一种化合物及包含该化合物的材料、有机电致发光器件的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供了一种化合物，具有如下结构，其中，R1、R2、R3、R4分别为取代基或不取代，且R1、R2、R3、R4中至少有两个为取代基。本发明还提供了一种包含上述化合物的材料及有机电致发光器件。本发明的化合物制得的发光器件的驱动电压低，效率高，色坐标好，更加高效、节能。
【专利说明】
一种化合物及包含该化合物的材料、有机电致发光器件
技术领域
[0001] 本发明涉及一种化合物，具体为一种可用于制备有机电致发光器件的化合物。
【背景技术】
[0002] 目前，显示器以TFT-IXD (薄膜晶体管型液晶显示屏）为主，由于该显示器为非自 发光的显示器，必须透过背光源投射光线，依序穿透TFT-IXD面板中的偏光板、玻璃基板、 液晶层、彩色滤光片、玻璃基板、偏光板等相关零组件，最后进入人的眼睛成像，达到显示的 功能。但是其显示屏反应速率慢、耗电、视角窄等缺点，不足成为完美的显示屏。
[0003] 随着信息时代的发展，具有高效、节能、轻质的有机电致发光器件（0LED)越来越 受到人们的关注。作为一种新型的LED技术，具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低、可制 成柔性器件等特点的0LED对材料提出了较高的要求。
【发明内容】
[0004] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种化合物，具有如下结构：
[0005]
[0006] 其中，1?1、1?2、1?3、1?4分别为取代基或不取代，且1? 1、1?2、1?3、1?4中至少有两个为取代基， 所述取代基为选自如下基团中的一种：
[0007]
[0008] R为含有6~20个碳原子的芳香族化合物取代基团或不取代。根据本发明的一实 施方式，其中R为选自如下基团中的一种：
[0009]
[0010] 根据本发明的另一实施方式，其中R为苯基、萘基或蒽基。根据本发明的另一实施 方式，所述化合物为下列中的一种：
[0011]
[0012] 根据本发明的另一实施方式，其中Rp R2、R3、&分别为取代基或不取代，所述取代 基为选自下列基团中的一种：
[0013]
[0014] 根据本发明的另一实施方式，所述化合物为下列化合物中的一种：
[0015]
[0016] 本发明还提供了一种材料，包括上述任意一项所述的化合物。
[0017] 本发明进一步提供了一种有机电致发光器件，包含上述任意一项所述的化合物。
[0018] 根据本发明的一实施方式，所述有机电致发光器件包括电子传输层、发光层、空穴 传输层；所述电子传输层、发光层、空穴传输层中的至少一层包含上述任意一项所述的化合 物。
[0019] 本发明的化合物制得的发光器件的驱动电压低，效率高，色坐标好，更加高效、节 能。
【具体实施方式】
[0020] 体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本 发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及 在本质上是当作说明之用，而非用以限制本发明。
[0021] 本发明提供了一种化合物，其可用作0LED各有机层的材料，优选为用作发光层的 主体材料、空穴传输层（HTL)的材料，该化合物具有如下结构：
[0022]
[0023]札、私、1?3、111可以为吸电子基团取代基或不存在，且1?1、1? 2、1?3、111中至少有两个为取 代基，即上述结构的四个苯环上至少有两个取代基团，例如可以为两个取代基团，例如Ri、R3 为取代基，R2、R4不存在，或是Rp R2为取代基，R3、&不存在；也可以为三个取代基团，例如 Ri、R2、R3为取代基，1?4不存在；还可以为1^、私、私、1? 4四个取代基共存。其中，优选为1?2、1?4 为取代基，Ri、R3不存在，该化合物的结构如下所示：
[0024]
[0025] 取代基&、R2、R3、心可以连接于各自苯环上任意可取代的碳原子。吸电子基团可 以为如下基团中的一种，吸电子基团的苯环及杂环上任意可取代的碳原子或氮原子均可连 接于上述化合物的苯环上，连接键以下结构中的虚线表示。
[0026]
[0027] R不存在或为含有6~20个碳原子的芳香族化合物基团，具体可以为如下结构：
[0028]
[0029] 其中，R优选为苯基、萘基等，上述结构式中的虚线表示R基团可连接于上述苯环 及杂环上任意可取代的碳原子或氮原子上。例如，上述化合物的结构可以为：
[0032] 本发明进一步提供一种有机电致发光器件，包括电子传输层、发光层、空穴传输层 等。其中，上述化合物可以用于充当发光层红光、绿光的主体材料，也可用于制作电子传输 层、空穴传输层等。另外，本发明对上述化合物在0LED各层中的含量没有限定。
[0033] 本发明的化合物制得的发光器件的驱动电压低，效率高，色坐标好，更加高效、节 能。
[0034] 下面，结合具体实施例对本发明的用于0LED材料的化合物及其制备方法做进一 步说明，其中，所使用的原料均购自上海道亦化工有限公司。
[0035] 实施例1
[0036]
[0037] 往反应瓶中加入反应物A 0· lmol、反应物B 0· lmol、溶剂甲苯1000mL，氮气保护 下加热回流24小时，冷却，除去甲苯，加入二氯甲烷，水洗，干燥，粗产品过柱，再用二氯甲 烷和乙醇重结晶纯化，得到产品化合物1，其MS及H-NMR表征数据如下。
[0038] MS: m/e = 693. 23 (M+H+)。
[0039] H-NMR(400M，CDC13) :7· 53(2Η)，7· 62(4H)，7. 71 (4H)，8· 58(1Η)，7· 67(1H)，7. 76(1 H)，7. 34 (2H)，8. 32 (2H)，8. 34 (2H)，7. 61 (2H)，7. 64 (2H)，7. 36 (4H)，7. 38 (4H)。
[0040] 实施例2
[0041]
[0042] 往反应瓶中加入反应物C 0· lmol、反应物B 0· lmol、溶剂甲苯1000mL，氮气保护 下加热回流24小时，冷却，除去甲苯，加入二氯甲烷，水洗，干燥，粗产品过柱，再用二氯甲 烷和乙醇重结晶纯化，得到产品化合物2,其MS及H-NMR表征数据如下。
[0043] MS:m/e = 691. 22 (M+H+) 〇
[0044] H-NMR(400M，CDC13) :7· 53(2H)，7· 62(4H)，7· 71 (4H)，8· 58(1H)，7· 67(1H)，7· 76(1 Η)，7· 34 (2H)，8· 34 (2H)，7· 61 (2H)，7· 64 (2H)，7· 36 (4H)，7· 38 (4H)。
[0045] 实施例3
[0046]
[0047] 往反应瓶中加入反应物D 0· lmol，反应物E 0· lmol，和溶剂甲苯1000mL，氮气保 护下加热回流24小时，冷却，除去甲苯，加入二氯甲烷，水洗，干燥，粗产品过柱，再用二氯 甲烷和乙醇重结晶纯化，得到产品化合物11，其MS及H-NMR表征数据如下。
[0048] MS: m/e = 757. 27 (M+H+)。
[0049] H-NMR(400M，CDC13) :7· 53(2Η)，7· 62(4H)，7. 71 (4H)，7· 58(1Η)，7· 77(2H)，7. 79(2 H)，7. 54 (2H)，7. 64 (2H)，8. 32 (2H)，8. 34 (2H)，7. 61 (2H)，7. 64 (2H)，7. 36 (4H)，7. 38 (4H)。
[0050] 实施例4
[0051]
[0052] 往反应瓶中加入反应物F 0· lmol，反应物E 0· lmol，和溶剂甲苯1000mL，氮气保 护下加热回流24小时，冷却，除去甲苯，加入二氯甲烷，水洗，干燥，粗产品过柱，再用二氯 甲烷和乙醇重结晶纯化，得到产品化合物12,其MS及H-NMR表征数据如下。
[0053] MS: m/e = 755. 25 (M+H+)。
[0054] H-NMR(400M，CDC13) :7· 53(2Η)，7· 62(4H)，7. 71 (4H)，7· 58(1Η)，7· 77(2H)，7. 79(2 H)，7. 54 (2H)，7. 64 (2H)，8. 34 (2H)，7. 61 (2H)，7. 64 (2H)，7. 36 (4H)，7. 38 (4H)。
[0055] 应用例1
[0056] 将透明阳极电极ΙΤ0基板在异丙醇中超声清洗5~10分钟，并暴露在紫外光下 20~30分钟，随后用等离子体处理5~10分钟，之后将处理后的ΙΤ0基板放入蒸镀设备。 首先，蒸镀一层30~50nm的ΝΡΒ作为空穴传输层；然后混合蒸镀化合物1以及5~10% 的Ir(ppy) 3作为发光层；随后蒸镀20~40nm的Alq3 ;再蒸镀0· 5~2nm LiF ;最后蒸镀 100 ~200nm 的金属 A1，获得 0LED 器件 SI :ΙΤ0/ΝΡΒ/ 化合物 1: Ir (ppy)3/Alq3/LiF/Al。
[0057] 应用例2至8
[0058] 应用例2至8的有机电致发光器件的制备方法与应用例1相同。其中，应用例2 中以化合物2为主体材料制备发光层；应用例3中以化合物11为主体材料制备发光层；应 用例4中以化合物12为主体材料制备发光层；应用例5中以化合物1为材料制备电子传输 层；应用例6中以化合物2为材料制备电子传输层；应用例7中以化合物11为材料制备电 子传输层；应用例8中以化合物12为材料制备电子传输层。应用例2至8所制得的OLED 器件S2~S8的结构如下：
[0059] S2 : ΙΤ0/ΝΡΒ/ 化合物 2: Ir (ppy) 3/Alq3/LiF/Al ;
[0060] S3 : ΙΤ0/ΝΡΒ/ 化合物 11: Ir (ppy) 3/Alq3/LiF/Al ;
[0061] S4 : ITO/NPB/ 化合物 12: Ir (ppy) 3/Alq3/LiF/Al ;
[0062] S5 : ITO/NPB/CBP: Ir (ppy) 3/ 化合物 1/LiF/Al ;
[0063] S6 : ITO/NPB/CBP: Ir (ppy) 3/ 化合物 2/LiF/Al ;
[0064] S7 : ITO/NPB/CBP: Ir (ppy) 3/ 化合物 11/LiF/Al ;
[0065] S8 : ITO/NPB/CBP: Ir (ppy) 3/ 化合物 12/LiF/Al ;
[0066] 其中，所使用的化合物CBP、NPB的结构式如下：
[0067]
[0068] 对比例
[0069] 将透明阳极电极ΙΤ0基板在异丙醇中超声清洗5~10分钟，并暴露在紫外光下 20~30分钟，随后用等离子体处理5~10分钟。随后将处理后的ΙΤ0基板放入蒸镀设 备。首先，蒸镀一层30~50nm的NPB作为空穴传输层；然后混合蒸镀CBP以及5~10% 的Ir (ppy) 3作为空穴传输层；随后蒸镀20~40nm的Alq3作为电子传输层；再蒸镀0. 5~ 2nm LiF ;最后蒸镀 100 ~200nm 的金属 A1，获得 0LED 器件 D : ITO/NPB/CBP :Ir (ppy) 3/Alq3/ LiF/Al〇
[0070] 应用例1至8及对比例的OLED器件的各项性质在lOOOnits下测得，具体数据参 见表1，其中，Driver Voltage表示驱动电压，Cd表示电流效率。
[0071] 表 1
[0072]
[0073] 表1所列出的数据说明，相较于对比例，以包含本发明实施例化合物的材料制得 的发光器件所需的驱动电压更低、效率更高。
[0074] 除非特别限定，本发明所用术语均为本领域技术人员通常理解的含义。
[0075] 本发明所描述的实施方式仅出于示例性目的，并非用以限制本发明的保护范围， 本领域技术人员可在本发明的范围内作出各种其他替换、改变和改进，因而，本发明不限于 上述实施方式，而仅由权利要求限定。
【主权项】
1. 一种化合物，具有如下结构：其中，Ri、R2、R3、&分别为取代基或不取代，且Ri、R2、R 3、&中至少有两个为取代基，所 述取代基为选自如下基团中的一种：R为含有6~20个碳原子的芳香族化合物取代基团或不取代。2. 根据权利要求1所述的化合物，其中R为选自如下基团中的一种：3. 根据权利要求2所述的化合物，其中R为苯基、萘基或蒽基。4. 根据权利要求1所述的化合物，其为下列化合物中的一种：5. 根据权利要求1所述的化合物，其中所述取代基为选自下列基团中的一种：6. 根据权利要求1所述的化合物，其为下列化合物中的一种：7. -种材料，包括权利要求1至6中任意一项所述的化合物。8. -种有机电致发光器件，包含权利要求1至6中任意一项所述的化合物。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其包括电子传输层、发光层、空穴传输 层；所述电子传输层、发光层、空穴传输层中的至少一层包含权利要求1至6中任意一项所 述的化合物。
【文档编号】H01L51/54GK105884810SQ201510039567
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年1月26日
【发明人】吴建霖, 杨红领
【申请人】上海和辉光电有限公司