersVol.6，No.12，20072010(2004)等)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(3)利用羰基衍生物与胺化合物的合成法(参照JourmalofHeterocyclicChemistryVoi.34,No.2,653657(1997)等)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(X:卤素)(有机EL元件的结构)本发明的有机EL元件是至少具有一对电极、和夹持在它们之间的有机发光层的有机电致发光元件，含有本发明的化合物。作为本发明的有机EL元件的代表元件结构，可以列举(1)阳极/发光层/阴极(2)阳极/空穴注入层/发光层/阴极(3)阳极/发光层/电子注入层/阴极(4)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极(5)阳极/有机半导体层/发光层/阴极(6)阳极/有机半导体层/电子障壁层/发光层/阴极(7)阳极/有机半导体层/发光层/附着改善层/阴极(8)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极(9)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(10)阳极/无机半导体层/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(11)阳极/有机半导体层/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(12)阳极/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极(13)阳极/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极等的结构。它们之中优选使用通常(8)的结构，但并不限于这些。本发明的新型化合物可以用于有机EL元件的任意有机薄膜层，可以优选用于空穴注入层或空穴传输层。通过将本发明的新型化合物用于空穴注入层或空穴传输层，可以实现驱动电压低、长寿命、并且泄露电流少的实用的有机EL元件。作为有机薄膜层中含有本发明的新型化合物的量，优选为1100摩尔％。(透光性基板)本发明的有机EL元件在透光性的基板上制成。在此所谓的透光性基板是支撑有机EL元件的基板，优选为400700nm可见光区域的光的透光率为50%以上且平滑的基板。具体可以列举玻璃板、聚合物板等。作为玻璃板，特别可以列举钠钙玻璃、含钡*锶玻璃、铅玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钡硼硅酸玻璃、石英等。另外，作为聚合物板，可以列举聚碳酸酯、丙烯酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜等。(阳极)本发明的有机EL元件的阳极具有将空穴注入到空穴传输层或发光层中的作用，在阳极侧需要透光性时，可以应用氧化铟锡合金(ITO)、氧化锡(NESA)、氧化铟锌合金(IZO)、金、银、铀、铜等。另外，制成不需要透明性的反射型电极时，除这些金属之外，也可以使用铝、钼、铬、镍等金属或合金。这些材料可以单独使用，也可以适宜选择添加有这些材料之间的合金、或其他元素的材料来使用。阳极可以通过用蒸镀法或溅射法等方法使这些电极物质形成薄膜来制成。从阳极射出来自发光层的发光时，阳极对于发光的透光率优选为大于10%。另夕卜，阳极的方块电阻优选为数百Q/口以下。阳极的膜厚也根据材料，但通常在10nmlum、优选在10200nm的范围内进行选择。(发光层)有机EL元件的发光层是兼具有以下(1)(3)功能的层。(1)注入功能可以在施加电场时由阳极或空穴注入层注入空穴、并且可以由阴极或电子注入层注入电子的功能；(2)传输功能通过电场的力使注入的电荷(电子和空穴)移动的功能；(3)发光功能提供电子和空穴复合的场所、并将其与发光联系的功能。其中，在空穴的注入容易性和电子的注入容易性上可以不同，另外，由空穴和电子的迁移率表示的传输功能也可以存在差别，但优选移动任意一方的电荷。作为形成该发光层的方法，可以应用例如蒸镀法、旋涂法、LB法等公知的方法。发光层特别优选分子堆积膜。在此，分子堆积膜，是由气相状态的材料化合物沉淀而形成的薄膜、或由溶液状态或液相状态的材料化合物固化而形成的膜，通常该分子堆积膜，可以根据凝聚结构、高次结构的不同、或由此引起的功能上的不同，与通过LB法形成的薄膜(分子累积膜)进行区分。另外，如日本特开昭57-51781号公报中所公开的，将树脂等粘合剂和材料化合物溶解于溶剂中形成溶液后，根据旋涂法等将其薄膜化，由此也可以形成发光层。在本发明中，作为可以在发光层中使用的发光材料或主体材料，可以列举例如蒽、萘、菲、芘、并四苯、晕苯、窟、荧光素、芘、酞茈(7夕口^]j!^y)、萘并芘、紫环酮、二苯代酚酞、萘并紫环酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、邻吡喃酮、嗯二唑、醛连氮、二苯并瞎、唑啉、联苯乙烯、吡嗪、环戊二烯、喹啉金属络合物、氨基喹啉金属络合物、苯并喹啉金属络合物、亚胺、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、多甲川、份菁、咪唑螯合化8-羟基喹啉酮(oxinoid)、喹吖啶酮、红荧烯及荧光色素，但并不限于这些。在本发明中，可以使用本发明的新型化合物作为发光材料。此时，在不损害本发明的目的的范围内，根据期望可以使发光层中含有由本发明的新型化合物构成的发光材料以外的其他公知的发光材料，另外，在含有由本发明的新型化合物构成的发光材料的发光层中，可以层叠含有其他公知的发光材料的发光层。作为可以与本发明的新型化合物一起用于发光层的发光材料或者掺杂材料，可以使用之前作为可以在发光层中使用的发光材料或主体材料而32列举的材料。作为可以与本发明的新型化合物一起、或者与上述发光材料一起在发光层中使用的主体材料，优选为由下述(i)(ix)表示的化合物。由下述通式(i)表示的非对称蒽。r"风i(式中，Ar为取代或未取代的环碳原子数为1050的縮合芳基。Ar'为取代或未取代的环碳原子数为650的芳基。X为取代或未取代的环碳原子数为650的芳基、取代或未取代的环原子数为550的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为150的垸基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为650的芳垸基、取代或未取代的环原子数为550的芳氧基、取代或未取代的环原子数为550的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧羰基、羧基、卤素原子、氰基、硝基、羟基。a、b和c分别为04的整数。n为l3的整数。另外，当n为2以上时，[]内可以相同或不同。)由下述通式(ii)表示的非对称单蒽衍生物。(式中，Ai^和A^分别独立地为取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族环基，m和n分别为14的整数。其中，m=n=l且A/和A一在苯环上的结合位置为左右对称型时，A—和A—可以不同，m或n为24的整数时，m与n为不同的整数。RiR^分别独立地为氢原子、取代或未取代的环碳原子数为650的芳33香族环基、取代或未取代的环原子数为550的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为150的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为650的芳烷基、取代或未取代的环原子数为550的芳氧基、取代或未取代的环原子数为550的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤素原子、氰基、硝基、羟基。)由下述通式(iii)表示的非对称芘衍生物。由下述通式(iv)表示的非对称蒽衍生物。(式中，A'和八2分别独立地为取代或未取代的环碳原子数为1020的稠合芳香族环基。A—和A—分别独立地为氢原子、或者取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族环基。WR"分别独立地为氢原子、取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族环基、取代或未取代的环原子数为550的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为150的垸基、取代或未取代的环垸基、取代或未取代的碳原子数为150的垸氧基、取代或未取代的碳原子数为650的芳垸基、取代或未取代的环原子数为550的芳氧基、取代或未取代的环原子数为550的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤素原子、氰基、硝基或羟基。Ar1、Ar2、R9和R1Q分别可以为多个，在邻接的基团之间可以形成饱和或不饱和的环状结构。其中，在通式(iv)中，不存在在中心的蒽的9位和IO位上相对于该蒽上所示的X-Y轴为对称型的基团结合的情况。)由下述通式(v)表示的蒽衍生物。(v)(式中，RR"分别独立地表示氢原子、烷基、环垸基、可取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、烯基、芳氨基或可取代的杂环基团，a和b分别表示15的整数，它们为2以上时，W之间或W之间各自可以相同或不同，另外，W之间或^之间可以结合形成环，W与R4、RS与R6、R7与R8、W与R"也可以互相结合形成环。U表示单键、-O-、-S-、-N(R)-(R为烷基或可取代的芳基)、亚垸基或者亚芳基。)由下述通式(vi)表示的蒽衍生物。(vi)(式中，RUR"分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、芳氨基或可取代的杂环基团，c、d、e和f分别表示15的整数，它们为2以上时，R"之间、1112之间、R"之间或R"之间各自可以相同或不同，另夕卜，R"之间、R"之间、R"之间或R"之间可以结合形成环，RB与R14、R"与RW也可以互相结合形成环。1^表示单键、-O-、-S-、-N(R)-(R为烷基或可取代的芳基)、亚垸基或者亚芳基。)由下述通式(vii)表示的螺环芴衍生物。36(式中，A5A8分别独立地为取代或未取代的联苯基或取代或未取代的萘基。)由下述通式(Viii)表示的含稠环化合物。(式中，VA"与上述相同，R"R"分别独立地为氢原子、碳原子数为16的垸基、碳原子数为36环垸基、碳原子数为16的烷氧基、碳原子数为518的芳氧基、碳原子数为718的芳烷氧基、碳原子数为516的芳氨基、硝基、氰基、碳原子数为16的酯基或卤原子，A9A14中至少一个为具有3环以上的稠合芳香族环的基团。)由下述通式(ix)表示的芴衍生物。(式中，Ri和R2表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代氨基、氰基或卤原子。在不同的芴基上结合的！^之间、R2之间可以相同或不同，在相同的芴基上结合的R,和R2可以相同或不同。R3和R4表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂环基，在不同的芴基上结合的P"之间、Pm之同可以相同或不同，在相同的芴基上结合的R3和R4可以相同或不同。Ar,和Ar2表示苯环合计为3个以上的取代或未取代的稠合多环芳基、或以苯环与杂环合计为3个以上的取代或未取代的碳与芴基结合的稠合多环杂环基，An和Ah可以相同或不同。n表示1至10的整数。)在以上的主体材料中，优选为蒽衍生物、进一步优选为单蒽衍生物、特别优选为非对称蒽。另外，作为掺杂物的发光材料，也可以使用磷光发光性的化合物。作为磷光发光性的化合物的主体材料，优选为含有昨唑环的化合物。由含有咔唑环的化合物构成的适于磷光发光的主体，是具有以下功能的化合物，所述功能为由该激发态引起磷光发光性化合物能量移动，结果使磷光发光性化合物发光。作为主体化合物只要是在磯光发光性化合物中可以使激子能量产生能量移动的化合物即可，没有特别的限制，可以根据目的来进行适宜选择。在昨唑环以外可以具有任意的杂环等。作为这样的主体化合物的具体例子，可以列举咔唑衍生物、三唑衍生物、嗨唑衍生物、嚼、二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代査尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二亚甲基(？'^千U亍M类化合物、卟啉类衍生物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲垸衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘茈等杂环四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物或金属酞菁、以苯并螺唑衍生物或苯并噻唑衍生物作为配位体的金属络合物中代表的各种金属络合物聚硅烷类化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺类共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等导电性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亚苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚荷衍生物等高分子化合物等。主体化合物可以单独使用，也可38以并用2种以上。作为具体例子，可以列举以下的化合物。磷光发光性的掺杂物为可以由三线态激子发光的化合物，只要由三线态激子进行发光，则没有特别限制，优选为含有选自Ir、Rn、Pd、Pt、Os和Re中的至少一种金属的金属络合物。优选为卟啉金属络合物或邻位金属化金属络合物。作为卟啉金属络合物，优选为卟啉铂络合物。磷光发光性化合物可以单独使用，也可以并用2种以上。作为形成邻位金属化金属络合物的配位体可以为各种，但作为优选的配位体，可以列举2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(l-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。这些衍生物可以根据需要具有取代基。特别是引入有氟化合物、三氟甲基的化合物优选作为蓝色系掺杂物。另外作为辅助配位体，可以具有乙酰丙酮化物、苦味酸等除了上述配位体以外的配位体。作为磷光发光性的掺杂物在发光层中的含量，没有特别的限制，可以根据目的来进行适宜选择，例如为0.170质量％，优选为130质量％。当磷光发光性化合物的含量不足0.1质量％时，发光微弱，不能充分地发挥其含有效果，当超过70质量°/。时，被称为浓度消光的现象变显著，元件性能降低。S^L^AlA曰士曰抵歪麻TTT1、1A右合^T乂:t絡Thl"fel由Z&it絡ihl"4:l恩厶乂j乂r!从乂u/石'ip^j/firra3zrwpthi丄/vi7"twrizjn、j■17un、夕rc口物粘合剂。另外，发光层的膜厚优选为550nm，更优选为750nm，最优选为1050nm。不足5nm时，存在发光层形成变困难、色度的调节变困难的可能，当超过50nm时，驱动电压可能上升。(空穴注入/传输层(空穴传输带域)).空穴注入/传输层是有助于向发光层中的空穴注入、并传输至发光区域的层，空穴迁移率大，离子化能量小，通常为5.5eV以下。就这样的空穴注入/传输层而言，优选以更低的电场强度将空穴传输至发光层的材料，另外，如果空穴的迁移率在例如104106V/cm的电场施加时至少为.IO'4cmVv秒，则优选。将本发明的新型化合物用于空穴传输带域时，可以由本发明的新型化合物单独形成空穴注入、传输层，也可以与其他的材料混合使用。作为与本发明的新型化合物混合而形成空穴注入/传输层的材料，只要是具有上述优选的性质的材料，则没有特别的限制，以往，可以从在光传导材料中作为空穴的电荷传输材料惯用的材料、或用于有机EL元件的空穴注入/传输层的公知材料中选择任意的材料来使用。作为具体例子，可以列举三唑衍生物(参照美国专利3,112,197号说明书等)、嚼、二唑衍生物(参照美国专利3,189，447号说明书等)、咪唑衍生物(参照日本特公昭37-16096号公报等)、聚芳基链烷衍生物(参照美国专利3,615,402号说明书、美国专利第3，820,989号说明书、美国专利第3,542,544号说明书、日本特公昭45-555号公报、日本特公昭51-10983号公报、日本特开昭51-93224号公报、日本特开昭55-17105号公报、日本特开昭56-4148号公报、日本特开昭55-108667号公报、日本特开昭55-156953号公报、日本特开昭56-36656号公报等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(参照美国专利第3,180,729号说明书、美国专利第4,278,746号说明书、日本特开昭55-88064号公报、日本特开昭55-88065号公报、40PI女性TP昭40—in""号/入琉n太性耳昭".《in"县/入银A7lc胜存昭56-80051号公报、日本特开昭56-88141号公报、日本特开昭57-45545号公报、日本特开昭54-112637号公报、日本特开昭55-74546号公报等)、苯二胺衍生物(参照美国专利第3,615,404号说明书、日本特公昭51-10105号公报、日本特公昭46-3712号公报、日本特公昭47-25336号公报、日本特开昭54-53435号公报、日本特开昭54-110536号公报、日本特开昭54-119925号公报等)、芳胺衍生物(参照美国专利第3,567,450号说明书、美国专利第3,180,703号说明书、美国专利第3,240,597号说明书、美国专利第3,658,520号说明书、美国专利第4,232,103号说明书、美国专利第4,175,961号说明书、美国专利第4,012,376号说明书、日本特公昭49-35702号公报、日本特公昭39-27577号公报、日本特开昭55-144250号公报、日本特开昭56-119132号公报、日本特开昭56-22437号公报、西独专利第1,110,518号说明书等)、氨基取代査尔酮衍生物(参照美国专利第3,526,501号说明书)、嗨唑衍生物(美国专利第3,257,203号说明书等中公开的化合物)、苯乙烯基蒽衍生物(参照日本特开昭56-46234号公报等)、芴酮衍生物(参照日本特开昭54-110837号公报等)、腙衍生物(参照美国专利第3,717,462号说明书、日本特开昭54-59143号公报、日本特开昭55-52063号公报、日本特开昭55-52064号公报、日本特开昭55-46760号公报、日本特开昭55-85495号公报、日本特开昭57-11350号公报、日本特开昭57-148749号公报、日本特开平2-311591号公报等)、二苯乙烯衍生物(参照日本特开昭61-210363号公报、日本特开昭61-228451号公报、日本特开昭61-14642号公报、日本特开昭61-72255号公报、日本特开昭62-47646号公报、日本特开昭62-36674号公报、日本特开昭62-10652号公报、日本特开昭62-30255号公报、日本特开昭60-93455号公报、日本特开昭60-94462号公报、日本特开昭60-174749号公报、日本特开昭60-175052号公报等)、硅氮烷衍生物(美国专利第4,950,950号说明书)、聚硅烷类(日本特开平2-204996号公报)、苯胺类共聚物(日本特开平2-282263号公报)、日本特开平1-211399号公报中公开的导电性高分子低聚物(特别是噻吩低聚物)等。作为空穴注入/传输层的材料，可以使用上述的材料，可列举卟啉化合物(日本特开昭63-2956965号公报等中公开的化合物)、芳香族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(参照美国专利第4,127,412号说明书、日本特开昭53-27033号公报、日本特开昭54-58445号公报、日本特开昭54-149634号公报、日本特开昭54-64299号公报、日本特开昭55-79450号公报、日本特开昭55-144250号公报、日本特开昭56-119132号公报、日本特开昭61-295558号公报、日本特开昭61-98353号公报、日本特开昭63-295695号公报等)等，特别优选使用芳香族叔胺化合物。另外，可以列举美国专利第5，061,569号中记载的在分子内具有2个稠合芳环的、例如4，4，-双(N-(l-萘)-N-苯氨基)二苯(以下简单记为NPD);或日本特开平4-308688号公报中记载的三苯胺单元连接成3个星爆(starburst)型的4,4，,4，，-三(N-(3-甲基苯)-N-苯氨基)三苯胺(以下简单记为MTDATA)等。另外，除了作为发光层的材料示出的上述芳香族二亚甲基类化合物之外，也可以使用p型Si、p型SiC等无机化合物作为空穴注入/传输层的材料。空穴注入/传输层，例如，可以通过将本发明的新型化合物由真空蒸镀法、旋涂法、流延法、LB法等公知的方法进行薄膜化来形成。作为空穴注入/传输层的膜厚没有特别的限制，通常为5nm5um。该空穴注入/传输层如果在空穴传输带区域含有本发明的新型化合物，则可以通过由上述材料的一种或二种以上构成的一层来构成，所述空穴注入/传输层也可以是将由其他种类的化合物构成的空穴注入/传输层进行层压而成的层。另外，可以设置有机半导体层作为有助于向发光层的空穴注入或电子注入的层，优选为具有10-1QS/cm以上的导电率的物质。作为这样的有机半导体层的材料，可以使用含噻吩低聚物或日本特开平8-193191号公报中公开的含芳胺低聚物等导电性低聚物、含芳胺树枝状高分子等导电性树枝状高分子等。(电子注入/传输层)其次，电子注入层/传输层是有助于向发光层的电子注入、并且传输至发光区域的层，电子迁移率大，另外，附着改善层是由在该电子注入层中与阴极的附着特别好的材料构成的层。42另外，已知有机EL元件由于发出的光通过电极(此时为阴极)进行反射，因此直接从阳极射出的发光与经过利用电极的反射而射出的发光产生干涉。为了有效利用该干涉效果，电子传输层在数nm数um的膜厚中进行适宜选择，特别是膜厚厚时，为了避免电压上升，在l(^l(^V/cm的电场施加时电子迁移率优选至少为l(T5Cm2/VS以上。作为电子注入层中使用的材料，优选为8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、或嗨二唑衍生物。作为上述8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物的具体例子，可以使用含有喔星(一般为8-喹啉或8-羟基喹啉)的螯合物的金属螯合喔星化合物、例如三(8-喹啉)铝作为电子注入材料。另一方面，作为嗯二唑衍生物，可以列举由以下通式表示的电子传递化合物。Ar6_^—>Ar7—0—Ar《)^Ar9(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分别表示取代或未取代的芳基，可以分别相同或不同。另夕卜，Ar4、Ar7、Ar8表示取代或未取代的亚芳基，可以分别相同或不同)。在此，作为芳基，可以列举苯基、联苯基、蒽基、茈基、芘基。另外，作为亚芳基，可以列举亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚茈基、亚芘基等。另外，作为取代基，可以列举碳原子数为110的垸基、碳原子数为110的垸氧基或氰基等。该电子传递化合物优选为薄膜形成性的物质。作为上述电子传递性化合物的具体例子，可以列举下述物质。q>~Ar2另外，作为电子注入层和电子传输层中使用的材料，也可以使用由下通式(A)(F)表示的化合物。^^^77~~L——Ar，一A—RnI(B)(式中，八1八3分别独立地为氮原子或碳原子。A—为取代或未取代的环碳原子数为660的芳基、或者取代或未取代的环碳原子数为360的杂芳基，A一为氢原子、取代或未取代的环碳原子数为660的芳基、取代或未取代的环碳原子数为360的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为120垸基、或者取代或未取代的碳原子数为120的烷氧基、或者它们的2价基团。其中Ar'和Ar2中的任一个为取代或未取代的环碳原子数为1060的稠环基、或者取代或未取代的环碳原子数为360的单杂稠环基。L1、！^和L分别独立地为单键、取代或未取代的环碳原子数为660A44的亚芳基、取代或未取代的环碳原子数为360的杂亚芳基、或者取代或未取代的亚芴基。R为氢原子、取代或未取代的环碳原子数为660的芳基、取代或未取代的环碳原子数为360的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为120的垸基、或者取代或未取代的碳原子数为120的烷氧基，n为05的整数。当n为2以上时，多个R可以相同或不同，另外，由相邻接的多个R基团之间结合，可以形成碳环式脂肪族环或碳环式芳香族环)。HAr-L-Ar'-Ar2(C)(式中，HAr为可具有取代基的碳原子数为340的含氮杂环，L为单键、可具有取代基的碳原子数为660的亚芳基、可具有取代基的碳原子数为360的杂亚芳基、或者可具有取代基的亚芴基，Ar1为可具有取代基的碳原子数为660的2价的芳香族烃基，A—为可具有取代基的碳原子数为660的芳基、或者可具有取代基的碳原子数为360的杂芳基)。R3,2(式中，X和Y分别独立地为碳原子数16的饱和或不饱和的烃基、垸氧基、烯氧基、炔氧基、羟基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、或者X与Y结合形成饱和或不饱和的环的结构，R,R4分别独立地为氢、卤素原子、取代或未取代的碳原子数为16的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟垸基、全氟垸氧基、氨基、垸基羰基、芳基羰基、垸氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、垸氧羰氧基、芳氧羰氧基、亚磺酰基、磺酰基、磺胺酰基、甲硅垸基、氨基甲酰基、芳基、杂环基、烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酰氧基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基或氰基、或者相邻接时取代或未取代的环缩合而成的结构)。(式中，R,Rs和Z2分别独立地表示氢原子、饱和或不饱和的烃基、芳香族基、杂环基、取代氨基、取代硼基、垸氧基或芳氧基，X、Y和Z,分别独立地表示饱和或不饱和的烃基、芳香族基、杂环基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Z,和Z2的取代基可以互相结合形成稠环，n表示13的整数，当n为2以上时，Z,可以不同。其中，不包括以下的情况n为l、且X、Y和R2为甲基、Rs为氢原子或取代硼基的情况；以及n为3、Z,为甲基的情况)。匕(F)(式中，(^和(^分别独立地表示由下述通式(G)表示的配位体，L表示卤原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、由-OR1(R'为氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基)或者-0-Ga-Q、Q4)(QS和Q、与(^和(^相同)表示的配位体)。个1V—46(式中，环A^QAZ为可具有取代基的互相縮合的6元芳环结构)。该金属络合物作为n型半导体的性质强，电子注入能力大。另外，络合物形成时的生成能量也低，因此，形成的金属络合物的金属与配位体之间的结合性也变牢固，作为发光材料的荧光量子效率也变大。列举形成通式(G)的配位体的环A^HAZ的取代基的具体例子时，有氯、溴、碘、氟等卤素原子、甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬质基、三氯甲基等取代或未取代的垸基、苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基、甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3，3-四氟丙氧基、1,1,1，3,3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基、苯氧基、对硝基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基、甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的垸硫基、苯硫基、对硝基苯硫基、对叔丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳硫基、氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等单或二取代氨基、双(乙酰氧甲基)氨基、双(乙酰氧乙基)氨基、双(乙酰氧丙基)氨基、双(乙酰氧丁基)氨基等酰氨基、羟基、硅氧基、酰基、甲基氨基甲酰基、二甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲酰基、丁基氨基甲酰基、苯基氨基甲酰基等氨基甲酰基、羧酸基、磺酸基、酰亚胺基、环戊基、环己基等环烷基、苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二嗨垸基、哌啶基、吗啉烷基(乇少7才y哌嗪基、三嗪基(卜y7于二/、咔唑基、呋喃基、噻吩基、嗯唑基、嗨二唑基、苯并嗯唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡喃基(7°，二》)等杂环基等。另外，以上的取代基之间也可以结合来进一步形成6元芳环或杂环。本发明的有机EL元件的优选形式中，有在传输电子的区域或阴极与有机层的界面区域上含有还原性掺杂物的元件。在此，还原性掺杂物定47义为可以还原电子传输性化合物的物质。因此，只要是具有一定还原性的物质，则可以使用各种物质，例如，可以适宜使用选自碱金属、碱土类金属、稀土类金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土类金属的氧化物、碱土类金属的卤化物、稀土类金属的氧化物或稀土类金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土类金属的有机络合物、稀土类金属的有机络合物中的至少一种物质。另外，更具体而言，作为优选的还原性掺杂物，可以列举选自Li(功函数2.9eV)、Na(功函数2.36eV)、K(功函数2.28eV)、Rb(功函数2.16eV)和Cs(功函数1.95eV)中的至少一种碱金属、或选自Ca(功函数:2,9eV)、Sr(功函数:2.02.5eV)和Ba(功函数:2.52eV)中的至少一种碱土类金属，特别优选功函数为2.9eV以下的物质。它们之中，更优选的还原性掺杂物为选自Li、K、Rb和Cs中的至少一种碱金属，进一步优选为Rb或Cs，最优选为Cs。这些碱金属，还原能力特别高，通过向电子注入域中添加较少量，就可以实现在有机EL元件中的发光亮度的提高和长寿命化。另外，作为功函数为2.9eV以下的还原性掺杂物，也优选它们2种以上的碱金属的组合，特别优选含有Cs的组合，例如Cs和Na、Cs禾口K、Cs禾卩Rb、或Cs和Na和K的组合。通过组合含有Cs，可以有效发挥还原能力，通过向电子注入域中的添加，实现有机EL元件中的发光亮度的提高和长寿命化。本发明中，阴极与有机层之间可以进一步设置由绝缘体或半导体构成的电子注入层。此时，可以有效防止电流的泄漏，使电子注入性提高。作为这样的绝缘体，优选使用选自碱金属硫属化合物、碱土类金属硫属化合物、碱金属的卤化物和碱土类金属的卤化物中的至少一种金属化合物。电子注入层如果由这些碱金属硫属化合物等构成，则在可以进一步使电子注入性提高的方面优选。具体而言，作为优选的碱金属硫属化合物，可以列举例如Li20、K20、Na2S、Na2Se和Na20。作为优选的碱土类金属硫属化合物，可以列举例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。另外，作为优选的碱金属的卤化物，可以列举例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。另外，作为优选的碱土类金属的卤化物，可以列举例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF^QBeF2等氟化物、或氟化物以外的卤化物。另外，作为构成电子传输层的半导体，可以列举含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb禾BZn中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的单独一种或二种以上的组合。另外，构成电子传输层的无机化合物，优选为微晶或非晶质的绝缘性薄膜。电子传输层如果由这些绝缘性薄膜构成，则由于形成更匀质的薄膜，因此可以使暗斑等像素缺陷减少。另外，作为这样的无机化合物，可以列举上述的碱金属硫属化合物、碱土类金属硫属化合物、碱金属的卤化物和碱土类金属的卤化物等。(阴极)作为阴极，为了在电子注入/传输层或发光层中注入电子，可以使用将功函数小(4eV以下)的金属、合金、电传导性化合物及它们的混合物作为电极物质的阴极。作为这样的电极物质的具体例子，可以列举钠、钠-钾合金、镁、锂、镁*银合金、铝/氧化铝、铝*锂合金、铟、稀土类金属等。该阴极，可以通过用蒸镀或溅射等方法使这些电极物质形成薄膜来制成。在此，从阴极射出来自发光层的发光时，阴极对于发光的透光率优选为大于10%。另外，作为阴极的方块电阻优选为数百Q/口以下，膜厚通常为10nm1lim、优选为50200nm。(8)绝缘层由于有机EL元件在超薄膜上施加电场，因此容易产生因泄漏或短路引起的像素缺陷。为了防止该问题，优选在一对电极间插入绝缘性的薄膜层。作为用于绝缘层的材料，可以列举例如氧化铝、氟化锂、氧化锂、氟化铯、氧化铯、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氮化铝、氧化钛、氧化硅、氧化锗、氮化硅、氮化硼、氧化钼、氧化钌、氧化钒等。也可以使用它们的混合物或层压物。(有机EL元件的制造方法)通过以上例示的材料及形成方法，形成阳极、发光层、根据需要的空穴注入/传输层、根据需要的电子注入/传输层，再形成阴极，由此可以制作有机EL元件。另外，也可以按照从阴极到阳极、与上述相反的顺序来制作有机EL元件。以下，记载了在透光性基板上依次设置有阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极的结构的有机EL元件的制造例。首先，通过蒸镀或溅射等方法，在适宜的透光性基板上形成由阳极材料构成的薄膜，以便得到lwm以下、优选10200nm范围的膜厚，由此来制造阳极。之后，在该阳极上设置空穴注入层。空穴注入层的形成，可以如上所述通过真空蒸镀法、旋涂法、流延法、LB法等方法来进行，但从容易得到匀质的膜、且难以产生针孔等方面考虑，优选通过真空蒸镀法来形成。通过真空蒸镀法形成空穴注入层的情况下，该蒸镀条件根据使用的化合物(空穴注入层的材料)、作为目标的空穴注入层的结晶结构或复合结构等而不同，通常优选在蒸镀源温度50450°C、真空度1(T7l(T3Torr、蒸镀速度0.0150nm/秒、基板温度-5030(TC、膜厚5nm5Pm的范围内适宜选择。接着，在空穴注入层上设置发光层。发光层的形成，也可以使用所期望的有机发光材料通过真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、流延法等方法将有机发光材料薄膜化，由此来形成，但从容易得到匀质的膜、且难以产生针孔等方面考虑，优选通过真空蒸镀法来形成。通过真空蒸镀法形成发光层的情况下，该蒸镀条件根据使用的化合物而不同，但通常可以从与空穴注入层相同的条件范围中进行选择。然后，在该发光层上设置电子注入层。与空穴注入层、发光层同样，从需要得到匀质的膜考虑，优选通过真空蒸镀法来形成。蒸镀条件可以从与空穴注入层、发光层同样的条件范围中进行选择。本发明的芳香族胺衍生物，根据在发光带域或空穴传输带域的哪层中含有而不同，使用真空蒸镀法的情况可以设定为与其他材料的共蒸镀。另外，使用旋涂法的情况，可以通过与其他材料混合而含有。最后，可以层压阴极来得到有机EL元件。阴极是由金属构成的，因此可以使用蒸镀法、溅射法。但是，为了保护底层的有机物层免受制膜时的损伤，优选真空蒸镀法。该有机EL元件的制造，优选通过一次抽真空连续进行，从阳极到阴极来制造。本发明的有机EL元件的各层的形成方法没有特别的限定。可以使用基于现有已知的真空蒸镀法、旋涂法等的形成方法。含有用于本发明的有机EL元件的、由上述通式(1)表示的化合物的有机薄膜层，可以通过基于真空蒸镀法、分子束蒸镀法(MBE法)、或溶解于溶剂而得到的溶液的浸渍法、旋涂法、流延法、刮棒涂布法、辊涂法等涂布法的公知方法来形成。本发明的有机EL元件的各有机层的膜厚没有特别的限制，但通常膜厚过薄时，容易产生针孔等缺陷，相反过厚时，需要高施加电压，效率变差，因此，通常优选数nm至lum的范围。在有机EL元件上施加直流电压的情况下，使阳极为+极性、阴极为-极性，如果施加540V的电压，则可以观测到发光。另外，相反的极性时，即使施加电压也无电流通过，完全不产生发光。另外，施加交流电压的情况下，只有使阳极为+极性、阴极为-极性时，才观测到均匀的发光。施加的交流的波形可以任意。(有机EL元件的应用)本发明的有机EL元件可以应用于即使在低电压下也要求高亮度以及高发光效率的制品。作为应用例子，可以列举显示装置、照明装置、打印机光源、液晶显示装置的背光等，也可以用于标识、看板、、室内等领域。作为显示装置，可以列举节能和高可视性的平面显示器。另外，作为打印机光源，可以作为激光束打印机的光源来使用。另外，通过使用本发明的元件，也可以大幅度减少装置体积。关于照明装置和背光，通过使用本发明的有机EL元件可以期待节能效果。下面使用实施例对本发明进行更加详细的说明，但本发明并不通过这些例子进行任何限定。实施例(实施例1)化合物(1)的合成将3，3，-二氨基联苯胺(a)3g与5，6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(b)6.13g在乙腈150ml中进行加热回流，使其反应10小时。将反应液在室温下过滤，用乙腈100ml、水200ml、MeOH50ml清洗固体部分。将所得到的固体在减压、4(TC下干燥4小时，得到粗产物(c)3.13g。对于粗产物(c)，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e-466，鉴定为目标物。另夕卜，在THF150ml中室温下使粗产物(c)3g与DDQ(d)3.21g反应7小时。将反应液过滤，用THF100ml、己烷30ml清洗所得到的固体。将所得到的固体在减压、4(TC下干燥4小时，得到化合物(1)2.77g。对于化合物(O，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e462，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。在乙腈中以0.01摩尔/升的浓度使该化合物溶解，使用高氯酸四丁基铵(TBAP)作为支持电解质，使用银-氯化银电极作为参比电极，通过循环伏安法测定还原电位。作为标准物质以二茂铁(以下设为Fc)的第一氧化电位作为基准时，化合物(1)的还原电位为-0.36V(vsFc+7Fc)。(b>NCCN(实施例2)化合物(A-l)的合成将苊醌(7七于7亍年/:/)(e)10g与5,6-二氨基-2,3-二氰基吡嗪(f)8.8g在吡啶250rnl中进行加热回流，使其反应18小时。将反应液在室温下过滤，用THF、以及乙腈清洗固体部分。将所得到的固体在减压、6(TC下干燥8小时，得到化合物(A-l)llg。对于化合物(A-l)，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e-306，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.48V(vsFc十/Fc)。52(e)(A-l)(实施例3)化合物(3)的合成将4-三氟甲基-l，2-苯二胺(g)5g与5，6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(b)6.21g在乙腈200ml中进行加热回流，使其反应10小时。将反应液在室温下过滤，浓縮滤液，得到粗产物(h)8.2g。对于粗产物(h)，进行质量分析(GC-MS法)，结果确认m/e-302，鉴定为目标物。另夕卜，在THF100ml中室温下使粗产物(h)6g与DDQ(d)4.48g反应8小时。在反应液中加入己垸400ml，过滤沉淀物。将所得到的固体在减压、6(TC下干燥，得到化合物(3)3.33g。对于化合物(3)，进行质量分析(GC-MS法)，结果确认m/e-300，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.28V(vsFcVFc)。〇CF3一CN化合物(3)(实施例4)化合物(4)的合成将4-溴-l，2-二氨基苯(I)15.6g、3，5-双(三氟甲基)苯基硼酸(J)25g、四(三苯基膦)钯(K)2.88g、碳酸钠26.5g溶解在水125ml中，将所得到的水溶液(L)、DME150ml在Ar气氛下、装入到烧瓶中，加热回流下使其反应8小时。冷却至室温后，用醋酸乙酯进行提取，用水洗涤。接着，将有机层用无水硫酸镁进行干燥后，蒸馏除去溶剂。将粗产物通过硅胶柱色谱法(展开液..醋酸乙酯/氯甲烷混合溶剂)进行精制，得到化合53物(M)23g。接着，将化合物(M)33g、5，6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(b)22g在乙腈中、氮气下进行加热回流，使其反应8小时。将反应液过滤，用CH2Cl250ml、以及NaHC03饱和水溶液进行清洗，得到化合物(N)i3.ig。接着，在THF450ml中室温、氮气下使化合物(N)13g与DDQ(d)7.3g反应8小时。将反应液过滤，用THF、醋酸乙酯、CH2CV凊洗所得到的固体，得到化合物(4)7.9g。对于化合物(4)，进行质量分析(直导MS法)，结果确认m/e-444，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为曙0.35V(vsFc+7Fc)。化合物(4)(实施例5)化合物(A-2)的合成将实施例2的苊醌(e)10g变更为5-氟苊醌(o)llg，除此以外，同样进行合成，对于生成物，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e-324，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.43V(vsFcVFc)。厶(A-2)(o)(实施例6)化合物(A-10)的合成将实施例2的苊醌(e)10g变更为醋蒽醌(p)12.5g，除此以外，同样进行合成，对于生成物，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e356，54鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.43V(vsFcVFc)。NC一Nv,NC、儿，N如(P)(实施例7)化合物(A-21)的合成将环五[fg]苊烯-l,2，5,6-四酮(q)5.0g与5,6-二氨基-2,3-二氰基吡嗪(f)7.0g在吡啶250ml中进行加热回流，使其反应18小时。将反应液在室温下过滤，用乙腈清洗固体部分。将所得到的固体在减压、60。C下干燥8小时，得到化合物(A-21)llg。对于化合物(A-21)，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e484，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.26V(vsFc+/Fc)。NC^NvNH2NC、1一NNC'、N'、NH2.0(f)NC,、N,、N(q)(实施例8)化合物(A-26)的合成将实施例7的环五[fg旅烯-l,2，5,6-四酮5.0g变更为下述四酮化合物(r)6.0g，除此以外，与实施例7同样操作，对于生成物，进行质量分析(FDMS法)，结果确认m/e=534，鉴定为目标物。对生成物实施升华精制。将该化合物与实施例1同样操作来测定还原电位，结果还原电位为-0.27丫(vsFc+7Fc)。(r)(A-26)(实施例9)在空穴注入层中使用本发明化合物的有机EL元件的制作在25mmX75mmX0.7mm的玻璃基板上设置膜厚120nm的由铟锡氧化物构成的透明电极。将该玻璃基板在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟，在真空蒸镀装置中设置该基板。在该基板上首先将化合物(1)蒸镀成为lOnm厚度作为空穴注入层，之后在其上将N,N，-二W，-(N-(萘基-l-基)-N陽苯基)氨基联苯基4-基]誦N-苯胺蒸镀成为20nm厚度作为空穴传输层。另外，在其上以膜厚40nm将由下式表示的化合物EMI与下式表示的苯乙烯基胺衍生物S1以40:2的膜厚比进行成膜，得到蓝色系发光层。在该膜上作为电子传输层以膜厚20nm将三(8-羟基喹啉)铝通过蒸镀进行成膜。其后，将LiF以膜厚lnm进行成膜。在该LiF膜上使金属Al蒸镀150nm，形成金属阴极，从而形成有机EL发光元件。EM56(实施例10)在空穴注入层中使用本发明化合物的有机EL元件的制作在25mmX75mmX0.7mm的玻璃基板上设置膜厚120nm的由铟锡氧化物构成的透明电极。将该玻璃基板在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟，在真空蒸镀装置中设置该基板。在该基板上首先以膜厚10nm将合成的化合物(1)以及N',N"-:[4-(二苯基氨基)苯基]-N'，N"-二苯基联苯基-4,4'-二胺(以下为化合物(B))以2:98的比进行成膜。该混合膜作为空穴注入层起作用。在其上将N,N，-二[4，-(N-偉基-l-基)-N-苯基)氨基联苯基4基]-N-苯胺蒸镀成为20nm厚度作为空穴传输层。另外，在其上以膜厚40nm将由化合物EMI与苯乙烯基胺衍生物SI以40:2的膜厚比进行成膜，得到蓝色系发光层。在该膜上作为电子传输层以膜厚20nm将三(8-羟基喹啉)铝通过蒸镀进行成膜。其后，将LiF以膜厚lnm进行成膜。在该LiF膜上使金属Al蒸镀150nm，形成金属阴极，从而形成有机EL发光元件。(实施例11)在空穴注入层中使用本发明化合物的有机EL元件的制作<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>化合物(B)在25mmX75mmX0.7mm的玻璃基板上设置膜厚120nm的由铟锡氧化物构成的透明电极。将该玻璃基板在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟，在真空蒸镀装置中设置该基板。在该基板上首先将化合物(A-1)蒸镀成为10nm厚度作为空穴注入层，之后在其上将N,N，-二[4，-(N-(萘基-l-基)-N-苯基〉氨基联苯基-4-基]-N-苯胺蒸镀成为20nrn厚度作为空穴传输层。另外，在其上以膜厚40nm将化合物EMl与苯乙烯基胺衍生物Sl以40:2的膜厚比进行成膜，得到蓝色系发光层。在该膜上作为电子传输层以膜厚20nm将三(8-羟基喹啉)铝通过蒸镀进行成膜。其后，将LiF以膜厚lnm进行成膜。在该LiF膜上使金属Al蒸镀150nm，形成金属阴极，从而形成有机EL发光元件。(实施例12)在空穴注入层中使用本发明化合物的有机EL元件的制作在25mmX75mmX0.7mm的玻璃基板上设置膜厚120nm的由铟锡氧化物构成的透明电极。将该玻璃基板在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟，在真空蒸镀装置中设置该基板。在该基板上首先以膜厚10nm将合成的化合物(A-2)以及化合物(B)以2:98的比进行成膜。该混合膜作为空穴注入层起作用。在其上将N,N，-二[4，-(N-虔基-l-基)-N-苯基)氨基联苯基斗萄-N-苯胺蒸镀成为20nm厚度作为空穴传输层。另外，'在其上以膜厚40nm将由化合物EM1与苯乙烯基胺衍生物Sl以40:2的膜厚比进行成膜，得到蓝色系发光层。在该膜上作为电子传输层以膜厚20nm将三(8-羟基喹啉)铝通过蒸镀进行成膜。其后，将LiF以膜厚lnm进行成膜。在该LiF膜上使金属Al蒸镀150nm，形成金属阴极，从而形成有机EL发光元件。(实施例13)在空穴注入层中使用本发明化合物的有机EL元件的制作在实施例11中，在空穴注入层中使用(A-21)代替化合物(A-l)，除此以外，进行同样操作，形成有机EL发光元件。(比较例1)在实施例9中，使用日本专利第3614405号公报记载的下述化合物(A)代替化合物(1)，除此以外，进行同样操作，制作有机EL发光元件。58<formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>化合物(A)(比较例2)在实施例9中，使用化合物(B)代替化合物(1)，除此以外，进行同样操作，制作有机EL发光元件。(有机EL元件的评价)对于由上述实施例9实施例13以及比较例12得到的有机EL元件，测定在得到电流密度10mA/cn^的电压和初期亮度1000nit、室温、DC恒定电流驱动下发光的半衰期。另外，对元件施加-5V的电压，测定泄漏电流。将这些结果示于表1.表1<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>由上述表l的结果可知，通过在空穴注入层中使用本发明的化合物，可以制造驱动电压低、长寿命、并且泄漏电流少的元件。如上述所详细说明的，使用本发明的化合物的有机EL元件，由于驱动电压低、长寿命、并且泄漏电流少，因此，可以作为以蓝色为主的各种颜色有机EL用材料来使用，可以适宜用于各种显示元件、显示器、背灯、照明光源、标识、看板、室内等领域，特别适合作为彩色显示器的显示元件。权利要求1.一种化合物，其特征在于，在1个分子中具有至少1个如下所示的结构(1)，结构(1)。2.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(1)所;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>通式(1)式中，！^R4选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R!R4中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。3.根据权利要求2所述的化合物，其中，R,与R2分别互相结合而形成环结构。4.根据权利要求3所述的化合物，其中，R3与R4也分别互相结合而形成环结构。5.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(2)通式(4)中的任一个所示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，R,Rs选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R,Rs中相邻接的基团能够分别互相结合而形成环结构，其中，R3Rs中至少l个选自取代烷基、取代芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、取代或未取代的苯氧基以及氨基，X为N或者CH。6.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(5)所示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>通式(5)式中，R,Rs选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R,R8中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。7.根据权利要求6所述的化合物，其中，！^R2分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟垸基以及氟芳基中的吸电子基团，R3Rs选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，R3R8中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。8.根据权利要求57中任一项所述的化合物，其中，RiR2为氰基。9.根据权利要求58中任一项所述的化合物，其中，R3Rg中的至少一个为含有氟的取代基。10.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(6)所示，A、、:通式(6)式中，AC环由如下的结构(2)(4)构成，AC环中的至少一个为结构(2)，广2、Yim2结构(2)结构(3)结构(4)在此，R,R6选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，XiX2以及Y,Y2选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R,R6、XiX2以及Y,Y2中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构，r^n2以及mim2为0或1的整数，AiA2、B,B2、QC2、DiD2、E!E2以及FiF2形成六元环，c-D分别选自属于第14族第15族的元素，并且可以相同也可以不同。11.根据权利要求IO所述的化合物，其中，A!A2以及D,D2为氮原子。12.根据权利要求10或11所述的化合物，其中，R,以及R2为氰基。13.根据权利要求1所述的化合物，其中，在1个分子中具有2个以上的结构(1)。14.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(7)所示，B通式(7)式中，A环以及B环由如下的结构(2)或结构(3)构成，A环以及B环中的至少一个为结构(2)，R4N-NT-R2/.、Ef'、Yimi结构(2)结构(3)在此，R!R6选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，X,以及Y,选自氢、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，RiR6、&以及Yi中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构，ni以及rm为0或l的整数，A,、B,、C,、D,、E,以及F,形成六元环，分别选自属于第14族第15族的元素，并且可以相同也可以不同。15.根据权利要求14所述的化合物，其中，A环及B环均为结构(2)。16.根据权利要求14所述的化合物，其中，A,及D,为氮原子。17.根据权利要求1416中任一项所述的化合物，其中，R,和R2为氰基。18.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(9)或通式(10)所示，通式(9)R6通式(10)式中，R,Ru)选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，X选自由取代或未取代的烷烃、取代或未取代的芳香族环、取代或未取代的杂环、取代或未取代的芳香族环氢氧化物以及胺衍生的m价的基团，另外，R,Ru)以及X中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构，m为2以上的整数，A!A2、B!B2、CiC2、D!D2、E,E2以及F,F2形成六元环，分别选自属于第14族第15族的元素，并且可以相同也可以不同。19.根据权利要求18所述的化合物，其中，通式(9)中的R,及R:或者通式(10)中的R,R4为氰基。20.根据权利要求18所述的化合物，其中，A,A2、B,B2、dC2、DD2、E,E2以及F!F2为碳。21.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(11)所示，式中，R9Ru分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟烷基以及氟芳基中的吸电子基团，R。R"分别独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R13R16中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。22.根据权利要求21所述的化合物，其中，R9Rt2为氰基。23.根据权利要求1所述的化合物，其为如下通式(12)所示，通式(12)式中，R"F^分别独立地为选自卤素、氰基、硝基、氟烷基以及氟芳基中的吸电子基团，R"R^分别独立地选自氢、取代或未取代的烷基、通式(11)取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环、卤素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、烷氧基、取代或未取代的苯氧基以及氨基且可以相同也可以不同，另外，R"R^中相邻接的基团可以分别互相结合而形成环结构。24.根据权利要求23所述的化合物，其中，1117112()为氰基。25.—种有机电致发光元件用材料，其含有权利要求124中任一项所述的化合物。26.—种有机电致发光元件用空穴注入材料或空穴传输材料，其含有权利要求124中任一项所述的化合物。27.—种有机电致发光元件，其至少具有一对电极和在它们之间夹持的有机发光层，其中，含有权利要求124中任一项所述的化合物。28.根据权利要求27所述的有机电致发光元件，其具有含有权利要求124中任一项所述的化合物的空穴注入层或者空穴传输层。29.—种装置，其具有权利要求27或28所述的有机电致发光元件。全文摘要本发明提供作为有机EL元件的构成成分有用的新型化合物，其目的在于通过使用该化合物，实现驱动电压低、长寿命、并且泄漏电流少的实用的有机EL元件。本发明提供一种化合物，其特征在于，在1个分子中具有至少1个下述的结构(1)。文档编号C09K11/06GK101501037SQ200780029180公开日2009年8月5日申请日期2007年6月5日优先权日2006年6月5日发明者松波成行,森下浩延,细川地潮,青山贤明,鬼岛靖典申请人:出光兴产株式会社;索尼株式会社