连接结构的利记博彩app

专利名称：连接结构的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及第I连接对象物和第2连接对象物通过连接部被连接的连接结构，涉及例如可适用于电子部件的安装、通孔连接等情况，且使用作为导电性接合材料的焊料连接第I连接对象物和第2连接对象物的连接结构。
背景技术：
例如，在制造具备接合小片接合芯片型的半导体装置、倒装片连接型的半导体装置等的电子设备时，适用下述的温阶阶连接法，即，在半导体装置的内部利用使用高温系焊料在较高温下的焊接进行连接后，利用使用熔点比上述高温系焊料低的低温系焊料在较低温下进行的焊接，将该半导体装置本身与基板连接。
进行上述的温阶连接法中的高温侧的焊料连接时，以往，常使用Pb焊料，但会担心Pb对环境方面有负面影响，最近，多使用不含Pb的无Pb焊料。作为本发明兴趣所在的无Pb焊料材料，例如，有日本特开2002-254194号公报(专利文献I)中提出的焊膏，其含有Ca)由Cu、Al、Au、Ag等金属或包含它们的合金构成的高熔点金属(或者合金)球和(b)由Sn或In构成的低熔点金属球的混合体。
使用该专利文献I中记载的焊膏进行焊接时，如图6 (I)示意所示，对含有例如由Sn构成的低熔点金属球51、例如由Cu构成的高熔点金属球52和助焊剂(未图示)的焊膏53进行加热使其反应，在焊接后，如图6 (2)所示，通过在来自低熔点金属球51的低熔点金属和来自高熔点金属球52的高熔点金属之间形成的金属间化合物，形成多个高熔点金属球52被连结的状态的连接部55，得到通过该连接部55使连接对象物(未图示)连接的连接结构。此外，在图6 (2)中，生成金属间化合物的区域作为金属间化合物区域54而图示。
然而，在使用上述的焊膏而得到的连接结构中，由于因热冲击等产生的线膨胀系数差导致的应变而在连接部中负载应力时，在连接部产生裂缝，该裂缝引起断线，有时会导致电阻值的上升、接合强度降低之类的问题。参照图7更具体地说明上述内容。
图7中示意表示了均由Cu构成的第I和第2连接对象物61和62通过连接部63而相互连接的连接结构60。连接部63的形成中使用的焊膏为专利文献I中记载的含有Cu球、Sn球和助焊剂的焊膏，进行加热时，在连接对象物61和62间，多个Cu球64处于通过在Cu和Sn之间形成的Cu-Sn系的金属间化合物而被连结的状态。
更详细而言，如粗线所示、以沿着连接部63与各连接对象物61和62之间的界面、且包围Cu球64的方式形成Cu3Sn层65。另外，以包围Cu球64的方式，形成Cu6Sn5基质66。进而，特别是不进行高温且长时间加热的一般加热条件下，在连接部63中，残存来自Sn球的Sn基质67。
然而，在图7所示的连接结构60中，由于因热冲击等产生的线膨胀系数差导致的应变而在连接部63中负载应力时，在Cu3Sn层65和Cu6Sn5基质66之类的Cn-Sn系的金属间化合物的内部、Cu3Sn层65彼此的界面、Cu6Sn5基质66彼此界面或Cu3Sn层65和Cu6Sn5基质66的界面之类的位置易于集中应力。另外，Cu-Sn系的金属间化合物其本身具有硬而脆的机械性质。由此，如上所述，在连接部63中负载应力时，会导致在连接部63易于产生裂缝的不良情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-254194号公报发明内容
因此，本发明的目的在于提供即使受到热冲击等也不易损害对接合强度的可靠性的连接结构。
如上所述，对于专利文献I中记载的焊膏而言，通过利用焊接工序加热焊膏，从而在高熔点金属与低熔点金属之间生成金属间化合物，但例如使用Cu作为高熔点金属、使用Sn作为低熔点金属时,作为金属间化合物,只生成构成兀素由Cu和Sn构成的Cu-Sn系的金属间化合物。本申请发明人推测上述裂缝的问题是由像这样只生成Cu-Sn系的金属间化合物而引起的，从而完成了本发明。
简单而言，本发明的特征是，通过形成连接部中分散有各种金属间化合物的状态，从而在金属间化合物的部分不易产生裂缝。
此外,对于专利文献I中记载的技术，使用含有Sn-Ag-Cu等除Sn以外的成分的金属作为低熔点金属时，也可生成由Ag-Sn系等其他的构成元素构成的金属间化合物，但其中Cu与Sn的反应优先发生，因此Cu-Sn系的金属间化合物中仅存在微少的其他金属间化合物。因此，在这种情况下，也无法一定避免易于产生裂缝的问题。
本发明的特征是,针对通过连接部连接第I连接对象物和第2连接对象物的连接结构，为了解决上述技术的课题而具备以下的构成。
首先，第I特征是，利用波长分散型X射线分析装置(WDX)分析连接部的剖面时，在该连接部的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系(M为Ni和/或Mn)以及Cu-M-Sn系的金属间化合物。这些金属间化合物在使用Sn系金属和Cu-M系合金的情况下是必然生成的。
另外，将连接部的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，规定块数相对于除去在I块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例(以下，也称为“分散度”。)为70%以上，所述规定块数是构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数。
上述的“除去仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余块”换句话说是存在金属间化合物的块。
另外，上述的“构成元素不同的金属间化合物”例如是指Cu-Mn-Sn金属间化合物和Cu-Sn金属间化合物之类的关系的金属间化合物。例如,Cu6Sn5和Cu3Sn是构成元素(即,Cu和Sn)相互相同的金属间化合物，作为I种计数。另外，上述的“2种以上”是指不仅包含上述的Cu-Sn系、M-Sn系以及Cu-M-Sn系这3种金属间化合物，而且还包含其他的金属间化合物(例如，Ag-Sn系等)而计数的2种以上。
优选在连接部分散有Cu-M合金粒子。Cu-M合金粒子具有应力缓和效果。因此，能够进一步提高利用连接部的连接可靠性。
另外，连接部优选不含有Sn系金属成分，例如即使含有Sn系金属成分的情况下，其含有率也优选为30体积％以下。Sn系金属成分例如被置于300°C以上的高温环境下时，有时可再次熔融而流出，所以导致连接部的耐热性的降低。因此，通过使Sn系金属成分的含有率为30体积％以下，能够提高耐热性，通过不含有Sn系金属成分，能够进一步提高耐热性。
根据本发明，在连接部的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系以及Cu-M-Sn系之类的3种以上的金属间化合物，并且，连接部内的金属间化合物是其分散度为70%以上的良好分散的状态，所以难以发生应力集中。因此，即使在由于因热冲击等产生的线膨胀系数差而引起的应力，从而在连接部负载应力的情况下，也不易发生裂缝，因此，能够使电阻值上升、接合强度降低之类的问题难以发生。


图1是示意表示本发明的第I实施方式的连接结构I和用于得到该连接结构I的过程的剖视图。
图2是示意表示本发明的第2实施方式的连接结构11和用于得到该连接结构11的过程的剖视图。
图3是表示实验例中制成的具有连接结构的层叠陶瓷电容器24的安装状态的主视图。
图4是表示实验例中采用的回流焊温度曲线的图。
图5是表示拍摄实验例中制成的试样3的接合结构的放大照片。
图6是表示使用专利文献I中记载的焊膏53进行焊接时的焊料的举动的图，(I)是表示加热前的状态的图，(2)是表示焊接工序结束后的状态的图。
图7是用于说明专利文献I中记载的焊膏的问题点的图，是示意表示由Cu构成的第I和第2连接对象物61和62通过连接部63相互连接的连接结构60的剖视图。
具体实施方式
[第I实施方式]
参照图1，对基于本发明的第I实施方式的连接结构I进行说明。经过图1 (I)和同图(2)的过程，得到图1 (3)所示的连接结构I。图1 (3)所示，连接结构I具有第I连接对象物2和第2连接对象物3通过连接部4连接的结构。
为了得到连接结构1，首先，如图1 (I)所示，在第I和第2连接对象物2和3间，赋予焊膏5。焊膏5含有低熔点金属粉末6、高熔点金属粉末7以及助焊剂8，上述低熔点金属粉末6由Sn系金属构成，上述高熔点金属粉末7由熔点比Sn系金属高的Cu系金属构成。
Sn系金属为Sn单质，或者是含有70重量％以上、优选85重量％以上的Sn的合金。更具体而言，Sn系金属优选是Sn单质,或者是含有选自Cu、N1、Ag、Au、Sb、Zn、B1、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、S1、Sr、Te以及P中的至少I种和Sn的合金。通过使Sn系金属选自这样的组成，能够易于与Cu系金属之间形成金属间化合物。
另一方面，Cu系金属能够通过焊膏5的加热熔融、优选以与上述Sn系金属的组合而生成显示310°C以上的熔点的金属间化合物，例如，优选是Cu-Mn合金或者Cu-Ni合金。Cu系金属为Cu-Mn合金时，Mn在该合金中所占的比例优选为10 15重量％, Cu系金属为Cu-Ni合金时，Ni在该合金中所占的比例优选为10 15重量％。
通过使Cu系金属选自上述的组成，能够以更低温且短时间与Sn系金属之间容易地形成金属间化合物，另外，即使在其后可实施的回流焊工序中也能够使其不易熔融。
作为Cu系金属，可以在不阻碍与Sn系金属的反应的程度、例如以I重量％以下的比例含有杂质。作为杂质，可举出 Zn、Ge、T1、Sn、Al、Be、Sb、In、Ga、S1、Ag、Mg、La、P、Pr、Th、Zr、B、Pd、Pt、N1、Au 等。
另外，若考虑连接性、反应性，则低熔点金属粉末6和高熔点金属粉末7中的氧浓度优选为2000ppm以下，特别优选为10 lOOOppm。
另外，Cu系金属优选是在低熔点金属粉末6的周围最初生成的金属间化合物的晶格常数与该Cu系金属的晶格常数差为50%以上的金属或者合金。上述晶格常数差如后式所示，是用金属间化合物的晶格常数减去Cu系金属的晶格常数而得的值除以Cu系金属的晶格常数，将所得的数值的绝对值放大100倍的数值(％)。即，该晶格常数差是表示与Cu系金属的界面最初生成的金属间化合物的晶格常数相对于Cu系金属的晶格常数有多大的差，与任一方的晶格常数的大小无关。
晶格常数差用下式表示，
晶格常数差(％) = { I (金属间化合物的晶格常数-Cu系金属的晶格常数)I / Cu系金属的晶格常数} X100。
焊膏5中优选含有助焊剂8。助焊剂8发挥除去连接对象物、金属粉末的表面的氧化被膜的功能。但是，焊膏5不一定必须含有助焊剂8，也可以适用于不需要助焊剂8的连接法。例如，利用边加压边加热的方法、在强还原气氛下加热的方法等也能够除去连接对象物、金属的表面的氧化被膜，进行可靠性高的连接。此外，含有助焊剂8时，相对于焊膏5整体，优选以7 15重量％的比例含有助焊剂8。
作为焊膏5中含有的助焊剂8，可使用包括载色剂、溶剂、触变剂、活性剂等的公知的助焊剂。
作为载色剂的具体例子，可举出由松香和将其改性的改性松香等的衍生物构成的松香系树脂、合成树脂、或者它们的混合体等。作为由松香和将其改性的改性松香等的衍生物构成的松香系树脂的具体例子，可举出脂松香、浮油松香、木松香、聚合松香、氢化松香、甲酰化松香、松香酯、松香改性马来酸树脂、松香改性酚醛树脂、松香改性醇酸树脂、其他各种松香衍生物等。作为由松香和将其改性的改性松香等的衍生物构成的合成树脂的具体例子，可举出聚酯树脂、聚酰胺树脂、酚氧树脂、萜烯树脂等。
另外，作为上述溶剂，已知有醇、酮、酯、醚、芳香族系、烃类等，作为具体例子，可举出苄醇、乙醇、异丙醇、丁醇、二乙二醇、乙二醇、甘油、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸丁酯、己二酸二乙酯、十二烷、十四烯、α-松油醇、松油醇、2-甲基2，4-戊二醇、2-乙基己二醇、甲苯、二甲苯、丙二醇单苯醚、二乙二醇单己醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚、己二酸二异丁酯、己二醇、环己烷二甲醇、2-松油基氧基乙醇、2-二氢松油基氧基乙醇以及混合它们而成的物质等。
另外，作为触变剂的具体例子，可举出氢化蓖麻油、巴西棕榈蜡、酰胺类、羟基脂肪酸类、二亚苄基山梨醇、双(对甲基亚苄基)山梨醇类、蜜蜡、硬脂酸酰胺、亚乙基双羟基硬脂酸酰胺等。另外，向它们中根据需要添加下述化合物而成的物质也可作为上述触变剂使用，即，辛酸、月桂酸、肉豆蘧酸、棕榈酸、硬脂酸、山嵛酸之类的脂肪酸，1，2-羟基硬脂酸之类的羟基脂肪酸，抗氧化剂、表面活性剂、胺类等。
另外，作为活性剂，可例示胺的氢卤酸盐、有机卤素化合物、有机酸、有机胺、多元醇等。
作为活性剂的上述胺的氢卤酸盐的具体例子，可例示二苯基胍氢溴酸盐、二苯基胍盐酸盐、环己胺氢溴酸盐、乙胺盐酸盐、乙胺氢溴酸盐、二乙基苯胺氢溴酸盐、二乙基苯胺盐酸盐、三乙醇胺氢溴酸盐、单乙醇胺氢溴酸盐等。
作为活性剂的上述有机卤素化合物的具体例子，可举出氯化石蜡、四溴乙烷、二溴丙醇、2，3- 二溴_1，4- 丁二醇、2，3- 二溴-2- 丁烯-1，4- 二醇、二(2，3- 二溴丙基)异氰服酸酯等。
另外，作为活性剂的有机酸的具体例子，有丙二酸、富马酸、乙醇酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、苯基琥珀酸、马来酸、水杨酸、邻氨基苯甲酸、戊二酸、辛二酸、己二酸、癸二酸、硬脂酸、揪酸、苯甲酸、偏苯三酸、均苯四甲酸、十二烷酸等，此外作为有机胺的具体例子，可举出单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三丁基胺、苯胺、二乙基苯胺等。
另外，作为活性剂的多元醇，可例示赤藓糖醇、邻苯三酚、核糖醇等。
另外，作为助焊剂8，可使用含有选自由环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、有机硅树脂或其改性树脂、丙烯酸树脂构成的热固性树脂中的至少I种、或者选自由聚酰胺树月旨、聚苯乙烯树脂、聚甲基丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、纤维素系树脂构成的热塑性树脂中的至少I种。
接下来，在图1 (I)所示的状态下加热焊膏5，达到构成低熔点金属粉末6的Sn系金属的熔点以上的温度时，低熔点金属粉末6熔融，如图1 (2)所示，失去作为粉末的形态。
其后若进一步继续加热，则Sn系金属与构成高熔点金属粉末7的Cu系金属之间生成金属间化合物。在图1 (3)中，生成金属间化合物的区域作为金属间化合物区域9而图示。连接对象物2和3也由Cu系金属构成时，Sn系金属与构成连接对象物2和3的Cu系金属之间也生成金属间化合物。
如上述那样，利用波长分散型X射线分析装置(WDX)分析生成了金属间化合物的连接部4的剖面时，在该连接部4的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系(M为Ni和/或Mn)以及Cu-M-Sn系的金属间化合物，并且将连接部4的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数相对于除去在I块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数、即存在金属间化合物的总块数的比例(分散度)为70%以上，这是本发明的特征性构成。
如上述那样，在连接部4的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系以及Cu-M-Sn系之类的3种以上的金属间化合物，并且，连接部4内的金属间化合物是分散度70%以上这样良好地分散的状态时，不易发生应力集中，因此，从后述的实验例可知，由于因热冲击等产生的线膨胀系数差而引起的应变，在连接部4负载应力时，也不易产生裂缝，因此，能够使电阻值上升、接合强度降低之类的问题难以产生。
在连接部4中，除了分散上述的金属间化合物之外，还优选分散杨氏模量较低的Cu-MnXu-Ni之类的Cu-M合金粒子。Cu-M合金粒子来自高熔点金属粉末7。这样，若分散Cu-M合金粒子，则利用这些Cu-M合金粒子所具有的应力缓和效果，能够提高连接部4中的连接可靠性。
为了更易于生成金属间化合物，只要进一步提高高熔点金属粉末7与Sn系金属的接触概率即可，因此，高熔点金属粉末7优选比表面积为0.05m2.g-1以上的金属粉末。另夕卜，低熔点金属粉末6中的至少一部分被涂布于高熔点金属粉末7的周围也能使金属间化合物的生成更容易。
为了提高连接部4的耐热性，连接部4优选不含有Sn系金属成分，例如即使含有Sn系金属成分的情况下，其含有率也优选为30体积％以下。Sn系金属成分例如被置于300°C以上的高温环境下时，有时可再次熔融而流出，所以导致连接部4的耐热性的降低。因此，通过使Sn系金属成分的含有率为30体积％以下，能够提高耐热性，通过不含有Sn系金属成分，能够进一步提高耐热性。这样的Sn系金属成分的含有率的减少与晶格常数有关。
如上所述，该实施方式中使用的Cu系金属的晶格常数与在低熔点金属粉末6的周围最初生成的金属间化合物的晶格常数之间，具有50%以上的晶格常数差时，在构成低熔点金属粉末6的Sn系金属的熔融体中金属间化合物8边剥离 分散边反复进行反应，金属间化合物的生成迅速进行，短时间内能够充分减少Sn系金属成分的含量。
与上述内容相关，如果使高熔点金属粉末6在焊膏5中所含的金属成分中所占的比例为30体积％以上，则对减少连接部4中的Sn系金属成分的残留比例有效。
若提高连接部4的耐热性，则即使例如进行半导体装置的制造时，在经过进行焊接的工序来制造半导体装置后，用回流焊的方法将该半导体装置安装于基板的情况下，也能够使通过之前的焊接得到的焊接部分耐热强度优异，能够在回流焊的工序不再次熔融地进行可靠性高的安装。
此外，焊料可以不是上述的膏的形态，例如也可以是板状的固体的形态。
[第2实施方式]
参照图2，对基于本发明的第2实施方式的连接结构11进行说明。经过图2 (I)和同图(2)的过程，得到图2 (3)所示的连接结构11。如图2 (3)所示，连接结构11具有第I连接对象物12和第2连接对象物13通过连接部14连接的结构。
在第2实施方式中，首先，其特征是，第I和第2连接对象物12和13的至少表面由Cu系金属构成。应予说明，作为Cu系金属，可使用与上述第I实施方式中说明的Cu系金属相同的金属。
另外，在第2实施方式中，其特征在于，赋予到如图2 (I)所示的第I和第2连接对象物12和13间的焊膏15含有由Sn系金属构成的低熔点金属粉末16和助焊剂17，但作为金属成分，只要仅含有低熔点金属粉末16就是充分的。应予说明，作为Sn系金属，可使用与上述第I实施方式中说明的Sn系金属相同的金属。
为了得到连接结构11，首先，如图2 (I)所示，在第I和第2连接对象物12和13间，赋予焊膏15。
接下来，在图2 (I)所示的状态下加热焊膏15，达到构成低熔点金属粉末16的Sn系金属的熔点以上的温度时，由图2 (2)所不的焊 膏15的状态可知,低熔点金属粉末16熔融。
其后若进一步继续加热，则焊膏15中的Sn系金属与第I和第2连接对象物12和13的至少表面上存在的Cu系金属之间生成金属间化合物。在图2 (3)所示的连接部14中，存在这样的金属间化合物。
在第2实施方式中，也利用波长分散型X射线分析装置(WDX)分析生成了金属间化合物的连接部14的剖面时，在该连接部14的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系(M为Ni和/或Mn)以及Cu-M-Sn系的金属间化合物。另外，将连接部14的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数相对于除去在I块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数、即存在金属间化合物的总块数的比例为70%以上。
因此，与第I实施方式的情况同样，不易发生应力集中，即使在由于因热冲击等产生的线膨胀系数差而引起的应变，在连接部14负载应力时，也不易产生裂缝，因此，能够使电阻值上升、接合强度降低之类的问题难以产生。
此外,对于第2实施方式,焊膏15不含有由Cu系金属构成的高熔点金属粉末时，在连接部14中不分散Cu-Mn、Cu-Ni之类的Cu-M合金粒子。
另外，在第2实施方式中，焊料也可以不是上述的膏的形态，例如也可以是板状的固体的形态。
接下来，对用于确认本发明的效果而实施的实验例进行记载。应予说明，实验例基于第I实施方式而实施。
(实验例I)
在该实验例I中，通过混合表I所示的具有“Sn系金属成分”的低熔点金属粉末、同样地具有“Cu系金属成分”的高熔点金属粉末和助焊剂，制成焊膏。
上述Sn系金属成分和上述Cu系金属成分的配合比以低熔点金属粉末/高熔点金属粉末的体积比成为60/40的方式进行调整。
另外，作为助焊剂，使用松香:74重量％、二乙二醇单丁醚:22重量％、三乙醇胺'2重量％以及氢化蓖麻油2重量％的配合比率的物质。另外，助焊剂的配合比例为助焊剂在焊膏整体中所占的比例为10重量％这样的比例。
另一方面，如图3所示，准备具有0.7mmX0.4mm的Cu焊盘21的印刷基板22，并且准备具有以Cu为主成分的外部电极23、且长度1mm、宽度0.5mm以及厚度0.5mm尺寸的层叠陶瓷电容器24。
接下来，在Cu焊盘21上，以100 μ m的厚度涂布焊膏25后，将层叠陶瓷电容器24安装在印刷基板22上。
接下来，使用回流焊装置，按图4所示的回流焊温度曲线焊接Cu焊盘21和外部电极23。
关于这样制成的试样，表I中示出了上述的“Sn系金属成分”和“Cu系金属成分”的各组成、以及“Cu系金属成分”的“晶格常数”、“最初生成的金属间化合物”的“组成”和“晶格常数”、以及“晶格常数差”。
“最初生成的金属间化合物”是指在焊膏中的Sn系金属成分与由Cu系金属构成的高熔点金属粉末的界面、与Cu焊盘的界面、或者与层叠陶瓷电容器的外部电极的界面最初生成的金属间化合物，通过用FE-WDX对连接部的剖面映射分析而进行确认。“晶格常数”是
权利要求
1.一种连接结构，是第I连接对象物和第2连接对象物通过连接部连接而成的连接结构，其特征在于， 利用波长分散型X射线分析装置WDX分析所述连接部的剖面时，在该连接部的剖面，至少存在Cu-Sn系、M-Sn系以及Cu-M-Sn系的金属间化合物，M-Sn中的M为Ni和/或Mn，并且 将所述连接部的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，规定块数相对于除去在I块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例为70%以上，所述规定块数是构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其中，在所述连接部分散有Cu-M合金粒子。
3.根据权利要求1或2所述的连接结构，其中，所述连接部含有30体积％以下的Sn系金属成分。
4.根据权利要求1或2所述的连接结构，其中，所述连接部不含Sn系金属成分。
全文摘要
本发明的连接结构适用于电子部件的安装、通孔连接等情况，在使用焊料将第1连接对象物和第2连接对象物连接的连接结构中，提高热冲击后的接合可靠性。利用WDX分析连接部(4)的剖面时，在该连接部(4)的剖面，形成了至少存在有Cu-Sn系、M-Sn系(M为Ni和/或Mn)以及Cu-M-Sn系的金属间化合物的区域(9)。另外，将连接部(4)的剖面沿纵和横分别均等地细分化为10块总计100块时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种以上的块数相对于除去在1块中仅存在Sn系金属成分的块以外的剩余总块数的比例为70%以上。
文档编号B23K35/30GK103168392SQ201280003300
公开日2013年6月19日 申请日期2012年2月7日 优先权日2011年2月9日
发明者中野公介, 高冈英清 申请人:株式会社村田制作所