环金属化过渡金属络合物以及使用其的有机电致发光器件的利记博彩app

文档序号:3777462阅读:321来源:国知局
专利名称:环金属化过渡金属络合物以及使用其的有机电致发光器件的利记博彩app
技术领域
本发明涉及一种环金属化(cyclometalated)过渡金属络合物和使用其的有机电致发光器件,且更具体地涉及通过三重态金属配体电荷转移(MLCT)可发射从蓝色波长范围到红色波长范围的光的环金属化过渡金属络合物,以及包括由所述环金属化过渡金属络合物组成的有机层的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光(EL)器件(其是有源显示器件)当被施加电流发光时利用发生在荧光或磷光有机层中的电子和空穴的复合。有机EL器件重量轻,具有宽的视角,产生高质量图像,并且可使用简单工艺制备。有机EL器件可用低的消耗功率和低电压产生高色纯度的活动图像。因此,有机EL器件适用于便携式的电子应用。
通常,有机EL器件包括依次堆迭在基底上的阳极、空穴传输层、发射层、电子传输层和阴极。空穴传输层、发射层和电子传输层是有机层。有机EL器件可通过下述机理进行工作。首先,在阳极和阴极之间提供电压。从阳极注入的空穴通过空穴传输层迁移至发射层,且从阴极注入的电子通过电子传输层迁移至发射层。在发射层中,空穴和电子复合,从而产生激子。激子辐射地衰减,发射对应于材料带隙的光。
根据发射机理,形成发射层的材料可分为使用单重态激子的荧光材料和使用三重态激子的磷光材料。荧光材料或磷光材料可形成发射层,或者荧光或磷光材料掺杂的基质材料可形成发射层。当电子被激发时,单重态激子和三重态激子可以1∶3的统计学(stastics)比例产生。
当发射层由荧光材料组成时,不能使用产生于基质中的三重态激子。另一方面,当发射层由磷光材料组成时,单重态激子和三重态激子都可被使用,且从而可得到100%的内量子效率(参见Baldo等,Nature,Vol.395,151-154,1998)。因此,使用磷光材料可产生比荧光材料更高的发光效率。
当有机分子含有诸如Ir、Pt、Rh或Pd的重金属时,由于重原子效应发生自旋轨道耦合,且从而单重态和三重态混合,使得禁戒跃迁发生并因此即使在室温下也有效地发射磷光。
最近,已开发了高效的绿光和红光发射材料,它使用了具有100%内量子效率的磷光材料。
例如,已开发了包括诸如Ir或Pt的过渡金属的过渡金属化合物。然而,适合于高效全色显示和低功耗的荧光应用的材料仅仅是绿光和红光发射材料。换句话说,尚未开发蓝光磷光发射材料。因此,还不能制造磷光全色器件。
为了解决上述问题,已开发了下列材料蓝光发射材料(公开于WO02/15645 A1和US 2002/0064681 A1中);环金属化过渡金属络合物,其含有可使分子几何形状变形以使最高已占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)之间的带隙加宽的庞大官能团,或含有具有高配位场的官能团例如氰基(公开于Mat.Res.Soc.Symp.Proc.708,119,2002;和3rd ChitoseInternational Forum on Photonics Science and Technology,Chitose,日本,2002年10月6日至8日);Ir络合物,例如Ir(ppy)2P(ph)3Y,其中Y=Cl或CN(在US 2002/0182441 A1中公开);以及含有环金属化配体、螯合二膦、Cl和氰基的Ir(III)络合物(在US 2002/0048689 A1中公开)。
另外,US专利公开号No.2002-0134984公开了含氮和碳的环金属化过渡金属络合物和使用其的有机EL器件。
然而,这些蓝光发射材料全部都未同时具有所需的色纯度、发光效率和寿命。

发明内容
本发明提供一种环金属化过渡金属络合物,所述络合物通过三重态金属配体电荷转移(MLCT)可有效地发射从蓝色波长范围到红色波长范围的光。
本发明还提供一种有机电致发光器件,所述器件可有效地发射从蓝色波长范围到红色波长范围的光。
根据本发明的一个方面,提供一种由式1表示的环金属化过渡金属络合物
其中M是过渡金属;X是N或C;L是中性配体;CY1和CY2各自独立地是芳环系或脂环系;m为1或2;A4是咪唑、吡唑或它们的衍生物;以及A1、A2和A3各自独立地为氢原子、咪唑、吡唑或它们的衍生物。
根据本发明的另一方面,提供一种包括插入在一对电极之间的有机层的有机电致发光器件,所述有机层包括由式1表示的环金属化过渡金属络合物。


通过参照附图详细描述其示例性的实施方案,本发明的上述和其它特征以及优点将变得更加明晰,其中图1图示了实施例1的化合物的质谱;图2图示了实施例3的化合物的质谱;图3图示了实施例4的化合物的质谱;图4图示了实施例5的化合物的质谱;图5图示了实施例1的化合物的光致发光(PL)光谱;图6图示了实施例2的化合物的PL光谱;图7图示了实施例3的化合物的PL光谱;图8和9图示了当实施例1的化合物浓度变化时的能量跃迁;图10图示了实施例7的有机EL器件的电致发光(EL)光谱;图11是实施例6至9每个有机EL器件的发光效率对电流密度的曲线图;图12是实施例6至9每个有机EL器件的外量子效率对电流密度的曲线图;以及图13是实施例6至10每个有机EL器件的示意性截面图。
具体实施例方式
根据本发明实施方案的环金属化过渡金属络合物适合于高性能的有效蓝光发射,由于其含有非碳配位的螯合配体,。
根据本发明实施方案的环金属化过渡金属络合物可由式1表示 其中M是过渡金属;X是N或C;L是中性配体;CY1和CY2各自独立地是芳环系或脂环系;m为1或2;A4是咪唑、吡唑或它们的衍生物;以及A1、A2和A3各自独立地为氢原子、咪唑、吡唑或它们的衍生物。
根据本发明另一实施方案的环金属化过渡金属络合物可由式2至4中的一种表示
其中M是过渡金属;X是N或C;L是中性配体;CY1和CY2各自独立地是芳环系或脂环系;m为1或2;R1、R2、R3和R4各自独立地为取代基或氢;以及n是1至3之间的整数。
由式2表示的环金属化过渡金属络合物含有结合到过渡金属的硼咪唑酸盐(boron imidazolate)配体,由式3或4表示的环金属化过渡金属络合物含有结合到过渡金属的硼吡唑酸盐(boron pyrazolate)配体。
在式1中,A1、A2、A3和A4可各自独自地为被选自下列的化合物所取代的咪唑或吡唑烷基(例如C1至C30烷基,优选地C1至C20烷基,更优选地C1至C10烷基)、链烯基(例如C2至C30链烯基,优选地C2至C20链烯基,更优选地C2至C10链烯基)、炔基(例如C2至C30炔基,优选地C2至C20炔基,更优选地C2至C10炔基)、芳基(例如C6至C30芳基,优选地C6至C20芳基,更优选地C6至C12芳基)、氨基(例如C0至C30氨基,优选地C0至C20氨基,更优选地C0至C10氨基)、烷氧基(例如C1至C30烷氧基,优选地C1至C20烷氧基,更优选地C1至C10烷氧基)、芳氧基(例如C6至C30芳氧基,优选地C6至C20芳氧基,更优选地C6至C12芳氧基)、杂环氧(heterocyclicoxy)基(例如C1至C30杂环氧基,优选地C1至C20杂环氧基,更优选地C1至C12杂环氧基)、酰基(例如C1至C30酰基,优选地C1至C20酰基,更优选地C1至C12酰基)、烷氧羰基(例如C2至C30烷氧羰基,优选地C2至C20烷氧羰基,更优选地C2至C12烷氧羰基)、芳氧羰基(例如C7至C30芳氧羰基,优选地C7至C20芳氧羰基,更优选地C7至C12芳氧羰基)、酰氧基(例如C2至C30酰氧基,优选地C2至C20酰氧基,更优选地C2至C10酰氧基)、酰氨基(例如C2至C30酰氨基,优选地C2至C20酰氨基,更优选地C2至C10酰氨基)、烷氧羰基氨基(例如C2至C30烷氧羰基氨基,优选地C2至C20烷氧羰基氨基,更优选地C2至C12烷氧羰基氨基)、芳氧羰基氨基(例如C7至C30芳氧羰基氨基,优选地C7至C20芳氧羰基氨基,更优选地C7至C12芳氧羰基氨基)、磺酰氨基(例如C1至C30磺酰氨基,优选地C1至C20磺酰氨基,更优选地C1至C12磺酰氨基)、氨磺酰基(例如C0至C30氨磺酰基,优选地C0至C20氨磺酰基,更优选地C0至C12氨磺酰基)、氨基甲酰基(例如C1至C30氨基甲酰基,优选地C1至C20氨基甲酰基,更优选地C1至C12氨基甲酰基)、烷基硫代基团(例如C1至C30烷基硫代基团,优选地C1至C20烷基硫代基团,更优选地C1至C12烷基硫代基团)、芳基硫代基团(例如C6至C30芳基硫代基团,优选地C6至C20芳基硫代基团,更优选地C6至C12芳基硫代基团)、杂环硫代基团(例如C1至C30杂环硫代基团,优选地C1至C20杂环硫代基团,更优选地C1至C12杂环硫代基团)、磺酰基(例如C1至C30磺酰基,优选地C1至C20磺酰基,更优选地C1至C12磺酰基)、硫炔基(sulfynyl)(例如C1至C30硫炔基,优选地C1至C20硫炔基,更优选地C1至C12硫炔基)、脲基(例如C1至C30脲基,优选地C1至C20脲基,更优选地C1至C12脲基)、磷酸酰胺(amid)基(例如C1至C30磷酸酰胺基,优选地C1至C20磷酸酰胺基,更优选地C1至C12磷酸酰胺基)、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺基、羧基、硝基、羟胺酸(hydroxamine acid)基、亚磺基、肼基、亚氨基、杂环基(例如C1至C30杂环基,优选地C1至C12杂环基)、甲硅烷基(例如C3至C40甲硅烷基,优选地C3至C30甲硅烷基,更优选地C3至C24甲硅烷基)、甲硅氧基(例如C3至C40甲硅氧基,优选地C3至C30甲硅氧基,更优选地C3至C24甲硅氧基)。
由式1表示的环金属化过渡金属络合物可由式5表示 其中M是过渡金属;L是中性配体;m为1或2;R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、Rn和R′各自独立地为取代基或氢原子,其中n是1至3之间的整数;以及n1是1至4之间的整数。
在式1至4中,CY1和CY2可包括诸如苯环或萘环的芳族烃环;诸如吡啶环、吡嗪环、喹啉环、呋喃环或噻吩环的芳族杂环;诸如环己环的脂肪族烃环;诸如吡喃环的脂肪族杂环等。
也就是说,环金属化配体(CyN-CyC)可由下列式之一来表示,但不限于此
其中作为单取代或多取代官能团的R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢原子、卤素原子、-OR、-N(R)2、-P(R)2、-POR、-PO2R、-PO3R、-SR、-Si(R)3、-B(R)2、-B(OR)2、-C(O)R、-C(O)OR、-C(O)N(R)、-CN、-NO2、-SO2、-SOR、-SO2R、-SO3R、C1至C20烷基或C6至C20芳基,其中R定义如上;且Z为S、O或NR0,其中R0是氢或C1至C20烷基。
在式1至5中为中性配体的L可由下列式中之一来表示,但不限于此
其中R1、R2、R3各自独立地为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基或杂芳基。
中性配体中的H可被烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基、甲硅烷基、腈基、羟基或卤素基团所取代。
式1至5中的过渡金属M可以是Ru、Rh、Os、Ir、Pt或Au。
式1表示的环金属化过渡金属络合物可由式6至16中的一种来表示,但不限于此


环金属化过渡金属络合物可发射400nm至650nm波长的光。
可使用[Ir(C^N)2ClL]2衍生物并利用Watts Group公开的方法(参见F.O.Garces,R.J.Watts,Inorg.Chem.1988,(35),2450.)合成环金属化过渡金属络合物,所述衍生物用作原材料以提供环金属化部分。
下面将描述环金属化过渡金属络合物的合成方法。
参考反应图式1,在50℃下,将作为原材料的[Ir(C^N)2ClL]2衍生物和硼化合物与诸如二氯甲烷或甲醇的溶剂混合2至48小时,从而产生含有硼咪唑配体的环金属化过渡金属络合物。
反应图式1 其中X、L、R1、R2、R3、R4、CY1和CY2在关于式2的内容中已被描述。
有机EL器件包括由式1表示的环金属化过渡金属络合物组成的有机层,特别是由式1表示的环金属化过渡金属络合物组成的发射层。由式1表示的环金属化过渡金属络合物适宜作为形成发射层的磷光掺杂材料,并表现出极好的蓝光发射特性。
当由式1表示的环金属化过渡金属络合物用作磷光掺杂剂时,有机层还可包括选自至少一种聚合物基质、聚合物和低分子量分子的混合基质、低分子量分子基质和非发射聚合物基质的至少一种基质。通常用于制造有机EL器件发射层的任何聚合物基质、任何低分子量基质和任何非发射聚合物基质可用于本发明的实施方案中。聚合物基质可以是、但不限于聚(乙烯咔唑)(PVK)或聚芴。低分子量基质可以是、但不限于CBP(4,4′-N,N′-二咔唑-联苯)、4,4′-二[9-(3,6-二苯基咔唑基(biphenylcarbazolyl))]-1,1′-联苯、9,10-二[(2′,7′-叔丁基)]-9′,9″-螺二芴基蒽或四芴。非发射聚合物基质可以是、但不限于聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
基于100重量份发射层形成材料的总重量,由式1表示的环金属化过渡金属络合物的量可以为1至30重量份。可通过真空淀积、溅射、印刷、涂覆、喷墨印刷、电子束或其它方法,用环金属化过渡金属络合物形成发射层。
当与绿光发射材料或红光发射材料一起使用时,由式1表示的环金属化过渡金属络合物可发射白光。
有机层的厚度可以为30至100nm。在此情况下,术语“有机层”是指由插入在有机EL器件的一对电极之间的有机材料组成的层。例如,有机层可以是发射层、电子传输层、空穴传输层等。有机EL器件可具有这样的结构,例如阳极/发射层/阴极、阳极/缓冲层/发射层/阴极、阳极/空穴传输层/发射层/阴极、阳极/缓冲层/空穴传输层/发射层/阴极、阳极/缓冲层/空穴传输层/发射层/电子传输层/阴极、阳极/缓冲层/空穴传输层/发射层/空穴阻挡层/阴极等。但是,有机EL器件的结构并不限于上述那些。
缓冲层可由常用的材料组成。例如形成缓冲层的材料可以是、但不限于铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基(polyphenylene vinylene)或它们的衍生物。
形成空穴传输层的材料可以是常用的材料。例如形成空穴传输层的材料可以是、但不限于聚三苯胺。
形成电子传输层的材料可以是常用的材料。例如形成电子传输层的材料可以是、但不限于聚噁二唑。
形成空穴阻挡层的材料可以是常用的材料。例如形成空穴阻挡层的材料可以是、但不限于LiF、BaF2或MgF2。
可使用传统的发射材料和传统方法制造根据本发明实施方案的有机EL器件。
环金属化过渡金属络合物可发射波长为400nm至650nm的光。使用这样的过渡金属络合物的发射二极管可用于全色显示、背光、室外屏幕、光通信和室内装饰的光源照明。
下面将参考以下实施例进一步详细描述本发明。这些实施例仅仅是出于说明性目的而不是限制本发明的范围。
参考实施例1. F2ppy二聚物的合成 将2M碳酸钠溶液加入到500ml有支管的烧瓶中并于室温下在氮气氛中搅拌,所述碳酸钠溶液是通过混合19.85g(125mmol)的2-溴吡啶、25.00g(158mmol)的2,4-二氟苯基硼酸、100ml甲苯、48ml乙醇和95ml水而制成。接着,将4.53g(3.92mmol)四(三苯基膦)钯(0)加到上述反应混合物中并在氮气氛中无光存在的条件下回流15小时。
在上述反应完成后,将得到的反应混合物控制在室温下并使用乙酸乙酯和水进行萃取。使用柱色谱法(甲苯∶己烷=10∶1)分离萃取物,从而得到浅棕色液体(F2ppyH)。
1H-NMR(CD2Cl2,ppm)8.69[d,1H],8.03[m,1H],7.70[m,2H],7.27[m,1H],7.00[m,2H]使用2-(4,6-二氟苯基吡啶)单体和IrCl3·n H2O制备黄色粉末F2ppyIr二聚物。在这种情况下,使用在J.Am.Che.Soc.,1984,106,6647-6653中公开的合成方法。
1H-NMR(CD2Cl2,ppm)9.1[d,4H],8.3[d,4H],7.9[t,4H],6.9[m,4H],6.5[m,4H],5.3[d,4H]参考实施例2. MeF2ppy二聚物的合成 以与参考实施例1相同的方式合成MeF2ppy二聚物,除了使用2-溴-4-甲基吡啶替代2-溴吡啶之外。
参考实施例3. DMAF2ppy二聚物的合成 以与参考实施例1相同的方式合成DMAF2ppy二聚物,除了使用25.26g(1.25×104mmol)2-溴-4-二甲氨基吡啶替代2-溴吡啶之外。
1H-NMR(CD2Cl2,ppm)8.7[d,4H],7.5[t,4H],6.3[m,4H],6.1[m,4H],5.4[d,4H],3.2[s,24H]实施例1.式7表示的化合物(MeOF2ppyIrMe-imz Bimz4)的合成
操作1. MeOF2ppyIrMe-imz Cl的合成将0.1mmol MeOF2ppy二聚物和0.25mmol N-甲基咪唑在40℃下于20mlCHCl3中搅拌6小时。在减压蒸发溶剂,然后将得到的黄绿色粉末进行使用比例为10∶0.5的CH2Cl2和丙酮的混合物作为洗脱液的硅柱的处理。在溶剂被蒸发之后,得到绿色粉末。使用1H NMR和质谱确定为MeOF2ppyIrMe-imz Cl。
操作2. MeOF2ppyIrMe-imz Bimz4的合成将0.5mmol的NaBimz4和10ml甲醇加入到溶解于10ml氯仿中的0.1mmol的MeOF2ppyIrMe-imz Cl中,然后在50℃下搅拌4至6个小时。在减压下通过蒸发除去溶剂,并使用20ml CH2Cl2处理所得产物并过滤。滤液(filtrate)处于减压下以使得CH2Cl2可通过蒸发而除去。结果,得到黄绿色粉末(产率65%)。使用1H NMR和质谱确定为MeOF2ppyIrMe-imz Bimz4。
实施例2.式8表示的化合物(DMAF2ppy2IrMe-imz Bimz4)的合成
以与实施例1相同的方法由相应的二聚物制备DMAF2ppy2IrMe-imzBimz4(产率65%)。使用1H NMR和质谱确定为DMAF2ppy2IrMe-imz Bimz4。
实施例3.式9表示的化合物(F2ppyIrPh-imz Bimz4)的合成 以与实施例1相同的方法由相应的二聚物制备F2ppyIrPh-imz Bimz4(产率65%)。使用1H NMR和质谱确定F2ppyIrPh-imz Bimz4。
实施例4.式13表示的化合物(F2ppyIrBenz-异-CN Bimz4)的合成
操作1. F2ppyIrBenz-异-CN Cl的合成将0.1mmolF2ppy二聚物和0.25mmol苄基异氰化物(benz-异-CN)在20mlCHCl3中于室温下搅拌24小时。在减压下蒸发溶剂,然后将得到的黄色粉末进行使用比例为10∶0.5的CH2Cl2和丙酮的混合物作为洗脱液的硅柱的处理。在溶剂蒸发之后,得到黄色粉末。使用1H NMR和质谱确定F2ppyIrBenz-异-CN Cl。
操作2. F2ppyIrBenz-异-CN Bimz4的合成将0.5mmol的NaBimz4和10ml甲醇加入到溶解于10ml氯仿的0.1mmol的F2ppyIrBenz-异-CN Cl中,然后在50℃下搅拌4至6小时。在减压下通过蒸发除去溶剂,并使用20ml CH2Cl2处理所得产物并过滤。滤液处于减压下以使得CH2Cl2可通过蒸发而除去。结果,得到黄色粉末(产率50%)。使用1H NMR和质谱确定F2ppyIrBenz-异-CN Bimz4。
实施例5.式15表示的化合物(F2ppyIrP(n-bu)3Bimz4)的合成

操作1. F2ppyIrP(n-bu)3Cl的合成将0.1mmolF2ppy二聚物和0.25mmol三正丁基在20mlCHCl3中于室温下搅拌24小时。在减压下蒸发溶剂,然后将得到的黄色粉末进行使用比例为10∶1的CH2Cl2和丙酮的混合物作为洗脱液的硅柱的处理。在溶剂蒸发之后,得到黄色粉末。使用1H NMR和质谱确定F2ppyIrP(n-bu)3Cl。
操作2. F2ppyIrP(n-bu)3Bimz4的合成将0.5mmol的NaBimz4和10ml甲醇加入到溶解于10ml氯仿的0.1mmol的F2ppyIrP(n-bu)3Cl中,然后在50℃下搅拌4至6小时。在减压下通过蒸发除去溶剂,并使用20ml CH2Cl2处理所得产物并过滤。滤液处于减压下以使得CH2Cl2可通过蒸发而除去。结果,得到黄色粉末(产率60%)。使用1H NMR和质谱确定F2ppyIrP(n-bu)3Bimz4。
将实施例1至5得到的产品溶解于二氯甲烷中制备10-4M溶液,然后测量这些溶液的发光特性。
上述产品的发光特性和色坐标(CIE)示于表1中,且从图5起图示了上述产品的PL光谱。
表1


参看表1,含有硼咪唑络合物的掺杂剂表现出极好的磷光特性。特别地,取代基的引入引起强电子效应,且从而可确定所述掺杂剂适合作为发射波长为440nm至470nm的光的蓝光磷光材料。
图8和9图示了当所述化合物浓度变化时实施例1的由式7表示的化合物的能量跃迁。在该条件下,mCP用作基质材料,式7表示的化合物[(MeOF2ppy)2IrMe-imz4]被用作掺杂材料。
参看图8和9,当掺杂剂浓度增加时,mCP强度降低,且掺杂剂强度增加。参看图9,当掺杂剂浓度为10%或更大时,掺杂剂强度降低。
有机EL器件的制造实施例6参看图13,清洗氧化铟锡(ITO)涂覆的透明电极基底20,使用光致抗蚀剂树脂和蚀刻剂在ITO中形成图案,由此形成ITO电极图案10。清洗ITO电极图案。将PEDOT{聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)}[Al 4083]涂覆在清洗过的ITO电极图案上至约50nm的厚度,并在120℃下烘焙约5分钟,以形成空穴注入层11。
将形成发射层的组合物旋涂在空穴注入层11上,并在100℃下烘焙1小时,所述组合物是通过将29mg的mCP、2.5mg的MeF2ppy(由式9表示)和3.3g的聚苯乙烯溶液相混合而制成,所述聚苯乙烯溶液是通过在17.4g甲苯中溶解53.1g的PS而制成。将生成物放置在真空烘箱中以完全除去溶剂,从而形成厚度为40nm的发射层12[PS 24重量%,mCP 70重量%,MeF2ppy6重量%]。
接着,使用真空淀积设备在4×10-6托或更小的压力下,在聚合物发射层12上真空淀积Balq,从而形成厚度为40nm的电子传输层15。以0.1 /秒的速度在电子传输层上真空淀积LiF,以形成厚度为10nm的电子注入层。
随后,以10 /秒的速度在电子传输层15上真空淀积Al,以形成厚度为200nm的阴极14,再使用金属壳在充填有BaO粉末的手套箱中于干躁氮气氛下进行密封,从而完成制造有机EL器件。
上述有机EL器件具有多层结构,其示意示于图13中。在这种情况下下,发射面积是9mm2。
实施例7以与实施例6相同的方法制造EL器件,除了(MeOF2ppy)2IrMe-imz4(由式7表示)的量为6重量%之外。
实施例8以与实施例6相同的方法制造EL器件,除了(MeOF2ppy)2IrMe-imz4(由式7表示)的量为8重量%之外。
实施例9以与实施例6相同的方法制造EL器件,除了(MeOF2ppy)2IrMe-imz4(由式7表示)的量为10重量%之外。
实施例10以与实施例6相同的方法制造EL器件,除了(F2ppy)2IrP(n-bu)3Bimz4(由式15表示)的量为10重量%之外。
实施例6、9和10的EL器件的包括最大发射波长、色坐标、亮度和接通电压(turn-on voltage)的性能示于表2中。
表2

如上所述,含有硼咪唑络合物配体的掺杂剂具有极好的磷光性能并适于蓝光发射。另外,通过引入不同的主配体,可实现包括红光、绿光和蓝光的全色光。
本发明的环金属化过渡金属络合物通过三重态MLCT可有效地发射从蓝色波长到红色波长的光。环金属化过渡金属络合物适合于有机EL器件的有机层,且可非常有效地发射波长为400nm至650nm的磷光。另外,当环金属化过渡金属络合物与绿光发射材料或红光发射材料一起使用时,可发射白光。
虽然已参考其示例性的实施方案具体地显示和描述了本发明,但本领域技术人员应当理解,在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下,可在形式和细节上作出各种改变。
权利要求
1.一种由式1表示的过渡金属络合物 其中M是过渡金属;X是N和C的一种;L是中性配体;CY1和CY2各自独立地为芳环系或脂环系;m为1或2;A4是咪唑、吡唑或它们的衍生物;以及A1、A2和A3各自独立地为氢原子、咪唑、吡唑或它们的衍生物。
2.权利要求1的过渡金属络合物,其中由式1表示的化合物由式2至4中的一种表示 其中M是过渡金属;X是N和C的一种;L是中性配体;CY1和CY2各自独立地是芳环系或脂环系;m为1或2;R1、R2、R3和R4各自独立地为取代基或H;以及n是1至3之间的整数。
3.权利要求1的过渡金属络合物,其中A1、A2、A3和A4可各自独自地被选自下列的一个取代基所取代氢原子、烷基、链烯基、炔基、芳基、氨基、烷氧基、芳氧基、杂环氧基、酰基、烷氧羰基、芳氧羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧羰基氨基、芳氧羰基氨基、磺酰氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷基硫代基团、芳基硫代基团、杂环硫代基团、磺酰基、硫炔基(sulfynyl)、脲基、磷酸酰胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺基、羧基、硝基、羟胺酸基、亚磺基、肼基、亚氨基、杂环基、甲硅烷基、和甲硅氧基。
4.权利要求1的过渡金属络合物,其中由式1表示的化合物由式5的一种表示 其中M是过渡金属;L是中性配体;m为1或2;R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、Rn和R′各自独立地为取代基或氢原子,其中n是1至3之间的整数;以及n1是1至4之间的整数。
5.权利要求1的过渡金属络合物,其中M是Ru、Rh、Os、Ir、Pt或Au。
6.权利要求1的过渡金属络合物,其中由式1表示的化合物由式6至16中的一种表示
7.一种有机电致发光器件,其包括插入在一对电极之间的有机层,所述有机层包括权利要求1至6任一项中的过渡金属络合物。
8.权利要求7的有机电致发光器件,其中所述有机层还包括至少一种选自以下的基质至少一种聚合物基质、聚合物基质和低分子量基质的混合物、低分子量基质和非发射聚合物基质。
9.权利要求7的有机电致发光器件,其中所述有机层还包括绿光发射材料或红光发射材料。
全文摘要
提供一种非常有效地发射磷光的环金属化过渡金属络合物和使用所述络合物的有机电致发光器件。所述过渡金属络合物适合于有机电致发光器件的有机层,可发射波长为400至650nm的光,并且当与绿光发射材料或红光发射材料一起使用时,可发射白光。
文档编号C09K11/06GK1916008SQ20061000892
公开日2007年2月21日 申请日期2006年2月5日 优先权日2005年2月4日
发明者达斯·R·拉吉尼, 张硕, 韩云秀, 金禧暻, 夫龙淳, 李钟侠 申请人:三星Sdi株式会社
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