专利名称：一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置的利记博彩app
技术领域：
一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种多晶硅生产中的三氯氢硅生成的高温混合气及多晶硅尾气处理的传热传质装置。
背景技术：
[0002]进入二十世纪以来，科学技术的迅速发展，世界人口的急剧膨胀，人类对能源的需求越来越大，急需太阳能、风能、核能、地热能等新的可持续能源。而在风能、太阳能、水能、 生物质能、地热能、海洋能和核能等诸多新能源中，太阳能作为无污染、储量最丰富的可再生能源，无论是从安全性、地域限制、配置灵活等各方面比较，太阳能的利用越来越受到广泛的重视。[0003]此前日本发生的核电站泄漏事故引发的核电安全问题，引起了世界各国的重视， 中国全面审查在建核电站，暂停审批核电项目。德国方面已经明确表示将加快退出核电步伐，德国有可能是第一个退出核电的发达国家，一些国家虽无明确的态度，但对核电站的建设实行更为严格的标准是毫无疑问的。[0004]光伏产业近10年来的增长幅度都维持在30%以上，尤其是2010年全球新增光伏装机17. 5GW，同比增幅达130%，根据相关机构的预计，未来10年光伏产业仍将维持30% 左右的增幅，如此持久而迅速增长的行业是非常少见的。[0005]中国是产硅大国，是世界上产能最大的冶金硅生产国，但我国的多晶硅生产技术落后，在国外硅业巨头的把持下，严重依赖国外，仅在2010年，国内的多晶硅产量为3. 5万吨，进口量达到4万吨。高纯度多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其它材料替代硅材料而成为电子和光伏产业的主要原材料。截止到 2010年12月底，全国16省市共投资52个多晶硅项目，33家公司规划多晶硅产能146750 吨。根据中国的可再生能源发展态势，多晶硅材料的需求猛长，供需失衡，因此中国是多晶硅最短缺的国家。[0006]目前多晶硅的生产工艺主要有西门子改良法(硅芯沉积法)、硅烷热分解法、流化床法和冶金法。西门子改良法是目前使用最多的工艺，是在三氯氢硅制备过程中，纯度较高的硅粉和液氯在沸腾炉内发生反应，产生三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅及氯化氢等高温混合气，需要对这些混合气体进行冷却处理，再输往精馏塔进行精馏，精馏得到的三氯氢硅在还原炉内生产多晶硅。[0007]传统的用于多晶硅生产能过程中用于冷却的淋洗塔一般采用的是空淋塔，顶部设有喷嘴，冷凝液从顶部喷嘴喷洒下来将高温硅烷气等混合气体进行冷却处理。[0008]然而传统的淋洗塔存在着许多不足[0009]1、冷凝效果不好，冷凝液直接从顶部喷嘴喷下，直接与高温混合气体接触，气液接触不充分，造成冷凝液用量过大，但冷却效率仍然低下。[0010]2、由于冷凝液从喷嘴喷下，混合气体中含有高温硅粉，硅粉很细，很容易使喷嘴堵塞，增加了设备的运行难度，需要对喷嘴进行定期清理或更换。[0011]3、由于高温混合气的上升，与从顶部喷嘴喷洒下来的冷凝液接触后，很容易形成雾气，造成气液传热和传质不高，最终影响冷凝效率。[0012]4、硅粉颗粒冷却后容易吸附在淋洗塔内壁，容易造成淋洗塔底部堵塞。 实用新型内容[0013]本实用新型的目的是针对传统淋洗塔存在的一系列问题，提供一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置，本实用新型用于多晶硅生产中冷却三氯氢硅、四氯化硅、 二氯二氢硅和氯化氢等高温混合气体，冷凝效果好，同时也解决了高温混合气夹带的金属硅粉使喷嘴容易堵塞的问题。[0014]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置，它包括塔筒、冷凝器、旋流除雾板和若干旋流装置，其中，所述旋流装置包括旋流板、异形接管、圆形溢流管和环形集液槽；旋流板主要由中心盲板和固定在中心盲板上的旋流叶片组成；气体出口在塔筒顶部，冷凝器固定在塔筒内，旋流除雾板位于冷凝器下方，并固定在塔筒内，塔筒侧壁在旋流除雾板下方开有进液口，若干旋流装置在进液口下方依次固定在塔筒内，塔筒侧壁在最底层旋流装置的下方开有进气口，塔筒底部开有液体出口 ；旋流板下接异形接管，圆形溢流管与异形接管相连，圆形溢流管的底部联结，环形集液槽位于塔筒的壁面与旋流板之间。[0015]本实用新型装置比起传统的空淋洗塔和带折板的淋洗塔，具有以下技术效果[0016]1、冷凝效率更高旋流板提供了良好的气液接触机会，高温混合气与冷凝液接触充分完全，冷凝效果大大改善；[0017]2、解决了金属硅粉及杂质的堵塞问题本实用新型装置直接通过管道进行淋洗， 无喷嘴装置，解决了金属硅粉容易对喷嘴造成堵塞的问题；[0018]3、本实用新型装置在塔顶增加的旋流板作为除雾板，可达到除雾的效果，气流上升通过旋流板后发生旋转，靠离心力使雾滴甩向管壁而得以分离，使得传热传质效果较好， 冷凝效率进一步提高；[0019]4、本实用新型装置中旋流板可达到除去金属硅粉效果高温混合气上升逐层通过旋流板，在离心力作用下，金属硅粉受到冷凝液液滴发生碰撞、附着、凝聚、离心分离等综合性的作用，被甩到塔壁，随塔壁液体膜流向塔底；[0020]5、本实用新型装置中，由于高温混合气通过一层层的旋流装置的同时，筒体内旋转次数增加、通过的路径增长，延长了上升的时间，可以使未反应的硅粉与氯化氢继续反应。高温混合气体在冷却的同时，也能使氯氢化反应在淋洗塔内反应得更加充分。
[0021]图1为多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置示意图；[0022]图中，冷凝器1、旋流除雾板2、进液口 3、旋流板4、中心盲板5、异形接管6、圆形溢流管7、气体出口 8、塔筒9、进气口 10、液体出口 11、环形集液槽12。
具体实施方式
[0023]本实用新型装置用液态三氯氢硅通过塔筒上方进入，利用内部的旋流板来冷却高温混合气体及其他杂质。挟带有金属硅粉的高温混合气体，经液体三氯氢硅洗涤，气体中的部分细小硅尘被洗下。本实用新型装置，可用于在三氯氢硅合成中，对冶金级金属硅粉和氯化氢反应生成三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢和硅粉等高温混合气体的处理，可将300°C的高温气体降温至70°C;也可用于冷氢化反应生成的高温混合气体的处理，可将500°C的高温混合气体降温至200°C ；也可用于多晶硅尾气的冷却处理。本实用新型多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置，包括塔筒9、冷凝器 1、旋流除雾板2和若干旋流装置，其中旋流装置包括旋流板4、异形接管6、圆形溢流管7和环形集液槽12。旋流板4主要由中心盲板5和固定在中心盲板5上的旋流叶片组成。气体出口 8在塔筒9顶部，冷凝器1固定在塔筒9内，旋流除雾板2位于冷凝器1下方，并固定在塔筒9内，塔筒9侧壁在旋流除雾板2下方开有进液口 3，若干旋流装置在进液口 3下方依次固定在塔筒9内，塔筒9侧壁在最底层旋流装置的下方开有进气口 10，塔筒9底部开有液体出口 11。旋流板4下接异形接管6，圆形溢流管7与异形接管6相连，并将圆形溢流管 7的底部联结，在塔筒壁与旋流板之间是环形集液槽12。本实用新型的工作过程如下需要冷却的高温混合气体(混合气体包括由三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅组成的硅烷气，氯化氢和高温硅粉)从塔筒9中下方进气口 10 进入。液态三氯氢硅通过塔筒9上方进液口 3进入，落于下面的旋流板4的中心盲板5上， 被击成细流后分配到各旋流叶片，形成薄液层，并被上升的气流喷洒成液滴。液滴随气流运动的同时被离心力甩至塔筒9的塔壁，形成沿塔壁旋转的液环，并受重力作用而下流，沿着环形的集液槽12，再通过异形接管6和圆形溢流管7流到下一旋流装置的中心盲板5上，重复上述过程，高温混合气从塔中下部进气口 10通过旋流板4螺旋上升，与液体三氯氢硅充分完全的接触，最终液体及金属硅粉从液体出口 11出来，冷却后的高温混合气体经过旋流除雾板2除雾，冷凝器1冷凝后，从塔顶顶端气体出口 8出去。可以依照实际的生产要求设若干旋流装置，来达到工艺要求。
权利要求1. 一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置，其特征在于，它包括塔筒 (9)、冷凝器(1)、旋流除雾板(2)和若干旋流装置，其中，所述旋流装置包括旋流板(4)、异形接管(6)、圆形溢流管(7)和环形集液槽(12)；旋流板(4)主要由中心盲板(5)和固定在中心盲板(5)上的旋流叶片组成；气体出口(8)在塔筒(9)顶部，冷凝器(1)固定在塔筒(9) 内，旋流除雾板(2)位于冷凝器(1)下方，并固定在塔筒(9)内，塔筒(9)侧壁在旋流除雾板 (2 )下方开有进液口( 3 )，若干旋流装置在进液口( 3 )下方依次固定在塔筒(9 )内，塔筒(9 ) 侧壁在最底层旋流装置的下方开有进气口(10)，塔筒(9)底部开有液体出口(11)；旋流板 (4)下接异形接管(6)，圆形溢流管(7)与异形接管(6)相连，圆形溢流管(7)的底部联结， 环形集液槽(12)位于塔筒(9)的壁面与旋流板(4)之间。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅生产过程中的带旋流板的传热传质装置，它包括塔筒、冷凝器、旋流除雾板和若干旋流装置，旋流装置包括旋流板、异形接管、圆形溢流管和环形集液槽；旋流板提供了良好的气液接触机会，高温混合气与冷凝液接触充分完全，冷凝效果大大改善；本实用新型装置直接通过管道进行淋洗，无喷嘴装置，解决了金属硅粉容易对喷嘴造成堵塞的问题；本实用新型装置在塔顶增加的旋流板作为除雾板，可达到除雾的效果，气流上升通过旋流板后发生旋转，靠离心力使雾滴甩向管壁而得以分离，使得传热传质效果较好，冷凝效率进一步提高。
文档编号C01B33/107GK202246102SQ20112037162
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月28日 优先权日2011年9月28日
发明者陆飞飞 申请人:陆飞飞