一种稳定脉冲射频的方法
【专利摘要】本发明提供一种用于等离子体处理腔室的稳定脉冲射频的方法，所述方法包括如下步骤：A.向等离子体反应腔室内通入反应气体；B.上电极以及下电极产生电场对反应气体进行电离，产生等离子体；C.对待加工件进行刻蚀，其中，刻蚀过程包括连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤，连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤交替地进行，所述脉冲功率加工步骤中，所述源射频电源以及所述偏置射频电源的频率为手动控制，以使其保持不变；其特征在于，所述步骤C还包括一转换步骤，所述转换步骤位于连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间，其在连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中锁定源射频电源的频率，以使其保持不变。
【专利说明】一种稳定脉冲射频的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制程领域，具体地，涉及一种在等离子体处理装置中稳定脉冲射频的方法。
【背景技术】
[0002]在半导体设备的制造过程中，例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中，通常会利用等离子体对待加工件(晶片)进行处理。[0003]图1示出了根据现有技术的等离子体刻蚀方法的流程图。具体地，等离子体刻蚀的过程中包括:步骤101:向等离子体反应腔室内通入反应气体。其中，等离子反应腔室为本领域技术人员所常用，其包括一上电极以及一下电极，所述下电极分别连接一源射频电源以及一偏置射频电源，所述源射频电源用于生成的高频电场来使电子加速，使电子与处理气体冲击电离而发生射频等离子体，所述偏置射频电源用于控制等离子体对待加工件进行物理溅射轰击。步骤102:位于反应腔室内的上电极以及下电极产生电场对反应气体进行电离，产生等离子体。步骤103:控制产生的等离子体对待加工件进行刻蚀。
[0004]在双频射频脉冲等离子体中，源射频电源和偏置射频电源可以在连续功率模式和时间调制(脉冲)功率模式两种模式下运行。在脉冲功率模式下，反映功率(特别是源射频功率)在启动和关闭阶段的变化取决于该阶段等离子体的阻抗变化。因此如果频率调谐模式是自动调频的，这将导致脉冲射频等离子体变得不稳定。为了稳定射频脉冲等离子体，通常采用的方法是在脉冲功率模式下，通过控制源射频电源的运行频率或者同时控制源射频电源和偏压射频电源的运行频率，将频率调谐模式由自动调频模式改为手动调频模式运行射频电源。
[0005]而一个蚀刻工艺方法中可能包括多个连续的转换步骤，这些步骤需要射频电源不断地改变射频频率。在改变射频频率的同时，频率调谐和时间调制等运行模式也会在该转换步骤中改变。当等离子体直接从连续波功率模式过渡到脉冲功率模式时，如果射频频率和时间调制模式同时变化，等离子体则可能会由于相当高的脉冲射频等离子体的阻抗的突然变化而变得不稳定，导致等离子淬火和射频电源出错。类似的情况也可能发生在脉冲功率转换模式向连续波功率模式的转换的过程中。
【发明内容】
[0006]针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种稳定脉冲射频的方法。
[0007]根据本发明的一个方面，提供一种用于等离子体处理腔室的稳定脉冲射频的方法，其中，所述等离子体处理腔室包括一上电极以及一下电极，所述下电极分别连接一源射频电源以及一偏置射频电源，所述方法包括如下步骤:A.向等离子体反应腔室内通入反应气体；B.所述上电极以及所述下电极产生电场对反应气体进行电离，产生等离子体；C.对待加工件进行刻蚀，其中，刻蚀过程包括连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤，所述连续功率加工步骤与所述脉冲功率加工步骤交替地进行，所述脉冲功率加工步骤中，所述源射频电源以及所述偏置射频电源的频率为手动控制，以使其保持不变；其特征在于，所述步骤C还包括一转换步骤，所述转换步骤位于连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间，其在连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中锁定源射频电源的频率，以使其保持不变。
[0008]优选地，在所述连续功率加工步骤中，所述源射频电源以及所述偏置射频电源均为自动调频。
[0009]优选地，所述转换步骤中还包括:cl.测量等离子体处理腔室内的等离子体阻抗；c2.根据等离子体的阻抗确定其对应的即时频率；c3.锁定射频电源的即时频率。
[0010]优选地，在所述连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间转换的过程中，所述源射频电源保持连续功率模式不变，所述偏置射频电源在连续功率模式与脉冲功率模式之间互相转换。
[0011 ] 优选地，所述连续功率加工步骤先于所述脉冲功率加工步骤，所述转换步骤包括:Dl.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源的频率不变，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变；D2.锁定偏置射频电源的频率不变，且控制偏置射频电源由连续功率模式改为脉冲功率模式，其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同。
[0012]优选地，所述第一功率等于所述第二功率，所述第三功率等于所述第四功率。
[0013]优选地，所述脉冲功率加工步骤先于所述连续功率加工步骤，所述转换步骤包括:El.控制偏置射频电源由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变；E2.将源射频电源从第一功率改变至第二功率，将偏置射频电源从第三功率改为第四功率，且解除源射频电源和偏置射频电源的频率的锁定，使源射频电源和偏置射频电源为自动调频。
[0014]优选地，在所述连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间转换的过程中，所述源射频电源与所述偏置射频电源同步地在连续功率模式与脉冲功率模式之间互相转换。
[0015]优选地，所述连续功率加工步骤先于所述脉冲功率加工步骤，所述转换步骤包括:Fl.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源以及偏置射频电源的频率不变，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变，其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同；F2.将源射频电源和偏置射频电源均由连续功率模式改为脉冲功率模式。
[0016]优选地，所述脉冲功率加工步骤先于所述连续功率加工步骤，所述转换步骤包括:Gl.控制源射频电源和偏置射频电源均由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变；G2.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且解除源射频电源和偏置射频电源的频率锁定，使其自动调频。
[0017]优选地，所述源射频电源为高频电源，所述偏置射频电源为低频电源。
[0018]优选地，所述第一功率为100w-5000w，所述第二功率为100w_5000w，所述第三功率为100w-10000w，所述第四功率为100w-10000w。
[0019]本发明通过在连续功率加工步骤以及脉冲功率加工步骤互相转换的过程中增加一转换步骤，使转换过程中出现的等离子体阻抗的变化可以被控制，从而刻蚀过程中的等离子体也得到稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0021]图1示出根据现有技术的等离子体刻蚀方法的流程图；
[0022]图2a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0023]图2b示出根据本发明的第一实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0024]图3a示出根据本发明的第一实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的流程图；
[0025]图3b示出根据本发明的第一实施例的，锁定射频电源的频率的步骤流程图；
[0026]图4a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0027]图4b示出根据本发明的第二实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0028]图5示出根据本发明的第二实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的流程图；
[0029]图6a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0030]图6b示出根据本发明的第三实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0031]图7示出根据本发明的第三实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的流程图；
[0032]图8a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；
[0033]图Sb示出根据本发明的第四实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的射频控制变化示意图；以及
[0034]图9示出根据本发明的第四实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的流程图。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图和实施例对本发明的技术内容进行进一步地说明:
[0036]图2a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的变化示意图。
[0037]具体地，参照图2a，在控制等离子体进行刻蚀的过程中包括连续功率加工步骤201与脉冲功率加工步骤202，连续功率 加工步骤201与脉冲功率加工步骤202之间由于刻蚀过程中的需要而相互转换对待加工件进行刻蚀。在连续功率加工步骤201中，源射频电源的射频功率为第一功率，频率调谐模式为自动调频，时间调制模式为连续功率模式；偏置射频电源的射频功率为第三功率，频率调谐模式为自动调频，时间调制模式为连续功率模式。在脉冲功率加工步骤202中，源射频电源的射频功率为第二功率，频率调谐模式为手动调频，时间调制模式为连续功率模式；偏置射频电源的射频功率为第四功率，频率调谐模式为手动调频，时间调制模式为脉冲功率模式。其中，自动调频模式下，射频频率根据等离子体处理过程中的工艺需要而自动变化；而手动调频模式下，射频频率被锁定于一个固定的频率保持不变。当等离子体对待加工件进行刻蚀的过程中直接从连续功率加工步骤201转换至脉冲功率加工步骤202时，源射频电源的频率调谐模式的变化(由自动调频改为手动调频)与偏置射频电源的时间调制模式的变化(由连续功率模式改为脉冲功率模式)同时进行，由于从自动调频改为手动调频的过程中，源射频电源的频率会发生变化，因此将会使偏置射频电源的时间调制模式的变化在源射频电源频率变化的同时进行，此时等离子体的阻抗将会迅速发生改变，将使等离子体不稳定，不利于等离子体的刻蚀。
[0038]因此转至图2b，图2b示出了根据本发明的第一实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换时射频控制变化示意图。在图2b所示实施例中，在连续功率加工步骤201向脉冲功率加工步骤202的转换过程中还包括一转换步骤203，其用于连续功率加工步骤201向脉冲功率加工步骤202转换的过程中稳定脉冲射频等离子体。
[0039]图3a示出了根据本发明的第一实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的流程图。在步骤201中，使用连续功率对待加工件进行加工。在步骤202中，使用脉冲功率对待加工件进行加工。步骤201和步骤202之间还包括一转换步骤203。更具体地，如图3a所示，在此实施例中，转换步骤203包括子步骤203a和203b。在步骤203a中:将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源的频率不变，使源射频电源处于手动调频模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源 的其余射频控制不变。在子步骤203b中:锁定偏置射频电源的频率不变，使偏置射频电源处于手动调频模式，且控制偏置射频电源由连续功率模式改为脉冲功率模式。其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同，可参考图3b。所述步骤203b在步骤203a之后实施，以避免源射频电源的频率的变化与偏置射频电源的时间调制模式的变化(由连续功率模式改为脉冲功率模式)同时进行，此处不予赘述。
[0040]进一步地，图3b示出了根据本发明的第一实施例的，锁定射频电源的频率的步骤流程图。具体地，在锁定源射频电源的频率的步骤中包括子步骤301、302以及303。其中，在子步骤301中:测量等离子体处理腔室内的等离子体阻抗。在子步骤302中:根据等离子体的阻抗确定其对应的即时频率。在子步骤303中:锁定射频电源的即时频率。本领域技术人员理解，所述源射频电源以及所述偏置射频电源频率的锁定方法均采用图3b所示步骤予以实现，此处不予赘述。
[0041]图4a示出了根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的变化示意图。
[0042]具体地，参考图4a，在控制等离子体进行刻蚀的过程中包括脉冲功率加工步骤401与连续功率加工步骤402，脉冲功率加工步骤401与连续功率加工步骤402之间由于刻蚀过程中的需要而相互转换对待加工件进行刻蚀。与上述图2所示实施例类似地，在脉冲功率加工步骤401中，源射频电源的射频功率为第一功率，频率调谐模式为手动调频，时间调制模式为连续功率模式；偏置射频电源的射频功率为第三功率，频率调谐模式为手动调频，时间调制模式为脉冲功率模式。连续功率加工步骤402中，源射频电源的射频功率为第二功率，频率调谐模式为自动调频，时间调制模式为连续功率模式；偏置射频电源的射频功率为第四功率，频率调谐模式为自动调频，时间调制模式为连续功率模式。其中，自动调频模式下，射频频率根据等离子体处理过程中的工艺需要而自动变化；而手动调频模式下，射频频率被锁定于一个固定的频率保持不变。当等离子体对待加工件进行刻蚀的过程中直接从脉冲功率加工步骤401转换至连续功率加工步骤402时，同样会使等离子体的阻抗迅速发生改变，将使等离子体不稳定。
[0043]因此转至图4b，图4b示出了根据本发明的第二实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换时射频控制变化示意图。在图4b所示实施例中，脉冲功率加工步骤401与连续功率加工步骤402之间还包括一转换步骤403，用于脉冲功率加工步骤401向连续功率加工步骤402转换的过程中稳定转换的过程中脉冲射频等离子体。
[0044]图5示出了根据本发明的第二实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的流程图。具体地，如图5所示，在此实施例中，在步骤401中，使用脉冲功率对待加工件进行加工，在步骤402中，使用连续功率对待加工件进行加工。步骤401和步骤402之间还包括一转换步骤403。更具体地，如图5所示，在此实施例中，转换步骤403包括子步骤403a和403b。在步骤403a中:控制偏置射频电源由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变。在子步骤403b中:将源射频电源从第一功率改变至第二功率，将偏置射频电源从第三功率改为第四功率，且解除源射频电源和偏置射频电源的频率的锁定，使源射频电源和偏置射频电源处于自动调频模式。其中，步骤403b在步骤403a之后实施，以避免源射频电源的频率的变化与偏置射频电源的时间调制模式的变化(由脉冲功率模式改为连续功率模式)同时进行,此处不予赘述。
[0045]结合图2至图5所示实施例，在上述第一实施例与第二实施例中，当连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中，由于加工工艺的需要，源射频电源的时间调制模式在两个加工步骤中均保持连续功率模式不变，仅仅偏置射频电源的时间调制模式在连续功率模式与脉冲功率模式之间互相转换。而在一些变化例中，源射频电源的时间调制模式也可以根据加工工艺的需要而与偏置射频电源的时间调制模式同步变化，如图6至图9所示实施例，本领域技术人员理解，这些变化例同样可以予以实现，此处不予赘述。
[0046]图6a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的变化示意图。
[0047]具体地，参照图6a，在控制等离子体进行刻蚀的过程中包括连续功率加工步骤601与脉冲功率加工步骤602，连续功率加工步骤601与脉冲功率加工步骤602之间由于刻蚀过程中的需要而相互转换对待加工件进行刻蚀。与上述第一实施例不同的是，在连续功率加工步骤601中，由于加工工艺的需要，源射频电源的时间调制模式为脉冲功率模式，即当连续功率加工步骤60 1转换至脉冲功率加工步骤602过程中，源射频电源的时间调制模式需要从连续功率加工步骤601中的连续功率模式转换至脉冲功率加工步骤602中的脉冲功率模式。当等离子体对待加工件进行刻蚀的过程中直接从连续功率加工步骤601转换至脉冲功率加工步骤602时，同样会使等离子体的阻抗迅速发生改变，引起等离子体不稳定。
[0048]因此转至图6b，图6b示出了根据本发明的第三实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换时射频控制变化示意图。在图6b所示实施例中，在连续功率加工步骤601向脉冲功率加工步骤602的转换过程中还包括一转换步骤603，其用于连续功率加工步骤601向脉冲功率加工步骤602转换的过程中稳定脉冲射频等离子体。
[0049]图7示出了根据本发明的第三实施例的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的流程图。在在步骤601中，使用连续功率对待加工件进行加工。在步骤602中，使用脉冲功率对待加工件进行加工。步骤601和步骤602之间还包括一转换步骤603。
[0050]更具体地，如图图7所示，在此实施例中，转换步骤603包括子步骤603a和603b。在步骤603a中:将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源以及偏置射频电源的频率不变，使其处于手动调频模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变，其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同、均可参考图3b。在子步骤603b中:将源射频电源和偏置射频电源均由连续功率模式改为脉冲功率模式。其中，步骤603b在步骤603a之后实施，以避免源射频电源的频率的变化与偏置射频电源的时间调制模式的变化(由连续功率模式改为脉冲功率模式)同时进行,此处不予赘述。 [0051]图8a示出根据现有技术的，等离子体刻蚀过程中连续功率加工步骤向脉冲功率加工步骤转换的变化示意图。
[0052]具体地，参考图8a，在在控制等离子体进行刻蚀的过程中包括脉冲功率加工步骤801与连续功率加工步骤802，脉冲功率加工步骤801与连续功率加工步骤802之间由于刻蚀过程中的需要而相互转换对待加工件进行刻蚀。与上述第二实施例不同的是，在脉冲功率加工步骤802中，由于加工工艺的需要，源射频电源的时间调制模式为脉冲功率模式，即当脉冲功率加工步骤802转换至连续功率加工步骤801过程中，源射频电源的时间调制模式需要从脉冲功率加工步骤802中的脉冲功率模式转换至连续功率加工步骤801的连续功率模式。当等离子体对待加工件进行刻蚀的过程中直接从脉冲功率加工步骤802转换至连续功率加工步骤801时，也会使等离子体的阻抗迅速发生改变，引起等离子体不稳定。
[0053]因此转至图Sb，图Sb示出了根据本发明的第四实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换时射频控制变化示意图。在图8b所示实施例中，脉冲功率加工步骤801与连续功率加工步骤802之间还包括一转换步骤803，用于脉冲功率加工步骤801向连续功率加工步骤802转换的过程中稳定转换的过程中脉冲射频等离子体。
[0054]图9示出了根据本发明的第四实施例的，等离子体刻蚀过程中脉冲功率加工步骤向连续功率加工步骤转换的流程图。具体地，在此实施例中，在步骤801中，使用脉冲功率对待加工件进行加工，在步骤802中，使用连续功率对待加工件进行加工。步骤801和步骤802之间还包括一转换步骤803。更具体地，如图9所示，在此实施例中，转换步骤803包括子步骤803a和803b。在步骤803a中:控制源射频电源和偏置射频电源均由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变。在步骤803b中:将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且解除源射频电源和偏置射频电源的频率锁定使其处于自动调频模式。其中，步骤803b在步骤803a之后实施，以避免源射频电源的频率的变化与偏置射频电源的时间调制模式的变化(由连续功率模式改为脉冲功率模式)同时进行,此处不予赘述。
[0055]更进一步地,在上述图2至图9所示实施例中，所述第一功率为100w_5000w,所述第二功率为100w-5000w。所述第三功率为100w-10000w，所述第四功率为100w_10000w。即所述源射频电源的射频功率变化范围优选地为100w-5000w，所述偏置射频电源的射频功率变化范围优选地为100W-10000W。更优选地，所述第一功率等于所述第二功率，所述第三功率等于所述第四功率，即保持连续功率加工步骤201以及脉冲功率加工步骤202转换过程中源射频电源以及偏置射频电源的功率均不变，从而更有效地达到控制等离子体阻抗变化的目的。
[0056]综合上述图1至图9所示实施例，本领域技术人员理解，本发明在等离子体刻蚀中的连续功率加工步骤以及脉冲功率加工步骤互相转换的过程中增加一转换步骤，使转换过程中出现的等离子体阻抗的变化可以被控制，从而刻蚀过程中的等离子体也得到稳定。
[0057]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内 容。
【权利要求】
1.一种用于等离子体处理腔室的稳定脉冲射频的方法，其中，所述等离子体处理腔室包括一上电极以及一下电极，所述下电极分别连接一源射频电源以及一偏置射频电源，所述方法包括如下步骤: A.向等离子体反应腔室内通入反应气体； B.所述上电极以及所述下电极产生电场对反应气体进行电离，产生等离子体； C.对待加工件进行刻蚀，其中，刻蚀过程包括连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤，所述连续功率加工步骤与所述脉冲功率加工步骤交替地进行，所述脉冲功率加工步骤中，所述源射频电源以及所述偏置射频电源的频率为手动控制，以使其保持不变； 其特征在于，所述步骤C还包括一转换步骤，所述转换步骤位于连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间，其在连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中锁定源射频电源的频率，以使其保持不变。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述连续功率加工步骤中，所述源射频电源以及所述偏置射频电源均为自动调频。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述转换步骤还包括: Cl.测量等离子体处理腔室内的等离子体阻抗； c2.根据等离子体的阻抗确定其对应的即时频率； c3.锁定射频电源的即时频率。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间转换的过程中，所述源射频电源保持连续功率模式不变，所述偏置射频电源在连续功率模式与脉冲功率模式之间互相转换。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述连续功率加工步骤先于所述脉冲功率加工步骤，所述转换步骤包括: Dl.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源的频率不变，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变； D2.锁定偏置射频电源的频率不变，且控制偏置射频电源由连续功率模式改为脉冲功率模式，其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一功率等于所述第二功率，所述第三功率等于所述第四功率。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率加工步骤先于所述连续功率加工步骤，所述转换步骤包 括: El.控制偏置射频电源由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变； E2.将源射频电源从第一功率改变至第二功率，将偏置射频电源从第三功率改为第四功率，且解除源射频电源和偏置射频电源的频率的锁定，使源射频电源和偏置射频电源为自动调频。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间转换的过程中，所述源射频电源与所述偏置射频电源同步地在连续功率模式与脉冲功率模式之间互相转换。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述连续功率加工步骤先于所述脉冲功率加工步骤，所述转换步骤包括: Fl.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且锁定源射频电源以及偏置射频电源的频率不变，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变，其中，所述锁定偏置射频电源频率的方法与所述锁定源射频电源频率的方法相同； F2.将源射频电源和偏置射频电源均由连续功率模式改为脉冲功率模式。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率加工步骤先于所述连续功率加工步骤，所述转换步骤包括: Gl.控制源射频电源和偏置射频电源均由脉冲功率模式改为连续功率模式，同时保持源射频电源和偏置射频电源的其余射频控制不变； G2.将源射频电源从第一功率改变至第二功率、将偏置射频电源从第三功率改为第四功率、且解除源射频电源和偏置射频电源的频率锁定，使其自动调频。
11.根据前述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述源射频电源为高频电源，所述偏置射频电源为低频电源。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一功率为100?-5000?，所述第二功率为100w-5000w，所述第三功率为100w-10000w，所述第四功率为100w-10000w。
【文档编号】H01J37/32GK103903945SQ201210567795
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月24日 优先权日:2012年12月24日
【发明者】叶如彬, 崔强, 徐蕾, 黄智林, 浦远, 倪图强 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司