在线cvd法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备
【技术领域】
[0001]本发明属于镀膜玻璃生产技术领域，主要涉及一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备。
技术背景
[0002]在线CVD镀膜技术是指在浮法玻璃生产线上，利用高速牵引的、处于高温的清洁浮法玻璃为基板，将镀膜气体引入反应器，在玻璃基板表面经过沉积、扩散、成膜、解析四个CVD反应过程进行在线镀膜。
[0003]锑掺杂氧化锡透明导电薄膜(ATO)可有效阻挡近红外线，具有良好的隔热功能，同时具有可见光透过率较高、电阻率低以及化学稳定性高的优点，可以应用在高档建筑阳光控制镀膜玻璃上。目前一般的ATO薄膜采用溶胶一凝胶法、CVD法镀制；由于SbCl3在室温下为固体，因此使用CVD法进行镀膜时将51^13气化难度较大，设备复杂，如果管路保温不好，容易发生管道堵塞。
【发明内容】
[0004]为解决上述技术问题，本发明的目的是一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备。
[0005]本发明为完成上述目的采用如下技术方案:
一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液，所述的镀膜液采用固态的SbCl3作为掺杂剂，液态的单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC作为锡源，在不添加任何溶剂的前提下，以SbCl3/MBTC或DMTC = 0.01?0.12:1的质量比混合，用水浴法使51^13完全溶解，制成呈浅黄色的锑掺杂氧化锡的透明导电镀膜液。
[0006]水浴法的温度为85°C?95°C，保温时间为5?lOmin。
[0007]薄膜的导电性能实验表明未掺杂的SnO2薄膜以氧缺位施主导电为主，适量Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能，并保持较高的可见光透过率和较低的反射率；薄膜的红外反射性能与薄膜的载流子浓度和迁移率有密切关系，只有提高薄膜的载流子浓度和迁移率，降低薄膜的方块电阻值，才能大幅提高薄膜的红外反射率；镀膜液中SbCl3的含量少于0.01时，薄膜的载流子浓度和迁移率低，薄膜的方块电阻值大，薄膜的低辐射性能不佳；镀膜液中SbCl3的含量超过0.12时，薄膜厚度的增大和掺杂浓度的提高会恶化膜面的平整度，同时过量的掺杂也会影响薄膜的结晶性能。掺杂离子在氧化物中的溶解度有限，而且掺杂离子本身是一种晶格缺陷，对电子有较强的散射作用，掺杂浓度过高，则会严重影响电子的迁移率，恶化导电性，薄膜的方块电阻值增大，低辐射性能受到影响。
[0008]利用上述镀膜液制备镀膜玻璃的工艺包括有基板玻璃的装备和镀膜液的气化；所述镀膜液的气化以镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C ±5°C的温度下对镀膜液进行气化；并将气化后的镀膜液送入镀膜器；与此同时，将剪裁后的基板玻璃就加热至550°C?650°C ;镀膜器将气化后的镀膜液喷射到550°C?650°C下的玻璃基板上形成厚度为300nm?500nm的阳光控制薄膜，从而得到镀膜玻璃。
[0009]为了使玻璃的镀膜更均匀，对基板玻璃需进行多次镀膜，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°后再进行下次镀膜。
[0010]镀膜液气化的过程中，镀膜液进样量为15ml/hr，催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr,镀一层膜所用沉积时间为15s?75s。
[0011]镀膜玻璃的方块电阻大于20/ □，红外透过率小于40%，可见光区透过率40%?60%，镀膜玻璃为淡蓝色。
[0012]本发明提出的一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备，在不添加任何溶剂的条件下，将固态原料SbCl3与单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC混合，使用水浴法促进溶解，制成浅黄色透明澄清溶液，并成功在CVD镀膜系统上实施，制得锑掺杂氧化锡的透明导电薄膜，具有镀膜液配制操作简便、镀膜设备简单、所镀薄膜性能良好的优点。
【附图说明】
[0013]图1为镀膜玻璃的制备工艺流程图。
【具体实施方式】
[0014]结合附图和具体实施例对本发明加以说明:
按照SbCl3/单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC为0.01?0.12:1的比例，采用万分之一电子天平称取SbCl3 X克,放入50ml烧杯中,利用v=m/P计算出所用单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC液体的体积V，用20ml移液枪量取v ml的单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC加入烧杯中，用保鲜膜将烧杯口密封，然后将50ml烧杯放入100ml大烧杯水浴中，在电炉上加热，在85°C?95°C保温5?lOmin，使51^13完全溶解，再冷却至室温即得到呈浅黄色的锑掺杂氧化锡的透明导电镀膜液。
[0015]实施例1:
该实施例中，以SbCl3/单丁基三氯化锡MBTC = 0.01的比例混合制备镀膜液；以所制备镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C温度下进行气化，玻璃基板(150mm*150mm*4 mm)温度为590°C条件下进行镀膜。自制镀膜液进样量为15ml/hr，催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr,单次沉积时间为75s，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°，重复进行四次镀膜，使镀膜更均匀，最后所得样品的方块电阻为20/ □，可见光透过率为 61.02%。
[0016]实施例2:
该实施例中，以SbCl3/单丁基三氯化锡MBTC = 0.05的比例混合制备镀膜液；以所制备镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C温度下进行气化，玻璃基板(150mm*150mm*4 mm)温度为610°C条件下进行镀膜。自制镀膜液进样量为15ml/hr,催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr,单次沉积时间为55s，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°，重复进行四次镀膜，使镀膜更均匀，最后所得样品的方块电阻为87/ □，可见光透过率为 55.79%ο
[0017]实施例3: 该实施例中，以SbCl3/单丁基三氯化锡MBTC = 0.09的比例混合制备镀膜液；以所制备镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C温度下进行气化，玻璃基板(150mm*150mm*4 mm)温度为620°C条件下进行镀膜。自制镀膜液进样量为15ml/hr，催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr,单次沉积时间为35s，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°，重复进行四次镀膜，使镀膜更均匀，最后所得样品的方块电阻大于1000/ □，可见光透过率为47.30%。
[0018] 实施例4:
该实施例中，以SbCl3/单丁基三氯化锡MBTC = 0.12的比例混合制备镀膜液；以所制备镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C温度下进行气化，玻璃基板(150mm*150mm*4 mm)温度为630°C条件下进行镀膜。自制镀膜液进样量为15ml/hr,催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr,单次沉积时间为15s，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°，重复进行四次镀膜，使镀膜更均匀，最后所得样品的方块电阻大于1000/ □，可见光透过率为42.38%。
【主权项】
1.一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液，其特征在于:所述的镀膜液采用固态的SbCl 3作为掺杂剂，液态的单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC作为锡源；在不添加任何溶剂的前提下，将SbCl3与单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC以0.0l?0.12:1的质量比混合，用水浴法使51^13完全溶解，制成呈浅黄色的锑掺杂氧化锡的透明导电镀膜液。
2.根据权利要求1所述的一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液，其特征在于:水浴法的温度为85°C?95°C，保温时间为5?1min。
3.利用权利要求1所述的一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液制备镀膜玻璃的工艺，其特征在于:所述的工艺包括有基板玻璃的装备和镀膜液的气化；所述镀膜液的气化以镀膜液为前驱物，H2O为催化剂，并以压缩空气作为载气，在150°C ±5°C的温度下对镀膜液进行气化；并将气化后的镀膜液送入镀膜器；与此同时，将剪裁后的基板玻璃加热至550°C?650°C ;镀膜器将气化后的镀膜液喷射到550°C?650°C下的玻璃基板上形成厚度为300nm?500nm的阳光控制薄膜，从而得到镀膜玻璃。
4.根据权利要求3所述的一种在线CVD法镀膜玻璃的制备，其特征在于:为了使玻璃的镀膜更均匀，对基板玻璃需进行多次镀膜，每次镀膜结束后，将玻璃基板旋转180°后再进行下次镀膜。
5.根据权利要求3所述的一种在线CVD法镀膜玻璃的制备，其特征在于:镀膜液气化的过程中，镀膜液进样量为15ml/hr，催化剂H2O进样量为0.8225ml/hr，镀一层膜所用沉积时间为15s?75s。
6.根据权利要求3所述的一种在线CVD法镀膜玻璃的制备，其特征在于:镀膜玻璃的方块电阻大于20?/ □，红外透过率小于40%，可见光区透过率40%?60%，镀膜玻璃为淡蓝色。
【专利摘要】本发明属于镀膜玻璃生产技术领域，主要涉及一种在线CVD法阳光控制膜用镀膜液及镀膜玻璃的制备。提出的镀膜液采用固态的SbCl3作为掺杂剂，液态的单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC作为锡源；在不添加任何溶剂的前提下，将SbCl3与单丁基三氯化锡MBTC或二甲基二氯化锡DMTC以0.01～0.12:1的质量比混合，用水浴法使SbCl3完全溶解，制成呈浅黄色的锑掺杂氧化锡的透明导电镀膜液。本发明有镀膜液配制操作简便、镀膜设备简单、所镀薄膜性能良好的优点。
【IPC分类】C03C17-23
【公开号】CN104628264
【申请号】CN201510052663
【发明人】刘晓娟, 赖新宇, 吕皓, 崔永红, 鲍思权, 陈 峰
【申请人】海南中航特玻科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月2日