专利名称:镀膜件及其制备方法
技术领域:
本发明涉及一种镀膜件及其制备方法。
背景技术:
铌基合金具有较高的熔点(> 1700°C ),较低的密度(6. 6 7. 2g/cm3),良好的室温断裂韧性(> 20Mpa.m1/2),良好的高温强度及铸造性能。然而,铌基合 金抗氧化性能差, 在温度较高的条件下(1200°C 1400°C或更高温度)使用时存在严重的氧化现象。发明内容
有鉴于此,有必要提供一种提高铌基合金抗高温氧化性能的镀膜件。
另外,还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。
一种镀膜件,其包括基材、形成于基材表面的复合层及形成于复合层表面的铬氧氮层,该复合层包括若干镍铝钦层和若干金属铱层,该镍铝钦层和金属铱层交替排布,其中该复合层中与所述基材直接相结合的是镍铝钦层,与铬氧氮层直接相结合的为金属铱层。
一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤提供基材;在该基材的表面形成镍铝钦层;在该镍铝钦层的表面形成金属铱层;交替重复上述形成镍铝钦层和金属铱层的步骤制备所述复合层,且使复合层的最外层为金属铱层;在该复合层的表面形成铬氧氮层。
本发明复合层包括若干镍铝钦层和若干金属铱层,镍铝钦层具有优异的抗氧化性能;金属铱层在高温条件下氧渗透率低,可以有效阻止氧朝基材内扩散;最外层铬氧氮层膜层致密,可有效延缓氧朝基材的方向扩散,从而进一步保护复合层和基材;因此所镀膜层使所述镀膜件具有良好的抗高温氧化性能,从而有效提高镀膜件的使用寿命。
图1为本发明一较佳实施例的镀膜件的剖视图;图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的俯视示意图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种镀膜件,其包括基材,其特征在于该镀膜件还包括形成于基材表面的复合层及形成于复合层表面的铬氧氮层,该复合层包括若干镍铝钦层和若干金属铱层,该镍铝钦层和金属铱层交替排布,其中该复合层中与所述基材直接相结合的是镍铝钦层,与铬氧氮层直接相结合的为金属铱层。
2.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于该镍铝钦层中镍的原子百分含量为50 60%,铝的原子百分含量为25 30%,钦的原子百分含量为10 25%。
3.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于该铬氧氮层中铬的原子百分含量为80 90%,氧的原子百分含量为5 10%,氮的原子百分含量为5 10%。
4.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于所述若干金属铱层和若干镍铝钦层的层数均为50 133层。
5.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于该基材由金属或陶瓷制成。
6.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于每一金属铱层的厚度为15 20nm。
7.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于每一镍铝钦层的厚度为15 20nm。
8.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于该铬氧氮层的厚度为3 5μπι。
9.一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤提供基材;在该基材的表面形成镍铝钦层;在该镍铝钦层的表面形成金属铱层;交替重复上述形成镍铝钦层和金属铱层的步骤制备所述复合层,且使复合层的最外层为金属铱层;在该复合层的表面形成铬氧氮层。
10.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法,其特征在于形成所述镍铝钦层的方法为采用磁控溅射法,使用镍铝钦合金靶,设置镍铝钦合金靶的电源功率为10 15kw,以氩气为工作气体,氩气流量为80 150SCCm,对基材施加的偏压为-100 -300V,镀膜温度为 100 200°C,溅镀镍铝钦层的时间为45 90s。
11.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法,其特征在于形成所述金属铱层的方法为采用磁控溅射法,使用铱靶,设置铱靶的电源功率为8 10kw,以氩气为工作气体,氩气流量为80 150SCCm,对基材施加的偏压为-100 -300V,镀膜温度为100 200°C,溅镀金属铱层的时间为45 90s。
12.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法,其特征在于交替溅镀镍铝钦层和金属铱层的次数为50 133次。
13.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法,其特征在于形成所述铬氧氮层的方法为采用磁控溅射法,使用铬靶,并设置铬靶的电源功率为8 10kw,以氮气和氧气为反应气体,氮气流量为10 50SCCm,氧气流量为20 80SCCm,以氩气为工作气体,氩气流量为 80 150SCCm,对基材施加的偏压为-100 -300V,镀膜温度为100 200°C,溅镀铬氧氮层的时间为50 80min。
全文摘要
一种镀膜件,其包括基材、形成于基材表面的复合层及形成于复合层表面的铬氧氮层,该复合层包括若干镍铝钬层和若干金属铱层,该镍铝钬层和金属铱层交替排布,其中该复合层中与所述基材直接相结合的是镍铝钬层,与铬氧氮层直接相结合的为金属铱层。所镀膜层使所述镀膜件具有良好的抗高温氧化性能,从而有效提高镀膜件的使用寿命。此外,本发明还提供一种所述镀膜件的制备方法。
文档编号C23C14/35GK102994954SQ201110267028
公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月9日 优先权日2011年9月9日
发明者陈正士, 李聪 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司