专利名称：超净高纯级硫酸提取装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种超净高纯级硫酸提取装置，属于电子化学品生产设备技术领 域。
背景技术：
硫酸是一种无色无味油状液体，是一种高沸点难挥发的强酸，易溶于水，能以任意 比与水混溶。硫酸是基本化学工业中重要产品之一。在电子化学品领域，作为强酸清洗腐 蚀剂，可以与双氧水配置使用。用于电子化学领域的化学产品，要求达到MOS(金属-氧化 物-半导体)标准。而优级的硫酸中含有较多的金属杂质(如铁离子等)和非金属杂质 (如砷等)，需要将其去除。通常的做法是在优级的硫酸中加入除杂剂H除杂后过滤，其虽 可以去除砷等杂质，但是除杂后的产品纯度降低，不能满足电子化学品领域使用要求。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种能去除硫酸中的杂质、提高其洁 净度及纯度的超净高纯级硫酸提取装置。本实用新型的目的是这样实现的一种超净高纯级硫酸提取装置，其特征在于 它包括储槽、高位槽、精馏釜、冷凝器、第一废酸槽、过滤器、成品槽、再沸器和第二废酸槽；所述储槽出口与高位槽进口相连，所述高位槽出口与精馏釜进口相连，所述精馏 釜顶端出口与冷凝器进口相连接，所述冷凝器出口分别与第一废酸槽和过滤器相连接，所 述过滤器出口与成品槽相连接，所述冷凝器出口管线与精馏釜之间设置有回流管；所述精馏釜下方连接有再沸器；所述精馏釜底端出渣口与第二废酸槽相连接。所述精馏釜为石英釜。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型超净高纯级硫酸提取装置，通过除杂后再通过精馏分级，得到的成品 酸杂质含量少、纯度高，可达到MOS (金属-氧化物-半导体)标准，满足电子化学品领域使 用要求。
图1为本实用新型超净高纯级硫酸提取装置的结构示意图。其中储槽1、高位槽2、精馏釜3、冷凝器4、第一废酸槽5、过滤器6、成品槽7、再沸器8、 第二废酸槽9、回流管10。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种超净高纯级硫酸提取装置，主要由储槽1、高位槽2、精馏釜3、冷凝器4、第一废酸槽5、过滤器6、成品槽7、再沸器8和第二废酸槽9组成；所述储槽1出口与高位槽2进口相连，所述高位槽2出口与精馏釜3进口相连，所 述精馏釜3顶端出口与冷凝器4进口相连接，所述冷凝器4出口分别与第一废酸槽5和过 滤器6相连接，所述过滤器6出口与成品槽7相连接，所述冷凝器4出口管线与精馏釜3之 间设置有回流管10 ；所述精馏釜3下方连接有再沸器8 ；所述精馏釜3底端出渣口与第二废酸槽9相连接。所述精馏釜3为石英釜。使用时，将硫酸原料中加入少量除杂剂H，出去其中的砷和二氧化硫，用负压注入 高位槽中，然后进入精馏釜中精馏，分馏出的组份按沸点可分为高、中、低三种，其比例约为 1 10 0.5，高沸点组份经由回流管回至精馏釜中作为原料重新使用，中沸点组份即为成 品，低沸点组份作为废料处理。精馏釜内的残渣通过底端出渣口排放至第二废酸槽中。
权利要求一种超净高纯级硫酸提取装置，其特征在于它包括储槽(1)、高位槽(2)、精馏釜(3)、冷凝器(4)、第一废酸槽(5)、过滤器(6)、成品槽(7)、再沸器(8)和第二废酸槽(9)；所述储槽(1)出口与高位槽(2)进口相连，所述高位槽(2)出口与精馏釜(3)进口相连，所述精馏釜(3)顶端出口与冷凝器(4)进口相连接，所述冷凝器(4)出口分别与第一废酸槽(5)和过滤器(6)相连接，所述过滤器(6)出口与成品槽(7)相连接，所述冷凝器(4)出口管线与精馏釜(3)之间设置有回流管(10)；所述精馏釜(3)下方连接有再沸器(8)；所述精馏釜(3)底端出渣口与第二废酸槽(9)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种超净高纯级硫酸提取装置，其特征在于所述精馏釜(3)为石英釜。
专利摘要本实用新型涉及一种超净高纯级硫酸提取装置，其特征在于它包括储槽(1)、高位槽(2)、精馏釜(3)、冷凝器(4)、第一废酸槽(5)、过滤器(6)、成品槽(7)、再沸器(8)和第二废酸槽(9)；所述储槽(1)出口与高位槽(2)进口相连，所述高位槽(2)出口与精馏釜(3)进口相连，所述精馏釜(3)顶端出口与冷凝器(4)进口相连接，所述冷凝器(4)出口分别与第一废酸槽(5)和过滤器(6)相连接，所述过滤器(6)出口与成品槽(7)相连接。本实用新型超净高纯级硫酸提取装置，通过除杂后再通过精馏分级，得到的成品酸杂质含量少、纯度高，可达到MOS(金属-氧化物-半导体)标准，满足电子化学品领域使用要求。
文档编号C01B17/90GK201770478SQ20102025086
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者戈士勇 申请人:江阴市润玛电子材料有限公司