专利名称：白宝石的多弧离子镀金属化的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及电真空器件技术，特别是涉及利用多弧离子镀金属化白宝石，进而实现无氧铜—白宝石高可靠气密非匹配外套封的一种新工艺。
背景技术：
白宝石熔点高达2053℃，结构致密，其中不存在玻璃相，使得利用烧结金属粉末法金属化白宝石，金属化配方复杂，金属化烧结温度高，并且要求在特定湿度的氢气气氛下进行，之后还需要进行镀镍二次金属化。整个工艺过程复杂，技术难度大。活性金属粉末法是另一种发展成熟可以用于白宝石金属化的方法，活性金属粉末法中钛—银—铜(Ti-Ag-Cu)法使用的最为广泛，其中的钛具有很强的化学活泼性，对氧化物、硅酸盐等物质具有较大亲和力。Ti-Ag-Cu活性法较适于平封、夹封结构，当用来封接外套封结构时，特别容易在装架过程中，由于难以避免的刮擦破坏活性金属粉末涂层，从而造成封接件局部漏气，成品率低。
发明内容
为了克服烧结金属粉末法工艺复杂，技术难度大，以及活性金属粉末法涂层在装架过程中容易遭到破坏，成品率低等缺点，本发明利用多弧离子镀金属化白宝石，实现了无氧铜—白宝石高可靠气密非匹配外套封。整个工艺过程简捷，封接件成品率高，便于工业化生产。
本发明的具体工艺过程是首先对白宝石严格按照真空技术要求进行清洗，并按图1所示将白宝石用与白宝石等直径的二个挡片2夹在中间，使用紧固螺栓4固定在支撑1上，保证仅有封接区暴露在外，可被金属化。将装架好的白宝石悬挂到多弧离子镀炉腔内，在6×10-2Pa氩气气氛，温度为300±5℃，将纯钛蒸镀到白宝石封接区，实现金属化。纯钛膜厚度为1～2μm。
本发明的有益效果是，可以避免白宝石高温金属化技术难度大，工艺复杂等一系列技术困难，也可以避免活性金属粉末法涂层在装架过程中容易遭到破坏的缺点，进而实现无氧铜—白宝石的高可靠气密外套封，工艺简捷，封接件成品率高，便于工业化生产。
图1本发明白宝石多弧离子镀金属化装架结构示意图；图2无氧铜—白宝石外套封装架结构示意图。
具体实施例方式
首先严格按照真空技术要求对白宝石进行清洗，然后按图1所示，用挡片2将白宝石3夹在中间，只露出封接区，使用紧固螺栓4将组合在一起的2和3固定在支撑1上。将装架好的白宝石悬挂到多弧离子镀炉腔内，在6×10-2Pa氩气气氛，温度为300℃的条件下，将纯钛蒸镀到白宝石封接区，实现金属化，镀膜厚度为1.0～2.0μm。按照图2，将金属化好的白宝石利用支座8定位在无氧铜封接区，在封接区外侧包上一圈钼带9并用钼丝7捆扎紧，用以限制无氧铜的径向膨胀。在焊缝上放上72％Ag-Cu焊料丝，在真空度为P≤5×10-3Pa，温度为840℃下，保温5分钟，完成无氧铜—白宝石外套封。封接取得良好结果，焊料浸润正常，封口气密性良好，氦漏率Q≤7×10-9Pa·L/s。经过5次650℃保温16小时的热烘烤试验，氦漏率保持为Q≤7×10-9Pa·L/s。
权利要求
1.一种白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，利用多弧离子镀将纯钛蒸镀到白宝石封接区实现金属化。
2.如权利要求1所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，先将按照真空技术要求清洗好的白宝石夹在二个挡片中间，用紧固装置固定在支撑上，保证仅有封接区暴露，可被金属化；再将装架好的白宝石置于多弧离子镀炉腔内，维持低压惰性气体气氛，加温，使封接区蒸镀上纯钛膜。
3.如权利要求2所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，所述二个挡片与白宝石等直径。
4.如权利要求2所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，所述紧固装置为螺栓。
5.如权利要求2所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，所述装架好的白宝石是悬挂到多弧离子镀炉腔内。
6.如权利要求2所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，所述腔内低压为5.8～6.2×10-2Pa，惰性气体为氩气，温度为300±5℃。
7.如权利要求2所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，封接区蒸镀的纯钛膜厚度为1～2μm。
8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的白宝石的多弧离子镀金属化，其特征在于，所得到的白宝石金属化产品，可用于无氧铜—白宝石的高可靠气密外套封，其气密性良好，便于工业化生产。
全文摘要
本发明涉及电真空器件技术，特别是涉及利用多弧离子镀金属化白宝石，进而实现无氧铜—白宝石高可靠气密非匹配外套封的—种新工艺。本发明利用多弧离子镀将纯钛蒸镀到白宝石封接区实现金属化，用于无氧铜—白宝石的高可靠气密外套封，其气密性良好，可以避免白宝石高温金属化的一系列技术困难，也可以避免活性金属粉末法涂层在装架过程中容易遭到破坏，易于漏气，成品率低的缺点。本发明工艺简捷，操作方便，成品率高，便于实现工业化生产。
文档编号C23C14/24GK1570197SQ0314755
公开日2005年1月26日 申请日期2003年7月22日 优先权日2003年7月22日
发明者袁广江, 卢玉华, 罗积润, 阎旭, 吴尔生, 郭和忠 申请人:中国科学院电子学研究所