含氟化合物、图案形成用基板、光分解性偶联剂、图案形成方法、化合物的利记博彩app

文档序号:8323465阅读:242来源:国知局
含氟化合物、图案形成用基板、光分解性偶联剂、图案形成方法、化合物的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及含氟化合物、图案形成用基板、光分解性偶联剂、图案形成方法和化合 物。
[0002] 本申请主张基于在2012年9月4日申请的日本国特愿2012-194531号的优先权, 将其内容援引于此。
【背景技术】
[0003] 近年来,在半导体元件、集成电路、有机EL显示器用器件等微细器件等的制造中, 提出了在基板上形成表面特性不同的图案,利用该表面特性的差异来形成微细器件的方 法。
[0004] 作为利用基板上表面特性的差异的图案形成方法,例如有在基板上形成亲水区域 和疏水区域,将功能性材料的水溶液涂布于亲水性区域的方法。
[0005] 在该方法中,功能性材料的水溶液仅在亲水区域中润湿铺展。因此,可以形成功能 性材料的薄膜图案。
[0006] 近年来,使用偶联剂作为可在基板上形成亲水区域和疏水区域的材料。专利文献 1中记载了可使接触角在光照射前后大幅变化的光分解性偶联剂。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本国特开2008-50321号

【发明内容】

[0010] 发明要解决的问题
[0011] 然而,专利文献1中记载的那种光分解性偶联剂在光照射前后的接触角差和灵敏 度方面还存在改良的余地。
[0012] 本发明的方案的课题在于提供:光照射前后的接触角差大且灵敏度更优异的作为 偶联剂而有用的含氟化合物、使用了上述含氟化合物的图案形成用基板、使用了上述含氟 化合物的光分解性偶联剂、图案形成方法和在制造上述含氟化合物时作为中间体而有用的 化合物。
[0013] 用于解决问题的手段
[0014] 本发明的第一方案是一种含氟化合物,其特征在于,其由下述通式(1)表示。
[0015] [化 1]
[0016]
【主权项】
1. 一种含氟化合物,其特征在于,其由下述通式(1)表示, [化1]
通式⑴中,X表示卤原子或烷氧基,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷 基,妒和Rf2为氟化烷氧基,η表示0以上的整数。
2. 如权利要求1所述的含氟化合物,其中,所述R 1为异丙基、异丁基或叔丁基。
3. 如权利要求1或2所述的含氟化合物,其中,所述R?或Rf2是碳原子数为5以上的 氟化烷氧基。
4. 一种图案形成用基板,其具有利用权利要求1~3中任一项所述的含氟化合物进行 化学改性后的表面。
5. -种光分解性偶联剂,其特征在于,其包含权利要求1~3中任一项所述的含氟化合 物。
6. -种图案形成方法,其是在对象物的被处理面形成图案的图案形成方法,该图案形 成方法包括: 第一工序,使用权利要求1~3中任一项所述的含氟化合物对所述被处理面进行化学 改性; 第二工序,对化学改性后的所述被处理面照射预定图案的光,生成由亲水区域和疏水 区域构成的潜像;和 第三工序,在所述亲水区域或疏水区域配置图案形成材料。
7. -种图案形成方法,其是在挠性基板之上形成电子器件用的电路图案的方法,该图 案形成方法包括: 第一工序,使用权利要求1~3中任一项所述的含氟化合物,对所述基板的整个表面或 表面的特定区域内进行化学改性; 第二工序,对所述化学改性后的所述基板的表面照射光能,该光能的分布与所述电路 图案相匹配,由此在所述基板的表面生成基于亲水性和疏水性的差异而成的所述电路图案 的潜像;和 第三工序,使流动性的图案形成材料与所述基板的表面的所述潜像的一部分接触,利 用所述亲水性和疏水性的差异使所述图案形成材料以所述电路图案的形状被捕获在所述 基板上。
8. 如权利要求6或7所述的图案形成方法,其中,所述图案形成材料包括液态的导电材 料、液态的半导体材料或液态的绝缘材料。。
9. 如权利要求6~8中任一项所述的图案形成方法,其中,所述光包含波长被含在 200nm~450nm范围的光。
10. -种化合物,其由下述通式(f)表示, [化2]
通式(f)中,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷基,RlP Rf2为氟化烷氧 基,m表不0以上的整数。
11. 一种化合物,其由下述通式(e)表示, [化3]
通式(e)中,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷基,RlP Rf2为氟化烷氧 基。
12. -种化合物,其由下述通式(d)表示, [化4]
通式⑷中,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷基,RlP Rf2为氟化烷氧 基。
13. -种化合物,其由下述通式(c)表示, [化5]
通式(c)中,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷基,RlP Rf2为氟化烷氧 基。
【专利摘要】一种含氟化合物,其特征在于,其由下述通式(1)表示。[通式(1)中,X表示卤原子或烷氧基,R1表示碳原子数为3~10的支链状或环状的烷基,Rf1和Rf2为氟化烷氧基。n表示0以上的整数。][化1]
【IPC分类】C07C205-37, H01L21-027, C09K3-00, G03F7-004, C07F7-18, C07C205-45, C07C49-84
【公开号】CN104640871
【申请号】CN201380045709
【发明人】山口和夫
【申请人】学校法人神奈川大学, 株式会社尼康
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年9月4日
【公告号】US20150168836, WO2014038579A1
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