专利名称：磁控溅射系统的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及镀膜设备，具体地说是一种磁控溅射系统。
背景技术：
目前，应用磁控溅射(高速低温溅射)原理的装置，可以制备各种硬质膜、金属膜、 半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等纳米级的单层及多层功能膜。它的特点是可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质，尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜。在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜；在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体，可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜。现有的磁控溅射设备只能单一的实现单个及多元靶的垂直溅射或多元靶的共溅射。然而，在材料科学研究中，往往需要可以调节各组分物质的含量及组成形式。实施新型内容本实用新型的目的在于提供一种磁控溅射系统。该磁控溅射系统即可实现多元靶垂直溅射多层膜又可实现斜靶共溅射复合膜。本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的本实用新型包括磁控室、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶、机台架、真空抽气系统及电动提升机构，其中磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶；所述基片转台转动安装在磁控室的上盖上，所载基片位于磁控室内、各磁控靶的上方，磁控室的上盖上还安装有基片转台驱动电机，所述基片转台通过传动机构由基片转台驱动电机驱动旋转；所述机台架内安装有电动提升机构，该电动提升机构的输出端由机台架穿出、与磁控室的上盖相连接，带动上盖及上盖上的基片转台和基片转台驱动电机升降。其中所述磁控靶具有垂直基片转台或倾斜基片转台两个工作位，每个磁控靶上方均设有一个磁控靶挡板，该磁控靶挡板与安装在机台架内部的第三电机相连，通过第三电机驱动开关磁控靶挡板；所述每个磁控靶的外围均设有安装在磁控室的下法兰上的磁控靶屏蔽筒；所述基片转台为基片水冷加热公转台，其一端载有基片、插入磁控室内，另一端位于上盖的上方；所述上盖上安装有第一电机，该第一电机通过同步带和带轮组件与基片水冷加热公转台连接、带动基片水冷加热公转台旋转；所述磁控室内转动安装有电动基片挡板，该电动基片挡板的一端位于基片水冷加热公转台载有基片的一端与各磁控靶溅射端之间，电动基片挡板的另一端与安装在机台架内的第二电机相连，通过第二电机驱动旋转；所述电动基片挡板位于各磁控靶的中间，各磁控靶垂直于电动基片挡板；该电动基片挡板的一端为圆形挡板，上面开有露出被镀基片的圆孔；所述基片水冷加热公转台的另一端设有与计算机控制系统电连接的圆光栅编码器；所述基片水冷加热公转台上具有六个工位，其中一或两个工位上方设有加热炉，其余工位通水冷却；[0009]所述基片转台为单加热自转盘，其一端载有基片、插入磁控室内，另一端位于上盖的上方；所述上盖上安装有第四电机，该第四电机驱动单加热自转盘旋转；所述单加热自转盘具有一个加热工位、处于单加热自转盘的中间，各磁控靶位于该单加热自转盘加热工位的周围；在单加热自转盘的加热工位上载有基片，该基片下方设有手动基片挡板组件; 所述基片转台为单冷却自转盘，其一端载有基片、插入磁控室内，另一端位于上盖的上方； 所述上盖上安装有第一电机，该第一电机通过同步带和带轮组件与基片水冷加热公转台连接、带动基片水冷加热公转台旋转；所述单冷却自转盘具有一个冷却工位、处于单冷却自转盘的中间，各磁控靶位于该单冷却自转盘冷却工位的周围；在单冷却自转盘的冷却工位上载有基片，该基片下方设有手动基片挡板组件。本实用新型的优点与积极效果为1.功能齐全。本实用新型具有用磁控溅射制备各种单质膜、多层膜、混合物膜、化合物膜的全部功能。2.自动化程度高。本实用新型由计算机控制磁控室内各基片挡板的转动、基片水冷加热公转台基片的公转和两个加热炉下基片的控温、单加热自转盘和单冷却自转盘基片的自转、磁控室内每个磁控靶挡板的开关等；在已设定的程序下，可制备各类纳米级的单层或多层功能膜。3.互换性高。本实用新型磁控室的上盖上的基片水冷加热公转台可以根据需要更换成单加热自转盘或者单冷却自转盘；磁控室的下法兰上的几个磁控靶可以自由选择安装溅射非铁磁性材料的普通永磁靶、溅射铁磁性材料的强永磁靶或者电磁靶，而且还可以根据靶材大小选择Φ 50mm、Φ 2英寸、Φ 60mm或者Φ 75mm的磁控靶，且磁控靶头可折弯。4.可靠性好。本实用新型磁控室的上盖上的基片水冷加热公转台通过圆光栅编码器实现定位，达到准确无误，有水流报警系统，对分子泵、磁控靶、基片水冷加热公转台等有断水报警切断相应电源的功能。
图1为本实用新型实施例一的结构示意图；图2为图1的俯视图；图3为图1的左视图；图4为本实用新型实施例二的结构示意图；图5为图4的俯视图；图6为本实用新型实施例三的结构示意图；图7为图6的俯视图；其中1为磁控室，2为上盖，3为基片水冷加热公转台，4为第一电机，5为电动基片挡板，6为磁控靶，7为机台架，8为磁控靶挡板，9为机械泵，10为插板阀，11为涡轮分子泵，12为同步带和带轮组件，13为磁控靶屏蔽筒，14为电动提升机构，15为下法兰，16为圆光栅编码器，17为连接板，18为第二电机，19为第三电机，20为旁抽角阀，21为进气截止阀， 22为第一减速器，23为第二减速器，24为单加热自转盘，25为手动基片挡板组件，26为第四电机，27为单冷却自转盘。CN 202322998 U具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详述。本实用新型包括磁控室1、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶6、机台架7、真空抽气系统及电动提升机构14，其中磁控室1安装在机台架7上、与位于机台架 7内的真空抽气系统相连，在磁控室1内均布有多个(一 四个)安装在磁控室1的下法兰15上的磁控靶6 ；所述基片转台可相对转动地安装在磁控室1的上盖2上，所载基片位于磁控室1内、各磁控靶6的上方，磁控室1的上盖2上还安装有基片转台驱动电机，所述基片转台通过传动机构由基片转台驱动电机驱动旋转；所述机台架7内安装有电动提升机构 14，该电动提升机构14的输出端由机台架7穿出、与磁控室1的上盖2相连接，带动上盖2 及上盖2上的基片转台和基片转台驱动电机升降。本实用新型为单室结构，可在磁控室1内进行多元靶垂直溅射多层膜，又可进行斜靶共溅射复合膜。实施例一本实施例的基片转台为基片水冷加热公转台3。如图1 3所示，磁控室1为圆筒型立式结构，通过下法兰15固定在机台架7上； 磁控室1的圆周表面上焊接有各种规格的法兰接口，包括观察窗口、旁抽角阀接口、进气阀接口、电极引线接口、规管接口、磁控溅射靶接口、主抽分子泵接口、基片挡板接口、预留有辅助交接用机械手接口、预处理室接口和一些备用法兰接口，便于功能扩展用；该磁控室1 与安装在机台架7内的真空抽气系统相连，真空抽气系统是由插板阀10和涡轮分子泵11 连接，加上下面的机械泵9组成的气路实现主抽，由旁抽角阀20和机械泵9组成的气路实现旁路抽气。磁控室1内的下法兰15上安装有四个磁控靶6，垂直正对装在基片水冷加热公转台3上的基片、进行磁控溅射镀膜。每个磁控靶6上方均设有一个磁控靶挡板8，该磁控靶挡板8与安装在机台架7内部的第三电机19相连，通过第三电机19驱动开关磁控靶挡板 8。磁控靶挡板8关闭状态即磁控靶挡板8位于磁控靶6的正上方，将磁控靶6挡住；而磁控靶挡板8开启状态即磁控靶挡板8转至一侧，露出磁控靶6。每个磁控靶6的外围均设有安装在磁控室1的下法兰15上的磁控靶屏蔽筒13，以避免靶材之间的交叉污染。磁控靶6 可以自由选择安装永磁靶或者电磁靶，永磁靶射频溅射和直流溅射兼容，靶内有水冷，包含溅射非铁磁性材料的普通永磁靶、溅射铁磁性材料的强永磁靶。基片水冷加热公转台3的一端载有基片、插入磁控室1内，位于各磁控靶6溅射端的上方，基片水冷加热公转台3的另一端位于上盖2的上方，连接有与计算机控制系统电连接的圆光栅编码器16 ；本实用新型的计算机控制系统为现有技术。上盖2上安装有第一电机4和第一减速器22，该第一电机4和第一减速器22通过同步带和带轮组件12与基片水冷加热公转台3连接、带动基片水冷加热公转台3旋转；磁控室1内安装有可转动的电动基片挡板5，该电动基片挡板5的一端位于基片水冷加热公转台3载有基片的一端与各磁控靶 6溅射端之间，电动基片挡板5的另一端与安装在机台架7内的第二减速器22及第二电机 18依次连接，通过第二电机18驱动其旋转。电动基片挡板5的一端为圆形挡板，上面开有圆孔，露出被镀基片，遮挡其余不被溅射的基片；电动基片挡板5位于各磁控靶6的中间，即电动基片挡板5顶端的圆形挡板的
6中心轴线与各磁控靶6中间围成的圆的中心轴线共线，各磁控靶6分别垂直于电动基片挡板5。基片水冷加热公转台3上具有六个工位，可以放置六片基片，其中一或两个工位上方设有加热炉，其余工位通水冷却。加热炉下的基片加热温度由热电偶闭环反馈控制，基片最大尺寸Φ 50mm。电动提升机构14包括一安装在机台架7内的驱动电机，该驱动电机的输出轴连接一丝杠，丝杠的另一端由机台架7穿出，在丝杠7的另一端上螺纹连接有与连接板17固接的丝母，通过丝母与丝杠的螺纹副即可转换成丝母及连接板17沿丝杠轴向的上下移动副， 实现上盖2上掀盖；电动提升机构14也可为升降气缸，下端安装在机台架7内，上端由机台架7穿出、固接有连接板17，该连接板17与磁控室1的上盖2固接，通过电动提升机构14 的驱动，实现上盖2及上盖2上的基片水冷加热公转台3、第一电机4、第一减速器22升降。本实施例的工作原理为本实施例在磁控室1的上盖2上装配有基片水冷加热公转台3，将电动基片挡板5 和磁控靶屏蔽筒13安装在磁控室1的下法兰15上，将磁控靶6的靶头均垂直正对基片水冷加热公转台3上的基片，调整靶材与样品之间的距离，可以用于多元靶垂直溅射镀制多层膜。具体操作为首先进行炼靶，电动基片挡板5遮挡住所有样品，通过第三电机8的驱动打开各磁控靶6的磁控靶挡板8，各磁控靶6起辉做炼靶用，当靶材被溅射出新鲜表面时，即炼靶完成，关闭各磁控靶挡板。第一电机4工作，通过第一减速器22及同步带和带轮组件12带动基片水冷加热公转台3旋转，进而将基片转到需要的磁控靶上方，开启该磁控靶挡板，该磁控靶起辉；第二电机18工作，驱动电动基片挡板5旋转，使其上的圆孔旋转至被溅射基片的位置，露出被溅射的基片，进行溅射镀膜；待该处膜层镀制完成后，关闭该磁控靶的磁控靶挡板；将基片转至下一个磁控靶上方，开启该磁控靶挡板，磁控靶起辉，旋转电动基片挡板 5上的圆孔到基片位置，进行溅射镀制下一个膜层。在镀膜过程中，可对样品进行水冷，也可设定温度与时间对样品进行加热处理。本实施例的基片水冷加热公转台3由第一电机4、第一减速器22加上同步带和带轮组件12驱动公转，通过计算机控制系统控制圆光栅编码器16，实现基片的准确定位。实施例二本实施例的基片转台为单加热自转盘24。如图4、图5所示，磁控室1为圆筒型立式结构，通过下法兰15固定在机台架7上； 磁控室1的圆周表面上焊接有各种规格的法兰接口，包括观察窗口、旁抽角阀接口、进气阀接口、电极引线接口、规管接口、磁控溅射靶接口、主抽分子泵接口、基片挡板接口、预留有辅助交接用机械手接口、预处理室接口和一些备用法兰接口，便于功能扩展用；该磁控室1 与安装在机台架7内的真空抽气系统相连，真空抽气系统是由插板阀10和涡轮分子泵11 连接，加上下面的机械泵9组成的气路实现主抽，由旁抽角阀20和机械泵9组成的气路实现旁路抽气。磁控室1内的下法兰15上安装有四个磁控靶6，倾斜于装在单加热自转盘M上的基片、进行磁控溅射镀膜。每个磁控靶6上方均设有一个磁控靶挡板8，该磁控靶挡板8与安装在机台架7内部的第三电机19相连，通过第三电机19驱动开关磁控靶挡板8。磁控靶挡板8关闭状态即磁控靶挡板8将磁控靶6挡住，而磁控靶挡板8开启状态即磁控靶挡板8转至一侧，露出磁控靶6。磁控靶6可以自由选择安装永磁靶或者电磁靶，永磁靶射频溅射和直流溅射兼容，靶内有水冷，包含溅射非铁磁性材料的普通永磁靶、溅射铁磁性材料的强永磁靶。本实施例的磁控靶6的靶头可以弯折，倾斜于基片。单加热自转盘M的一端载有基片、插入磁控室1内，位于各磁控靶6溅射端的上方，单加热自转盘M的另一端位于上盖2的上方，单加热自转盘M通过安装在上盖2上的第四电机26驱动旋转；在上盖2上还设有手动基片挡板组件25，该手动基片挡板组件25 包括转轴及挡板，其中转轴可转动地安装在上盖2上，转轴的下端连接有挡板，转动转轴可将该挡板挡住单加热自转盘M上的基片。单加热自转盘M具有一个加热工位、处于单加热自转盘对的中间，可放置一片基片；手动基片挡板组件25中的挡板在遮挡基片时位于基片的正下方，各磁控靶6位于该单加热自转盘M加热工位的周围，各磁控靶6中间围成的圆的中心轴线与基片的中心轴线共线。基片加热由热电偶闭环反馈控制，可对基片加热至 SOO0C 士 1°C ；基片最大尺寸Φ50πιπι，由第四电机沈驱动基片连续回转，以加强成膜的均勻性，可通过计算机控制系统控制镀膜过程。电动提升机构14包括一安装在机台架7内的驱动电机，该驱动电机的输出轴连接一丝杠，丝杠的另一端由机台架7穿出，在丝杠7的另一端上螺纹连接有与连接板17固接的丝母，通过丝母与丝杠的螺纹副即可转换成丝母及连接板17沿丝杠轴向的上下移动副， 实现上盖2上掀盖；电动提升机构14也可为升降气缸，下端安装在机台架7内，上端由机台架7穿出、固接有连接板17，该连接板17与磁控室1的上盖2固接，通过电动提升机构14 的驱动，实现上盖2及上盖2上的单加热自转盘Μ、第四电机沈、手动基片挡板组件25升降。本实施例的工作原理为当拆下基片水冷加热公转台3、电动基片挡板5和磁控靶屏蔽筒13，换上单加热转盘M及手动基片挡板组件25，将磁控靶6的靶头折弯、共同指向单加热转盘M上的基片， 可以用于对基片加热时的多元材料的共溅射。在手动基片挡板组件25的辅助下，可通过计算机控制程序进行斜靶共溅射复合膜。首先进行炼靶，炼靶完成后，打开磁控靶挡板8，磁控靶6起辉，打开手动基片挡板组件 25，进行溅射镀膜；可进行单靶单溅射、多靶轮流溅射、多靶共溅射，并且磁控靶6的功率可调。在镀膜过程中，在配置有单加热转盘M的溅射系统中，可设定时间和温度对基片进行加热处理。本实施例的磁控靶6的靶头可以折弯，靶材中心到基片中心的间距可以连续调节，并有调位距离指示。实施例三本实施例的基片转台为单冷却自转盘27。如图6、图7所示，磁控室1为圆筒型立式结构，通过下法兰15固定在机台架7上； 磁控室1的圆周表面上焊接有各种规格的法兰接口，包括观察窗口、旁抽角阀接口、进气阀接口、电极引线接口、规管接口、磁控溅射靶接口、主抽分子泵接口、基片挡板接口、预留有辅助交接用机械手接口、预处理室接口和一些备用法兰接口，便于功能扩展用；该磁控室1 与安装在机台架7内的真空抽气系统相连，真空抽气系统是由插板阀10和涡轮分子泵11 连接，加上下面的机械泵9组成的气路实现主抽，由旁抽角阀20和机械泵9组成的气路实现旁路抽气。磁控室1内的下法兰15上安装有四个磁控靶6，倾斜于装在单冷却自转盘27上的基片、进行磁控溅射镀膜。每个磁控靶6上方均设有一个磁控靶挡板8，该磁控靶挡板8与安装在机台架7内部的第三电机19相连，通过第三电机19驱动开关磁控靶挡板8。磁控靶挡板8关闭状态即磁控靶挡板8将磁控靶6挡住，而磁控靶挡板8开启状态即磁控靶挡板 8转至一侧，露出磁控靶6。磁控靶6可以自由选择安装永磁靶或者电磁靶，永磁靶射频溅射和直流溅射兼容，靶内有水冷，包含溅射非铁磁性材料的普通永磁靶、溅射铁磁性材料的强永磁靶。本实施例的磁控靶6的靶头可以弯折，倾斜于基片。单冷却自转盘27的一端载有基片、插入磁控室1内，位于各磁控靶6溅射端的上方，单冷却自转盘27的另一端位于上盖2的上方。上盖2上安装有第一电机4和第一减速器22，该第一电机4和第一减速器22通过同步带和带轮组件12与单冷却自转盘27连接、 带动单冷却自转盘27旋转。在上盖2上还设有手动基片挡板组件25，该手动基片挡板组件 25包括转轴及挡板，其中转轴可转动地安装在上盖2上，转轴的下端连接有挡板，转动转轴可将该挡板挡住单冷却自转盘27上的基片。单冷却自转盘27具有一个冷却工位、处于单冷却自转盘27的中间，可放置一个基片；手动基片挡板组件25中的挡板在遮挡基片时位于基片的正下方，各磁控靶6位于该单冷却自转盘27冷却工位的周围，各磁控靶6中间围成的圆的中心轴线与基片的中心轴线共线。基片可通水冷却，也可通液氮冷却；基片最大尺寸 Φ 50mm,由第一电机4、第一减速器22通过同步带和带轮组件12驱动单冷却自转盘27上的基片自转，可通过计算机控制系统控制镀膜过程。电动提升机构14包括一安装在机台架7内的驱动电机，该驱动电机的输出轴连接一丝杠，丝杠的另一端由机台架7穿出，在丝杠7的另一端上螺纹连接有与连接板17固接的丝母，通过丝母与丝杠的螺纹副即可转换成丝母及连接板17沿丝杠轴向的上下移动副， 实现上盖2上掀盖；电动提升机构14也可为升降气缸，下端安装在机台架7内，上端由机台架7穿出、固接有连接板17，该连接板17与磁控室1的上盖2固接，通过电动提升机构14 的驱动，实现上盖2及上盖2上的单冷却自转盘27、第一电机4及第一减速器3升降。本实施例的工作原理为当拆下基片水冷加热公转台3、电动基片挡板5和磁控靶屏蔽筒13，换上单冷却转盘27及手动基片挡板组件25，将磁控靶6的靶头折弯、共同指向单冷却转盘27上的基片， 可以用于对基片加热时的多元材料的共溅射。在手动基片挡板组件25的辅助下，可通过计算机控制程序进行斜靶共溅射复合膜。首先进行炼靶，炼靶完成后，打开磁控靶挡板8，磁控靶6起辉，打开手动基片挡板组件 25，进行溅射镀膜；可进行单靶单溅射、多靶轮流溅射、多靶共溅射，并且磁控靶6的功率可调。在镀膜过程中，在配置有单冷却转盘27的溅射系统中，可对基片进行水冷。本实施例的磁控靶6的靶头可以折弯，靶材中心到基片中心的间距可以连续调节，并有调位距离指示。本实用新型的各个电机可分别与计算机控制系统电连接，由计算机控制系统进行控制。本实用新型提供一种即可实现垂直溅射又可实现共溅射的磁控溅射系统，磁控溅射系统结构简单、控制方便、真空度高(6.6X10E-6Pa)，可供实验室、企业、科研单位制作、研究各种材料及其性质、各种薄膜及其性质。
权利要求1.一种磁控溅射系统，其特征在于包括磁控室(1)、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶(6)、机台架(7)、真空抽气系统及电动提升机构(14)，其中磁控室(1)安装在机台架(7)上、与位于机台架(7)内的真空抽气系统相连，在磁控室(1)内均布有多个安装在磁控室(1)的下法兰(1 上的磁控靶(6)；所述基片转台转动安装在磁控室(1)的上盖(2)上，所载基片位于磁控室(1)内、各磁控靶(6)的上方，磁控室(1)的上盖( 上还安装有基片转台驱动电机，所述基片转台通过传动机构由基片转台驱动电机驱动旋转；所述机台架⑵内安装有电动提升机构(14)，该电动提升机构(14)的输出端由机台架(7)穿出、与磁控室(1)的上盖( 相连接，带动上盖( 及上盖( 上的基片转台和基片转台驱动电机升降。
2.按权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于所述磁控靶(6)具有垂直基片转台或倾斜基片转台两个工作位，每个磁控靶(6)上方均设有一个磁控靶挡板(8)，该磁控靶挡板(8)与安装在机台架(7)内部的第三电机(19)相连，通过第三电机(19)驱动开关磁控靶挡板⑶。
3.按权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于所述每个磁控靶(6)的外围均设有安装在磁控室(1)的下法兰(15)上的磁控靶屏蔽筒(13)。
4.按权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于所述基片转台为基片水冷加热公转台(3)，其一端载有基片、插入磁控室(1)内，另一端位于上盖O)的上方；所述上盖(2) 上安装有第一电机G)，该第一电机(4)通过同步带和带轮组件(1 与基片水冷加热公转台(3)连接、带动基片水冷加热公转台C3)旋转；所述磁控室(1)内转动安装有电动基片挡板(5)，该电动基片挡板( 的一端位于基片水冷加热公转台(3)载有基片的一端与各磁控靶(6)溅射端之间，电动基片挡板(5)的另一端与安装在机台架(7)内的第二电机(18)相连，通过第二电机(18)驱动旋转。
5.按权利要求4所述的磁控溅射系统，其特征在于所述电动基片挡板(5)位于各磁控靶(6)的中间，各磁控靶(6)垂直于电动基片挡板(5)；该电动基片挡板(5)的一端为圆形挡板，上面开有露出被镀基片的圆孔。
6.按权利要求4所述的磁控溅射系统，其特征在于所述基片水冷加热公转台(3)的另一端设有与计算机控制系统电连接的圆光栅编码器(16)。
7.按权利要求4所述的磁控溅射系统，其特征在于所述基片水冷加热公转台(3)上具有六个工位，其中一或两个工位上方设有加热炉，其余工位通水冷却。
8.按权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于所述基片转台为单加热自转盘 (M)，其一端载有基片、插入磁控室(1)内，另一端位于上盖( 的上方；所述上盖( 上安装有第四电机(26)，该第四电机06)驱动单加热自转盘04)旋转。
9.按权利要求8所述的磁控溅射系统，其特征在于所述单加热自转盘04)具有一个加热工位、处于单加热自转盘04)的中间，各磁控靶(6)位于该单加热自转盘04)加热工位的周围；在单加热自转盘04)的加热工位上载有基片，该基片下方设有手动基片挡板组件(25)。
10.按权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于所述基片转台为单冷却自转盘 (27)，其一端载有基片、插入磁控室(1)内，另一端位于上盖的上方；所述上盖(2)上安装有第一电机G)，该第一电机(4)通过同步带和带轮组件(1 与基片水冷加热公转台(3)连接、带动基片水冷加热公转台( 旋转。
11.按权利要求10所述的磁控溅射系统，其特征在于所述单冷却自转盘07)具有一个冷却工位、处于单冷却自转盘、21、的中间，各磁控靶(6)位于该单冷却自转盘04)冷却工位的周围；在单冷却自转盘07)的冷却工位上载有基片，该基片下方设有手动基片挡板组件(25)。
专利摘要本实用新型涉及镀膜设备，具体地说是一种磁控溅射系统，包括磁控室、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶、机台架、真空抽气系统及电动提升机构，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安装在磁控室下法兰上的磁控靶；基片转台转动安装在磁控室上盖上，所载基片位于磁控室内、各磁控靶的上方，磁控室上盖上还安装有基片转台驱动电机，基片转台通过传动机构由驱动电机驱动旋转；机台架内安装有电动提升机构，其输出端由机台架穿出、与磁控室的上盖相连接，带动上盖及上盖上的基片转台和基片转台驱动电机升降。本实用新型具有功能齐全，自动化程度高，互换性和可靠性好等优点。
文档编号C23C14/35GK202322998SQ20112044740
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月11日 优先权日2011年11月11日
发明者佟辉, 刘丽华, 周景玉, 张雪, 戚晖, 赵科新 申请人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司