氧化亚锡织构薄膜及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种氧化亚锡织构薄膜及其制备方法，本发明采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积得到氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，通过金属氧化物覆盖层的作用改变氧化亚锡薄膜的表面能，进而达到控制热处理过程中氧化亚锡主体层结晶取向，从而得到择优取向为（101）的氧化亚锡织构薄膜。本发明的氧化亚锡织构薄膜对衬底要求不高，采用普通的石英即可，且制备工艺简单，成本低廉，采用电子束蒸发法，可大面积均匀成膜，适用于商业生成。
【专利说明】氧化亚锡织构薄膜及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体薄膜【技术领域】，尤其涉及一种氧化亚锡织构薄膜及其制备方法。
【背景技术】
[0002]氧化亚锡是一种简单的二元氧化物，由于氧化亚锡层状结构的各向异性，导致它的输运性质也是各向异性的。根据理论计算，氧化亚锡的有效空穴质量是各向异性的，从而使空穴在层内的跳跃传导比层间更容易。因此，通过实验的方法调节氧化亚锡的结晶取向显得十分重要。目前，氧化亚锡已经在薄膜晶体管、气体传感器等方面得到广泛的研究，尤其是已经制备出性能优良的以氧化亚锡作为沟道层的P型和双极性薄膜晶体管。
[0003]所谓氧化物织构薄膜，是指只有一种结晶取向的薄膜。目前，已报道的氧化亚锡织构薄膜都是在较高的温度下，昂贵的单晶衬底上获得(001)取向的氧化亚锡外延膜。例如，Yoichi Ogo等通过脉冲激光沉积的方法，在YSZ单晶衬底上，575°C的高温下，获得
(001)取向的外延膜，并用所得氧化亚锡外延膜制备出了 ρ沟道薄膜晶体管。(p-channelthin-film transistor using p-type oxide semiconductor, SnO, Yoichi Ogo, HidenoriHiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya et al, APPLIED PHYSICSLETTERS93, 032113, 2008) ;W.Guo等在Y -面Al2O3单晶衬底上，600°C，通过电子束蒸发的方法，也制备出(001)取向的外延膜。(Microstructure, optical, and electricalproperties o f p-type SnO thin films, ff.Guo,L.Fu, Y.Zhang et al, APPLIED PHYSICSLETTERS96, 042113, 2010)。
[0004]然而，在较低温度下的普通衬底上，实现氧化亚锡(001)取向以及其他面择优生长的报道则较少。结晶取向不同，薄膜的微观结构、物理性质等也会有明显的差异。现有技术虽然通过直流反应磁控溅射的方法，在工作气压为l.SmTorr，氧分压为15%的条件下获得了(101)的择优取向，但是也出现了(110)、(112)等取向的衍射峰。具有不同结晶取向的SnO薄膜，可以满足薄膜晶体管、有机发光器件、气体传感器等领域的不同应用要求。因此，通过简单的方法获得不同结晶取向的薄膜，在半导体薄膜【技术领域】有着广泛的应用前景。
【发明内容】
[0005]针对现有的氧化亚锡织构薄膜及其制备方法的不足，本发明提供了一种具有
(101)择优取向的氧化亚锡织构薄膜及其制备方法。
[0006]一种氧化亚锡织构薄膜，从下至上依次包括:衬底，氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，所述氧化亚锡主体层中氧化亚锡的择优取向为(101)。
[0007]金属氧化物覆盖层改变了氧化亚锡的Sn/Ο、氧化亚锡的表面能以及氧化亚锡和衬底间的界面能，从而控制了薄膜的结晶取向，金属氧化物覆盖层应该性能稳定，不与氧化亚锡主体层反应，能减少氧的扩散等，如:A1203、ZnO、Y203、HfO2等。
[0008]由于氧化铝来源广泛，价格便宜，制备工艺简单，制成器件时与COMS工艺兼容性好。作为优选，所述金属氧化物覆盖层为氧化铝薄膜。
[0009]作为优选，所述金属氧化物覆盖层的厚度为8~45nm。金属氧化物覆盖层太薄时金属氧化物覆盖层可能没有形成完整的膜，不容易结晶；太厚的覆盖层，增加了整个膜系的厚度，不利于器件的应用。
[0010]所述氧化亚锡主体层的厚度为18~57nm。所述氧化亚锡主体层的厚度大于金属氧化物覆盖层的的厚度。太薄的氧化亚锡主体层，氧化亚锡是非晶的；太厚的主体层，就会出现其他方向的衍射峰。作为优选，所述氧化亚锡主体层的厚度为25~35nm。
[0011]所述的衬底为载玻片、热氧化硅片、石英、硅片。所选衬底要相对于其他单晶衬底具有成本低以及衬底预处理工艺简单等特点。尤其是石英，在可见光区透明度高达90%以上，是全透明光电子及电子器件的理想衬底材料。
[0012]本发明还提供上述氧化亚锡织构薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0013](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗、干燥后的衬底上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为I~2nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到18~57nm时停止沉积；
[0014](2)采用电子束蒸发法蒸发金属氧化物蒸发料，在氧化亚锡主体层沉积得到金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.3~0.8nm/min,当金属氧化物覆盖层的厚度达到8~45nm时停止沉积；
[0015](3)将沉积有氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化 亚锡织构薄膜。退火温度为350~450°C，退火时间为5~30min。
[0016]其中，衬底的清洗步骤为:用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗各2次，每次15min,最后用N2吹干。
[0017]电子束蒸发镀膜设备，具有操作简单、可大面积均匀成膜等优势。作为优选，薄膜制备时选择电子束蒸发系统。
[0018]作为优选，沉积得到氧化亚锡主体层的沉积速率为1.6~1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到25~35nm时停止沉积。
[0019]作为优选,沉积得到金属氧化物覆盖层的沉积速率为0.6~0.8nm/min,当金属氧化物覆盖层的厚度达到8~45nm时停止沉积。
[0020]作为优选，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0021]Ar气为惰性气体，退火时不与SnO薄膜发生反应。作为优选，退火气氛为Ar气。
[0022]本发明中的氩气气氛使用的氩气纯度为99.999%。
[0023]所述步骤(1)中电子束蒸发时沉积得到氧化亚锡主体层时沉积参数如下:衬底温度为室温，本底真空度为I X 10_3~6 X 10_6Pa。
[0024]所述步骤(2)中电子束蒸发时沉积得到金属氧化物覆盖层时沉积参数如下:衬底温度为室温，本底真空度为I X 10_3~6 X 10_6Pa。
[0025]本发明还提供了具有一种择优取向为(OOl)的氧化亚锡织构薄膜，该织构薄膜从下至上依次包括:衬底，氧化亚锡主体层，所述氧化亚锡主体层中氧化亚锡的择优取向为
(OOl)，氧化亚锡主体层的厚度为18~57nm。该织构薄膜的制备过程如下:
[0026](a)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗、干燥后的衬底上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为I~2nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到18~57nm时停止沉积；
[0027](b)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到多晶氧化亚锡薄膜，退火温度为350~450°C，退火时间为5~30min。
[0028]本发明中所述的为(001)为(001)和(002)。
[0029]本发明的氧化亚锡织构薄膜及其制备方法中采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积得到氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，通过金属氧化物覆盖层的作用改变在氧化亚锡薄膜的表面能，进而达到控制热处理过程中氧化亚锡主体层结晶取向，从而得到择优取向为(101)的氧化亚锡织构薄膜。本发明的氧化亚锡织构薄膜对衬底要求不高，采用普通的石英即可，且制备工艺简单，成本低廉，采用电子束蒸发法，相对于脉冲激光沉积、磁控溅射等操作简单、且可大面积均匀成膜，适用于商业生成。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1是本发明的氧化亚锡织构薄膜的结构示意图；
[0031 ]图2为实施例1和对比例I中的氧化亚锡织构薄膜的XRD谱图；
[0032]图3为实施例2和对比例2中的氧化亚锡织构薄膜的XRD谱图；
[0033]图4为实施例3和对比例3中的氧化亚锡织构薄膜的XRD谱图；
[0034]图5为实施例4和对比例4中的氧化亚锡织构薄膜的XRD谱图；
[0035]图6为实施例5和对比例5中的氧化亚锡织构薄膜的XRD谱图；
[0036]其中，XRD谱图的横`轴为衍射角(2 Θ )，纵轴为强度(Intensity)。
【具体实施方式】
[0037]下面将结合具体实施例和对比例以及附图对本发明做进一步说明。
[0038]实施例1
[0039]本实施例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0040](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的载玻片上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0041](2)采用电子束蒸发法蒸发颗粒状氧化铝蒸发料，在氧化亚锡主体层上沉积得到氧化铝薄膜作为金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.6nm/min,当氧化铝薄膜的厚度达到8nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0042](3)将沉积有氧化亚锡主体层和氧化铝薄膜的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0043]由以上方法制备得到的氧化亚锡织构薄膜如图1所示，从下至上依次包括:衬底I(本实施例中为载玻片)、氧化亚锡主体层2和金属氧化物覆盖层3 (本实施例中为氧化铝薄膜)，其中氧化亚锡主体层2的厚度为26nm，金属氧化物覆盖层3的厚度为8nm。
[0044]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图2中曲线(a)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(101)。
[0045]实施例2[0046]本实施例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法与包括以下步骤:
[0047](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的热氧化硅片U+-Si/SiO2, (100))上沉积得到氧化亚锡主体层,沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6X 10_4Pa ；
[0048](2)采用电子束蒸发法蒸发颗粒状氧化铝蒸发料，在氧化亚锡主体层沉积得到氧化铝薄膜作为金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.6nm/min,当氧化铝薄膜的厚度达到8nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0049](3)将沉积有氧化亚锡主体层和氧化铝薄膜的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0050]由以上方法制备得到的氧化亚锡织构薄膜如图1所示，从下至上依次包括:衬底I(本实施例中为热氧化硅片n+-Si/Si02(100))、氧化亚锡主体层2和金属氧化物覆盖层3(本实施例中为氧化铝薄膜)，其中氧化亚锡主体层2的厚度为26nm，金属氧化物覆盖层3的厚度为8nm。
[0051]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80°，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图3中曲线(a)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(101)。
[0052]实施例3 [0053]本实施例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0054](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的石英上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0055](2)采用电子束蒸发法蒸发颗粒状氧化铝蒸发料，在氧化亚锡主体层沉积得到氧化铝薄膜作为金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.6nm/min,当氧化铝薄膜的厚度达到8nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0056](3)将沉积有氧化亚锡主体层和氧化铝薄膜的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0057]由以上方法制备得到的氧化亚锡织构薄膜如图1所示，从下至上依次包括:衬底I (本实施例中为石英)、氧化亚锡主体层2和金属氧化物覆盖层3 (本实施例中为氧化铝薄膜)，其中氧化亚锡主体层2的厚度为26nm，金属氧化物覆盖层3的厚度为8nm。
[0058]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80°，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图4中曲线(a)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(101)。
[0059]实施例4
[0060]本实施例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0061](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的载玻片上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到57nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0062](2)采用电子束蒸发法蒸发颗粒状氧化铝蒸发料，在氧化亚锡主体层沉积得到氧化铝薄膜作为金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.6nm/min,当氧化铝薄膜的厚度达到28nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0063](3)将沉积有氧化亚锡主体层和氧化铝薄膜的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0064]由以上方法制备得到的氧化亚锡织构薄膜如图1所示，从下至上依次包括:衬底I(本实施例中为载玻片)、氧化亚锡主体层2和金属氧化物覆盖层3 (本实施例中为氧化铝薄膜)，其中氧化亚锡主体层2的厚度为57nm，金属氧化物覆盖层3的厚度为28nm。
[0065]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图5中曲线(a)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(101)。
[0066]实施例5
[0067]本实施例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0068](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的石英上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0069](2)采用电子束蒸发法蒸发颗粒状氧化钇蒸发料，在氧化亚锡主体层沉积得到氧化宇乙薄膜作为金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.6nm/min,当氧化乾薄膜的厚度达到15nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0070](3)将沉积有氧化亚锡主体层和氧化钇薄膜的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退`火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0071]由以上方法制备得到的氧化亚锡织构薄膜如图1所示，从下至上依次包括:衬底I (本实施例中为石英)、氧化亚锡主体层2和金属氧化物覆盖层3 (本实施例中为氧化钇薄膜)，其中氧化亚锡主体层2的厚度为26nm，金属氧化物覆盖层3的厚度为15nm。
[0072]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图6中曲线(a)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(101)。
[0073]对比例I
[0074]本对比例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0075](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的载玻片上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0076](2)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0077]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图2中曲线(b)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(001)，主要为(OOl)和(002)。
[0078]对比例2
[0079]本对比例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0080](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的热氧化硅片n+-Si/SiO2(IOO)上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6X 10_4Pa ；
[0081](2)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0082]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图3中曲线(b)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(001)。
[0083]对比例3
[0084]本对比例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0085](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的石英上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0086](2)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0087]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图4中曲线(b)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(001)。
[0088]对比例4
[0089]本对比例的氧化亚`锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0090](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的载玻片上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到57nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0091](2)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0092]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图5中曲线(b)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(001)。
[0093]对比例5
[0094]本对比例的氧化亚锡织构薄膜的制备方法包括以下步骤:
[0095](I)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗干燥后的石英上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为1.8nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到26nm时停止沉积，沉积时衬底温度为室温，本底真空度为6 X KT4Pa ；
[0096](2)将沉积有氧化亚锡主体层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到氧化亚锡织构薄膜，退火温度为400°C，退火时间为lOmin。
[0097]对制备得到的氧化亚锡织构薄膜进行XRD测试，该仪器采用密封式的X射线管，以Θ-Θ模式扫描。实验中，选取2 Θ角的范围为:10-80。，步幅0.02° /s，得到的XRD图谱如图6中曲线(b)所示，结果表明该氧化亚锡织构薄膜的择优取向为(001)。
[0098]由图2、图3和图4可以看出，当氧化亚锡薄膜的厚度为26nm时，通过增加氧化铝覆盖层的厚度，抑制了(001)取向的峰强，(101)取向的峰强逐渐增加，而和衬底种类无关。当氧化铝覆盖层的厚度增加至8nm时，实现了只有(101)取向的氧化亚锡薄膜。
[0099]由图5可以看出，当氧化亚锡薄膜的厚度增加至57nm时，通过增加氧化铝覆盖层的厚度，抑制了(001)取向的峰强，(101)取向的峰强逐渐增加，而和衬底种类无关。当氧化铝覆盖层的厚度增加至28nm时，实现了只有(101)取向的氧化亚锡薄膜。
[0100]由图6可以看出，当氧化亚锡薄膜的厚度为26nm时，通过增加氧化钇覆盖层的厚度，抑制了(001)取向的峰强，(101)取向的峰强逐渐增加，而和衬底种类无关。当氧化钇覆盖层的厚度增加至15nm时，实现了只有(101)取向的氧化亚锡薄膜。
[0101]这可能是增加的氧化铝覆盖层或氧化钇覆盖层改变了氧化亚锡薄膜的化学计量t匕、降低了 SnO的表面能以及SnO与衬底之间的界面能等，从而控制了结晶取向。
[0102]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保 护范围之内。
【权利要求】
1.一种氧化亚锡织构薄膜，其特征在于，从下至上依次包括:衬底，氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，所述氧化亚锡主体层中氧化亚锡的择优取向为(101)。
2.如权利要求1所述的氧化亚锡织构薄膜，其特征在于，所述金属氧化物覆盖层为氧化铝薄膜。
3.如权利要求2所述的氧化亚锡织构薄膜，其特征在于，所述金属氧化物覆盖层的厚度为8~45nm。
4.如权利要求3所述的氧化亚锡织构薄膜，其特征在于，所述氧化亚锡主体层的厚度为 18 ~57nm。
5.如权利要求4所述的氧化亚锡织构薄膜，其特征在于，所述的衬底为载玻片、热氧化硅片、石英、硅片。
6.如权利要求1所述的氧化亚锡织构薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)采用电子束蒸发法蒸发二氧化锡蒸发料，在清洗、干燥后的衬底上沉积得到氧化亚锡主体层，沉积速率为I~2nm/min,当氧化亚锡主体层的厚度达到18~57nm时停止沉积； (2)采用电子束蒸发法蒸发金属氧化物蒸发料，在氧化亚锡主体层上沉积得到金属氧化物覆盖层，沉积速率为0.3~0.8nm/min,当金属氧化物覆盖层的厚度达到8~45nm时停止沉积； (3)将沉积有氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层的衬底放入氩气气氛中进行快速热退火，得到多晶氧化亚锡薄膜，退火温度为350~450°C，退火时间为5~30min。
7.如权利要求6所述的氧化亚锡织构薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中电子束蒸发时沉积得到氧化亚锡主`体层时沉积参数如下:衬底温度为室温，本底真空度为1X10_3 ~6X10_6Pa。
8.如权利要求7所述的氧化亚锡织构薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中电子束蒸发时沉积得到金属氧化物覆盖层时沉积参数如下:衬底温度为室温，本底真空度为1X10_3 ~6X10_6Pa。
【文档编号】C23C14/08GK103774098SQ201410017207
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月15日 优先权日:2014年1月15日
【发明者】刘权, 梁凌燕, 曹鸿涛 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所