专利名称：刻蚀电极机构中的上电极的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体介质刻蚀机，尤其涉及刻蚀电极机中的上电极。
背景技术：
电介质刻蚀机是半导体芯片加工的关键设备，而电介质刻蚀机中实现晶圆刻蚀芝能的是上、下两个电极组成的电极结构。其中上电极接1000V左右的正电，实现对等离子刻蚀气体的分配和控制功能，下电极与大地连接，不带电荷，处于其中的气体中的分子被上、下两电极间形成高压电场经加速对放置在下电极上的晶圆进行高速轰击，从而产生刻蚀作用。为了实现所述的工作原理，要求上电极具有对等离子工作气体有分配功能、自身的结构在组装时具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性另一面具有导电性能用于连接1000V正电。 发明内容本实用新型的目的是提供一种具有对等离子工作气体分配功能、具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性、耐腐蚀性另一面具有导电性能用于连接1000V正电的刻蚀电极机中的上电极。本实用新型的目的是这样实现的，刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔、安装孔，其特征在于上电极设置成圆台，圆台按规律设置有辅助气体分配的沟槽，沟槽上等间距设置有气体喷孔。本实用新型所述的圆台下底设置有高平面度和高表面光洁度。本实用新型结构简单，操作方便，具有对等离子工作气体的分配功能、具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性、耐腐蚀性另一面具有导电性能用于连接1000V正电，提高了加工质量和工作效率，降低了生产成本。
图I是本实用新型的结构示意图。图2是图I中A-A剖视图。图中I、气体喷孔，2、气体分配沟槽，3、安装孔，4、圆台下底，5、圆台。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明参照附图，刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔I、安装孔3，其特征在于上电极设置成圆台5，圆台5按规律设置有辅助气体分配的沟槽2，沟槽2上等间距设置有气体喷孔I。所述的圆台5下底4设置有高平面度和高表面光洁度。具体实施时，圆台下底4是起密封作用的配合平面，控制工作气体全部从上电极的小孔内流出而不从其它通道发生泄露，圆台下底4通过安装孔3与相邻部件上的密封圈配合连接，密封圈被压紧达到密封效果；整个上电极结构中除了需要连接1000V正电的圆台下底4以外，其余表面全部进行硬质阳极氧化处理，满足工作环境对上电极具有绝缘性、耐腐蚀性的要求。
权利要求1.刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔(I)、安装孔(3)，其特征在于上电极设置成圆台(5)，圆台(5)按规律设置有辅助气体分配的沟槽(2)，沟槽(2)上等间距设置有气体喷孔(I)。
2.根据权利要求I所述的刻蚀电极机构中的上电极，其特征在于所述的圆台(5)下底(4)设置有高平面度和高表面光洁度。
专利摘要刻蚀电极机构中的上电极，包括气体喷孔(1)、安装孔(3)，上电极设置成圆台(5)，圆台(5)按规律设置有辅助气体分配的沟槽(2)，沟槽(2)上等间距设置有气体喷孔(1)。本实用新型结构简单，操作方便，具有对等离子工作气体的分配功能、具有密封功能、与电场接触的一面具有绝缘特性、耐腐蚀性另一面具有导电性能用于连接1000V正电，提高了加工质量和工作效率，降低了生产成本。
文档编号H01J37/32GK202816865SQ20122015630
公开日2013年3月20日 申请日期2012年4月14日 优先权日2012年4月14日
发明者游利 申请人:靖江先锋半导体科技有限公司