一种支撑柱热场的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于多晶铸锭生产领域,具体涉及一种使铸锭炉减少所铸硅锭的内部 阴影和杂质比率的改进热场。
【背景技术】
[0002] 在多晶硅锭制备过程中,随着热场使用时间的增加,内部隔热层氧化,加热器老化 现象日益严重,逐渐会出现以下的问题:
[0003] ①热场保温性差:由于热场保温取决于钢笼隔热层的固体碳毡的完整性,但时间 用的越久,固体碳毡的氧化脱落情况愈发严重,保温性越来越差;
[0004] ②硅锭底部阴影比率加重:硅锭长晶时依靠钢笼隔热层向上运动,使热量开始散 发至下腔室炉壁后,热量由炉壁内的循环水带走,形成上面温度高下面温度低的温度梯度, 从而长晶。但是热场老化后下腔室隔热板的隔热效果大打折扣,导致硅锭底部长晶速率太 快,出现阴影的比率加大;
[0005] ③使用寿命:由于热场的老化,为了保证生产质量,不得不更换热场,这样生产成 本增加。因此,为了解决这些问题,一般是在工艺方面进行操作,增加某一阶段的温度,更改 整体的温度补偿值,或者减少钢笼上升速率,这些操作有一定的效果,但都无法高效解决这 些问题,需要更有效的办法缓解这类问题造成的影响。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型的目的是克服现有技术的不足,提供一种支撑柱热场。
[0007] 本实用新型的技术方案是:一种支撑柱热场,包括铸锭炉下腔室,所述铸锭炉下腔 室包括下腔室底座、大隔热板和小隔热板,在所述大隔热板和小隔热板之间设置一层软碳 毡,在所述下腔室底座内放置石墨垫块,在所述石墨垫块上放置石墨柱。
[0008] 优选地,所述软碳毯为1cm。
[0009] 优选地,所述石墨垫块为1. 5 cm。
[0010] 优选地,所述石墨柱顶端放置石墨DS块。
[0011] 本实用新型的有益效果:本实用新型抬高整个铸锭坩埚的高度,使硅锭长晶位置 抬高,位于高位置的温度梯度,变相增加整体的环境温度;而且没有增加能耗,且补偿了热 场的保温性变差带来的影响;另外,增加软毡是为了在长晶过程中使硅锭底部温度散温速 率减缓,长晶速率减慢,减少娃锭底部的阴影的比率。
【附图说明】
[0012] 图1是本实用新型支撑柱热场的结构示意图;
[0013] 图2为图1局部放大图;
[0014] 图中:1石墨DS块,2石墨柱,3小隔热板,4大隔热板,5软碳毡,6下腔室底座,7 石墨垫块。
【具体实施方式】
[0015] 结合附图对本实用新型提供的实施方式作进一步详细的说明:
[0016] 如图1、2所示,一种支撑柱热场,包括铸锭炉下腔室,所述铸锭炉下腔室包括下腔 室底座6、大隔热板4和小隔热板3,在所述大隔热板4和小隔热板3之间设置一层软碳毡 5,在所述下腔室底座6内放置石墨垫块7,在所述石墨垫块7上放置石墨柱2。
[0017] 其中,所述软碳毯5为lcm,所述石墨垫块7为1. 5 cm,所述石墨柱2顶端放置石 墨DS块1。
[0018] 解决减少铸锭的阴影杂质的办法,步骤如下:
[0019] ①准备三个相同厚度1. 5cm的圆柱石墨块,直径比下腔室的底座直径偏小,打磨 圆切面,保证平整,保证水平;
[0020] ②准备软毡,大小和下腔室小隔热板相同,开孔位置要对应;
[0021] ③清理干净下腔室底座的杂物,放入事先准备好的厚度1. 5cm的圆柱石墨块,再 放入石墨立柱;
[0022] ④依次放入下腔室大隔热板、软碳毡(厚度lcm)、下腔室小隔热板,压平,压实,保 证无拱起。
[0023] ⑤石墨柱顶部抬上DS块,完成热场改进。正常投料运行。
[0024] 以下结合实施例对本实用新型做出进一步的详细数据说明:
[0025] 选择5台阴影比较严重的铸锭炉,分别为:10# 13# 19# 21# 25#。每台铸锭炉都 垫1. 5cm石墨块,整体抬高1. 5cm,水平检测也是正常;下腔室隔热板中垫一层的软毡,之后 看出炉硅锭的检测数据是否有好转。
[0027] 由上表格明显看出,阴影明显好转。
[0028] 本实用新型抬高整个铸锭坩埚的高度,使硅锭长晶位置抬高,位于高位置的温度 梯度,变相增加整体的环境温度;而且没有增加能耗,且补偿了热场的保温性变差带来的影 响;另外,增加软毡是为了在长晶过程中使硅锭底部温度散温速率减缓,长晶速率减慢,减 少硅锭底部的阴影的比率。
[0029] 在此说明书中,本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以 做出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是 说明性的而非限制性的。
【主权项】
1. 一种支撑柱热场,包括铸锭炉下腔室,其特征在于,所述铸锭炉下腔室包括下腔室底 座、大隔热板和小隔热板,在所述大隔热板和小隔热板之间设置一层软碳毡,在所述下腔室 底座内放置石墨垫块,在所述石墨垫块上放置石墨柱。2. 根据权利要求1所述的支撑柱热场,其特征在于,所述软碳毡为lcm。3. 根据权利要求1所述的支撑柱热场,其特征在于,所述石墨垫块为1. 5 cm。4. 根据权利要求1-3中任意一项所述的支撑柱热场,其特征在于,所述石墨柱顶端放 置石墨DS块。
【专利摘要】本实用新型公开一种支撑柱热场,包括铸锭炉下腔室,所述铸锭炉下腔室包括下腔室底座、大隔热板和小隔热板,在所述大隔热板和小隔热板之间设置一层软碳毡,在所述下腔室底座内放置石墨垫块,在所述石墨垫块上放置石墨柱。本实用新型抬高整个铸锭坩埚的高度,使硅锭长晶位置抬高,位于高位置的温度梯度,变相增加整体的环境温度;而且没有增加能耗,且补偿了热场的保温性变差带来的影响;另外,增加软毡是为了在长晶过程中使硅锭底部温度散温速率减缓,长晶速率减慢,减少硅锭底部的阴影的比率。
【IPC分类】C30B29/06, C30B28/06
【公开号】CN204982134
【申请号】CN201520761268
【发明人】刘耀峰
【申请人】无锡荣能半导体材料有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年9月29日