专利名称：用于抗蚀剂的保护层的聚合物以及包括其的聚合物组合物的利记博彩app
技术领域：
本披露内容涉及一种用于抗蚀剂保护层的聚合物以及包括该聚合物的抗蚀剂保 护层组合物。
背景技术：
随着半导体产业继续发展，半导体芯片的高度集成越来越需要精细的光敏树脂组 合物图案。用于更高集成的这种精细图案需要能够精细加工0. ομπι或更小的线宽的光刻 技术。尤其是，正研究更短X射线的应用。具有短波长的放射性射线(放射线)可以包括， 例如，水银灯的明线光谱(亮线光谱)，远紫外线(UV)，其典型地包括准分子激光、X射线、 电子束(e-射束)等，并且尤其是，波长为248nm的KrF准分子激光、或波长为193nm的ArF 准分子激光。利用具有酸不稳定的官能团的成分的化学增幅效应和由于X射线辐射(在下文 中，称作“曝光”)而产生酸的成分(在下文中，称作“生酸剂”)，这种准分子激光可以很好 地与抗蚀剂(在下文中，称作“化学增幅抗蚀剂”)一起工作。化学增幅抗蚀剂可以包括，例 如，包括树脂的抗蚀剂，其中树脂包括连接至羧酸的叔丁酯基团或连接至苯酚的碳酸叔丁 酯基团，以及生酸剂。当该抗蚀剂形成抗蚀剂层时，通过在曝光期间产生的酸，叔丁酯基团或碳酸叔丁 酯基团离解自抗蚀剂层的树脂，因此树脂可以包括酸性基团，该酸性基团包括羧基基团或 酚式羟基基团。因此，曝光区域可以容易地溶解在碱性显影溶液中。最近，因为需要具有45nm线 宽的更精细的图案，所以已研究了开发具有更短光源波长的曝光装置并增加透镜的数值孔 径(NA)的方法。然而，开发具有更短光源波长的曝光装置的前种方法需要新的昂贵的曝光 装置，这造成经济问题，而增加透镜的数值孔径的后种方法具有分辨率与焦深(DOF)之间 的权衡问题。换句话说，如果增加分辨率，则可能会劣化焦深。因此，最近已报道了液体浸没式 光刻法(liquid immersion lithography method)以便解决上述问题。液体浸没式光刻法 通过在透镜与抗蚀剂层之间设置具有预定厚度的液体浸没式光刻介质(用于液体浸没式 光刻的液体)如纯水、基于氟的惰性液体等进行曝光工艺。该方法具有这样的优点，S卩，能实现高分辨率而不会劣化焦深，如使用具有短波长 的光源或具有高数值孔径的透镜，因为该方法用具有更大折射率(η)的液体如纯水等而不 是惰性气体如空气、氮气等来填充曝光装置的空间，即使它使用具有与常规方法相同的曝 光波长的光源。此外，该浸没式光刻法已被更多关注，因为它使得可以用低成本来形成具有 高分辨率和极好焦深的极好的抗蚀剂图案，即使它使用目前使用的透镜。然而，该液体浸没式光刻法具有以下问题即，在曝光期间，当抗蚀剂层直接接触 用于液体浸没式光刻的液体如水等时，生酸剂会从抗蚀剂层中洗脱。过度洗脱的产物可以 损害透镜并导致难以实现期望的图案或令人满意的分辨率。此外，当用作用于液体浸没式光刻的液体的水在抗蚀剂层中具有低后退角时，在高速扫描曝光期间水可能不会快速排 出，因此可能在抗蚀剂层上留下水印。为了解决该问题，已建议使用特定树脂用于液体浸没式光刻法或加入添加剂的方 法。然而，该方法并不能确保水相对于抗蚀剂层的足够的后退角或不能足够地减少洗脱到 水中的量。
发明内容
本发明的一种示例性实施方式提供了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物，其通过调 节后退角和前进角 而具有极好的生产率和更少的缺陷。本发明的另一种实施方式提供了一种包括该聚合物的抗蚀剂保护层组合物。根据本发明的一种实施方式，提供了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物，该聚合物 包括由以下化学式1表示的第一重复单元、以及第二重复单元，该第二重复单元包括由以 下化学式2至6表示的至少一种重复单元。[化学式1]
权利要求
1. 一种用于抗蚀剂保护层的聚合物，包括第一重复单元，所述第一重复单元由以下化学式1表示；以及第二重复单元，所述第二重复单元包括由以下化学式2至6表示的至少一种重复单其中，在化学式1中，
2.根据权利要求1所述的用于抗蚀剂保护层的聚合物，其中，以95 5至 30 70mol%的比率混合所述第一重复单元和所述第二重复单元。
3.根据权利要求1所述的用于抗蚀剂保护层的聚合物，其中，所述聚合物具有从3000 至50,000的重均分子量。
4.一种抗蚀剂保护层组合物，包括 根据权利要求1所述的聚合物；以及 有机溶剂。
5.根据权利要求4所述的抗蚀剂保护层组合物，其中，基于100重量份的所述有机溶 剂，所述聚合物以1至30重量份的量被包括。
6.根据权利要求4所述的抗蚀剂保护层组合物，其中，所述抗蚀剂保护层组合物进一 步包括光生酸剂。
7.一种形成图案的方法，包括 在基板上设置光敏树脂组合物层；利用根据权利要求4所述的保护层组合物，在所述光敏树脂组合物层上设置保护层；以及利用液体浸没式光刻来形成图案。
全文摘要
本发明披露了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物、包括该聚合物的抗蚀剂保护层组合物、以及形成图案的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的第一重复单元以及第二重复单元，该第二重复单元包括由以下化学式2至6表示的至少一种重复单元。[化学式1]、[化学式2]、[化学式3][化学式4]、[化学式5]、[化学式6]在化学式1至6中，每种取代基与在具体实施方式
中限定的相同。
文档编号C08F220/18GK102070746SQ201010299478
公开日2011年5月25日 申请日期2010年9月30日 优先权日2009年11月25日
发明者尹祥根, 崔承集, 崔相俊, 李圣宰 申请人:第一毛织株式会社