提供溅射颗粒的增强电离的高功率脉冲磁控溅射方法以及用于其实施的装置制造方法
【专利摘要】用于执行HIPIMS涂层工艺的方法，借此减少目标和衬底之间的最小距离5直到达到在涂层工艺期间在衬底处的实质上最大的偏置电流，并且由此与传统的HIPIMS涂层工艺相比显著地改进了涂层质量且增大沉积速率。
【专利说明】提供溅射颗粒的增强电离的高功率脉冲磁控溅射方法以及用于其实施的装置
[0001 ] 本发明涉及用于实现优化的高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)工艺的方法，与传统的HIPIMS涂层相比，该优化的高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)工艺展示了溅射颗粒的增强电离、更高的涂层沉积速率以及增强的涂层质量。
【背景技术】
[0002]物理气相沉积(PVD)工艺被广泛地确立为用于制造用来保护工具和组件且增强它们的原始属性的薄膜的涂层沉积工艺。存在PVD工艺的不同变体。 [0003]非常有趣的用于工具和组件的涂层的PVD工艺例如是电弧离子镀(AIP)、磁控溅射离子镀(MSIP)以及阳极蒸发，它们具有例如如下对应的优点和缺点:
-AIP确实是一种被广泛地确立的技术。它尤其用于切割工具的涂层，这是因为借助于它而产生的例如关于密度、粘附性、硬度和切割性能的非同一般的非常好的质量的涂层。非常有利的还有通常通过AIP工艺获得的例如关于高等离子体电离、高涂层沉积速率的工艺状况。因为适用性和灵活性，AIP技术此外允许来自导电材料目标的涂层架构和复杂涂层组分的合成。然而，AIP工艺的主要缺点是生成液滴(未被完全蒸发以及未与反应气体完全反应，来自目标的宏观颗粒)，这可能导致涂层缺陷、不适宜的高涂层粗糙度和不适宜的更低涂层硬度。
[0004]- MSIP也是一种被广泛地确立的技术，其尤其用于组件的涂层，与AIP技术相比，其最重要的优点在于避免通过涂层工艺形成不适宜液滴的可能性。然而，MSIP涂层的涂层质量(关于涂层密度、涂层粘附性和硬度)通常逊于AIP涂层的对应质量。另外，MSIP工艺中的等离子体电离也非常差并且借助于MSIP技术获取的涂层沉积速率显著地低于借助于AIP技术获得的涂层沉积速率。
[0005]-阳极蒸发是一种非常有趣的涂层沉积技术，其允许产生通过高沉积速率沉积的高质量涂层并且没有液滴。然而，该技术不提供关于复杂涂层组分的合成的灵活性，而是到现在为止只有简单的涂层组分(诸如TiN、CrN和TiCN)已经被使用阳极蒸发技术来合成。
[0006]就HIPMS技术来说，在过去的几年里它已经得到了很多关注，尤其被用于组件和工具的涂层。HIPIMS是一种PVD溅射技术，其允许生成与由MSIP技术生成的等离子体相比具有显著更高的金属颗粒电离的低压等离子体。因此，HIPIMS技术允许在没有液滴的情况下合成平滑涂层(与借助于MSIP技术沉积的涂层类似)，除此之外还展示了与使用MSIP技术合成的涂层相比显著更高的涂层质量(例如关于涂层密度和硬度)。
[0007]与MSIP工艺相比，HIPMS工艺获得更高的等离子体密度，这是通过增大在放电中耗散的功率而生成的,这允许达到约4 - 5A/cm2的高电流密度以及因此达到大约IO13CnT3的高等离子体密度。因此，从目标喷射的溅射金属颗粒具有高电离可能性。
[0008]然而，尽管HIPMS技术提供了非常有趣的优点，但是通过使用该技术进行涂层沉积而观察到的非常低的涂层沉积速率(比MSIP涂层沉积速率更低)导致在效率方面的大缺点。[0009]与通过MSIP工艺类似，HIPMS工艺也需要特定形状的磁场，这些场被用来捕获和限制接近于目标表面的等离子体的重要部分并因此获取高放电电流。这些磁场被配置成使得电子在目标附近被捕获并且遵循螺旋运动，以这种方式，在给定的体积内它们的路径长度被增大并且电离工作气体和溅射金属颗粒的可能性也被增大。磁场的强度确定限制的程度并且因此更强的磁场会降低放电的阻抗并且允许通过相同目标电压来获得更高的放电电流。 [0010]在GB2437730中，提到通过HIPMS工艺观察到的非常低的沉积速率可能直接与接近目标表面的溅射材料的高电离有关。根据GB2437730，推测由溅射材料的电离生成的离子的一大部分因为电场在阴极处的作用而朝向溅射目标返回，并且因此这些离子变得不可用于涂层沉积。此外，GB2437730公开了一种改进的HIPMS PVD工艺以及对应的装置，其允许从材料目标生成的离子不那么强烈地受到目标区域内的磁场限制，借此这种离子可能更容易从磁性限制逃脱而被沉积在衬底表面上并且因此可以增大涂层沉积速率。
[0011]使用HIPMS技术的现有技术的限制
尽管HIPMS工艺使用更适合的磁场，但是已经观察到所使用的磁场以及因此所得到的加载等离子体状况可以以将均匀高质量涂层沉积在大表面衬底上可能是困难的这种方式阻碍金属离子在等离子体内的传播。
[0012]尽管借助于HIPMS技术来生成包含大量金属离子的等离子体的可能性，但是通过HIPMS工艺沉积的涂层的涂层质量(关于例如涂层密度、硬度和切割性能)继续大体上逊于通过AIP工艺沉积的涂层的对应的涂层质量(除了确实平滑的属性之外)。
[0013]本发明的目的
本发明的目的是提供一种方法，其优化HIPMS工艺，以便实现允许高质量的HIPMS涂层在大表面衬底上的沉积的HIPMS工艺，优选同时提供与传统的HIPMS工艺或当前被看做现有技术的HIPMS工艺相比增强的涂层质量和更高的沉积速率。
【发明内容】
[0014]本发明人假设涂层的均匀性可以取决于阴极和衬底表面之间的距离。因此，为了通过使用HIPMS技术来沿着大表面衬底沉积均匀涂层，本发明人执行了若干HIPMS涂层工艺，其是在调整了阴极(更具体地目标表面)和衬底表面之间的不同距离之后实现的。在涂层工艺期间，典型地，衬底处于移动中并且以在本说明书的上下文中被限定为最小距离5的距离经过阴极。换言之，在涂层工艺期间阴极表面和衬底表面之间的最短距离将被限定为且被称为最小距离5，如在图la-b中所画出的那样。
[0015]分析了合成的涂层。在调整“确定的”最小距离5之后沉积的HIPMS涂层令人惊讶地展示了与通过使用其他不同的最小距离5而合成的所有其他HIPMS涂层相比显著更高的涂层质量(尤其关于涂层密度和机械属性(诸如涂层硬度))。此外，以上面提到的“确定的”最小距离5合成的涂层的沉积速率显著高于其他。
[0016]出于理解这一现象的目的，本发明人分析了最小距离5对工艺特性以及更具体地对HIPIMS工艺的等尚子体属性的影响。通过逐步有系统地减少最小距尚5 (每一步将目标表面和衬底表面之间的最小距离减少大概0.5cm)来实现该分析。在对最小距离的此有系统的减少期间连续地测量衬底处的偏置电流。[0017]观察到的是，当实现“特别最小距离”时，在衬底处测量的偏置电流令人惊讶地骤增到更高的值。该“特别最小距离”与“确定的”最小距离5 —致，按该“确定的”最小距离5可以以出乎意料更高的沉积速率和显著更高的涂层质量来合成HIPMS涂层。
[0018]本发明人还观察到的是，试着将最小距离5调整成小于“确定的”最小距离5，沉积速率和涂层质量这二者都变差了。这可能是由于等离子体在这种距离的情况下的不稳定性。直到现在已经被称为“确定的”最小距离的最小距离在本发明内随后将被称为“优化的”最小距离。因此，在本发明内的术语“优化的”最小距离5指的是最小距离5，按该最小距离5可以在不生成等离子体不稳定性的情况下通过HIPMS涂层沉积工艺来实现衬底处的实质上最大的偏置电流。[0019]本发明人推测，通过调整根据本发明的“优化的”最小距离5，按该“优化的”最小距离5可以实质上使在HIPMS涂层工艺期间在衬底处的偏置电流最大化，同样地可以使到达衬底处的金属离子的数量最大化。由此，增大了沉积速率且改进了涂层质量。
[0020]为了评估根据本发明合成的HIPIMS涂层的切割性能，切割工具被涂覆有根据本发明的HIPMS涂层以及相似的AIP和MSIP涂层。为了进行尽可能公平的比较，相似的AIP和MSIP涂层被沉积，具有与根据本发明合成的HIPIMS涂层几乎类似的涂层架构和成分。为了去除液滴并且因此减少粗糙度并改进表面质量，在涂覆之后对AIP涂层另外进行后处理(参见下面描述的切割测试I中的结果)。
[0021]关于切割性能，根据本发明合成的HIPIMS涂层在切割测试中展示了与相似的AIP-涂层非常类似的切割性能。同样地，与相似的MSIP涂层相比，根据本发明合成的HIPIMS涂层的切割性能优越，这是通过切割测试而证实的(参见下面描述的切割测试2中的结果)。
[0022]根据这些结果，根据本发明合成的HIPMS涂层可以展示比AIP涂层更好的切割性能，没有用于去除液滴的后处理。而且，使用HIPMS涂层可以允许减少由用于去除液滴的后处理生成的成本。
[0023]本发明人已经观察到的是，现在标准化工业HIPMS涂覆机拥有约15 - 8cm的在目标表面和衬底表面之间的典型最小距离，这与优化的最小距离的范围不对应。但是根据本发明，优化的最小距离5应该优选地更短。例如，在使用HIPMS技术来沉积氮化钛铝(TiAlN)涂层的涂层工艺的情况中，发现根据本发明的优化的最小距离5的范围将为约5 - 3cm。此外，特别地通过TiAlN涂层的沉积，本发明人反复观察到当使用比3cm更短的最小距离5时生成等离子体不稳定性。
[0024]本发明的一个实施例是与图1中示例性草拟的涂覆机类似的涂覆机，其使用2 - 4个阴极并且被布置成使得在目标表面和衬底表面之间的经调整的最小距离5是根据本发明的优化的最小距离。根据本发明，当衬底处的偏置电流被最大化时，在目标表面和衬底表面之间的最小距离5由此将被优化。在本发明的情况下，最小距离5应该被尽可能短地保持，但是避免等离子体不稳定性的生成。
[0025]本发明的一个实施例是一种HIPIMS涂覆机，其中一个或多个HIPIMS阴极被安装到HIPMS涂覆机中的涂覆室的连接或中间凸缘，并且以凸缘允许必要的阴极移动性的这种方式来构造该连接或中间凸缘以便将阴极和衬底之间的最小距离调整成“优化的”最小距离。当根据本发明要涂覆复杂的几何结构时，本发明的该实施例特别合适。[0026]本发明的另一实施例涉及一种用于实现HIPIMS涂覆机的自动化以便根据本发明通过最大的偏置电流来执行HIPMS涂层工艺的方法。根据本发明的该实施例，由包括用于测量衬底处的偏置电流的传感器的控制系统来调整阴极位置相对于衬底表面的移动性机构。此外，根据本实施例，该控制系统自动且有系统地调整阴极处的目标表面和衬底表面之间的最小距离5直到达到“优化的”最小距离。当达到依据稳定工艺等离子体状况的最大偏置电流时实现该“优化的”最小距离。根据本发明人的观察，这会在通过减少目标表面和衬底表面之间的最小距离5而检测到衬底处测量的偏置电流的骤增(根据本发明人的观察，其可以是约40%)时发生。
[0027]而且，本发明提供了一种用于与涂层布置、目标材料、工艺气体、磁场、衬底几何结构和尺寸、HIPIMS涂覆机和组件的尺寸、另外的工艺参数等无关地优化HIPMS工艺的方法。
[0028]本发明可以尤其用于耐磨性硬涂层的合成，该耐磨性硬涂层含有硼(B)和硅
(Si)、铝(Al)、IVb、Vb、VIb族中的至少一种元素、以及至少一种非金属元素，诸如碳(C)、氮(N)和氧(O)。
[0029]此外，本发明尤其适合于TiAlN涂层在涂覆工具上的沉积。根据本发明合成的TiAlN展示了突出的良好切割性能，其与使用AIP技术合成且经后处理以便消除涂层表面上的液滴的相似的TiAlN的切割性能不相上下。根据通过切割测试获得的结果，与使用经后处理的AIP涂层以用于切割操作相比，本发明还提供了相当高的经济优点。这是如下事实的结果:通过使用根据本发明合成的HIPMS涂层，能够获取可比较的切割性能，除此之外还避免了 AIP涂层中的通常必要的液滴去除后处理(该后处理通常是昂贵且耗时的)。
[0030]此外，本发明允`许对涂覆微型工具的工具性能的改进，由于该涂覆微型工具的几何特性(例如，微型工具具有在Imm或更小的范围内的直径)而不能通过实现液滴去除后处理来改进其表面质量。
[0031]实现的切割测试:
切割测试1:执行切割测试以便将根据本发明合成的HIPIMS涂层的切割性能与传统的HIPIMS涂层的切割性能进行比较:
工件:DIN 1.2344 (52 HRC)
切割工具:2_凹槽球头末端钻孔机，OlO mm，细颗粒硬质合金
切割速率:314 m/min
间距:0.4 mm/进给速率
径向进给:0.5 mm
轴向进给:0.3 mm
冷却介质:湿法机械加工6%乳状液
铣削策略:横向铣削
磨损准则=VbniaxMOOilm以及凿锋处的涂层分层 结果(被测试的涂覆工具的最大耐受度):
-在涂覆之后进行附加的液滴去除后处理的AIP TiAlN涂层(并且具有相似的涂层成分和架构):80m
-根据本发明合成的HIPMS TIAlN涂层:80m。[0032]切割测试2:执行切割测试以便将根据本发明合成的HIPIMS涂层的切割性能与传统的HIPMS涂层的切割性能进行比较:
工件:DIN 1191 (180 HB)
切割工具:3_凹槽末端轧机，08 mm，细颗粒硬质合金 切割速率:290 m/min 间距:0.01 mm/进给速率 径向进给:0.5 mm 轴向进给:10 mm
冷却介质:湿法机械加工6%乳状液 铣削策略:横向铣削 磨损准则:Vbmax>120 ii m 结果(被测试的涂覆工具的最大耐受度):
-MSIP TiAlN涂层(并且具有相似的涂层成分和架构):30 m -根据本发明合成的HIPMS TIAlN涂层:75 m。
[0033]本发明的示例:
在工业HIPMS涂覆机(诸如图1中草拟的涂覆机)处实现不同的HIPMS工艺，并且工艺参数被配置为设置如下:
-气流:Ar=200 sccm, N2=IOO sccm
-阴极功率:15 kff
-目标材料:合金T1-Al
-脉冲持续时间:200 ii s
-脉冲频率:500 Hz0
[0034]有系统地逐步减少最小距离5并且对衬底处的偏置电流进行测量和记录。在图5中报告了所观察到的行为。通过减少阴极和衬底之间的最小距离5，偏置电流非常缓慢地增大直到达到“确定的”最小距离(通过该实验，约为5 cm)。在本发明内，通过其检测到偏置电流骤增的在阴极和衬底之间的该距离将被称为“优化的最小距离”。在骤增之后，仅观察到偏置电流的非常小的变化，直到达到临界的“最小距离”(通过该实验，约为3 cm)，通过其观察到变得不稳定的工艺等离子体状况和如图4中所示的偏置电流信号。
[0035]该示例可以示出被用于根据本发明调整阴极和衬底之间的“优化的”最小距离来使偏置电流最大化以便实现增强的或优化的HIPMS工艺的方法。本发明人注意到的是，“优化的”最小距离可能与不同的工艺参数(例如像工艺压力、磁场、涂覆机尺寸等)有关。
[0036]要理解的是，本公开不限于从所研究的特定实验得到的观察结果。
[0037]本发明的优选实施例是一种用于优化HIPMS涂层工艺的方法，其中使在衬底处测量的偏置电流最大化。
[0038]本发明的另一优选实施例是一种用于优化HIPMS涂层工艺的方法，其中使在衬底处测量的偏置电流最大化，其中有系统地减少固定在阴极处的目标表面和衬底表面之间的最小距离5直到达到“优化的”最小距离，按该“优化的”最小距离，在衬底处测量的偏置电流最大化并且工艺等离子 体状况是稳定的。
[0039]本发明的另一优选实施例是一种优化的HIPMS工艺，其中已经根据先前所描述的方法之一使偏置电流最大化。
[0040]本发明的另一优选实施例是一种如上所述的优化的HIPMS工艺，其中在工艺期间自动地调整阴极和衬底之间的最小距离5。
[0041]本发明的另一优选实施例是一种如上述那些那样的优化的HIPMS工艺，其中借助于HIPMS工艺产生的涂层包括钛、铝和氮。
[0042]本发明的另一优选实施例是一种如上述那些那样的优化的HIPMS工艺，其中借助于HIPMS工艺产生的涂层由TiAlN构成或者包含至少一个TiAlN层。
[0043]本发明的另一优选实施例还包括用于执行上述的优化的HIPMS工艺的装置。
[0044]借助于如前所述的根据本发明执行的优化的HIPMS工艺可以涂覆或者至少部分地涂覆每一种衬底或主体。尤其可以更均匀地涂覆要被涂覆或部分涂覆的具有大表面的衬底或主体。
[0045]根据本发明要被涂覆或部分涂覆的衬底可以是工具以及组件。
[0046]应用根据本发明产生的涂层可以增强切割工具、成形工具、引擎组件、汽车组件或涡轮机组件的性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0047]图1:可以被用来实现根据本发明的HIPMS工艺的HIPMS涂覆机的草图。在图1a和Ib中草拟的涂覆机示出具有以下各项的两个示例性涂层布置:
-1:具有材料源目标的阴极 -2:具有要被涂覆的衬底的圆盘传送带 -3:蚀刻源 -4:加热器
-5:阴极(更确切地，目标表面)和衬底表面之间的最小距离。
[0048]图2:分别以大概6cm±0.5cm和3.5cm±0.5cm的不同最小距尚5测量的偏置电流和阴极电流信号的发展的图片。关于气流、阴极功率、目标材料、脉冲持续时间和脉冲频率的另外的工艺参数与之前描述的示例I中使用的那些工艺参数相同。
[0049]图3:分别以大概10cm + 0.5cm、6cm±0.5cm和4cm±0.5cm的不同最小距离5测量的偏置电流、阴极电流和阴极电压的发展的图片。关于气流、阴极功率、目标材料、脉冲持续时间和脉冲频率的另外的工艺参数与之前描述的示例I中使用的那些工艺参数相同。
[0050]图4:以大概2.5cm的最小距离测量的偏置电流和阴极电流信号的发展的图片。图4a和图4b (放大)中观察的所测量的电流信号清楚地示出将目标表面和衬底表面之间的距离调整得太短，等离子体状况变得不稳定。可以在阴极电流和偏置电流二者的信号不稳定性中观察到该现象。当通过涂层工艺调整约3cm和更短的最小距离5时，本发明人反复地观察到该现象。关于气流、阴极功率、目标材料、脉冲持续时间和脉冲频率的另外的工艺参数与之前描述的示例I中使用的那些工艺参数相同。
[0051]图5a:通过减少阴极处的目标表面和衬底表面之间的最小距尚而在衬底处测量的偏置电流的发展。通过减少最小距离5，偏置电流增大并且通过约5cm的“确定的”最小距离，偏置电流令人惊讶地骤增，在本发明内该“确定的”最小距离也将被称为阴极和衬底之间的“优化的”最小距离。[0052]图5a和5b中显示的情况仅是本发明的示例，并且本发明人注意到的是，“优化的”最小距离可能与其他不同的工艺参数(例如像工艺压力、磁场等)有关。
[0053]图5b:通过减少阴极处的目标表面和衬底表面之间的最小距尚5而在衬底处测量的偏置电流的与图5a中所显示的发展相同的发展，其示出最小距离的四个不同范围A、B、C和D。最小距离的范围A由下面这样的最小距离5来表征:按这样的最小距离5，通过减少最小距离，在衬底处测量的偏置电流看起来保持恒定或者非常缓慢地增大并且工艺等离子体状况保持稳定，在下文中这样的范围被称为A范围。最小距离的范围B由靠近A范围的最小距离5来表征，按该靠近A范围的最小距离5，通过减少最小距离，在衬底处测量的偏置电流非常迅速地增大(以厘米为单位的最小距离对以安培为单位的偏置电流的曲线描述了显著的倾斜或骤增)并且工艺等离子体状况保持稳定。在下文中这样的范围被称为B范围。最小距离的靠近B范围的范围C由下面这样的最小距离5来限定和表征:按这样的最小距离5，在衬底处测量的偏置电流向前增大但只是非常缓慢直到达到最大值。最小距离的C范围之后的范围D由下面这样的最小距离5来表征:按这样的最小距离5，在衬底处测量的偏置电流降低并且在D范围内工艺 等离子体状况变得不稳定。注意，对于最小距离Clmin来说，下述成立:dmin (A范围)> dmin (B范围)> dmin (C范围)> Dmin (D范围)。
【权利要求】
1.一种用于执行HIPMS涂层工艺的方法，其包括以下步骤: ?将具有要被涂覆的表面的至少一个衬底布置在涂覆设备的涂覆室的内部中，所述涂覆设备包括至少一个目标，所述至少一个目标是借助于HIPMS技术要在涂层工艺期间被操作的涂层材料源，以要被涂覆的表面在涂层工艺期间的至少一段时间期间能够被定位于目标前面的这种方式来布置衬底， ?操作HIPMS涂覆设备以便对至少一个衬底进行涂覆，由此在涂层工艺期间将偏置电压施加于所述衬底并且因此生成能够在所述衬底处被测量的偏置电流， 所述方法的特征在于， 调整在要被涂覆的表面最靠近目标时给出的在衬底和目标之间的最小距离(5)，以便以下面这样的方式达到优化的最小距离:偏置电流在涂覆期间在衬底处被测量的情况下实质上达到最大值，同时工艺等离子体状况保持稳定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，为了达到优化的最小距离，在从A范围内的最小距离开始，连续或逐步地减少衬底和目标之间的最小距离(5)的同时，测量衬底处的偏置电流，直到达到小于在B范围内的与靠近A范围相比更靠近C范围的距离的最小距离(5)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，连续或逐步地减少衬底和目标之间的最小距离(5)，直到达到小于B范围 内的距离的最小距离(5)。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，连续或逐步地减少衬底和目标之间的最小距离(5)，直到达到实质上在C范围内的优选关于D范围更靠近B范围的最小距离(5)。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，连续或逐步地减少衬底和目标之间的最小距离(5)，直到达到实质上在D范围内的关于该D范围的包括按照其工艺等离子体状况不稳定的距离的部分更靠近C范围的最小距离(5)。
6.根据权利要求2至5中的一项所述的方法，其特征在于，为了调整优化的最小距离，移动性机构被用来自动地改变相对于衬底表面的目标位置并且因此改变最小距离(5)，直到达到优化的最小距离。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，由包括用于测量衬底处的偏置电流的传感器的控制系统来调整移动性机构的动作，并且该控制系统有系统地改变最小距离5直到达到所测量的偏置电流的最大值，并且因此达到用于实现涂层工艺的涂层优化最小距离。
8.—种HIPMS涂层工艺，其特征在于，使用根据在前权利要求中的至少一项的方法来优化在涂层沉积期间的在目标和衬底之间的最小距离5。
9.根据权利要求9所述的HIPMS涂层工艺，其特征在于，在涂层工艺开始之前或者在涂层工艺开始期间，自动地调整优化的最小距离。
10.根据权利要求8至9中的一项所述的HIPMS涂层工艺，其特征在于，所产生的涂层 ?包括钛和/或铝和/或氮,或者 ?由氮化钛招构成，或者 ?包括至少一个氮化钛铝层。
11.一种用于执行根据权利要求8至10中的一项所述的HIPMS涂层工艺的装置。
12.一种通过使用根据权利要求8至10中的一项所述的HIPMS涂层工艺而至少部分地被涂覆的主体。
13.根据权利要求12所述的被涂覆的主体，其特征在于，该主体是用于机械加工操作的工具，诸如切割工具或成形工具，优选是微型钻孔机。
14.根据权利要求12所述的被涂覆的主体，其特征在于，该主体是一种组件，诸如引擎组件或汽车组件或润轮机组件。
15.—种在摩擦学系统 中的根据权利要求12至14中的一项的被涂覆主体的用途。
【文档编号】C23C14/35GK103608483SQ201280030375
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年4月16日 优先权日:2011年4月20日
【发明者】M.莱赫塔勒 申请人:欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)