晶棒的抛光处理方法
【专利摘要】本发明公开了晶棒的抛光处理方法，包括：第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟；第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；第四步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；第五步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；第六步，风干。通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。
【专利说明】晶棒的抛光处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶棒的抛光处理方法，属于半导体材料【技术领域】。
【背景技术】
[0002]在进行半导体加工的过程中，所使用的晶棒毛坯料经常需要进行抛光处理，在抛光处理的过程中，容易造成晶棒磨损过多，浪费严重的问题。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种晶棒的抛光处理方法，减少抛光磨损，节省材料。
[0004]本发明的目的通过以下技术方案来具体实现:
晶棒的抛光处理方法，包括:
第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟；
第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；
第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；
第四步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；
第五步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；
第六步，风干。
[0005]通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。
【具体实施方式】
[0006]本发明实施例一所述的晶棒的抛光处理方法，包括:
第一步，将晶棒浸泡在水中，保持5分钟；
第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；
第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；
第四步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；
第五步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；
第六步，风干。
[0007]通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。
【权利要求】
1.晶棒的抛光处理方法，包括: 第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟； 第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上； 第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨； 第四步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨； 第五步，旋转晶棒，并且利用宽度IOcm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨； 第六步，风干。
【文档编号】B24B21/02GK103522149SQ201310477542
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月14日 优先权日:2013年10月14日
【发明者】刘耀峰, 潘振东 申请人:无锡荣能半导体材料有限公司