一种多晶铸锭炉的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅技术领域，更具体地说，涉及一种多晶铸锭炉。
【背景技术】
[0002]多晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的多晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。
[0003]目前，技术人员在进行铸造多晶晶体时通常使用多晶炉采用半熔工艺生长铸造多晶晶体，多晶炉通常主要由坩祸以及位于坩祸侧部的加热器构成，是多晶硅料转化为多晶硅锭工艺过程中的必备设备。生产中，热场不单为多晶硅熔化提供大量的热能，在长晶过程中又提供合理的温度梯场以得到符合要求的多晶硅晶体。具体过程为，在坩祸底部铺设一层籽晶层，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在籽晶层面或深入籽晶层面时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶基础上开始长晶。这样得到位错密度低、高质量的可控晶向多晶硅锭。但是由于传统多晶炉热场的缺陷，固液界面不平整，通常中心高，边缘低。待硅料完全熔化后形成的固液界面中心面刚好处在籽晶层时，籽晶层的边角早已部分或全部熔化，因此在坩祸底部铺设的籽晶层只有部分发挥诱导晶体生长的作用，导致铸造硅锭质量不高。综上所述，导致铸造的硅锭质量差的原因是:1.由于侧部加热器一次性热辐射，导致坩祸的边角处受热量大，铺设在坩祸底部的籽晶层边角处几乎熔化，无法发挥诱导晶体生长的作用。2.晶体生长初期，散热不均匀，横向温度梯度大，固液界面不平整。导致贴着坩祸的晶锭四周不会有晶粒从边缘向中心生长，不利于柱状晶垂直生长，铸造出来的硅锭质量不高。
[0004]目前，解决此问题的方法通常是采用长条形护毡保护籽晶的完整性，如图1所示，即在石墨护板的侧部偏下增加一周的长条形护毡，阻挡侧部加热器一次性辐射，减少底部受热量，来保护籽晶的完整性。然而，这种长条形护毡无法阻止边角籽晶熔化，导致籽晶完整性依旧较差。
【实用新型内容】
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多晶铸锭炉，能够有效阻止边角籽晶融化，保证在坩祸底部铺设的籽晶层全部发挥诱导晶体生长的作用。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0007]—种多晶铸锭炉，包括隔热笼，还包括:
[0008]设置于所述隔热笼内部的坩祸；
[0009]设置于所述隔热笼内侧壁与所述坩祸外侧壁之间的加热器；
[0010]包围所述坩祸外侧壁且用于阻挡所述加热器对所述坩祸底部的籽晶层热辐射的护毡；
[0011]其中，所述护毡包括包围部分以及加高部分，所述包围部分的高度大于或等于所述籽晶层高度，用于增加所述包围部分高度的所述加高部分设置于所述坩祸的边角处。
[0012]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述坩祸还包括设置于所述坩祸外侧壁与所述护毡之间的坩祸护板以及与所述坩祸底部外表面连接的坩祸底板。
[0013]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述坩祸护板为石墨护板，所述坩祸底板为石墨底板。
[0014]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述护毡为固化碳保温材料的护毡。
[0015]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述护毡厚度范围为20mm-35mm，包括端点值。
[0016]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述包围部分为长边与所述坩祸底板平行且两条短边连接的长方形包围部分。
[0017]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述长方形包围部分的长边长度为565_，短边长度为 70mmo
[0018]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述加高部分为对称轴与所述坩祸的棱重合的梯形加高部分。
[0019]优选的，上述多晶铸徒炉中，所述梯形加尚部分的尚度为80mm。
[0020]优选的，上述多晶铸锭炉中，所述加高部分为对称轴与所述坩祸的棱重合的半圆形加高部分。
[0021]从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的一种多晶铸锭炉，包括隔热笼，还包括:设置于所述隔热笼内部的坩祸；设置于所述隔热笼内侧壁与所述坩祸外侧壁之间的加热器；包围所述坩祸外侧壁且用于阻挡所述加热器对所述坩祸底部的籽晶层热辐射的护毡；其中，所述护毡包括包围部分以及加高部分，所述包围部分的高度大于或等于所述籽晶层高度，用于增加所述包围部分高度的所述加高部分设置于所述坩祸的边角处。由于在进行晶体生长时，位于坩祸底部的籽晶层容易受到位于坩祸侧面的加热器的热辐射导致融化，由于多晶铸锭炉的坩祸通常为横截面为多边形的筒状，具有多个边角，边角部分温度相对其它位置的温度较高，导致位于边角处的籽晶层部分相对其它位置的籽晶层部分更容易融化，不能保证边角处的籽晶层诱导晶体生长，本实用新型提供的一种多晶铸锭炉，在坩祸外侧壁设置了用于阻挡加热器热辐射的护毡来保护籽晶层，由于籽晶层位于坩祸的最底层，为了有效保护籽晶层，不仅需要护毡的底边与坩祸的底边位于同一平面，而且护毡的高度大于或者等于籽晶层高度。又因为边角温度较高，在边角处增加护毡的高度，能够减小侧面加热器对边角籽晶层部分的热辐射，有效阻止边角籽晶融化，保证在坩祸底部铺设的籽晶层全部发挥诱导晶体生长的作用。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0023]图1为现有技术提供的一种护毡示意图；
[0024]图2为本实用新型实施例提供的一种护毡示意图；
[0025]图3为本实用新型实施例提供的另一种护毡示意图；
[0026]图4为本实用新型实施例提供的一种具有护毡的坩祸主视图；
[0027]图5为本实用新型实施例提供的一种具有护毡的坩祸侧视图；
[0028]图6为本实用新型实施例提供的一种多晶铸锭炉示意图。
【具体实施方式】
[0029]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0030]请参阅图1、2、3、4、5以及图6，图1为现有技术提供的一种护毡示意图；图2为本实用新型实施例提供的一种护毡示意图；图3为本实用新型实施例提供的另一种护毡示意图；图4为本实用新型实施例提供的一种具有护毡的坩祸主视图；图5为本实用新型实施例提供的一种具有护毡的坩祸侧视图；图6为本实用新型实施例提供的一种多晶铸锭炉示意图。
[0031]在一种【具体实施方式】中，提供一种多晶铸锭炉，包括隔热笼104，还包括:设置于所述隔热笼内部的坩祸107 ;设置于所述隔热笼104内侧壁与所述坩祸107外侧壁之间的加热器106 ;包围所述坩祸107外侧壁且用于阻挡所述加热器106对所述坩祸底部的籽晶层热辐射的护毡101 ;其中，所述护毡101包括包围部分112以及加高部分111，所述包围部分112的高度大于或等于所述籽晶层高度，用于增加所述包围部分112高度的所述加高部分111设置于所述坩祸107的边角处。
[00