专利名称：旋转式磁控溅射靶的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种大面积真空镀膜用中频磁控溅射靶，可广泛应用于光电子、能源、通信、建材和机械等行业中。
背景技术：
磁控溅射靶是大面积真空镀膜设备中的主要装置之一，现代光电薄膜产品中需要大量沉积氧化物、氮化物等绝缘化合物薄膜，因此广泛应用中频反应磁控溅射技术；现在真空镀膜设备中应用的主要是平面磁控溅射靶，其永磁铁和靶都是静止不动的，这样靶的刻蚀区是固定的；因此平面磁控溅射靶沉积绝缘材料薄膜时存在以下缺点1、由于靶的刻蚀区是固定的，靶的利用率非常低，通常最多只能达到40％；2、随着靶的刻蚀越来越深，靶材的溅射速率和薄膜的均匀性都有影响，不利于高质量功能薄膜的沉积；3、由于靶的非刻蚀区的存在，在镀膜过程中绝缘材料会沉积在非刻蚀区表面，造成大量的电子在上堆积，从而引起靶面起弧；靶面起弧轻者造成沉积薄膜的污染，重者将导致溅射过程的不稳定甚至停止。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提出一种用于大面积薄膜沉积的旋转式磁控溅射靶，提高靶的利用率，避免靶面起弧的现象，保证溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量。
为实现上述目的，本实用新型提出技术方案是旋转式磁控溅射靶，包括永磁体1、靶材4和旋转机构12，所述旋转机构12传动所述靶材4绕永磁体1旋转。
进一步地，所述靶材4为中空的圆柱状靶材，在所述柱状靶材4的外周固定有屏蔽罩5，所述屏蔽罩5在永磁体1面向基材的一面开有溅射口。
优选地，所述永磁体1、靶材4和旋转机构12都为孪生型。
本实用新型的有益效果是由于溅射过程中永磁体是固定不动的，而靶材始终是旋转的，因此靶材的刻蚀是均匀且刻蚀区永远不会固定，这样可大幅度提高靶的利用率，达70-80％以上；同样因为整个靶面都被刻蚀，不会出现平面靶的非刻蚀区电子堆积的问题，从而避免靶面起弧的现象，保证溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量。由于永磁体、靶材和旋转机构都为孪生型，对沉积化合物薄膜采用中频放电形式，增加了沉积薄膜的均匀性。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
图1表示本实用新型的靶的横截面图。
图2表示本实用新型的具体实施例的结构图。
具体实施方式
作为最佳实施例，永磁体1、靶材4和旋转机构12都采用孪生型，靶材4采用中空圆柱形靶材。如图1所示的本实用新型的靶的横截面图，永磁体1固定在整体式极靴2上，靶材4固定在靶柱3上，并将永磁体1和极靴2环围在内，靶材4的外周有屏蔽罩5，屏蔽罩5在永磁体1面向基材10的一面开有溅射口，两溅射靶的溅射口相对称，屏蔽罩5用于屏蔽放电7，使只有面向基材6的靶材4在磁场7的作用下才产生溅射，从溅射口溅射到基材6上，避免无效溅射，提高靶材的利用率。
如图2所示为本实用新型的一种具体实施方式
永磁体1、靶材4、极靴2、靶柱3和屏蔽罩5如图1所示，靶材4固定在靶柱3上，旋转机构12设置在靶材4的上方，靶柱3上方与旋转机构12通过刚性连接在一起，下方与底座19密封连接，旋转机构12由旋转装置10带动旋转，再传动靶柱3和靶材4绕轴心旋转。因为溅射室为真空状态，必须与外界隔离，固在旋转机构12的外周设置动密封装置11，动密封装置11上端与旋转机构12活动密封，下端与真空溅射室的顶部14刚性连接。由于在溅射靶旋转过程中，会产生大量的热量，为了将热量带走，本实用新型还包括冷却装置，所述冷却装置包括冷却水进水管道8和冷却水出水管道9，所述冷却水进水管道8从旋转机构12和极靴2的中心穿过，进水口设于进水管道8的上端口，出水口16位于进水管道8的下端靠近底座19处，所述冷却水出水管道9紧靠靶柱3和旋转机构12的内壁，冷却水出水管道9的出水口位于旋转机构12的上端口。旋转式磁控溅射靶还包括两组滚动轴承20，所述滚动轴承20的一组位于底座19和底板13之间，另一组位于旋转机构12和极靴2之间，以增强靶材旋转时的稳定性，另外还有一组滚动轴承17，位于极靴2和底座19之间，极靴2与靶座间的相对运动。
靶材4除了是中空的圆柱形外，其横截面还可以是扇形、弧形、正多边形等形状。
由于本实用新型的结构采用磁钢固定，靶材旋转的方式，极大地提高靶材利用率，高达70％以上；运用中频双靶放电形式，可以克服沉积化合物膜时靶面中毒和起弧现象。薄膜沉积速率高、均匀性好，性能优良。适用于大面积氧化物、氮化物等薄膜的工业化规模生产。
权利要求1.一种旋转式磁控溅射靶，包括永磁体(1)、靶材(4)，其特征在于还包括旋转机构(12)，所述旋转机构(12)传动所述靶材(4)绕永磁体(1)旋转。
2.如权利要求1所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于所述靶材(4)为中空的圆柱状靶材。
3.如权利要求1所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于在所述靶材(4)的外周固定有屏蔽罩(5)，所述屏蔽罩(5)在永磁体(1)面向基材的一面开有溅射口。
4.如权利要求1、2或3中任意一项所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于所述永磁体(1)、靶材(4)和旋转机构(12)都为孪生型。
5.如权利要求1、2或3中任意一项所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括动密封装置(11)，所述动密封装置(11)上端与旋转机构(12)活动密封，下端与真空溅射室的顶部(14)刚性连接。
6.如权利要求4所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括动密封装置(11)，所述动密封装置(11)上端与旋转机构(12)活动密封，下端与真空溅射室的顶部(14)刚性连接。
7.如权利要求5所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括冷却装置，所述冷却装置包括冷却水进水管道(8)和冷却水出水管道(9)，所述冷却水进水管道(8)从靶心穿过，进水口设于进水管道(8)的上端口，出水口(16)位于进水管道(8)的下端，所述冷却水出水管道(9)紧靠靶材(4)和旋转机构(12)的内壁，出水口设于旋转机构(12)的上端。
8.如权利要求6所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括冷却装置，所述冷却装置包括冷却水进水管道(8)和冷却水出水管道(9)，所述冷却水进水管道(8)从靶心穿过，进水口设于进水管道(8)的上端口，出水口(16)位于进水管道(8)的下端，所述冷却水出水管道(9)紧靠靶材(4)和旋转机构(12)的内壁，出水口设于旋转机构(12)的上端。
9.如权利要求4所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括极靴(2)和靶柱(3)，所述永磁体(1)固定在极靴(2)上，所述靶材(4)固定在靶柱(3)上，所述靶柱(3)上方与旋转机构(12)刚性连接，下方与底座(19)密封连接。
10.如权利要求9所述的旋转式磁控溅射靶，其特征在于还包括两组滚动轴承(20)，所述滚动轴承(20)一组位于底座(19)和底板(13)之间，另一组位于旋转机构(12)和极靴(2)之间。
专利摘要本实用新型提出了一种用于大面积薄膜沉积的旋转式磁控溅射靶，包括永磁体1、靶材4和旋转机构12，所述旋转机构12传动靶材4绕永磁体1旋转，从而提高了靶的利用率，避免靶面起弧的现象，保证溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量，同时使用旋转式双柱状磁控溅射孪生靶，对沉积化合物薄膜采用中频放电形式，更增加了溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量。
文档编号C23C14/35GK2656432SQ03274500
公开日2004年11月17日 申请日期2003年9月11日 优先权日2003年9月11日
发明者许生, 许沭华 申请人:深圳豪威真空光电子股份有限公司