专利名称：可电离气体介质器件中限制电流的结构和方法
技术领域：
本发明涉及电子图像显示器件，特别涉及等离子体显示寻址结构中具有均匀分布和受限的放电电流的电极结构的形成。
使用数据存储元件的系统例如包括摄像机和图像显示器。这种系统使用将数据提供给存储元件和从存储元件检索数据的寻址结构。本发明一实施例特别涉及的这种系统中的一种是具有存储光模式数据的存储元件或显示元件的通用的平板显示器。基于平板显示器的显示系统是对基于较重、较大和高电压阴极射线管的系统一种令人满意的取代物。
平板显示器包括分布于显示面的整个观看区域的多个显示元或“象素”。液晶平板显示器中，由加在象素两端的电位梯度大小决定各象素的光学性能。一般希望在这种器件中能够各自独立建立象素电位梯度。为实现该目的已想出了多种方案。现有的有源矩阵液晶阵列中，为每一像素配有一薄膜晶体管。通常在晶体管所在点接收到列激励线信号值时，这一薄膜晶体管由行激励线选通。这信号值一直储存到下一个行激励线选通。在象素两侧的透明电极上相应于存储的信号值在象素两端加上决定其光特性的电位梯度。
美国专利4896149披露了称为“等离子体可寻址液晶”或“PALC”显示器的另一种有源矩阵液晶阵列的结构和运作。该技术避免使用麻烦又受限制的薄膜晶体管作各象素。液晶单元的各象素设置于薄而不可渗透的介质阻挡层和导电面之间。在该薄阻挡层的对立一侧上存储惰性气体，用施加于气体体积上足够的电位梯度使惰性气体从非电离的、非导电状态选择性地转变为电离的导电等离子体状态。
当气体处于导电状态时，实际上设置薄阻挡层的表面为地电位。这种情况下，无论什么电压出现在导电面上，跨在象素和薄介质阻挡层两端的电位相等。去除加在气体体积上的电压之后，可电离的气体恢复到非导电状态。依靠液晶材料和介质阻挡层的固有电容输入象素两端的电位梯度被储存起来。由于接地时引入的电位差，薄阻挡层电压将悬浮在低于导电面的电压电平，因此无论导电面的电压电平如何，象素两端的电位梯度保持不变。
从更大尺度来看，PALC显示器包括在绝缘板中形成的一组通道，在与形成通道的许多肋条顶部接触的顶平板下包含惰性气体，并且用绝缘板围绕周边密封。平行电极沿各通道长度在其相对两侧上延伸。在运行期间，在相对电极之间加入大的电位梯度，使气体电离，从而成为导电的等离子体。当显示器工作时，这种运行过程每秒钟多次发生。
为了避免气体电离期间沿电极长度的电位差异，每单元长度电极的电阻最好不大于2Ω/cm(5Ω/英寸)。为实现这种具有适于电极的微小横截面积的单位长度的小电阻值，使用如金、银、铜和铝等高导电金属。为降低制造成本、防止缩短寿命的溅射问题，通常使用复盖氧化层和抗溅射涂层的铜电极。
可是，已发现减小单位长度电极电阻常导致沿电极长度过量和非均匀的等离子体放电电流。过量的放电电流导致寿命缩短的问题，例如溅射，非均匀放电电流导致非均匀显示寻址，或甚至显示寻址丢失，正如后面的例子中所述。
现在来考察一下，电火花线圈，用它来驱动与一对低电阻导线并联的一对火花塞，火花塞间隙中的微小差异将引起火花塞中之一首先着火，这种着火限制了加在其它火花塞上的电压，从而防止其着火。以类似方式用于PALC显示器来考察一下驱动与低电阻电极并联的一对相邻放电点的电压。电极间的气体混合物或间隙距的微小差异将使放电点中之一首先着火，它限制了加在相邻放电点的电压，从而防止其放电或者减少存在的放电电流量。碰到过相隔远达3cm的相邻放电点之间的显示寻址丢失区域。
因此，需要的是制造费用不贵、具有低单位长度电阻，并能沿着其整个长度提供均匀放电电流从而防止显示寻址丢失的电极结构。
本发明的目的在于提供一种电极结构，沿其整个长度能提供均匀放电电流。
本发明的另一个目的在于在PALC中提供这样一种电极结构。
本发明的再一目的是提供制造这样的电极结构的方法。
本发明是一种用于电极、包括至少一种局部导电化合物的电阻涂层，本发明描述了利用至少一种局部导电化合物颗粒的电泳沉积和/或丝网印刷来涂敷电极的工艺方法。称为“熔料”的第二种颗粒也被沉积或丝网印刷。在随后进行的一小时的焙烧中，这些颗粒熔化，于是将局部导电化合物颗粒粘接于电极上。
本发明还涉及等离子体寻址结构，在这种等离子体寻址结构中电泳沉积和/或丝网印刷在显示器电极上沉积至少一种局部导电化合物的颗粒。由此产生的电极结构在如PALC显示器等可电离气体介质器件的工作中，限制了放电电流并使其均匀。
从下面参照附图对本发明的优选实施例进行的详细描述中，将明了本发明的其它目的和优点。
图1给出了先有技术显示板的显示面的正视图和本发明可能使用的等离子体寻址结构的相关的驱动电路。
图2是从图1左侧看，构成先有技术显示板的结构部件层的局部放大的等比例视图。
图3是为了展示图2的先有技术显示板内部不同深度状态而采用部分剖面的局部放大正视图。
图4是为了展示等离子体寻址结构中的通道和电极的先有技术第一实施例而沿图3中4-4线取的放大剖面图(为说明清楚，按较大比例放大示出)。
图5是为了展示等离子体寻址结构中的通道和电极的先有技术第二实施例的放大剖面图(为说明清楚按较大比例放大示出)。
图6是图4和5的先有技术等离子体寻址结构的等效电路图。
图7是为展示本发明改进的等离子体寻址结构中的通道和电极的第一实施例的放大剖面图。
图8是为展示本发明改进的等离子体寻址结构中的通道和电极的第二实施例的放大剖面图。
图9是图7和8的改进的等离子体寻址结构的等效电路图。
图1～3示出先有技术的平板显示系统10，它包括带显示面14的显示板12，显示面14包括由沿垂直和水平方向彼此相距预定间隔的标称相同的数据存储或显示元(“象素”)16的矩形平面阵列构成的图形。阵列中每一象素16指薄而窄的垂直取向的电极18与窄细长的水平取向的等离子体通道20的搭接交叉(以下称电极18为“列电极18”)。当等离子体通道中的惰性气体充分电离时，瞬时设置特殊等离子体通道20的所有象素16。此时在每一象素列电极与地之间建立电位梯度。
列电极18和等离子体通道20的宽度决定了具有矩形的象素16尺寸。列电极18沉积在第一非导电的光学透明衬底的主表面上，而等离子体通道20刻入第二非导电的光学透明衬底的主表面上。熟练技术人员将意识到某些系统如直观式或投影型的反射式显示器，仅要求衬底之一是光学透明的。
列电极18通过数据驱动器或驱动电路24的不同的输出放大器22(参见图2和3接收在平行输出导体22′上引出的模拟电压型数据驱动信号，等离子体通道20通过由数据选通28的输出的不同的输出放大器26(参见图2和3)接收在输出导体26′上引出的电压脉冲型数据选通信号。每一等离子体通道20包括对各等离子体通道20和数据选通28施加同一参考电压的参考电极或阳极30(见图2和3)。
为在整个显示面14上合成一幅图象，显示系统10应用协调数据驱动器24和数据选通28的功能的扫描控制电路32，为的是显示板12的象素16的所有列以行扫描方式逐行寻址。显示板12可应用各种类型的电光材料。例如，如果应用能改变入射光线33的偏振态的材料(见图2)，则将显示板12置于一对光偏振滤色镜34和36之间(图2)，该光偏振滤色镜与显示板12共同作用，改变通过它们传播的光亮度。但是，用散射液晶单元作电光材料就不需要使用光偏振滤色镜34和36。可在显示板12内安置彩色滤色镜(未示出)以便显示可控制颜色强度的多色彩图象。对于投影显示，也可利用各控制一种原色的三块独立的单色板10实现彩色。
特别参照图2和3，显示板12包括一寻址结构，寻址结构包括被电光材料层44(如向列液晶)和质材料薄层46(如玻璃、云母或塑料)分隔的一对平行电极结构40和42。电极结构40包括玻璃介质衬底48，在该衬底48内表面50上沉积光学透明的氧化铟锡的列电极18，以形成条形图形。相邻的一对列电极18之间相隔间距52，间距52确定了一行内相邻象素16之间的水平间隔。
电极结构42包括玻璃介质衬底54，在该衬底54的顶表面56上刻入带圆弧形侧壁的梯形横截面的并列等离子体通道20。等离子体通道20具有深度58，从顶表面56至底部60度量。各等离子体通道20除包括阳极30之外还包括一阴极62，两者都呈薄而狭窄形状。这些电极的每一个都沿底部60的长度方向和一对内侧壁64之一的长度方向延伸，这一对侧壁64从离开底部60向顶表面56的方向散开。
等离子体通道20的阳极30接到公共参考电位上，这个公共参考电位能固定在地电位，如图所示。等离子体通道20的阴极62与数字选通28的输出放大器26(图2和3分别示出其中的三个和五个)不同的放大器相连。为了确保寻址结构合适运行，阳极30和阴极62最好分别与显示板10的相对边缘上的参考电位和数据选通28的放大输出26′相连。
相邻等离子体通道20之间的侧壁64确定多个支撑结构66，其顶表面56支撑介质材料薄层46。相邻等离子体通道20相隔各支撑结构66顶部的宽度68，该宽度68确定一列内的相邻象素16之间的垂直间隔。列电极18与等离子体通道20的搭接区域70确定象素16的尺寸，图2和3中用虚线示出。图3更清楚地示出象素16的阵列和象素16之间的水平和垂直间隔。
加在列电极18上的电压大小决定了为保持相邻列电极绝缘必须的间距52。间距52通常小于列电极18的宽度许多。相邻等离子体通道20之间内侧壁的倾斜度决定了宽度68，该宽度68通常小于等离子体通道20的宽度许多。列电极18和等离子体通道20的宽度一般是相同的，并且由显示应用决定所希望的图象分辨率的函数。一般希望使间距52和宽度68尽可能小。在显示板12内通道深度58约为通道宽度的一半。
各等离子体通道20中充有可电离的气体混合物，一般为惰性气体混合物。介质材料薄层46用作等离子体通道20中所含的可电离气体混合物与液晶材料层44之间的绝缘阻挡层。但是，没有介质薄层46，会使液晶材料流入等离子体通道20或者可电离气体混合物污染液晶材料。使用固体电光材料或封装电光材料的显示器可省掉薄层46。
图4更详细地给出了在玻璃衬底54内形成的现有技术等离子体通道20的第一实施例。用薄层46封闭的等离子体通道20的顶宽450微米，薄层46与底部60之间深200微米，底部60宽300微米。阳极30和阴极62(以下称为“电极30和62”)的每个的宽度为75微米，并具有厚0.2微米的铬底层72，用于很好粘附于玻璃衬底54上，和具有2.0微米厚铜层74用于良好导电，和具有0.2微米厚的铬顶层76用于密封铜层74抗氧化。本领域的技术熟练人员都清楚，所有的尺寸都是近似的，铜是良好的导电体，铬是导电和防气体渗透的。
先有技术的第一实施例中，一般用众所周知的玻璃蚀刻和添加薄膜沉积技术，例如带有或不带有图形掩模的溅射、蒸镀、或电泳淀积法，形成等离子体通道20和电极30及62。
另外，可用除去某些物过程处理，例如沉积导电层，光致抗蚀图形(光刻胶层)，随后把它们全部腐蚀掉，只留下导电层的有用图形。重复以上处理，以产生如图4所示的多层结构。
上述玻璃蚀刻和薄膜淀积过程仅代表制造等离子体寻址结构的一组制造过程。也可采用其它许多制造方法，例如厚膜、丝网印刷以及和以上处理方法的组合等。但是，这些处理方法中的一些并不适于制造如图4所示那样的寻址结构。
因此，适用于用这些处理方法制造的PALC显示器电极结构的另一实施例描述于US-5453660中，该美国专利公开于1995.9.26，题目为Bi-channd electrtde confignration for an addressing stnicture using anionizable gaseous medium and method of operating it，已归属该申请的代理人，下面参照说明。
图5更详细地给出了先有技术等离子体通道20的第二实施例，该通道20包围在薄层46、平面玻璃衬底80和一对肋条82中。该实施例中，采用添加法，例如多层厚膜丝网印刷和焙烧，在玻璃衬底80的底部60上形成电极30和62。肋条82，也可能用下列方法添加在电极30和62的顶上形成，例如，淀积肋条成形层，低温烘烤以固化该层，再淀积另一层，低温烘烤，重复该过程直到肋条82具有适当的高度，然后焙烧加工完成的肋条结构。另外，肋条82也可由绝缘玻璃或纤维材料构成，用导电镍焊料84将其熔接在薄层46和电极30、62上。
先有技术的等离子体通道20的第二实施例中电极30和62典型地在底部60用丝网印刷金属导体86构成。任选的添加层88，例如分布总线或发射层，可以淀积或丝网印刷在金属导体86的顶上。美国专利5453660描述了构成电极30和62以及等离子体通道20的各种其它方案。
图6给出了图4和5的寻址结构的等效电路图。电极30和62以大体平行的布局方式延伸通过可电离的气体介质90(用虚线包围的部分)。电极30包括多个相邻的放电点92A、92B、92C、…、和92N(整体示为“放电点92”)，电极62包括相应的相邻放电点94A、94B、94C、…、和94N(整体示为“放电点94”)。驱动电极30或62的输出放大器26(图2和3)用施加于电极30和62上的电压V的电压源96表示。电压源96具有用电阻98表示的内部阻抗。
电压V必须足以使放电电流从放电点92通过可电离的气体介质90(以下称为“介质90”)流入放电点94。放电电流的大小取决于电压V和各对相应放电点92和94之间介质90的电阻大小，该电阻是随电极30和62固定的间距、形状和布局方式以及介质90的压强、气体混合物、温度和电离的阈值电压而变化。此外，无放电电流流动时(介质90未电离)，介质90的电阻较高，当放电电流流过(介质90电离化)时，该电阻较低。各对放电点92和94之间介质90的电阻用相应的可变电阻器100A、100B、100C、…、和100N数字。用相应的放电电流102A、102B、102C、…、和102N表示流过各对放电点92和94之间的放电电流。
假定，例如电压源96突然施加电压V于电极30和62上。再假定介质90首先在放电点92B与94B之间电离，使可变电阻器100B假定比相邻可变电阻器100A和100C有较低的电阻值。突然增加的放电电流102B流过电压源96，在电阻器98上产生电压降，这会突然降低加在电极30和62两端电压V。在最坏情况的例子，在沿着电极30和62长度的某处电压V低于介质90的电离阈值电压，这会阻止这些区域内介质90的电离。另一例中，沿电极30和62的长度，电压V减小，使一对对相邻放电点之间，如92A和94A、92C和94C之间放电电流降低。两个例子中，沿电极30和62的长度产生过量和非均匀等离子体放电电流，这会导致下列问题如电极溅射，非均匀显示寻址，或在最坏的情况下是显示寻址信息丢失。
图7给出了本发明改进的等离子体寻址结构110内的通道和电极的第一实施例。改进的等离子体寻址结构110从先有技术的等离子体寻址结构着手，例如图4中所示的寻址结构，在电极30和62中至少一个电极的顶部增加电阻层112。电阻层112表示在电极30和62两者的顶面之上，但应该理解，电阻层112只敷于唯一电极的发明也将有效地起作用，电极的起步结构也并不限于图4中所示。参考图9的描述，电阻层112限制和提供了在改进的等离子体寻址结构110内流动均匀放电电流。
制造改进的等离子体寻址结构110的较好方式需要通过掩模、在电极30和62中至少一个电极上采用电泳淀积含75％二氧化钌和25％玻璃熔料(Corning 8463玻璃熔料)的混合物至2～4微米厚，并对淀积的混合物在400℃下焙烧一小时，于是形成了电阻层112。
另外，可首先淀积二氧化钌层，接着淀积玻璃熔料层。然后对淀积的混合物在400℃下焙烧一小时。
在电阻层112顶上可淀积含75％的六硼化镧(LaB6)与25％的玻璃熔料的任选发射层(未示出)，并在400℃下焙烧一小时。正如以上所述LaB6和玻璃熔料可分别淀积，然后焙烧。
图8给出了本发明改进的等离子体寻址结构120内的通道和电极的第二实施例。改进的等离子体寻址结构120从先有技术的等离子体寻址结构例如图5所示的结构着手在电极30和62中之一的顶上增加电阻层122。电阻层122表示在电极30和62两者的顶之上，但应该理解，将电阻层122只敷于一个电极上的发明也能有效地起作用，电极的出发结构也并不限于图5所示的那种。按照图7电阻层112同样的方式，电阻层122限制和提供了在改进的等离子体寻址结构120内流动均匀放电电流，这正如参考图9所描述的那样。
制造改进的等离子体寻址结构120的较好方式需用添加法，例如多层厚膜丝网印刷和焙烧，在电极30和62中至少一个之上形成电阻层122。首先，在底部60上采用丝网印刷金属导体86而形成电极30和62。添加层88如分布总线之类可能淀积或丝网印刷在金属导体86的顶上。接着，在金属导体86和添加层88的顶上丝网印刷电阻层122。电阻层122最好是75％的二氧化钌和25％的玻璃熔料的混合物。另外，也可以先丝网印刷二氧化钌层，接着是玻璃熔料层。在这两种方案中，这种丝网印刷的组合物都要在400℃下焙烧一小时。
含75％LaB6和25％玻璃熔料的任选的发射层(未示出)可丝网印刷在电阻层122的顶上，并在400℃下焙烧一小时。正如第一实施例所述LaB6和玻璃熔料的丝网印刷可独立进行然后焙烧。当然，也可用电泳法淀积任选的发射层。
使用丝网印刷法时，熟练工人应认识到，在丝网印刷下一层之前，即丝网印刷之间在120℃下“低温焙烧”20分钟可使各层稳定。如前所述，最终的各层组合在400℃下焙烧一小时能使材料熔合一起，并将电阻层122粘接在肋条82上。
图9给出了典型的改进等离子体寻址结构例如图7和8所示的等效电路图，然而，在这个例子中，电阻层112、122仅示出敷涂在电极30上。电阻层112、122起着电阻器130A、130B、130C、……、和130N的作用，这些电阻与相应各对放电点92和94和电极30串联。串联电阻130防止各放电电流102达到过高电平而引起如溅射一类缩短寿命的效应。
这种放电电流限制同时具有使沿电极30和62的整个长度的放电电流102相等的有益性能，对于给定电压V，取决于放电电流通道的总电阻，放电电流102在相应各对放电点92和94之间流动。先有技术参照图6所述的例子中，在各路径中仅有可变电阻器100，并且容易发生较宽的电阻变化。如果因过量的放电电流102，可变电阻100较大或电压V降低到较小值，则可以解释，某些对放电点92和94之间的介质90可能不电离。
可是，如图9所示，由于将电阻130串接于放电点92和94，如果个别放电电流，比如说电流102B，因可变电阻100B的相当低的数值而较大时，最终的电流102B将受电阻器130B限制。此外，电阻器130B上的电压降将较大，因此力图使电压V摆脱放电电流102B的影响，力图摆脱放电电流102。
由于放电电流102受到限制和电压V达到稳定，所以放电电流102王要就由电压V、电阻器130和可变电阻器100决定。因此，可变电阻100的变化率降到次要因素，各放电电流102基本相等。这就提供了沿电极30和64整个长度的均匀分布放电电流，这就防止了显示寻址的丢失。
熟练工人应当认识到本发明的许多部分可以与上述对优选实施例不同方式实现。例如，许多局部导电化合物或者难熔化合物的组合物对构成本发明电阻层112和122是有用的。这种可供选择的化合物包括氧化铟锡和玻璃熔料或氮化硼和玻璃熔料。
文中大体上描述了本发明，它可用于用它等离子体寻址装置中，例如摄像机、兆位采样模拟存储器、应用非液晶电光效应的显示器以及AC和DC等离子体显示装置。
显然，本领域的熟练技术人员可能对本发明上述实施例的细节进行许多改变而脱离不了本发明的基本原理。因此，可以理解，本发明也可用在与PALC中存在的电极结构不同的其它电极结构中。总之，本发明的范围仅由其权利要求书确定。
权利要求
1.在用于数据元寻址的寻址结构中，这种寻址结构包括可电离的气体介质、储存数据信号的数据元、和至少第一和第二细长的有长度的电极，其特征在于第一和第二细长电极之间足够大的电位差使放电电流在可电离气体介质中流动，这种可电离的气体介质在数据元与第一和第二细长电极中至少一个电极之间提供可断续的电连接，为了有选择地进行数据元寻址，改进的寻址结构包括沿第一和第二细长电极长度延伸的导电材料层，为了使沿第一和第二细长电极长度的电位差均匀地分布；和沿第一和第二细长电极中的至少一个电极长度延伸的电阻层，为了限制在可电离气体介质中流动的放电电流量并使其均匀分布。
2.如权利要求1所述的寻址结构，其特征在于，电阻层包括电泳法淀积的颗粒，这些颗粒热熔合在一起并熔接于第一和第二细长电极中的至少一个电极上。
3.如权利要求2所述的寻址结构，其特征在于，这些颗粒包括至少一种局部导电化合物和熔接材料的混合物。
4.如权利要求3所述的寻址结构，其特征在于，熔接材料是玻璃熔料。
5.如权利要求3所述的寻址结构，其特征在于，该混合物包括75％的局部导电化合物和25％的熔接材料。
6.如权利要求3所述的寻址结构，其特征在于，局部导电化合物包括二氧化钌、氧化铟锡和氮化硼中的至少一种。
7.如权利要求1所述的寻址结构，其特征在于，还包括在电阻层之上形成的包含六硼化镧的发射层。
8.如权利要求7所述的寻址结构，其特征在于，发射层包括约75％六硼化镧和约25％玻璃熔料的混合物。
9.一种包括可电离气体介质储存数据信号的数字元、第一和第二细长电极的寻址结构，其特征在于，第一和第二细长电极之间的电位差使放电电流在可电离气体介质中流动，并在数据元与第一和第二细长电极中至少一种电极之间提供可断续的电连接，为了有选择地进行数据元寻址；制造第一和第二细长电极的方法包括提供非导电材料衬底，在其主表面之一存在一系列彼此隔开的等离子体通道；沿着每一个等离子体通道形成第一和第二导电材料带；电泳淀积电阻层在各等离子体通道内至少一条导电材料带上；和空气烘烤衬底、第一和第二条带以及电阻层，将电阻层熔接在各等离子体通道中至少一条导电材料带上。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在400℃下进行约一小时完成熔接步骤。
11.如权利要求9所述方法，其特征在于，熔料颗粒在实施电泳步骤期间被同时淀积于电阻层内。
12.如权利要求11所述方法，其特征在于，熔接材料颗粒是玻璃熔料颗粒。
13.如权利要求9所述方法，其特征在于，电阻层包括至少一种局部导电化合物和熔接材料的混合物。
14.如权利要求13所述方法，其特征在于，该混合物包括约75％的局部导电化合物和约25％的熔接材料。
15.如权利要求13所述方法，其特征在于，局部导电化合物包括二氧化钌、氧化铟锡和氮化硼中的至少一种。
16.如权利要求9所述方法，其特征在于，还包括淀积在电阻层之上的发射层。
17.如权利要求16所述方法，其特征在于，发射层包括约75％的六硼化镧和约25％的玻璃熔料的混合物。
18.包括可电离气体介质、储存数据信号的数字元、第一和第二细长电极的一种寻址结构，其特征在于，第一与第二细长电极之间的电位差引起放电电流在可电离气体介质中流动，在数据元与第一和第二细长电极中的至少一个电极之间提供可断续的电连接，为了有选择地进行数据元寻址，制造第一和第二细长电极的方法包括提供非导电材料的大体平面的衬底；沿衬底主表面形成至少第一和第二平行导电材料条；至少在一条导电材料上印刷电阻层；和空气烘烤衬底、第一和第二条以及电阻层；将电阻层熔接于各等离子体通道中至少一条导电材料上。
19.如权利要求18所述方法，其特征在于，熔接步骤在400℃下进行约一小时。
20.如权利要求18所述方法，其特征在于，熔料颗粒在实施印刷步骤期间同时淀积于电阻层内。
21.如权利要求20所述方法，其特征在于，熔料颗粒为玻璃熔料颗粒。
22.如权利要求18所述方法，其特征在于，电阻层包括至少一种局部导电化合物和熔料的混合物。
23.如权利要求22所述方法，其特征在于，该混合物包括约75％的局部导电化合物和约25％的熔料。
24.如权利要求22所述方法，其特征在于，局部导电化合物包括二氧化钌、氧化铟锡和氮化硼中的至少一种。
25.如权利要求18所述方法，其特征在于，还包括在电阻层之上印刷发射层。
26.如权利要求25所述方法，其特征在于，发射层包括约75％的六氧化镧和约25％的玻璃熔料的混合物。
全文摘要
本发明涉及用于电极(30、62)包括至少一种局部导电化合物的电阻层(112、122),以及利用至少一种局部导电化合物颗粒的电泳淀积和/或丝网印刷方法涂敷电极的工艺过程。称为“熔料”的第二种颗粒也被淀积或丝网印刷。在随后进行一小时的熔烧中,这些颗粒溶化,从而将局部导电化合物颗粒粘接于电极上。本发明还涉及等离子体寻址结构(110、120),所得到的电极结构在可电离气体介质(90)器件(如等离子寻址液晶显示器)运行中限制放电电流(102)并使其均匀。
文档编号H01J29/02GK1171591SQ9710494
公开日1998年1月28日 申请日期1997年3月28日 优先权日1996年3月28日
发明者P·C·马丁, T·S·布泽克, K·J·伊利西辛 申请人:特克特朗尼克公司