耐等离子性构件的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明的形态一般涉及耐等离子性构件，具体而言，涉及在腔室内进行干法刻蚀、 溅射及CVD等处理的半导体制造装置中所使用的耐等离子性构件。
【背景技术】
[0002] 在半导体的制造工序中，要求减少被加工物的微粒和通过减少所制造的器件的状 态不良来提尚成品率。
[0003] 对此，存在以下电子器件的制造装置：腔室的顶部由石英玻璃构成，且在顶部内面 上形成的微小凹凸部的平均表面粗糙度为〇. 2~5 μπι(专利文献1)。此外，存在以下耐等 离子性构件：不存在孔洞（pore :孔）或粒界层，以抑制?减少来自耐等离子性构件的脱粒 的发生（专利文献2)。此外，存在以下等离子反应器的构成元件，其为在等离子反应器的 构成元件的等离子暴露面上具备被等离子喷涂了陶瓷或聚合物材料等的被膜的等离子反 应器的构成元件，其具有促进聚合物堆积物的附着的表面粗糙度特性（专利文献3)。根据 专利文献3所记载的等离子反应器的构成元件，能够减少处理中的微粒污染。此外，存在以 下耐等离子性构件，在由氮化硅质烧结体形成的基体的表面上，介由由SiO 2或元素周期表 第3a族元素和硅的复合氧化物形成的中间层，形成由金属氟化物、氧化物及氮化物中至少 1种而成的耐腐蚀性表面层（专利文献4)。根据专利文献4所记载的耐等离子性构件，由 于氮化硅质烧结体以更低损失而形成高强度，因此进一步改善耐腐蚀性，还提高对于破坏 的可靠性。
[0004] 在半导体的制造工序中，存在为了使微粒减少而用预涂膜（被膜）大致均匀地覆 盖腔室的内壁的情况。预涂膜由不会给半导体器件带来不良影响的材料形成。在用被膜大 致均匀地覆盖腔室的内壁的情况下，需要提高被膜的密合强度或密合力，使被膜不容易剥 落。此外，即使在腔室内产生了被生成的反应生成物、微粒等，也需要覆盖腔室内的被膜使 反应生成物、微粒等在被膜自身的表面上附着从而进行捕获。近来，半导体器件的精细图案 化在发展，从而需要以纳米级来控制微粒。
[0005] 专利文献1 :日本国专利第3251215号公报 专利文献2 :日本国专利第3864958号公报 专利文献3 :日本国特开2012-54590号公报 专利文献4 :日本国特开2001-240482号公报
【发明内容】
[0006] 本发明所要解决的技术问题是提供一种耐等离子性构件，能够提高覆盖腔室内壁 的被膜的密合强度或密合力，或能够减少微粒。
[0007] 根据本发明的一个形态，提供一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：基材；及 层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，所述层状结 构物具有：第1凹凸结构；及第2凹凸结构，在所述第1凹凸结构上重叠而形成，具有与所述 第1凹凸结构相比更细微的凹凸。
[0008] 根据本发明的另外一个形态，提供一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：基材； 及层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，在平面 分析中的截止为〇. 8 μπι的情况下，所述层状结构物的表面的算术平均Sa为0. 010 μπι以 上0.035μπι以下，由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的实体体积Vmc为 0. 01 μ m3/μ m2以上0. 035 μ m3/μ m2以下，由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心 部的中空体积Vvc为0. 012 μ m3/μ m2以上0. 05 μ m3/μ m2以下，所述层状结构物的表面的界 面的展开面积率Sdr为1以上17以下，所述层状结构物的表面的均方根斜率S Δ q为0. 15 以上0.6以下。
【附图说明】
[0009] 图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的耐等离子性构件的半导体制造装置 的模式剖视图。 图2是例示半导体的制造工序的一个例子的模式图。 图3是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的表面的图片。 图4(a)~图4(f)是将在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的表面进行放大 的图片。 图5(a)及图5(b)是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的剖面的图 片。 图6 (a)及图6(b)是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的其他表面的 图片。 图7(a)~图7(c)是说明3维表面特性参数的模式图。 图8是表示层状结构物表面的算术平均的曲线图。 图9是表示层状结构物表面的中心部的实体体积的曲线图。 图10是表示层状结构物表面的中心部的中空体积的曲线图。 图11是表示层状结构物表面上的突起顶端的个数密度的曲线图。 图12(a)及图12(b)是表示层状结构物表面上的界面的展开面积率的曲线图。 图13是拍摄的本实施方式的层状结构物的内部状态的图片。 图14是将本实施方式的层状结构物的内部结构进行二值化的图片。 图15(a)~图15(e)是拍摄的本实施方式的层状结构物的上部状态的图片。 图16(a)及图16(b)是例示对于深度位置的面积比率的一个例子的曲线图及表。 图17是说明预涂膜的密合强度的测定方法的模式立体图。 图18(a)~图18(d)是说明预涂膜的密合强度的测定方法的图片。 图19(a)及图19(b)是例示光学显微镜的照片的图片。 图20(a)及图20(b)是通过SEM拍摄的剥离区域的图片。 图21(a)及图21(b)是例示预涂膜的密合强度的测定结果的一个例子的表及曲线图。 图22(a)及图22(b)是说明平面分析中的截止的曲线图。 图23(a)及图23(b)是表示层状结构物表面的算术平均的曲线图。 图24(a)及图24(b)是表示层状结构物表面的中心部的实体体积的曲线图。 图25(a)及图25(b)是表示层状结构物表面的中心部的中空体积的曲线图。 图26(a)及图26(b)是表示层状结构物表面上的界面的展开面积率的曲线图。 图27(a)及图27(b)是表示层状结构物表面中的均方根斜率的曲线图。 图28是例示预涂膜的密合强度的测定结果的一个例子的表。 图29是拍摄的本实施方式的层状结构物内部的图片。 图30是根据层状结构物的形成方法的不同而对平均结晶粒子尺寸进行比较的表。 图31是例示针对通过气溶胶沉积法而形成的层状结构物的XRD测定结果的一个例子 的曲线图。 图32是拍摄的本实施方式的层状结构物的其他的内部的图片。
【具体实施方式】
[0010] 第1个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：基材；及层状结构物，形成 于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，所述层状结构物具有：第1凹 凸结构；及第2凹凸结构，在所述第1凹凸结构上重叠而形成，具有与所述第1凹凸结构相 比更细微的凹凸。
[0011] 根据该耐等离子性构件，能够以减少在半导体的制造工序中产生的微粒为目的而 用不给半导体器件带来不良影响的预涂膜（被膜）大致均匀地覆盖腔室的内壁。此外，能 够提高被膜的密合强度或密合力。层状结构物具有第2凹凸结构在第1凹凸结构上重叠而 形成的结构（类似于分形结构的结构）。因此，可得到通过细微的凹凸结构而产生的锚定 效果，并能够得到相对于基材稳定的密合强度或密合力。此外，在得到锚定效果的层状结构 物之上形成的被膜能够更切实地使反应生成物、微粒等附着于被膜自身的表面从而进行捕 获。由此，能够使在半导体的制造工序中产生的微粒减少。
[0012] 第2个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第1个发明中，所述第1凹凸 结构在所述层状结构物的表面的一部分上形成，且具有结晶粒子的集团脱落的空隙，所述 第2凹凸结构在所述层状结构物的表面的整体上形成，且具有所述结晶粒子的大小细微的 凹凸。
[0013] 根据该耐等离子性构件，在层状结构物表面的大致整体上，可得到因细微的凹凸 结构而产生的锚定效果，并能够得到相对于基材更稳定的密合强度或密合力。此外，在得到 锚定效果的层状结构物之上形成的被膜能够更切实地使反应生成物、微粒等附着于被膜自 身的表面从而进行捕获。由此，能够使在半导体的制造工序中产生的微粒减少。
[0014] 第3个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第1个发明中，所述层状结构 物的表面的算术平均Sa为0. 025 μπι以上0. 075 μπι以下，由所述层状结构物的表面的负 荷曲线求出的中心部的实体体积Vmc为0. 03 μπι3/ μπι2以上0. 08 μπι3/ μπι2以下，由所述层 状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的中空体积Vvc为0. 03 μ m3/ μ m2以上0. 1 μ m 3/ μπι2以下，所述层状结构物的表面的界面的展开面积率Sdr为3以上28以下。
[0015] 根据该耐等离子性构件，层状结构物的表面的3维表面特性变得更明确。由此，能 够进一步提高被膜的密合强度或密合力。此外，被膜能够更切实地使反应生成物、微粒等附 着于被膜自身的表面从而进行捕获。由此，能够使在半导体的制造工序中产生的微粒进一 步减少。
[0016] 第4个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第1个发明中，所述第1凹凸 结构及所述第2凹凸结构是通过实施化学处理形成的。
[0017] 根据该耐等离子性构件，能够得到用于提高被膜的密合强度或密合力、减少微粒 的更优选的第1凹凸结构及第2凹凸结构。
[0018] 第5个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第1个发明中，所述层状结构 物具有所述氧化钇多结晶体的疏密结构。
[0019] 在用被膜覆盖腔室内壁的情况下，需要提高被膜的密合强度或密合力，使被膜不 容易剥落。 对此，根据本发明的耐等离子性构件，由于层状结构物具有氧化钇多结晶体的疏密结 构，因此容易产生第1凹凸结构和第2凹凸结构。即，第1凹凸结构在密度疏的部分中容易 形成。因此，认为第2凹凸结构容易重叠而形成于第1凹凸结构。由此，能够提高被膜的密 合强度或密合力。
[0020] 第6个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第5个发明中，所述疏密结构 之中的疏的部分从所述层状结构物表面的层朝向与所述表面的层相比更深的层变小。
[0021] 在用被膜覆盖腔室内壁的情况下，需要提高被膜的密合强度或密合力，使被膜不 容易剥落。 对此，根据本发明的耐等离子性构件，疏密结构中的疏的部分从层状结构物表面的层 朝向与表面的层相比更深的层变小。因此，细微的凹凸结构的凹部在与层状结构物表面的 层相比更深的层中容易被形成。由此，可得到锚定效果，并能够得到相对于基材稳定的密合 强度或密合力。
[0022] 第7个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第5个发明中，所述疏密结构 在密的部分中三维地分布有密度与所述密的部分的密度相比更小的疏的部分。
[0023] 根据该耐等离子性构件，疏密结构三维地分布于层叠结构物的表面及厚度方向上 (深度方向）。因此，能够进一步提高被膜的密合强度或密合力。
[0024] 第8个发明为一种耐等离子性构件，其特征在于，在第1个发明中，所述层状结构 物是通过气溶胶沉积法形成的。
[0025] 根据该耐等离子性构件，层状结构物与氧化钇烧