专利名称：一种用来取代紧凑式荧光灯的led灯的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及照明领域领域的一种LED灯，特别是涉及一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯。
背景技术：
当今LED灯已经被广泛地应用于各个领域，具有寿命长、光效高、无辐射、低功耗等特点。但是一般的LED灯管(灯泡)由于驱动电路的中多使用无源器件，特别是必须使用高温环境中寿命较短的电解电容(寿命只有数千小时)，以至驱动电路的寿命大大低于 LED的使用寿命，从而限制了 LED照明设备的整体寿命。此外，小功率的LED灯管(灯泡)， 功率因数低、谐波高，不适宜集中大面积使用，因此无法替代现有的紧凑式荧光灯，使用范围也受到一定的限制。由此可见，上述现有的LED灯在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。如何能创设一种整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用的新型结构的用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，实属当前本领域的重要改进目标之一。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，使其整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用，从而克服现有的LED灯的不足。为解决上述技术问题，本实用新型一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板以及安装于同一 PCB板上的交流驱动芯片和多个LED发光二极管，其中，LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动。作为本实用新型的一种改进，所述的PCB板固定在灯头组件上，并在PCB板的背面固定有散热器。所述的PCB板的前面和端部还固定有装饰盖。所述的交流驱动芯片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管M0SFET，其中第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、 同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED 发光二极管的串联线路上；上述缓冲-电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接； 电压输入模块的输出端还与LED发光二极管串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。所述的电压输入模块为半导体场效应晶体管，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位，源极即为电压输入模块的输出端。所述的交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管，其集电极通过一个正向连接的二极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接，发射极通过反向连接的二极管与地电位连接。所述的半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应 晶体管VM0S。所述的电压输入模块为增强型金属_氧化层_半导体场效应晶体管。所述的交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC电路以及浪涌吸收电路。所述的EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。采用这样的设计后，本实用新型至少具有以下优点1、驱动电路(包括EMC与浪涌吸收电路)和全部LED发光二极管都安装在一块 PCB上，一次贴片完成，大大简化了生产工艺与装配工艺，并提高了产品的可靠性；2、由于不需要独立驱动器，因此整个LED灯管，外形小巧，直径和长度都与15W节能灯相仿，在横插的筒灯中可直接替换。
上述仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，
以下结合附图与具体实施方式
对本实用新型作进一步的详细说明。图1是本实用新型一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的分解结构示意图。图2是本实用新型一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的电路连接示意图。图3是本实用新型一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯的交流驱动芯片的电路连接示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示，本实用新型用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板1， 以及安装于同一 PCB板1上的交流驱动芯片2，和多个LED发光二极管3，此外，PCB板1可固定在灯头组件4上，并在PCB板1的背面固定有散热器5，在PCB板1的前面和端部固定装饰盖6。请配合参阅图2所示，LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动，交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC(Electrc) Magnetic Compat ibility，电磁兼容性)电路以及浪涌吸收电路等。其中，EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。请配合参阅图3所示，本实用新型所使用的交流驱动芯片主要包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲_电压比较模块21和半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn。其中，半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn可采用V型槽场效应晶体管VM0S。 MOSFET Ql的源极与地电位相连，栅极直接连接于第一组缓冲_电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，第一组缓冲-电压比较模块的另一个输入端分别连接至串联电阻Rl和R2之间的连接点处，第一组缓冲-电压比较模块输出端与MOSFET Q2 的栅极相连，MOSFET Ql的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。MOSFET Qn(η > 1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于第η组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲_电压比较模块的输出端，第η组缓冲-电压比较模块的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFET Qn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。电压分配模块即由上述Rl和R2，R2n-1和R2n组成的η条支路并联组成。电压输入模块可采用增强型金属_氧化层_半导体场效应晶体管M0SFETQ0，其输出端与LED发光二极管的串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。此外，交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管Qi， 其集电极通过一个正向连接的二极管Dl与电压输入模块QO的栅极连接、并通过电感L与外部电压输入端VIN连接，发射极通过反向连接的二极管D2与地电位连接。电压输入模块QO的栅极与外部电压输入端VIN连接，QO的漏极经一电阻Rx连接于地电位，QO的源极即为电压输入模块的输出端、经电压分配模块连接于地电位。图中驱动的LED组件为6个LED灯段，每段LED由两个LED灯组成，其中每个LED灯均由6个LED 发光二极管串联而成，每个LED的压降为3V，因此每个LED灯段全亮时两端电压为3X 12 = 36V。当线路电压从VIN端输入时，与VI N端口相连的QO的栅极电压处于高电位，QO开始导通，QO的源极之输出电压即VDD随之上升；则晶体管M0SFETQ1的栅极电压上升，Ql就开始导通，LEDU LED2开始点亮发光；同时第一组缓冲-电压比较模块的输入端IA为高电位；若电压输入端VIN的电压较低，第一组缓冲_电压比较模块的输入端IB为低电位，第一组缓冲_电压比较模块输出低电位，Q2的栅极处于地电位，Q2处于截止状态。以此类推，Q 3-Q6也处于截止状态。随着VIN端输入电压增加，Ql开始进入饱和状态且电阻Rl分担的电压增加， IB端点电压逐渐升高达到施密特触发器的正向阈值电压，施密特触发器被触发，第二组缓冲_电压比较模块输出高电位，此时Q2导通，当输入电压超过36V时LED3、LED4开始点亮发光。此时预先设定的R3和R4的电阻值的比值，仍可使端点2B处的第二组电压低于缓冲_电压比较模块内的施密特触发器的正向阈值电压，Q3-Q6仍处于截止状态。随着VIN端输入电压的继续增加，Q2开始进入饱和状态且电阻R3分担的电压增加至第二组缓冲-电压比较模块内施密特触发器的正向阈值电压，施密特触发器被触发，Q3 导通，当输入电压超过72V时LED5、LED6开始点亮发光，Q4-Q6截止。以此类推，随着输入电压逐渐升高，当输入电压值超过180V时，Q6导通，LEDll和 LED 12点亮；当输入电压值超过216V时，此时Q6进入饱和状态，整个LED照明装置达到最壳。由以上的驱动方式可知，本实用新型所采用的交流驱动芯片，只要改变线路电压就能实现调光，在大面积使用时，本实用新型比现有的节能灯更具有推广价值。因此，可以非常方便地使用普通的可控硅调光器且被实施。例中共驱动72粒LED发光二极管，以每粒晶粒0. 065W计算，0. 065X72 = 4. 68W，可以组成最常用的家用照明灯具。如果需要组成不同功率的照明灯具，只需要改变RX，很容易就能组成1W-7W不同种类的LED灯具。其中电感L的工作原理为LED半导体发光器件本身是一种二 极管，点亮LED可以是直流，也可以是单向脉动直流。当外部电源为交流电时，在注意避免交流电反向电压将发光器件击穿损坏的前提下，也可以使用交流电。使用全波整流桥产生的IOOHz脉动直流点亮LED，利用“脉动”这个特性，在输入回路中，串入一个电感L。利用电流流过电感的滞后特性，很方便地将功率因素提高到0.95以上。由于在芯片中没有振荡源，因此电磁兼容性与电磁干扰的问题将是非常容易处理的。本实用新型用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其LED发光二极管与驱动电路组装在一块PCB板上，贴片时一次完成，结构紧凑，组装方便，不但具有高功率因素、低谐波、长寿命、低成本、高可靠、良好的电磁兼容性(EMC)等特点，而且能满足世界各国对LED灯安全性的要求，是一种可以取代节能灯(CFL)的LED灯管。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰，均落在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于主要包括PCB板以及安装于同一 PCB板上的交流驱动芯片和多个LED发光二极管，其中，LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动。
2.根据权利要求1所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的 PCB板固定在灯头组件上，并在PCB板的背面固定有散热器。
3.根据权利要求1所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的 PCB板的前面和端部还固定有装饰盖。
4.根据权利要求1所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的交流驱动芯片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲_电压比较模块和半导体场效应晶体管MOSFET，其中第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；上述缓冲_电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接；电压输入模块的输出端还与LED发光二极管串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。
5.根据权利要求4所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的电压输入模块为半导体场效应晶体管，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位，源极即为电压输入模块的输出端。
6.根据权利要求5所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管，其集电极通过一个正向连接的二极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接，发射极通过反向连接的二极管与地电位连接。
7.根据权利要求4所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应晶体管VM0S。
8.根据权利要求4所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的电压输入模块为增强型金属_氧化层_半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC电路以及浪涌吸收电路。
10.根据权利要求9所述的一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，其特征在于所述的 EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。
专利摘要本实用新型是有关于一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，主要包括PCB板以及安装于同一PCB板上的交流驱动芯片和多个LED发光二极管，其中，LED发光二极管均与交流驱动芯片电连接。本实用新型涉及一种用来取代紧凑式荧光灯的LED灯，整体使用寿命更长，且适于集中大面积使用，从而克服了现有的LED灯的不足。
文档编号F21Y101/02GK202118622SQ20112020991
公开日2012年1月18日 申请日期2011年6月21日 优先权日2011年6月21日
发明者张高柏, 陈卫平 申请人:陈卫平