专利名称：氢氧化钕的生产工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及氢氧化钕的生产工艺。
背景技术：
计算机、手机、数码相机、光纤通信、微波通信以及汽车等终端产品都离不开功能陶瓷元件。功能陶瓷元件有多层陶瓷电容器、光纤通信用的光效放大器、光隔离器、微波通信用的微波铁氧体以及连接光纤套圈等。超微氢氧化钕主要用于多层陶瓷电容器，它具有纯度高、粒度小、粒度分布窄等优点，它们的掺入可大大提高功能陶瓷元件的性能。
传统生产氢氧化钕的方法是氧化钕用硝酸溶解转化成硝酸镧，硝酸镧加入到氨水中沉淀，沉淀物用水洗涤除去硝酸根，然后过滤、烘干、粉碎得到氢氧化钕产品。该方法的主要缺点是1、氢氧化钕洗涤困难；2、产品含有硝酸根离子，以氧化物计总稀土的量较难达到84.0％-86.0％的指标；3、氢氧化钕过滤困难，容易穿滤；4、烘干物料结块，需要粉碎；5、粉碎的产品粒度分布不好。以下为传统方法生产的产品主要指标
发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种不引入阴离子杂质，工艺简化，产品粒度小、粒度分布窄的氢氧化钕的生产工艺。
本发明的氢氧化钕的生产工艺，其特征在于由氧化钕和水反应生成，生成物经过烘干。
氧化钕与水反应，它们之间的理论消耗量为La2O3∶H2O＝1∶0.16(重量比)，作为水的用量可以大于或等于该数值即可，但考虑工艺的可靠性、经济性及反应进行的顺利性，水的用量最好为氧化钕重量的1～10倍，优选3-6倍。
氧化钕与水的反应属于放热反应，反应在室温下即可进行，本发明提供反应的起始温度优选50～90℃。
反应的生成物进行烘干的方式可以是静态的(烘箱烘干)，也可以是动态的(喷雾烘干)。烘干温度为100～300℃。
反应完成后，生成物经过动态烘干就可达到本发明的要求，如果生成物经过静态烘干，烘干后研磨就可达到本发明的要求。
为了保证产品质量，氧化钕的规格可以选择高含量的，99.5～99.99％。
为了保证产品质量，水选用净化处理后的高纯水，其电导率小于5.0us/cm得到的氢氧化钕的外观为紫罗兰色本发明的优点1、产品中不含有阴离子杂质，产品的稀土总量(以氧化物计)达到85.5％，接近理论量。
2、省去了过滤、粉碎工序，简化了工艺，降低了生产成本。
3、产品不需要粉碎，产品粒度分布比较窄，D50小于1.0μm。
如图1，SEM照片(扫描电镜)，可以证明产品的粒度比较小。
如图2，产品的XRD(谱图)，与纯的氢氧化钕的标准谱图比较，比较一致，说明产品是纯净的氢氧化钕。
如图3，为氢氧化钕的粒度分布图，说明产品的粒度分布比较窄，图4为传统生产工艺得到的氢氧化钕的粒度分布图与图3形成对比。
图1为氢氧化钕的SEM照片。
图2为氢氧化钕的XRD谱线。
图3为氢氧化钕粒度分布图。
图4为采用传统工艺得到的氢氧化钕的粒度分布图。
具体实施例方式
实施例一在反应器中加入5倍氧化钕重量的水，在搅拌状态下缓慢加入氧化钕，起始温度为50℃，随着氧化钕的加入反应产生大量的热，温度升高到100度以上。当氧化钕加入完毕后，搅拌下反应2小时，然后冷却放料。在200℃下进行喷雾烘干，得到符合图1～3所示的氢氧化钕产品。
实施例二同实施例一，不同的是反应完毕，冷却后的物料先在105℃下静态烘干，烘干后进行研磨，得到的产品效果同实施例一。
权利要求
1.氢氧化钕的生产工艺，其特征在于由氧化钕和水反应生成，生成物经过烘干。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于水的用量为氧化钕重量的1～10倍。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于反应的起始温度为50～90℃。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于生成物烘干采用动态烘干的方式。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于生成物烘干采用静态烘干，烘干后进行研磨。
全文摘要
氢氧化钕的生产工艺，其特征在于由氧化钕和水反应生成，生成物经过烘干。水的用量最好为氧化钕重量的1～10倍，反应的起始温度最好在50℃以上。本发明得到的产品中不含有阴离子杂质，产品的稀土总量(以氧化物计)达到85.5％，接近理论量。省去了过滤、粉碎工序，简化了工艺，降低了生产成本。产品不需要粉碎，产品粒度分布窄，D50小于1.0μm。
文档编号C01F17/00GK1456509SQ0211038
公开日2003年11月19日 申请日期2002年5月10日 优先权日2002年5月10日
发明者俞小源, 马勇, 柯阳, 达建文, 陈璠, 王庆杰 申请人:淄博华庆粉体材料技术有限公司