一种湿法刻镍溶液的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了薄膜电路基板制造中的一种湿法刻镍溶液，包含三氯化铁、弱酸、过氧化物促进剂和去离子水。采用本发明的刻镍溶液，刻镍侧腐蚀较小，溶液对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板和硅基板等无刻蚀现象，对钛钨膜层、金膜层等几乎无影响。
【专利说明】一种湿法刻镜溶液
【技术领域】
[0001] 本发明涉及薄膜电路基板制造中的金属膜层湿法刻蚀领域，特别涉及一种湿法刻 镍溶液。
【背景技术】
[0002] 薄膜电路由于具有高面电阻率、低电阻温度系数和高电路稳定性等特点，特别适 合可靠性要求高的高速高频电路。随着通信技术向高频化发展，薄膜电路基板作为通信设 备中的关键部件，在微波产品中的应用越来越广泛。
[0003] 为了提高薄膜电路基板耐金锡共晶和耐铅锡焊接的能力，金属导带常采用钛钨/ 镍/金膜层体系。在薄膜电路制造过程中，金属导带以外的钛钨、镍、金常采用湿法刻蚀的 方法去除。现有的湿法刻镍溶液要么侧腐蚀较大，要么对基底材料或钛钨及金膜层等有不 同程度的影响。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种侧腐蚀较小，对基地材料、钛钨及金膜层几乎无影响 的湿法刻镍溶液。
[0005] 本发明的目的是这样实现的，一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括： 三氯化铁2%?8%、弱酸5%?15%、过氧化物促进剂1 %?5%，余量为去离子水。
[0006] 作为对本发明的进一步改进，三氯化铁3%?5%、弱酸7%?12%、过氧化物促进 剂1 %?4%，余量为去离子水。
[0007] 其中，所述的弱酸为醋酸或柠檬酸。
[0008] 其中，所述的过氧化物促进剂为过氧醋酸或过氧化氢。
[0009] 本发明与现有技术相比所取得的有益效果为：
[0010] 现有的湿法刻镍溶液大多含有强酸，侧腐蚀普遍较大。而且有的刻镍溶液对石英 基材、LTCC基材、钛钨膜层、金膜层等有不同程度的影响。不能满足不同基地材料上钛钨/ 镍/金膜层体系的湿法刻镍质量要求。本发明把三氯化铁和盐酸溶液体系中的盐酸换成弱 酸，同时加入适量的过氧化物促进剂，使上述问题得到有效解决。与现有技术相比，取得的 有益效果为：
[0011] 1、刻镍侧腐蚀较小；
[0012] 2、溶液对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板和硅基板无刻蚀现象；
[0013] 3、溶液对钛钨膜层、金膜层等几乎无影响。
【具体实施方式】
[0014] 本发明的一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括：三氯化铁2%? 10%、弱酸5%?15%、过氧化物促进剂1 %?5%，余量为去离子水。
[0015] 实施例1、用重量百分比三氯化铁2%、醋酸5%、过氧醋酸5%的配方配制刻镍溶 液①：称取2. 3g三氯化铁放入石英杯中；称取lOOg去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三 氯化铁完全溶解；加入5. 7g醋酸并搅拌均匀；加入5. 7g过氧醋酸并搅拌均匀。
[0016] 预先在溅镍厚度1 μ m的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行 测量。将试片放入刻镍溶液①中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮 气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1 μ m的镍 层，侧腐蚀< 1. 2 μ m。
[0017] 实施例2、用重量百分比三氯化铁3%、醋酸8%、过氧化氢2%的配方配制刻镍溶 液②：称取3. 5g三氯化铁放入石英杯中；称取100g去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使三 氯化铁完全溶解；加入9. 2g醋酸并搅拌均匀；加入2. 3g过氧化氢并搅拌均匀。
[0018] 预先在溅镍厚度1 μ m的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行 测量。将试片放入刻镍溶液②中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮 气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1 μ m的镍 层，侧腐蚀彡〇. 7 μ m。
[0019] 实施例3、用重量百分比三氯化铁8%、醋酸15%、过氧化氢1 %的配方配制刻镍溶 液③：称取10. 5g三氯化铁放入石英杯中；称取100g去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使 三氯化铁完全溶解；加入20g醋酸并搅拌均勻；加入1. 5g过氧化氢并搅拌均勻。
[0020] 预先在溅镍厚度1 μ m的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行 测量。将试片放入刻镍溶液③中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮 气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1 μ m的镍 层，侧腐蚀< 1. 37 μ m。
[0021] 实施例4、用重量百分比三氯化铁7. 8 %、柠檬酸14. 8 %、过氧化氢3. 7 %的配方配 制刻镍溶液④：称取l〇g三氯化铁放入石英杯中；称取l〇〇g去离子水加入石英杯中，搅拌 溶液使三氯化铁完全溶解；加入20g朽 1檬酸并搅拌均勻；加入1. 5g过氧化氢并搅拌均勻。
[0022] 预先在溅镍厚度1 μ m的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行 测量。将试片放入刻镍溶液④中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮 气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1 μ m的镍 层，侧腐蚀< 1. 5 μ m。
[0023] 实施例5、用重量百分比三氯化铁4%、柠檬酸12%、过氧醋酸2. 4%的配方配制刻 镍溶液⑤：称取5g三氯化铁放入石英杯中；称取100g去离子水加入石英杯中，搅拌溶液使 三氯化铁完全溶解；加入15g柠檬酸并搅拌均匀；加入3g过氧醋酸并搅拌均匀。
[0024] 预先在溅镍厚度1 μ m的试片上加工好光刻胶图形，并对光刻胶线条的宽度进行 测量。将试片放入刻镍溶液⑤中，待光刻胶以外的镍层刻蚀干净后，取出试片，水洗并用氮 气吹干；去除光刻胶，对镍线条的宽度进行测量，并计算出侧腐蚀量。对于厚度1 μ m的镍 层，侧腐蚀< 1. 65 μ m。
[0025] 实施例6、用上述①、②、③、④、⑤刻镍溶液分别浸泡薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石 英基板、硅基板、钛钨膜层和金膜层各l〇min，刻镍溶液①、②、③、④、⑤对薄膜陶瓷基板、 LTCC基板、石英基板、硅基板、钛钨膜层和金膜层几乎无影响。
【权利要求】
1. 一种湿法刻镍溶液，其特征在于按重量百分比包括：三氯化铁2%?10%、弱酸 5%?15%、过氧化物促进剂1 %?5%，余量为去离子水。
2. 根据权利要求1所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于：三氯化铁3%?5%、弱酸 7%?12%、过氧化物促进剂1 %?4%，余量为去离子水。
3. 根据权利要求1或2所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于：所述的弱酸为醋酸或 柠檬酸。
4. 根据权利要求1或2所述的一种湿法刻镍溶液，其特征在于：所述的过氧化物促进 剂为过氧醋酸或过氧化氢。
【文档编号】C23F1/28GK104195556SQ201410474471
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年9月17日 优先权日:2014年9月17日
【发明者】党元兰, 赵飞, 刘晓兰, 徐亚新, 梁广华, 朱二涛, 严英占, 唐小平, 杨宗亮, 王康, 刘志斌, 周拥华, 李朝, 刘颖 申请人:中国电子科技集团公司第五十四研究所