一种高纯度大密度抗氧化钼电极及其制备方法

文档序号:3400387阅读:205来源:国知局
专利名称:一种高纯度大密度抗氧化钼电极及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法。
背景技术
现有技术中,钼电极具有高温气氛下强度高、抗氧化性能好、使用寿命长、抗腐蚀 及不易使玻璃着色等优点,而广泛应用于日用玻璃、光学玻璃、保温材料、玻璃纤维、稀土工 业等领域。随着加工工艺的改进,以及对产品质量的要求提高,对于钼电极的纯度、密度、抗 氧化性能的要求亦相应提高。因此必然需要开发出一种大密度、高纯度以及抗氧化性极强 的钼电极。专利号为200810040168X的中国专利,公开了一种钼电极表面玻璃基防氧化涂层 的制备方法。其优点在于可以防止烤窑期间钼电极的氧化;涂覆工艺采用刷涂法,不用进 行热加工。

发明内容
本发明的目的在于提供一种高纯度、大密度、抗氧化能力极强的钼电极及其制备 方法,其产品密度可以达到10. 5g/cm2以上,钼含量彡99. 95% ;其使用温度大于1300°C。为达上述目的,本发明采用了如下的技术方案所述高纯度、大密度、抗氧化钼电 极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-I标准的钼粉,粒度范围为3. 0-3. 5 μ m,其他元素含量 (% )彡;Fe 0. 003、Ni 0. 0015、Ai 0. 001、Si 0. 003、C 0. 005、Mg 0. 001、Sn 0. 0005、0 0. 005、Cu 0. 001、Cr 0. 001 ;(2)成型软模装料成型;(3)压制200MPa 液压;(4)烧结1920°C以上的中频烧结;(5)锻打300吨电锤锻打;(6)车削400车床车削定型。采用上述制备方法后,由于其压制压力达到200MPa,烧结温度彡1980°C,钼含量 达彡99. 95%,获得的钼电极经检验发现,其密度大于llg/cm2普通钼电极提高了 3_6个百 分点,其使用温度大于1500°C,与普通钼电极相比,提高了 1-3个百分点,因此具有较强的 抗氧化性能、化学性质稳定。
具体实施例方式本发明的技术方案,由以下的实施例进一步说明本发明所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-I标准的钼粉,粒度范围为3. 0-3. 5 μ m,其他元素含量 (% )彡;Fe 0. 003、Ni 0. 0015、Ai 0. 001、Si 0. 003、C 0. 005、Mg 0. 001、Sn 0. 0005、00. 005、Cu 0. 001、Cr 0. 001 ;(2)成型软模装料成型;(3)压制200MPa 液压;
(4)烧结1920°C以上的中频烧结;(5)锻打300吨电锤锻打;(6)车削400车床车削定型。
权利要求
一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法,其特征在于所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-1标准的钼粉,粒度范围为3.0-3.5μm,其他元素含量(%)≤;Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001;(2)成型软模装料成型;(3)压制200MPa液压;(4)烧结1920℃以上的中频烧结;(5)锻打300吨电锤锻打;(6)车削400车床车削定型。
全文摘要
本发明公开了一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法,钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-1标准的钼粉,粒度范围为3.0-3.5μm,其他元素含量(%)≤Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001;(2)成型软模装料成型;(3)压制200MPa液压;(4)烧结1920℃以上的中频烧结;(5)锻打300吨电锤锻打;(6)车削400车床车削定型。获得的钼电极经检验发现,其密度大于11g/cm2普通钼电极提高了3-6个百分点,其使用温度大于1500℃,与普通钼电极相比,提高了1-3个百分点,因此具有较强的抗氧化性能、化学性质稳定。
文档编号B22F3/16GK101879595SQ200910064838
公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月8日 优先权日2009年5月8日
发明者张松旺, 景永辉, 梁占坡, 王学杰, 陈建有, 陈玉山, 陈隧印 申请人:陈建有
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