等离子体处理装置和方法

专利名称：等离子体处理装置和方法
技术领域：
本发明涉及对半导体基板等被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置、 等离子体处理方法和计算机可读取的存储介质。
背景技术：
例如，在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成的规定层上形成规定图案，大多采用以抗蚀剂作为掩模、利用等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。作为用于进行这样的等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，使用各种装置，其中，主流为电容耦合型平行平板等离子体处理装置。在电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中，在腔室内配置一对平行平板电极 (上部和下部电极)，将处理气体导入腔室内，并且向一个电极施加高频，在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，对半导体晶片的规定层进行等离子体蚀刻。具体地说，已知有向上部电极施加等离子体形成用的高频以形成等离子体、向下部电极施加离子引入用的高频，由此形成适当的等离子体状态的等离子体蚀刻装置，由此， 能够以高选择比进行再现性高的蚀刻处理(例如，特开2000-173993号公报(专利文献 1))。可是，与近年来的微细加工的要求对应，作为掩模使用的光致抗蚀剂的膜厚变薄， 使用的光致抗蚀剂也正从KrF光致抗蚀剂(即利用以KrF气体作为发光源的激光进行曝光的光致抗蚀剂)向能够形成约0. 13μπι以下的图案开口的ArF光致抗蚀剂(即利用以ArF 气体作为发光源的波长更短的激光进行曝光的光致抗蚀剂)转变。然而，由于ArF光致抗蚀剂耐等离子体性低，所以存在使用KrF抗蚀剂时几乎不会发生的蚀刻途中表面产生粗糙的问题。因此，会产生开口部的内壁面出现纵条纹 (striatic )、或开口部扩大(CD扩大)的问题，与光致抗蚀剂的膜厚较薄相结合，会产生不能以良好的蚀刻选择比形成蚀刻孔的不利情况。另一方面，在这种蚀刻装置中，在供给上部电极的等离子体生成用的高频电力的功率小的情况下，在蚀刻结束后，堆积物(Cbposit)会附着在上部电极上，有可能导致处理特性变化或产生颗粒。另外，在功率大的情况下，电极会产生削减，功率小的情况下，处理特性会变化。来自高频电源的功率由处理确定为适当的范围，因此希望无论在什么样的功率下，处理都不改变。另外，蚀刻时在腔室壁上产生堆积物，在连续蚀刻处理的情况等下，会产生前面的处理的影响残留、并对下一个处理带来不良影响的记忆效应(memory effect)，因此也要求消除堆积物在腔室壁上的附着。
另外，在这样的平行平板型电容耦合型蚀刻装置中，在腔室内的压力高、并且使用的蚀刻气体为负性气体(例如(^^、02等)的情况下，腔室中心部的等离子体密度低，在这种情况下，难以控制等离子体密度。另一方面，在半导体器件中，随着配线的微细化和高速化的要求提高，出于减少配线寄生电容的目的，低介电常数的层间绝缘膜的利用向前发展。在这样的低介电常数膜 (Low-k膜)中，SiOC类膜特别引人注目。在对SiOC类膜等有机类Low-k膜进行等离子体蚀刻的情况下，重要的是充分地确保其与氮化硅等底膜和掩模层的选择比。通常，作为与底膜的选择性比较高的处理气体，使用碳氟化合物气体类的混合气体，但仅使用那些气体难以得到充分的选择比。于是，提出了如下的蚀刻方法在SiOC类膜的蚀刻中，以作为Cu配线的阻挡层的氮化硅膜作为底蚀刻停止层、对SiOC类层间绝缘膜进行等离子体蚀刻时，为了提高与底膜的选择比，使用C4F8Ar/ N2作为处理气体，并使Ar的流量比为80%以上，以提高与氮化硅膜的选择比(例如，特开 2002-270586号公报(专利文献2))。另外，提出了如下的蚀刻方法在与上述专利文献2同样，以氮化硅膜作为底蚀刻停止层、对SiOC类层间绝缘膜进行等离子体蚀刻时，进行使用CHF3Arz^2作为处理气体的第一阶段的蚀刻和使用C4F8Arz^2作为处理气体的第二阶段的蚀刻，以提高对掩模和氮化硅膜两者的选择比(例如，特开2004-87875号公报(专利文献3))。然而，如上所述作为Cu配线的阻挡层使用的氮化硅，虽然阻挡性好，但相对介电常数高达7. 0，因此，为了充分地利用SiOC类膜等Low-k膜的低介电常数特性，还要求阻挡层的介电常数低。作为其中之一，有相对介电常数为3. 5的碳化硅(SiC)。在将作为这样的低介电常数阻挡层的SiC作为底蚀刻停止层使用、对上层的作为被蚀刻层的Low-k膜进行蚀刻时，需要确保充分的蚀刻选择比。但是，使用上述专利文献2 和专利文献3中记载的碳氟化合物类处理气体的等离子体蚀刻，不能充分地确保Low-k膜与SiC层的蚀刻选择比。

发明内容
本发明鉴于上述情况而做出，其目的是提供能够将抗蚀剂层等有机掩模层的耐等离子体性维持较高从而以高选择比进行蚀刻、或者能够有效地消除堆积物在电极上的附着、或者能够进行高速的蚀刻、或者能够对被处理基板进行均勻的蚀刻的等离子体处理装置和等离子体处理方法。另外，本发明的目的还在于提供一种能够以对作为蚀刻停止层的底SiC层的高蚀刻选择比、进行Low-k膜的蚀刻的等离子体处理方法。本发明的第一方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向上述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力供给单元；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在上述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，该等离子体处理装置还包括向上述第一电极或第二电极施加直流电压或交流电压的电源，控制来自上述电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个，使得施加电极表面的自偏压Vd。的绝对值增大至可得到对施加电极表面的规定的溅射效果的程度；或者使施加电极的等离子体鞘的厚度扩大，在上述施加电极的相对电极侧，形成被缩小的等离子体；或者使在施加电极附近生成的电子照射在上述被处理基板上；或者将等离子体电位控制为期望的值，或者使等离子体密度上升；或者使等离子体密度的分布均勻至可得到期望的蚀刻均勻性的程度。在这种情况下，优选上述直流电压或交流电压为脉冲状或调制后的电压。另外，可以形成还包括控制来自上述电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置的结构。另外，可以还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，上述控制装置控制来自上述电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。本发明的第二方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向上述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力供给单元；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在上述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，该等离子体处理装置还包括向上述第一电极或第二电极施加直流电压或交流电压的电源，上述电源的一个极与上述第一电极或第二电极连接，另一个极与上述处理容器内的规定部件连接，控制来自上述电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。在这种情况下，优选上述规定部件为埋设在存在于处理容器内的绝缘部件中的导体、或构成处理容器的壁部的部件、或被载置在上述第二电极上的被处理基板周边的校正环。另外，可以形成为如下结构还包括另一个直流电源，上述另一个直流电源的一个极与上述第一电极和第二电极中不与上述直流电源连接的电极连接，另一个极和上述规定部件或与上述规定部件绝缘的另一个规定部件连接。另外，优选与上述另一个直流电源连接的上述另一个规定部件为埋设在存在于处理容器内的绝缘部件中的导体、或构成处理容器的壁部的部件、或被载置在上述第二电极上的被处理基板周边的校正环。本发明的第三方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向上述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力供给单元；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在上述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，该等离子体处理装置还包括向上述处理容器内的规定部件施加直流电压或交流电压的电源。在这种情况下，上述直流电压或交流电压可以为脉冲状或调制后的电压。另外，优选上述规定部件为埋设在存在于处理容器内的绝缘部件中的导体、或构成处理容器的壁部的部件。另外，可以构成为将上述电源的极与上述规定部件连接，将另一个极与和上述处理容器内的上述规定部件绝缘的另一个规定部件连接。另外，优选上述规定部件和上述另一个规定部件为埋设在存在于处理容器内的绝缘部件中的导体、或构成处理容器的壁部的部件。在本发明的第三方面中，优选还包括另一个电源，上述另一个电源与和上述处理容器内的上述规定部件绝缘的另一个规定部件连接，并向其施加直流电压或交流电压。在这种情况下，向上述另一个规定部件施加的直流电压或交流电压可以为脉冲状或调制后的电压。
在本发明的第三方面中，优选与上述电源连接的上述规定部件配置在上述第一电极附近，与上述另一个直流电源连接的上述另一个规定部件配置在上述第二电极附近。 在这种情况下，优选上述规定部件和上述另一个规定部件为埋设在存在于处理容器内的绝缘部件中的导体、或构成处理容器的壁部的部件。在本发明的第三方面中，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为载置被处理体的下部电极，包括设置在与上述第二电极上方的被处理基板的外周部的被处理基板相邻的位置的能够冷却的冷却环、和设置在其外侧或上侧的校正环，上述校正环作为被施加直流电压或交流电压的上述规定部件起作用。在这种情况下，优选通过在上述冷却环和上述第二电极之间配置散热性良好的部件、或者使传热气体在上述冷却环和上述第二电极之间流动，将上述冷却环冷却。另外，优选还包括测量上述冷却环的温度的温度测量机构、将上述冷却环冷却的冷却部、和控制冷却部对上述内侧环的冷却的冷却控制部。另外，可以构成为向上述第二电极供给高频电力，向上述校正环的供电通过上述第二电极进行，在上述冷却环和上述第二电极之间设置有电介质部件。在本发明的第三方面中，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为载置被处理体的下部电极，包括设置在与上述第二电极上方的被处理基板的外周部的被处理基板相邻位置的第一校正环、和设置在其外侧或上侧的第二校正环，上述第一校正环和第二校正环作为被施加直流电压或交流电压的上述规定部件起作用。在这种情况下，能够使向上述第一校正环和上述第二校正环施加的电压分别独立地变化。另外，可以构成为分别从不同的电源向上述第一校正环和上述第二校正环施加电压。另外，可以构成为将单一电源的一个极和另一个极分别与上述第一校正环和上述第二校正环连接。另外，上述第一校正环可以被冷却。本发明的第四方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向上述第二电极施加等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向上述第一电极施加直流电压的直流电源；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。本发明的第五方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向上述第一电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元； 向上述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向上述第二电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向上述第一电极施加直流电压的直流电源；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。本发明的第六方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于该等离子体处理方法使用一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向上述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力供给单元；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在上述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，在形成等离子体时，向上述第一电极或第二电极施加直流电压或交流电压，此时，控制其施加电压、施加电流和施加电力中的任一个，使得施加电极表面的自偏压Vd。的绝对值增大至可得到对施加电极表面的规定的溅射效果的程度；或者使施加电极的等离子体鞘的厚度扩大，在上述施加电极的相对电极侧，形成被缩小的等离子体；或者使在施加电极附近生成的电子照射在上述被处理基板上；或者将等离子体电位控制为期望的值；或者使等离子体密度上升；或者使等离子体密度的分布均勻至可得到期望的蚀刻均勻性的程度。本发明的第七方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于该等离子体处理方法使用一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向上述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的高频电力的高频电力供给单元；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在上述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，在形成等离子体时，向上述处理容器内的规定部件施加直流电压或交流电压。本发明的第八方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于，在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向上述第二电极施加等离子体形成用的第一高频电力，一边向上述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在上述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向上述第一电极施加直流电压的工序；和一边向上述第一电极施加直流电压，一边对上述被处理基板进行等离子体处理的工序。本发明的第九方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于，在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向上述第一电极施加等离子体形成用的第一高频电力、并向上述第二电极施加第二高频电力和第三高频电力，一边向上述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在上述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向上述第一电极施加直流电压的工序；和一边向上述第一电极施加直流电压，一边对上述被处理基板进行等离子体处理的工序。本发明的第十方面提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置，进行上述第六方面的等离子体处理方法。本发明的第十一方面提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置，进行上述第七方面的等离子体处理方法。本发明的第十二方面提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置，进行上述第八方面的等离子体处理方法。本发明的第十三方面提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置，进行上述第九方面的等离子体处理方法。本发明的第十四方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向上述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向上述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向上述第一电极施加直流电压的直流电源；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。在这种情况下，可以构成为上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。在这种情况下，可以构成为上述控制装置控制可否从上述直流电源向上述第一电极施加直流电压。另外，可以构成为还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，上述控制装置控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。在上述第十四方面的等离子体处理装置中，典型地，上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极。在这种情况下，优选向上述第一电极施加的第一高频电力的频率为13. 56MHz以上，更优选为40MHz以上。另外，优选向上述第二电极施加的第二高频电力的频率为13. 56MHz以下。另夕卜，在上述第十四方面的等离子体处理装置中，优选上述直流电源施加-2000 +1000V范围的电压。另外，优选从上述直流电源施加的直流电压的绝对值为 100V以，更优选为500V以上。另外，优选上述直流电压为绝对值大于由向上述第一电极施加的第一高频电力在该第一电极的表面产生的自偏压的负电压。另外，上述第一电极的与上述第二电极相对的面可以由含硅的物质形成。在上述第十四方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置总是接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件可以呈环状配置在上述第一电极的外侧。另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。在这样的结构中，优选该等离子体处理装置具有覆盖上述导电性部件的一部分的保护板，通过使上述保护板相对于上述导电性部件相对移动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选上述导电性部件为一部分在等离子体中露出的圆柱形状，通过使上述导电性部件以圆柱的轴为中心转动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选该等离子体处理装置包括覆盖上述导电性部件的一部分、并且具有用等离子体进行蚀刻而得到的材质的台阶形状的保护膜，通过蚀刻上述保护膜，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。在上述第十四方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件可以呈环状配置在上述第一电极的外侧。另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。另外，可以构成为上述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。
可以构成为能够向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这种情况下， 优选上述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括将上述导电性部件的连接切换至上述直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用上述切换机构将上述导电性部件与上述直流电源侧连接时，从上述直流电源向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这样的结构中，优选能够向上述导电性部件施加负的直流电压。在能够这样施加负的直流电压的结构中，优选为了将在向上述导电性部件施加负的直流电压时流入上述处理容器内的直流电子电流排出，在上述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件配置在上述第一电极的附近，上述导电性辅助部件设置在上述第二电极的周围。在上述第十四方面的等离子体处理装置中，可以构成为将处于第一状态和第二状态中的任一状态的导电性部件设置在上述处理容器内，上述第一状态是为了使向上述第一电极供给的来自上述直流电源的直流电流通过等离子体放出、根据来自整体控制装置的指令而被接地的状态，上述第二状态是从上述直流电源施加直流电压以对其表面进行溅射或蚀刻的状态，该等离子体处理装置还包括连接切换机构，该连接切换机构能够在上述直流电源的负极与上述第一电极连接、且上述导电性部件与接地线路连接的第一连接，和上述直流电源的正极与上述第一电极连接、上述直流电源的负极与上述导电性部件连接的第二连接之间进行切换，通过该切换，能够分别形成上述第一状态和上述第二状态。在这种情况下，优选上述第一状态在等离子体蚀刻时形成，上述第二状态在上述导电性部件的清理时形成。本发明的第十五方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向上述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向上述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向上述第一电极施加直流电压的直流电源；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置，上述第一电极被分割为内侧电极和外侧电极，上述第一高频电力被分配并施加于上述内侧电极和上述外侧电极，上述直流电源与其中的至少一方连接。在上述第十五方面的等离子体处理装置中，可以构成为上述直流电源能够使向上述内侧电极和上述外侧电极施加的直流电压分别独立地变化。在这种情况下，可以构成为分别从不同的直流电源向上述内侧电极和上述外侧电极施加直流电压。另外，可以构成为将上述电源的一个极与上述内侧电极连接，将另一个极与上述外侧电极连接。在这种情况下，可以构成为上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。在这种情况下，可以构成为上述控制装置控制可否从上述直流电源向上述第一电极施加直流电压。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，上述控制装置控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。在上述第十五方面的等离子体处理装置中，典型地，上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极。在这种情况，优选向上述第一电极施加的第一高频电力的频率为 13. 56MHz以上，更优选为40MHz以上。另外，优选向上述第二电极施加的第二高频电力的频率为13. 56MHz以下。另外，在上述第十五方面的等离子体处理装置中，优选上述直流电源能够施加-2000 +1000V范围的电压，另外，从上述直流电源施加的直流电压的绝对值为100V以上、更优选为500V以上。另外，优选上述直流电压为绝对值大于由向上述第一电极施加的第一高频电力在该第一电极的表面产生的自偏压的负电压。另外，上述第一电极的与上述第二电极相对的面可以由含硅的物质形成。在上述第十五方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置总是接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件可以呈环状配置在上述第一电极的外侧。另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。在这样的结构中，优选该等离子体处理装置具有覆盖上述导电性部件的一部分的保护板，通过使上述保护板相对于上述导电性部件相对移动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选上述导电性部件为一部分在等离子体中露出的圆柱形状，通过使上述导电性部件以圆柱的轴为中心转动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选该等离子体处理装置包括覆盖上述导电性部件的一部分、并且具有用等离子体进行蚀刻而得到的材质的台阶形状的保护膜，通过蚀刻上述保护膜，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。在上述第十五方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件呈环状配置在上述第一电极的外侧。另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。另外，可以构成为上述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。可以构成为能够向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这种情况下， 优选上述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括将上述导电性部件的连接切换至上述直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用上述切换机构将上述导电性部件与上述直流电源侧连接时，从上述直流电源向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这样的结构中，优选能够向上述导电性部件施加负的直流电压。在能够这样施加负的直流电压的结构中，优选为了将在向上述导电性部件施加负的直流电压时流入上述处理容器内的直流电子电流排出，在上述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件配置在上述第一电极的附近，上述导电性辅助部件设置在上述第二电极的周围。在上述第十五方面的等离子体处理装置中，可以构成为将处于第一状态和第二状态中的任一状态的导电性部件设置在上述处理容器内，上述第一状态是为了使向上述第一电极供给的来自上述直流电源的直流电流通过等离子体放出、根据来自整体控制装置的指令而被接地的状态，上述第二状态是从上述直流电源施加直流电压以对其表面进行溅射或蚀刻的状态，该等离子体处理装置还包括连接切换机构，该连接切换机构能够在上述直流电源的负极与上述第一电极连接、且上述导电性部件与接地线路连接的第一连接，和上述直流电源的正极与上述第一电极连接、上述直流电源的负极与上述导电性部件连接的第二连接之间进行切换，通过该切换，能够分别形成上述第一状态和上述第二状态。在这种情况下，优选上述第一状态在等离子体蚀刻时形成，上述第二状态在上述导电性部件的清理时形成。本发明的第十六方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于，在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向上述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向上述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向上述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在上述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向上述第一电极施加直流电压的工序；和一边向上述第一电极施加直流电压，一边对上述被处理基板进行等离子体处理的工序。在上述第十六方面的等离子体处理方法中，典型地，上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极。在这种情况下，优选上述直流电压为绝对值大于由向上述第一电极施加的第一高频电力在该第一电极的表面产生的自偏压的负电压。另外，优选向上述上部电极施加的第一高频电力的频率为13. 56 60MHz，向上述下部电极施加的第二高频电力的频率为300kHz 13. 56MHz以下。另外，优选上述处理气体为包含碳氟化合物的气体。 在这种情况下，更优选上述包含碳氟化合物的气体至少包含C4F8。在上述包含碳氟化合物的气体中还可以包含不活泼气体。另外，上述绝缘膜可以为有机类绝缘膜。在此，上述有机类绝缘膜可以为SiOC类膜，在这种情况下，优选上述SiOC类膜的底膜由碳化硅(SiC)形成。在上述第十六方面的等离子体处理方法中，优选上述直流电压的绝对值为1500V 以下。另外，优选处理压力为1.3 沈.7I^(10 200mTOrr)。另外，优选向上述上部电极施加的第一高频电力为3000W以下。另外，优选向上述下部电极施加的第二高频电力为 100 5000W。另外，优选上述处理气体为C4F8、N2和Ar的混合气体，其流量比为C4F8/N2/ Ar = 4 20/100 500/500 1500mL/min(sccm)。以上的等离子体处理方法可以应用于过蚀刻阶段。另外，在上述第十六方面的等离子体处理方法中，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与底膜的选择比，可以使用c5F8、 Ar、N2的组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与掩模的选择比，可以使用CF4、或C4F8、CF4, Ar、N2, O2中的任一种组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜的蚀刻速度，可以使用C4F6、CF4, Ar、O2、或C4F6、 C3F8、Ar、O2、或C4F6、CH2F2, Ar, O2中的任一种组合作为上述处理气体。
本发明的第十七方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于，在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向被分割为内侧电极和外侧电极的上述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向上述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向上述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在上述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向上述内侧电极和上述外侧电极中的至少一方施加直流电压的工序；和一边向上述第一电极施加直流电压，一边对上述被处理基板进行等离子体处理的工序。在上述第十七方面的等离子体处理方法中，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与底膜的选择比，可以使用C5F8、Ar、N2& 组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与掩模的选择比，可以使用〔&、或(/8、0&、41~、队、仏中的任一种的组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜的蚀刻速度，使用C4F6、CF4, Ar、O2、或C4F6、C3F8, Ar、02、 或C4F6、CH2F2, Ar, O2中的任一种组合作为上述处理气体。另外，根据本发明的第十八方面，提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置， 进行上述第十六方面的等离子体处理方法。另外，根据本发明的第十九方面，提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置， 进行上述第十七方面的等离子体处理方法。本发明的第二十方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向上述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向上述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向上述第一电极施加直流电压的直流电源；和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单兀。在这种情况下，可以构成为上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。在这种情况下，可以构成为上述控制装置控制可否从上述直流电源向上述第一电极施加直流电压。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，上述控制装置控制从上述直流电源向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。在上述第二十方面的等离子体处理装置中，典型地，上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极。在这种情况下，优选向上述第二电极施加的第一高频电力的频率为27MHz以上、更优选为40MHz以上。另外，优选向上述第二电极施加的第二高频电力的频率为13. 56MHz以下。另夕卜，在上述第二十方面的等离子体处理装置中，优选上述直流电源施加-2000 +1000V范围的电压。另外，上述第一电极的与上述第二电极相对的面可以由含硅的物质形成。另外，在上述第二十方面的等离子体处理装置中，优选上述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。在这种情况下，优选该等离子体处理装置具有能够将上述第一电极改变为浮动状态或接地状态的可变装置，根据来自整体控制装置的指令，当向上述第一电极施加直流电压时，上述可变装置使上述第一电极相对于接地电位成为浮动状态，当不向上述第一电极施加直流电压时，上述可变装置使上述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。在上述第二十方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置有总是接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件可以呈环状配置在上述第一电极的外侧。 另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。在这样的结构中，优选该等离子体处理装置具有覆盖上述导电性部件的一部分的保护板，通过使上述保护板相对于上述导电性部件相对移动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选上述导电性部件为一部分在等离子体中露出的圆柱形状，通过使上述导电性部件以圆柱的轴为中心转动的驱动机构，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。另外，优选该等离子体处理装置包括覆盖上述导电性部件的一部分、并且具有用等离子体进行蚀刻而得到的材质的台阶形状的保护膜，通过蚀刻上述保护膜，上述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。在上述第二十方面的等离子体处理装置中，为了使由向上述第一电极施加的来自上述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，可以在上述处理容器内设置有根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件设置在上述第二电极的周围。 另外，上述导电性部件可以配置在上述第一电极的附近。另外，上述导电性部件可以呈环状配置在上述第一电极的外侧。另外，可以构成为上述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。另外，可以构成为上述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。优选能够向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这种情况下，优选上述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。另外，可以构成为该等离子体处理装置还包括将上述导电性部件的连接切换至上述直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用上述切换机构将上述导电性部件与上述直流电源侧连接时，从上述直流电源向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。在这样的结构中，优选能够向上述导电性部件施加负的直流电压。在能够这样施加负的直流电压的结构中，优选为了将在向上述导电性部件施加负的直流电压时流入上述处理容器内的直流电子电流排出， 在上述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。在这种情况下，可以构成为上述第一电极为上部电极，上述第二电极为下部电极，上述导电性部件配置在上述第一电极的附近，上述导电性辅助部件设置在上述第二电极的周围。在上述第二十方面的等离子体处理装置中，可以构成为将处于第一状态和第二状态中的任一状态的导电性部件设置在上述处理容器内，上述第一状态是为了使向上述第一电极供给的来自上述直流电源的直流电流通过等离子体放出、根据来自整体控制装置的指令而被接地的状态，上述第二状态是从上述直流电源施加直流电压以对其表面进行溅射或蚀刻的状态，该等离子体处理装置还包括连接切换机构，该连接切换机构能够在上述直流电源的负极与上述第一电极连接、且上述导电性部件与接地线路连接的第一连接，和上述直流电源的正极与上述第一电极连接、上述直流电源的负极与上述导电性部件连接的第二连接之间进行切换，通过该切换，能够分别形成上述第一状态和上述第二状态。在这种情况下，优选上述第一状态在等离子体蚀刻时形成，上述第二状态在上述导电性部件的清理时形成。本发明的第二十一方面提供一种等离子体处理方法，其特征在于，在处理容器内， 将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向上述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力和频率相对较低的第二高频电力，一边向上述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在上述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向上述第一电极施加直流电压的工序；和一边向上述第一电极施加直流电压，一边对上述被处理基板进行等离子体处理的工序。在这种情况下，可以使向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。另外，可以控制向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。另外，可以控制可否向上述第一电极施加直流电压。另外，可以对生成的等离子体的状态进行检测，根据该检测信息，控制向上述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。另外，在上述第二十一方面的等离子体处理方法中，优选上述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。在这种情况下，优选上述第一电极能够改变为浮动状态或接地状态，根据来自整体控制装置的指令，当向上述第一电极施加直流电压时，使上述第一电极相对于接地电位成为浮动状态，当不向上述第一电极施加直流电压时，使上述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。另外，在上述第二十一方面的等离子体处理方法中，优选在上述处理容器内设置有总是接地的导电性部件，使由向上述第一电极施加的直流电压产生的电流通过等离子体放出。或者，优选在上述处理容器内设置有根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件，使由向上述第一电极施加的直流电压产生的电流通过等离子体放出。在这些结构中，优选上述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。另外，优选能够向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。另外，优选上述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。另外，优选还包括将上述导电性部件的连接切换至施加直流电压的直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用上述切换机构将上述导电性部件与上述直流电源侧连接时，从上述直流电流向上述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。另外，优选能够向上述导电性部件施加负的直流电压。另外，优选为了将在向上述导电性部件施加负的直流电压时流入上述处理容器内的直流电子电流排出，在上述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。另外，在上述第二十一方面的等离子体处理方法中，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与底膜的选择比，可以使用C5F8、Ar、N2、或 C4F8、Ar、N2、或 C4F8、Ar、N2、O2、或 C4F8、Ar、N2、CO 中的任一种组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜与掩模的选择比，可以使用〔&、或CF4、Ar、或N2、H2中的任一种组合作为上述处理气体。另外，在对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜上的有机反射防止膜进行蚀刻时，可以使用〔&、或CF4、C3F8、或CF4、C4F8、或CF4X4F6中的任一种组合作为上述处理气体。另外，对被支承在上述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大上述绝缘膜的蚀刻速度，可以使用C4F6、CF4、Ar、O2、或C4F6、C3F8、Ar、O2、或C4F6、C4F8、Ar、O2、或 C4F6、C2F6、Ar、O2、或C4F8、Ar、O2、或C4F8、Ar、O2中的任一种组合作为上述处理气体。本发明的第二十二方面提供一种计算机可读取的存储介质，其存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在运行时，控制等离子体处理装置，进行上述第二十一方面的等离子体处理方法。根据本发明的第一、第二、第四 第六、第八 第十、第十二、第十三方面，能够得到以下效果中的至少一种(1)增大第一电极的自偏压的绝对值，向第一电极表面的溅射效果；( 使第一电极的等离子体鞘扩大，形成的等离子体被缩小的效果；C3)使在第一电极附近产生的电子照射在被处理基板上的效果；(4)控制等离子体电位的效果；( 使电子 (等离子体)密度上升的效果；(7)使中心部的等离子体密度上升的效果。利用上述(1)的效果，即使在由处理气体引起的聚合物和来自光致抗蚀剂的聚合物附着在第一电极的表面上时，也能够对聚合物进行溅射从而对电极表面进行清理。而且， 能够向基板供给最合适的聚合物，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，通过使电极本身溅射，能够将电极材料供给至基板上，从而将光致抗蚀剂膜等有机掩模强化。另外，利用上述O)的效果，被处理基板上的有效停留时间减少，并且等离子体集中在被处理基板上、扩散受到抑制、排气空间减少，因此，碳氟化合物类处理气体的离解受到抑制，光致抗蚀剂膜等有机掩模难以被蚀刻。另外，利用上述(3)的效果，能够将被处理基板上的掩模组成改性，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，因为高速的电子被照射在被处理基板上，所以，可抑制掩蔽效应 (shading effect)，被处理基板的微细加工性提高。另外，利用上述的效果，能够适当地控制等离子体电位，从而抑制蚀刻副产物在电极、或腔室壁(堆积物遮护板等)、处理容器内的绝缘材料等处理容器内部件上的附另外，利用上述(5)的效果，能够使对被处理基板的蚀刻速率(蚀刻速度)上升。另外，利用上述(6)的效果，即使处理容器内的压力高、并且使用的蚀刻气体为负性气体，也能够抑制处理容器内的中心部的等离子体密度比周边低(能够抑制负离子的生成)，从而能够控制等离子体密度，使得等离子体密度均勻。由此，能够将抗蚀剂层等有机掩模层的耐等离子体性维持较高从而以高选择比进行蚀刻。或者，能够有效地消除堆积物在电极上的附着。或者能够进行高速的蚀刻，或者能够对被处理基板进行均勻的蚀刻。根据本发明的第三、第七、第十一方面，能够达到控制等离子体电位的效果。由此， 适当地控制等离子体电位，能够抑制蚀刻副产物在电极、腔室壁(堆积物遮护板等)、处理容器内的绝缘材料等处理容器内部件上的附着。
根据本发明的第十四方面，将施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元与第一电极连接，将施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元与支承被处理基板的第二电极连接，并且将施加直流电压的直流电源与上述第一电极连接，因此，在一边利用第一高频电力形成处理气体的等离子体、并且利用第二高频电力将离子引入被处理基板，一边进行等离子体处理时，通过向第一电极施加直流电压，能够得到以下效果中的至少一种(1)增大第一电极的自偏压的绝对值，向第一电极表面的溅射效果； (2)使第一电极的等离子体鞘扩大，形成的等离子体被缩小的效果；C3)使在第一电极附近产生的电子照射在被处理基板上的效果；(4)控制等离子体电位的效果；(5)使电子(等离子体)密度上升的效果；(7)使中心部的等离子体密度上升的效果。利用上述(1)的效果，即使在由处理气体引起的聚合物和来自光致抗蚀剂的聚合物附着在第一电极的表面上时，也能够对聚合物进行溅射从而对电极表面进行清理。而且， 能够向基板供给最合适的聚合物，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，通过使电极本身溅射，能够将电极材料供给至基板上，从而将光致抗蚀剂膜等有机掩模强化。另外，利用上述O)的效果，被处理基板上的有效停留时间减少，并且等离子体集中在被处理基板上、扩散受到抑制、排气空间减少，因此，碳氟化合物类处理气体的离解受到抑制，光致抗蚀剂膜等有机掩模难以被蚀刻。另外，利用上述(3)的效果，能够将被处理基板上的掩模组成改性，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，因为高速的电子被照射在被处理基板上，所以，可抑制掩蔽效应，被处理基板的微细加工性提高。另外，利用上述的效果，能够适当地控制等离子体电位，从而抑制蚀刻副产物在电极、或腔室壁(堆积物遮护板等)、处理容器内的绝缘材料等处理容器内部件上的附另外，利用上述(5)的效果，能够使对被处理基板的蚀刻速率(蚀刻速度)上升。另外，利用上述(6)的效果，即使处理容器内的压力高、并且使用的蚀刻气体为负性气体，也能够抑制处理容器内的中心部的等离子体密度比周边低(能够抑制负离子的生成)，从而能够控制等离子体密度，使得等离子体密度均勻。由此，能够将抗蚀剂层等有机掩模层的耐等离子体性维持较高从而以高选择比进行蚀刻。或者，能够有效地消除堆积物在电极上的附着。或者能够进行高速的蚀刻，或者能够对被处理基板进行均勻的蚀刻。根据本发明的第十五方面，第一电极被分割为内侧电极和外侧电极，上述第一高频电力被分配并施加于上述内侧电极和上述外侧电极，上述直流电源与其中的至少一方连接，因此，除了上述效果以外，能够改变上述内侧电极和上述外侧电极的电场强度，从而能够进一步提高径方向的等离子体密度的均勻性。根据本发明的第十六 第十九方面，通过一边向被施加第一高频电力的第一电极施加直流电压，一边进行蚀刻，能够充分地得到作为被蚀刻层的绝缘膜与底膜的选择比。例如，在绝缘膜为有机类绝缘膜SiOC类膜、其底膜由碳化硅形成的情况下，或绝缘膜为无机类绝缘膜SiO2、其底膜由氮化硅形成的情况下，能够一边尽可能地抑制底膜的蚀刻一边进行蚀刻。另外，通过一边向第一电极施加直流电压，一边控制高频电力、压力、气体种类等蚀刻条件，能够一边如上所述维持高的选择比，一边提高对SiOC类膜等的蚀刻速率，此外， 还能够改善对抗蚀剂的选择比，特别是SiOC类膜等对ArF抗蚀剂的蚀刻选择比。另外，由于能够使蚀刻速率的提高和蚀刻图案的⑶(Critical Dimension 临界尺寸)控制两者兼得，因此，能够实现高速、高精度的蚀刻，从而能够提高半导体装置的可靠性。另外，在利用蚀刻在半导体晶片等被处理体表面上刻设线条和空间(line & space)的图案的情况下，能够降低线蚀刻粗糙度(LER)。根据本发明的第二十 第二十二方面，将施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元和施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元与支承被处理基板的第二电极连接，将施加直流电压的直流电源与第一电极连接，因此，在一边从第一和第二高频电力施加单元向第二电极施加频率不同的高频电力以形成处理气体的等离子体、并且将离子引入被处理基板，一边进行等离子体蚀刻时，通过向第一电极施加直流电压，能够得到以下效果中的至少一种(1)增大第一电极的自偏压的绝对值，向第一电极表面的溅射效果；( 使第一电极的等离子体鞘扩大，形成的等离子体被缩小的效果； (3)使在第一电极附近产生的电子照射在被处理基板上的效果；(4)控制等离子体电位的效果；( 使电子(等离子体)密度上升的效果；(6)使中心部的等离子体密度上升的效果。利用上述(1)的效果，即使在由处理气体引起的聚合物和来自光致抗蚀剂的聚合物附着在第一电极的表面上时，也能够对聚合物进行溅射从而对电极表面进行清理。而且， 能够向基板供给最合适的聚合物，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，通过使电极本身溅射，能够将电极材料供给至基板上，从而将光致抗蚀剂膜等有机掩模强化。另外，利用上述O)的效果，被处理基板上的有效停留时间减少，并且等离子体集中在被处理基板上、扩散受到抑制、排气空间减少，因此，碳氟化合物类处理气体的离解受到抑制，光致抗蚀剂膜等有机掩模难以被蚀刻。另外，利用上述(3)的效果，能够将被处理基板上的掩模组成改性，从而消除光致抗蚀剂膜的粗糙。另外，因为高速的电子被照射在被处理基板上，所以，可抑制掩蔽效应，被处理基板的微细加工性提高。另外，利用上述的效果，能够适当地控制等离子体电位，从而抑制蚀刻副产物在电极、或腔室壁(堆积物遮护板等)、处理容器内的绝缘材料等处理容器内部件上的附另外，利用上述(5)的效果，能够使对被处理基板的蚀刻速率(蚀刻速度)上升。另外，利用上述(6)的效果，即使处理容器内的压力高、并且使用的蚀刻气体为负性气体，也能够抑制处理容器内的中心部的等离子体密度比周边低(能够抑制负离子的生成)，从而能够控制等离子体密度，使得等离子体密度均勻。由此，能够将抗蚀剂层等有机掩模层的耐等离子体性维持较高从而以高选择比进行蚀刻。或者，能够有效地消除堆积物在电极上的附着。或者能够进行高速的蚀刻，或者能够对被处理基板进行均勻的蚀刻。


图1为表示本发明的第一实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。图2为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、与第一高频电源连接的匹配器的结构的图。图3为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压时的Vd。和等离子体鞘厚度的变化的图。图4A为表示对在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压的情况和不施加的情况下的等离子体状态进行比较的图。图4B为表示对在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压的情况和不施加的情况下的等离子体状态进行比较的图。图5为表示利用图1的等离子体蚀刻装置，改变向上部电极施加的直流电压而对 SiO2膜进行蚀刻时，光致抗蚀剂膜的蚀刻速率、SiO2膜的蚀刻速率和SiA膜对光致抗蚀剂膜的选择比的图。图6为表示应用连续蚀刻处理的多层膜的一个例子的图。图7为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压时的等离子体电位波形的变化的图。图8为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加的直流电压与最大等离子体电位的关系的图。图9为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、改变施加的直流电压时的电子密度及其分布的变化的图。图IOA为示意性地表示在图9的蚀刻中、各直流电压下的中心和边缘的蚀刻状态的图。图IOB为示意性地表示在图9的蚀刻中、各直流电压下的中心和边缘的蚀刻状态的图。图IOC为示意性地表示在图9的蚀刻中、各直流电压下的中心和边缘的蚀刻状态的图。图11为表示上部电极表面的自偏压与施加的直流电压的关系的图。图12为表示在图1的等离子体蚀刻装置中设置有检测等离子体的检测器的状态的截面图。图13为表示在图1的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压时，用于抑制异常放电的波形的图。图14为表示GND块的另一个配置例的概略15为表示GND块的又一个配置例的概略图。图16A为用于说明防止GND块的附着物的例子的图。图16B为用于说明防止GND块的附着物的例子的图。图17为表示能够除去GND块的附着物的装置结构的一个例子的概略图。图18A为用于说明图17的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图18B为用于说明图17的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图19为表示图17的装置的等离子体蚀刻时的另一状态的概略图。图20为表示能够除去GND块的附着物的装置结构的另一个例子的概略图。
图21A为用于说明图20的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图21B为用于说明图20的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图22为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的一个例子的示意图。图23为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的另一个例子的示意图。图24A为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的又一个例子的示意图。图24B为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的又一个例子的示意图。图25为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的又一个例子的示意图。图沈为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的又一个例子的示意图。图27为表示具有防止不DC接地的功能的GND块的又一个例子的示意图。图28为表示RF等离子体和DC等离子体的电子温度分布的图。图四为表示仅在高频电力下形成等离子体的情况和也施加直流电压的情况下的电子温度分布的图。图30A为用于说明在偏置高频电力的频率为2MHz时和13. 56MHz时的离子追踪性的图。图30B为用于说明在偏置高频电力的频率为2MHz时和13. 56MHz时的离子追踪性的图。图31为表示偏置高频电力的频率为2MHz时和13. 56MHz时的离子能量分布的32A为表示利用图1的等离子体蚀刻装置进行蚀刻时能够作为蚀刻对象的晶片的截面结构的一个例子的示意图。图32B为表示利用图1的等离子体蚀刻装置进行蚀刻时能够作为蚀刻对象的晶片的截面结构的一个例子的示意图。图33A为表示利用图1的等离子体蚀刻装置进行蚀刻时能够作为蚀刻对象的晶片的截面结构的另一个例子的示意图。图3 为表示利用图1的等离子体蚀刻装置进行蚀刻时能够作为蚀刻对象的晶片的截面结构的另一个例子的示意图。图34为表示本发明的第二实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。图35为表示图34的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构的概略截面图。图36为表示图34的等离子体蚀刻装置的等离子体生成单元的主要部分的等价电路的电路图。图37为表示图34的等离子体蚀刻装置的可变电容器的电容值与电场强度比率的关系的图。图38为表示向图34的等离子体蚀刻装置的上部电极施加直流电压的变形例的图。图39为表示向图34的等离子体蚀刻装置的上部电极施加直流电压的另一个变形例的图。图40为表示本发明的第三实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。图41为表示本发明的第三实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。
图42A-B为表示在 图41的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压时的Vdc 和等离子体鞘厚度的变化的图。图42A-B为表示在图41的等离子体蚀刻装置中、向上部电极施加直流电压时的Vdc 和等离子体鞘厚度的变化的图。图43A为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用HARC蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图43B为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用HARC蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图43C为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用HARC蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图43D为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用HARC蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图44A为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用Via(通孔)蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图44B为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用Via蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图44C为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用Via蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图44D为表示在图41的等离子体蚀刻装置中，使用Via蚀刻条件、改变施加的直流电压时的电子密度变化的图。图45为表示在上述HARC蚀刻中，使第一高频电力为3000W、使第二高频电力为 4000W时，晶片径方向的电子密度分布的图。图46为表示使用沟槽蚀刻(trench etching)的条件，在施加直流电压的情况和不施加的情况下，测定晶片径方向的电子密度分布的结果的图。图47为表示图41的等离子体蚀刻装置的上部电极的电气状态的图。图48为表示图41的等离子体蚀刻装置的上部电极的电气状态的图。图49为表示图41的等离子体蚀刻装置的上部电极的电气状态的图。图50为表示在图41的等离子体蚀刻装置中设置有检测等离子体的检测器的状态的截面图。图51为表示GND块的另一个配置例的概略图。图52为表示GND块的又一个配置例的概略图。图53为表示能够除去GND块的附着物的装置结构的一个例子的概略图。图54A为用于说明图53的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图54B为用于说明图53的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图55为表示图53的装置的等离子体蚀刻时的另一状态的概略图。图56为表示能够除去GND块的附着物的装置结构的另一个例子的概略图。图57A为用于说明图56的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图57B为用于说明图56的装置的等离子体蚀刻时的状态和清理时的状态的概略图。图58为简略表示本发明的实施方式4的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图59为简略表示本发明的实施方式5的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图60为简略表示本发明的实施方式6的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图61为简略表示本发明的实施方式7的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图62为简略表示本发明的实施方式8的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图63为简略表示本发明的实施方式9的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图64为简略表示本发明的实施方式10的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图65为简略表示本发明的实施方式11的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图66为简略表示本发明的实施方式12的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图67为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图68为简略表示为了与本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置对比的现有的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图69为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的变形例的主要部分的概略截面图。图70为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的另一个变形例的主要部分的概略截面图。图71为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的另一个变形例的主要部分的概略截面图。图72为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的又一个变形例的主要部分的概略截面图。图73为简略表示本发明的实施方式13的等离子体蚀刻装置的又一个变形例的主要部分的概略截面图。图74为简略表示本发明的实施方式14的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图75为简略表示本发明的实施方式14的等离子体蚀刻装置的变形例的主要部分的概略截面图。
图76为简略表示本发明的实施方式15的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略截面图。图77为简略表示本发明的实施方式15的等离子体蚀刻装置的变形例的主要部分的概略截面图。图78为简略表示本发明的实施方式15的等离子体蚀刻装置的另一个变形例的主要部分的概略截面图。图79为表示本发明的实施方式16的等离子体蚀刻装置的例子的截面图。图80为表示本发明的实施方式17的等离子体蚀刻装置的例子的截面图。图81为表示能够应用本发明的另一类型的等离子体蚀刻装置的例子的截面图。图82为表示能够应用本发明的又一类型的等离子体蚀刻装置的例子的截面图。
具体实施例方式以下，参照附图，具体地说明本发明的实施方式。〈实施方式1>首先，说明第一实施方式。图1为表示本发明的第一实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。该等离子体蚀刻装置构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，具有例如由表面被阳极氧化处理的铝制成的大致圆筒状的腔室(处理容器)10。该腔室10被安全接地。在腔室10的底部，隔着由陶瓷等制成的绝缘板12，配置有圆柱状的基座支承台 14，在该基座支承台14上设置有例如由铝制成的基座16。基座16构成下部电极，在其上载置作为被处理基板的半导体晶片W。在基座16的上面设置有利用静电力吸附保持半导体晶片W的静电吸盘18。该静电吸盘18具有用一对绝缘层或绝缘片夹住由导电膜构成的电极20的结构，直流电源22与电极20电气连接。于是，利用由来自直流电源22的直流电压产生的库仑力等静电力，将半导体晶片W吸附保持在静电吸盘18上。在静电吸盘18 (半导体晶片W)的周围、在基座16的上面，配置有用于提高蚀刻的均勻性的例如由硅制成的导电性的聚焦环(校正环)24。在基座16和基座支承台14的侧面，设置有例如由石英制成的圆筒状的内壁部件26。在基座支承台14的内部，例如在圆周上设置有制冷剂室观。从设置在外部的未图示的冷却单元，通过配管30a、30b，向该制冷剂室循环供给规定温度的制冷剂、例如冷却水， 能够利用制冷剂的温度控制基座上的半导体晶片W的处理温度。另外，来自未图示的传热气体供给机构的传热气体、例如He气，通过气体供给管路32，被供给至静电吸盘18的上面与半导体晶片W的背面之间。在作为下部电极的基座16的上方，以与基座16相对的方式平行地设置有上部电极34。上部和下部电极34、16之间的空间成为等离子体生成空间。上部电极34形成与作为下部电极的基座16上的半导体晶片W相对并与等离子体生成空间接触的面、即相对面。该上部电极34通过绝缘性屏蔽部件42被支承在腔室10的上部，由电极板36和电极支承体38构成，电极板36构成与基座16的相对面并且具有多个吐出孔37，电极支承体38装卸自由地支承该电极板36并且是由导电性材料、例如表面被阳极氧化处理的铝制成的水冷结构。电极板36优选焦耳热少的低电阻的导电体或半导体，另外，如后所述，从使抗蚀剂强化的观点考虑，优选含硅的物质。从这样的观点考虑，电极板36优选由硅或SiC 构成。在电极支承体38的内部设置有气体扩散室40，与气体吐出孔37连通的多个气体通流孔41从该气体扩散室40向下方延伸。 在电极支承体38中形成有向气体扩散室40导入处理气体的气体导入口 62，气体供给管64与该气体导入口 62连接，处理气体供给源66与气体供给管64连接。在气体供给管64中，从上游侧开始依次设置有质量流量控制器(MFC)68和开关阀70(也可以用FCN 代替MFC)。于是，作为用于蚀刻的处理气体，例如C4F8气体那样的碳氟化合物气体(CxFy), 从处理气体供给源66经过气体供给管64到达气体扩散室40，通过气体通流孔41和气体吐出孔37，呈喷淋状吐出至等离子体生成空间。即，上部电极34作为用于供给处理气体的喷头而起作用。第一高频电源48通过匹配器46和供电棒44，与上部电极34电气连接。第一高频电源48输出频率为13. 56MHz以上、例如60MHz的高频电力。匹配器46使负荷阻抗与第一高频电源48的内部(或输出)阻抗匹配，所以，在腔室10内生成等离子体时，起到使第一高频电源48的输出阻抗与负荷阻抗表观上一致的作用。匹配器46的输出端子与供电棒 44的上端连接。另一方面，除了第一高频电源48以外，可变直流电源50也与上述上部电极34电气连接。可变直流电源50可以是双极电源。具体地说，该可变直流电源50通过上述匹配器46和供电棒44与上部电极34连接，能够利用通断开关52进行给电的接通和断开。可变直流电源50的极性和电流、电压以及通断开关52的接通和断开，由控制器(控制装置)51 进行控制。如图2所示，匹配器46具有从第一高频电源48的供电线路49分支设置的第一可变电容器54和设置在供电线路49的上述分支点下游侧的第二可变电容器56，通过它们发挥上述功能。另外，在匹配器46中设置有滤波器58，用于捕集来自第一高频电源48的高频 (例如60MHz)和来自后述的第二高频电源的高频(例如2MHz)，使得直流电压电流(以下简称为直流电压)能够有效地供给至上部电极34。即，来自可变直流电源50的直流电流通过滤波器58与供电线路49连接。该滤波器58由线圈59和电容器60构成，利用它们捕集来自第一高频电源48的高频和来自后述的第二高频电源的高频。以从腔室10的侧壁向上部电极34的高度位置的上方延伸的方式，设置有圆筒状的接地导体10a，该圆筒状接地导体IOa的顶壁部分通过筒状的绝缘部件44a，与上部供电棒44电气绝缘。第二高频电源90通过匹配器88，与作为下部电极的基座16电气连接。从该第二高频电源90向下部电极基座16供给高频电力，由此将离子引入半导体晶片W侧。第二高频电源90输出300kHz 13. 56MHz范围内的频率、例如2MHz的高频电力。匹配器88使负荷阻抗与第二高频电源90的内部(或输出)阻抗匹配，因此，在腔室10内生成等离子体时， 起到使第二高频电源90的内部阻抗与负荷阻抗表观上一致的作用。用于使来自第一高频电源48的高频(60MHz)不通过、并将来自第二高频电源90 的高频(2MHz)接地的低通滤波器(LPF)92与上部电极34电气连接。该低通滤波器(LPF)92优选由LR滤波器或LC滤波器构成。另一方面，用于将来自第一高频电源48的高频(60MHz) 接地的高通滤波器(HPF)94与作为下部电极的基座16电气连接。在腔室10的底部设置有排气口 80，排气装置84通过排气管82与该排气口 80连接。排气装置84包括涡轮分子泵等真空泵，能够将腔室10内减压至期望的真空度。另外， 在腔室10的侧壁上设置有半导体晶片W的搬入搬出口 85，该搬入搬出口 85能够利用闸阀 86开关。另外，沿腔室10的内壁，装卸自由地设置有用于防止蚀刻副产物(堆积物)附着在腔室10上的堆积物遮护板(cbposit shield) 11。即，堆积物遮护板11构成腔室壁。另外，堆积物遮护板11也可以设置在内壁部件沈的外周。在腔室10底部的腔室壁侧的堆积物遮护板11和内壁部件26侧的堆积物遮护板11之间设置有排气板83。作为堆积物遮护板11和排气板83，可以优选使用将IO3等陶瓷覆盖在铝材料上而形成的材料。在堆积物遮护板11构成腔室内壁的部分的与晶片W大致相同高度部分上，设置有与地面DC连接的导电性部件(GND块)91，由此发挥后述的防止异常放电的效果。 等离子体蚀刻装置的各构成部形成与控制部(整体控制装置)95连接并受其控制的结构。另外，用户接口 96与控制部95连接，该用户接口 96由工序管理者为了管理等离子体蚀刻装置而进行指令的输入操作的键盘、将等离子体处理装置的运转状况可视化显示的显示器等构成。另外，存储部97与控制部95连接，该存储部97存储有用于通过控制部95的控制来实现由等离子体蚀刻装置运行的各种处理的控制程序；和用于根据处理条件，在等离子体蚀刻装置的各构成部中进行处理的程序、即方案。方案可以存储在硬盘或半导体存储器中，也可以在被收容在CDROM、DVD等移动性的计算机可读取的存储介质中的状态下，设置在存储部97的规定位置。于是，根据需要，按照来自用户接口 96的指示等，从存储部97调出任意的方案，由控制部95运行，在控制部95的控制下，在等离子体蚀刻装置中进行期望的处理。本发明的实施方式中所述的等离子体处理装置(等离子体蚀刻装置)包含该控制部95。在这样构成的等离子体蚀刻装置中，当进行蚀刻处理时，首先使闸阀86成为打开状态，通过搬入搬出口 85，将作为蚀刻对象的半导体晶片W搬入腔室10内、并载置在基座 16上。然后，从处理气体供给源66，以规定的流量，向气体扩散室40供给用于蚀刻的处理气体，通过气体通流孔41和气体吐出孔37向腔室10内供给，同时利用排气装置84对腔室 10内进行排气，使其中的压力成为例如0. 1 150Pa范围内的设定值。在此，作为处理气体，可以采用以往使用的各种气体，例如，可以优选使用以C4F8气体那样的碳氟化合物气体 (CxFy)为代表的含有卤素元素的气体。还可以包含Ar气、O2气等其它气体。在这样向腔室10内导入蚀刻气体的状态下，以规定功率从第一高频电源48向上部电极34施加等离子体生成用的高频电力，同时，以规定功率从第二高频电源90向作为下部电极的基座16施加离子引入用的高频。另外，从静电吸盘18用的直流电源22向静电吸盘18的电极20施加直流电压，从而将半导体晶片W固定在基座16上。从在上部电极34的电极板36上形成的气体吐出孔37吐出的处理气体，在上部电极34和作为下部电极的基座16之间的由高频电力产生的辉光放电中等离子体化，利用由该等离子体生成的自由基或离子对半导体晶片W的被处理面进行蚀刻。另外，这样向上部电极34供给等离子体形成用的第一高频电力以调节等离子体密度、向作为下部电极的基座16供给离子引入用的第二高频电力以进行电压调节，因此能够扩大等离子体的控制界限(margin)。 在本实施方式中，在这样形成等离子体时，向上部电极34供给高的频率区域(例如IOMHz以上)的高频电力，因此，能够使等离子体在理想的状态下高密度化，即使在更低压力的条件下，也能够形成高密度等离子体。另外，在这样形成等离子体时，从可变直流电源50向上部电极34施加规定极性和大小的直流电压。此时，优选利用控制器51控制来自可变直流电源50的施加电压，使得施加电极表面的自偏压Vd。变深至、也就是使得上部电极34表面的Vd。的绝对值增大至可得到对作为施加电极的上部电极34的表面、即电极板36的表面的规定的(适度的)溅射效果的程度。在从第一高频电源48施加的高频的功率低的情况下，聚合物会附着在上部电极 34上，但通过从可变直流电源50施加适当的直流电压，能够使附着在上部电极34上的聚合物溅射，从而使上部电极34的表面清洁。与此同时，能够向半导体晶片W上供给最适量的聚合物，以消除光致抗蚀剂膜的表面粗糙。另外，调整来自可变直流电源50的电压，使上部电极34自身溅射，将电极材料本身供给至半导体晶片W的表面，由此，在光致抗蚀剂膜表面形成碳化物，将光致抗蚀剂膜强化，并且溅射的电极材料与碳氟化合物类处理气体中的F 反应而被排出，由此等离子体中的F比率减少，光致抗蚀剂膜难以被蚀刻。在电极板36为硅或SiC等含硅物质的情况下，在电极板36表面溅射的硅与聚合物反应，在光致抗蚀剂膜表面形成SiC，光致抗蚀剂膜变得极其强固，而且，因为Si容易与F反应，所以上述效果特别大。因此，作为电极板36的材料，优选含硅的物质。在这种情况下，可以代替控制来自可变直流电源50的施加电压，而控制施加电流或施加电力。在这样向上部电极34施加直流电压、自偏压Vic变深的情况下，如图3所示，在上部电极34侧形成的等离子体鞘的厚度变大。当等离子体鞘变厚时，等离子体缩小相应量。 例如，在不向上部电极34施加直流电压的情况下，上部电极侧的Vde为-300V，如图4A所示， 等离子体为具有薄的鞘厚Cltl的状态。但是，在向上部电极34施加-900V的直流电压时，上部电极侧的Vd。成为-900V，因为等离子体鞘的厚度与Vd。的绝对值的3/4成比例，所以，如图4B所示，形成更厚的等离子体鞘Cl1，等离子体缩小相应量。通过这样形成厚的等离子体鞘、将等离子体适当地缩小，半导体晶片W上的有效停留时间减少，并且等离子体集中在晶片W上，扩散受到抑制，离解空间减少。由此，可抑制碳氟化合物类处理气体的离解，光致抗蚀剂膜难以被蚀刻。因此，优选利用控制器51控制来自可变直流电源50的施加电压，使得上部电极34的等离子体鞘的厚度变厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。在这种情况下，可以代替控制来自可变直流电源50的施加电压，而控制施加电流或施加电力。另外，在形成等离子体时，在上部电极34附近生成电子。当从可变直流电源50向上部电极34施加直流电压时，利用施加的直流电压值与等离子体电位的电位差，使电子向处理空间的铅锤方向加速。通过使可变直流电源50的极性、电压值、电流值成为期望的值， 可将电子照射到半导体晶片W上。照射的电子使作为掩模的光致抗蚀剂膜的组成改性，从而使光致抗蚀剂膜强化。因此，通过利用可变直流电源50的施加电压值和施加电流值控制在上部电极34附近生成的电子的量和这些电子向晶片W的加速电压，能够实现对光致抗蚀剂膜的规定的强化。特别是在半导体晶片W上的光致抗蚀剂膜为ArF受激准分子激光(波长193nm)用
因此，优选利用控制器51控制来自可变直流电源50的施加电压值和电流值，使得通过电子照射，光致抗蚀剂膜(特别是ArF抗蚀剂膜)的耐蚀刻性增强。另外，当如上所述向上部电极34施加直流电压时，使形成等离子体时在上部电极 34附近生成的电子向处理空间的铅锤方向加速，通过使可变直流电源50的极性、电压值、 和电流值为期望的值，可以使电子到达半导体晶片W的孔内，从而可以抑制掩蔽效应而得到没有弯曲的良好的加工形状，可以使加工形状的均勻性良好。作为控制加速电压而得到的电子入射到晶片W上的电子量，优选在使用由直流电压产生的电子电流量Idc的情况下，设从等离子体入射到晶片上的离子电流量为Iim时， 满足Idc > (1/2) Iim。Iitm = ZpVitm e(式中，Z 电荷数，P 流速密度，Vim 离子速度，e 电子电荷量1.6X 10_19C)。因为P与电子密度Ne成比例，所以Iim与Ne成比例。这样，控制向上部电极34施加的直流电压，可发挥上述上部电极34的溅射功能或缩小等离子体的功能、以及将在上述上部电极；34中生成的大量电子向半导体晶片W供给的功能，由此，可以强化光致抗蚀剂膜、供给最适的聚合物、抑制处理气体的离解等，能够抑制
CN 102263001 A说明书24/60 页
的光致抗蚀剂膜(以下记为ArF抗蚀剂膜)的情况下，ArF抗蚀剂膜的聚合物结构，经过以下的化学式(1)、⑵所示的反应后，照射电子，得到化学式(3)右边那样的结构。S卩，当照射电子时，如化学式(3)的d部所示，ArF抗蚀剂膜的组成发生改性(抗蚀剂的交联反应)。 因为该d部具有使耐蚀刻性(耐等离子体性)非常强的作用，所以，ArF抗蚀剂膜的耐蚀刻性飞跃性地增大。因此，能够抑制ArF抗蚀剂膜的表面粗糙，并能够提高蚀刻对象层对ArF 抗蚀剂膜的蚀刻选择比。
30光致抗蚀剂的表面粗糙等，能够提高蚀刻对象层对光致抗蚀剂膜的蚀刻选择比。与此同时， 能够抑制光致抗蚀剂的开口部的CD扩大，从而能够实现更高精度的图案形成。特别地，控制直流电压，使得溅射功能、缩小等离子体的功能和供给电子的功能这三种功能适当地发挥，由此能够进一步提高这样的效果。上述各功能 中哪一个占优势因处理条件等而不同，优选利用控制器51控制从可变直流电源50施加的电压，使得可发挥这些功能中的一个以上，从而有效地达到上述效^ ο对利用这样的功能、对作为蚀刻对象膜的SiO2膜对光致抗蚀剂膜的选择比进行改善的结果进行说明。在此，使用硅作为上部电极34的电极板36，以频率60MHz从第一高频电源48向上部电极34供给100 3000W的高频电力，以频率2MHz从第二高频电源90向作为下部电极的基座16供给4500W的高频电力，使用C4F6/Ar/02作为蚀刻气体，掌握在改变来自可变直流电源50的施加电压的情况下，光致抗蚀剂膜和SiO2膜的蚀刻速率的变化以及SiO2膜对光致抗蚀剂膜的选择比的变化。将其结果示于图5。如该图所示，可知向上部电极34施加负的直流电压，随着其绝对值上升，SiO2膜对光致抗蚀剂膜的选择比上升，超过-600V时，其绝对值增大时，选择比显著上升。S卩，确认如果向上部电极34施加比-600V 绝对值高的负的直流电压，则能够大幅改善SiO2膜对光致抗蚀剂膜的选择比。另外，通过调整向上部电极34施加的直流电压，能够控制等离子体电位。由此，具有抑制蚀刻副产物在上部电极34或构成腔室壁的堆积物遮护板11、内壁部件26、绝缘性屏蔽部件42上附着的功能。当蚀刻副产物附着在上部电极34或构成腔室壁的堆积物遮护板11等上时，有可能导致处理特性变化或产生颗粒。特别是在连续对多层膜进行蚀刻的情况下，例如在连续对图6所示的在半导体晶片W上依次叠层有Si类有机膜(SiOC) 101、SiN膜102、SiO2膜 103、和光致抗蚀剂104的多层膜进行蚀刻的情况下，由于蚀刻条件因各膜的不同而不同， 所以，会产生前面的处理的影响残留、并对下一个处理带来不良影响的记忆效应。这样的蚀刻副产物的附着受等离子体电位与上部电极34或腔室壁等之间的电位差的影响，因此，如果能够控制等离子体电位，则能够抑制这样的蚀刻生成物的附着。图7为表示向上部电极34施加直流电压时的等离子体电位波形的变化的图，图 8为表示供给上部电极的直流电压的值与等离子体电位的最大值的关系的图。如这些图所示，当向上部电极34施加负的直流电压时，其绝对值越大，等离子体电位的最大值越低。 艮口，可知可以利用向上部电极34施加的直流电压来控制等离子体电位。这是因为通过向上部电极34施加绝对值比向上部电极34施加的高频电力的自偏压(Vde)的绝对值高的直流电压，Vd。的绝对值变大，等离子体电位降低。更详细地说明，等离子体电位的值由上部电极对等离子体电位的提升决定。但是，当向上部电极施加绝对值高的负电压时，上部电极的电压振幅全部在负电位下进行，所以，等离子体电位由壁的电位决定。因此，等离子体电位降低。这样，通过控制从可变直流电源50向上部电极34施加的电压，能够使等离子体电位降低，从而能够抑制蚀刻副产物在上部电极34或构成腔室壁的堆积物遮护板11、 以及腔室10内的绝缘材料(部件26、42)上附着。作为等离子体电位Vp的值，优选为 80V ^ Vp ^ 200V 的范围。
另外，通过控制向上部电极34施加的直流电压，能够有效地发挥这样的等离子体电位控制功能与上述的上部电极34的溅射功能、缩小等离子体的功能和供给电子的功能。 另外，作为由向上部电极34施加的直流电压产生的其它效果，可举出通过利用施加的直流电压形成等离子体，可提高等离子体密度，从而使蚀刻速率上升。这是因为当向上部电极施加负的直流电压时，电子难以进入上部电极，电子的消灭被抑制，当离子被加速并进入上部电极时，电子可以从电极中放出，该电子利用等离子体电位与施加电压值的差而被加速至高速，使中性气体电离(等离子体化)，由此电子密度 (等离子体密度)增加。另外，在形成等离子体的情况下，当从可变直流电源50向上部电极34施加直流电压时，由于等离子体扩散，可以使比较中心部的等离子体密度上升。在腔室10内的压力高、 并且使用的蚀刻气体为负性气体的情况下，腔室10内的中心部的等离子体密度处于降低的趋势，但这样向上部电极34施加直流电压，可以使中心部的等离子体密度上升，从而可以控制等离子体密度，使得能够进行均勻的蚀刻。但是，因为蚀刻特性不只是由等离子体密度规定，所以，不一定等离子体密度越均勻、蚀刻就越均勻。通过实验说明这一点。在图1的装置中，将半导体晶片装入腔室内、并载置在基座上，进行BARC(有机反射防止膜)和蚀刻对象膜的蚀刻。在进行BARC的蚀刻时，使第一高频电力为2500W、第二高频电力为2000W，使用CH2F2、CHF3、Ar和O2作为处理气体。另外，在进行蚀刻对象膜的蚀刻时，使第一高频电力为1500W、第二高频电力为4500W，使用CH4F6、CF4, Ar和O2作为处理气体，进行孔的蚀刻。此时，使向上部电极施加的直流电压变化为-800V、-1000V和-1200V。 将此时的电子密度(等离子体密度)的径方向的分布示于图9。如该图所示，从-800V 到-1200V，直流电压的绝对值越增加，中心的电子密度越上升，等离子体密度有越均勻的趋势。将此时的中心和边缘的蚀刻形状示意性地示于图10A-C。从这些图可看出，通过使直流电压从-800V变为-1000V，蚀刻的均勻性增加。另一方面，通过使直流电压从-1000V变为-1200V，电子密度的均勻性增加，但在中心，蚀刻性变得过高，蚀刻均勻性反而降低。由此确认，-1000V的蚀刻均勻性最好。总之，可知通过调整直流电压，能够进行均勻的蚀刻。通过如以上那样控制向上部电极34施加的直流电压，能够有效地发挥上述的上部电极34的溅射功能、缩小等离子体的功能、供给电子的功能、等离子体电位控制功能、电子密度(等离子体密度)上升功能、和等离子体密度控制功能中的至少一种功能。作为可变直流电源50，可以应用能够施加-2000 +1000V范围的电压的可变直流电源。为了有效地发挥以上的各种功能，优选来自可变直流电源50的直流电压的绝对值为 500V以上。另外，优选施加的直流电压为绝对值比由向上部电极34施加的第一高频电力在上部电极的表面产生的自偏压的绝对值大的负电压。对确认这一点的实验进行说明。图11为表示在改变等离子体生成用高频电力 (60MHz)的功率而从第一高频电源48向上部电极34施加的情况下，在上部电极34的表面产生的自偏压Vd。与向上部电极34施加的直流电压的关系的图。在此，在下述条件下生成等离子体、并测定上部电极34表面的自偏压Vde 腔室内压力=2. 7Pa,向上部电极34施加 650W、1100W或2200W的高频电力，向作为下部电极的基座16施加2100W的高频电力，处理气体流量C4F6/Ar/02 = 25/700/26mL/min，上下部电极间距离=25mm，背压(中心部/边缘部)=1333/4666Pa，上部电极34的温度=60°C，腔室10侧壁的温度=50°C，基座16的温
度=0°C。从图11可看出，在施加的直流电压比上部电极34的自偏压Vde大的情况下，表现出其效果，并且，供给上部电极34的高频电力越大，产生的负的自偏压Vd。越大。因此，在施加直流电压的情况下，需要施加绝对值比高频电力的自偏压Vd。的绝对值大的负电压。由此确认，优选将向上部电极34施加的直流电压的绝对值设定为比在上部电极上产生的自偏压Vd。稍大另外，如图12所示，例如设置从等离子体检测窗IOa检测等离子体的状态的检测器55，控制器51根据其检测信号，控制可变直流电源50，由此，能够自动地向上部电极34 施加有效地发挥上述功能的直流电压。另外，也可以设置检测鞘厚的检测器或检测电子密度的检测器，控制器51根据其检测信号，控制可变直流电源50。在此，在本实施方式的等离子体蚀刻装置中，对在晶片W上形成的绝缘膜(例如 Low-k膜)进行蚀刻时，作为处理气体使用的特别优选的气体组合例示如下。在通孔蚀刻条件下的过蚀刻时，作为使用的优选的处理气体的组合，可举出C5F8、 Ar、N2。由此，能够增大绝缘膜对底膜(SiC、SiN等)的选择比。另外，在沟槽蚀刻的条件下，作为使用的优选的处理气体的组合，可举出CF4或 (C4F8, CF4, Ar、N2, O2)。由此，能够增大绝缘膜对掩模的选择比。另外，在HARC蚀刻的条件下，作为使用的优选的处理气体的组合，可举出(C4F6、 CF4, Ar、O2)或(C4F6、C3F8, Ar、O2)或(C4F6、CH2F2, Ar、O2)。由此，能够增大绝缘膜的蚀刻速度。此外，不限于上述，可以使用(CxHyFz的气体/N2、O2等添加气体/稀释气体的组
合)ο可是，当向上部电极34施加直流电压时，在上部电极34中会积存电子，在与腔室 10的内壁之间等有可能产生异常放电。为了抑制这样的异常放电，在本实施方式中，在腔室壁侧的堆积物遮护板11上设置有作为DC接地的部件的GND块(导电性部件)91。该GND 块91在等离子体面露出，与堆积物遮护板11内部的导电部电气连接，从可变直流电源50 向上部电极34施加的直流电压电流，经过处理空间，到达GND块91，通过堆积物遮护板11 而被接地。GND块91为导电体，优选为Si、SiC等含硅的物质。也可以优选使用C。利用该 GND块91，能够使在上述上部电极34中积存的电子放出，从而能够防止异常放电。优选GND 块91的突出长度为IOmm以上。另外，为了防止异常放电，下述的方法也有效在向上部电极34施加直流电压时， 利用适当的装置，与直流电压重叠、周期性地提供图13所示的极短的反极性的脉冲，将电子中和。上述GND块91只要设置在等离子体形成区域中，其位置不限于图1的位置，例如， 可以如图14所示设置在基座16的周围等设置在基座16侧，另外，也可以如图15所示呈环状设置在上部电极34的外侧等设置在上部电极34附近。但是，在形成等离子体时，在堆积物遮护板11等中覆盖的Y2O3、聚合物会飞溅，当其附着在GND块91上时，不能DC接地，难以发挥防止异常放电的效果，因此，使它们难以附着是重要的。为此，优选GND块91在远离由Y2O3等覆盖的部件的位置，作为相邻的部件，优选为Si或石英(SiO2)等含Si物质。例如，如图16A所示，优选在GND块91的周围设置含Si部件93。在这种情况下，优选含Si部件93在GND块91以下的部分的长度L为GND块91的突出长度M以上。另外，为了抑制由 Υ203、聚合物的附着引起的功能下降，如图16B所示，作为GND块91，设置飞溅物难以附着的凹部91a是有效的。另外，增大GND块91的表面积、使其难以被Y2O3、聚合物覆盖也是有效的。再者，为了抑制附着物，温度高是有效的，向上部电极34供给等离子体形成用的高频电力，其附近的温度上升，所以，从使温度上升以使附着物不附着的观点考虑，优选如上述图 15那 样设置在上部电极34的附近。在这种情况下，特别是如上述图15那样，更优选呈环状设置在上部电极34的外侧。为了更有效地排除与堆积物遮护板11等中覆盖的Y2O3或聚合物的飞溅相伴的、附着物对GND块91的影响，如图17所示，能够向GND块91施加负的直流电压是有效的。艮口， 通过向GND块91施加负的直流电压，附着在其上的附着物被溅射或蚀刻，可以对GND块91 的表面进行清理。在图17的结构中，设置有将GND块91的连接切换至可变直流电源50侧或接地线路侧的切换机构53，使得能够从可变直流电源50向GND块91施加电压，另外，还设置有使向GND块91施加负的直流电压时产生的直流电子电流流入的、被接地的导电性辅助部件91b。切换机构53包括将可变直流电源50的连接在匹配器46侧和GND块91侧之间切换的第一开关53a ；和将GND块91与接地线路的连接接通和断开的第二开关53b。在图17的例子中，GND块91呈环状设置在上部电极34的外侧，导电性辅助部件91a设置在基座16的外周上，优选这种配置，但可以不必是这样的配置。在图17的结构的装置中，在等离子体蚀刻时，通常如图18A所示，成为切换机构53 的第一开关53a与上部电极34侧连接、从而可变直流电源50与上部电极34侧连接的状态，并且将第二开关53b接通、将GND块91与接地线路侧连接。在该状态下，从第一高频电源48和可变直流电源50向上部电极34供电，形成等离子体，直流电子电流通过等离子体， 从上部电极34流入被接地的GND块91和导电性辅助部件91b (正离子电流的流动方向相反)。此时，GND块91的表面被上述的Y2O3、聚合物等附着物覆盖。因此，要对这样的附着物进行清理。在这样的清理时，如图18B所示，将切换机构 53的第一开关53a切换至GND块91侧，将第二开关53b断开。在该状态下，从第一高频电源48向上部电极34供电，形成清理等离子体，从可变直流电源50向GND块91施加负的直流电压。由此，直流电子电流从GND块91流入导电性辅助部件91b。相反，正离子流入GND 块91。因此，通过调整直流电压以控制正离子向GND块91的入射能量，能够对GND块91的表面进行离子溅射，由此，可以除去GND块91表面的附着物。另外，在等离子体蚀刻时的一部分期间中，也可以如图19所示，断开第二开关 53b，使GND块91成为浮动状态。此时，直流电子电流通过等离子体，从上部电极34流入导电性辅助部件91a(正离子电流的流动方向相反)。此时，GND块91受到自偏压，具有对应的能量的正离子入射，能够在等离子体蚀刻时对GND块91进行清理。在上述清理时，施加的直流电压小也可以，此时的直流电子电流小。因此，在图17 的结构中，在可以通过泄漏电流使电荷不积存在GND块91中的情况下，不一定需要导电性辅助部件91b。在上述图17的例子中，在清理时，将可变直流电源50的连接从上部电极34侧切换至GND电极91侧，施加直流电压时的直流电子电流从GND块91流向导电性辅助部件9 Ib， 但也可以将可变直流电源50的正极与上部电极34连接、负极与GND块91连接，从而使施加直流电压时的直流电子电流从GND块91流向上部电极34。在这种情况下，不需要导电性辅助部件。将这样的结构示于图20。在图20的结构中，设置有对连接进行切换的连接切换机构57，使得在等离子体蚀刻时，将可变直流电源50的负极与上部电极34连接，并且将 GND块91与接地线路连接；在清理时，将可变直流电源50的正极与上部电极34连接、负极与GND块91连接。该连接切换机构57包括将可变直流电源50与上部电极34的连接在正极和负极之间切换的第一开关57a ；将可变直流电源50与GND块91的连接在正极和负极之间切换的第二开关57b ；和用于将可变直流电源50的正极或负极接地的第三开关57c。 第一开关57a和第二开关57b构成以如下方式连动的连动开关当第一开关57a与可变直流电源50的正极连接时，第二开关57b与直流电源的负极连接；当第一开关57a与可变直流电源50的负极连接时，第二开关57b断开。 在图20的结构的装置中，在等离子体蚀刻时，如图21A所示，成为连接切换机构57 的第一开关57a与可变直流电源50的负极侧连接、可变直流电源50的负极与上部电极34 侧连接的状态，并且将第二开关57b与可变直流电源50的正极侧连接、将第三开关57c与可变直流电源50的正极侧连接(将可变直流电源50的正极接地)、将GND块91与接地线路侧连接。在该状态下，从第一高频电源48和可变直流电源50向上部电极34供电，形成等离子体，直流电子电流通过等离子体，从上部电极34流入被接地的GND块91 (正离子电流的流动方向相反)。此时，GND块91的表面被上述的Y2O3、聚合物等附着物覆盖。另一方面，在清理时，如图21B所示，将连接切换机构57的第一开关57a切换至可变直流电源50的正极侧，将第二开关57b切换至可变直流电源50的负极侧，另外，使第三开关57c成为未连接状态。在该状态下，从第一高频电源48向上部电极34供电，形成清理等离子体，从可变直流电源50的负极向GND块91施加直流电压，从可变直流电源50的正极向上部电极34施加直流电压，利用它们之间的电位差，直流电子电流从GND块91流入上部电极34，相反，正离子流入GND块91。因此，通过调整直流电压以控制正离子向GND块91 的入射能量，能够对GND块91的表面进行离子溅射，由此，能够除去GND块91表面的附着物。此外，在该情况下，可变直流电压源50表观上为浮动状态，但通常在电源中设置有框架接地线路，所以是安全的。另外，在上述的例子中，使第三开关57c成为未连接状态，但也可以使其保持与可变直流电源50的正极侧连接的原样(将可变直流电源50的正极接地)。在该状态下，从第一高频电源48向上部电极34供电，形成清理等离子体，从可变直流电源50的负极向GND块 91施加直流电压，直流电子电流通过等离子体，从GND块91流入上部电极34，相反，正离子流入GND块91。在这种情况下，通过调整直流电压以控制正离子向GND块91的入射能量， 能够对GND块91表面进行离子溅射，由此能够除去GND块91表面的附着物。在图17和图20的例子中，在清理时，向GND块91施加了直流电压，但也可以施加交流电压。另外，在图17的例子中，利用用于向上部电极施加直流电压的可变直流电源50 向GND块91施加电压，但也可以从其它电源施加电压。另外，在图17和图20的例子中，对在等离子体蚀刻时使GND块91接地、在清理时向GND块91施加负的直流电压的方式进行了说明，但不限于此。例如，也可以在等离子体蚀刻时，向GND块91施加负的直流电压。另夕卜，也可以将上述清理时替换为灰化时。另外，在使用双极电源作为可变直流电源50的情况下，不需要上述连接切换机构57的复杂的切换动作。图17的例子中的切换机构53和图20的例子中的连接切换机构57的切换动作， 根据来自控制部95的指令进行。 在形成等离子体时，从简易地防止由于Y2O3、聚合物附着在GND块91上而不能DC 接地的观点考虑，利用其它部件覆盖GND块91的一部分，使它们产生相对移动，由此使GND 块91的新的面露出，是有效的。具体地说，可举出如图22所示，使GND块91具有比较大的面积，利用能够在箭头方向上移动的掩模材料111覆盖GND块91与等离子体接触的表面的一部分，通过使该保护板111移动，能够改变GND块91表面暴露于等离子体中的部分。 在这种情况下，若将驱动机构设置在腔室10内，则有可能引起颗粒的产生，但由于其频度小至一百小时一次左右即可，所以不会产生大的问题。另外，如图23所示，能够转动地设置例如圆柱状的GND块191，用掩模材料112覆盖，使得仅GND块191外周面的一部分能够露出，通过使GND块191转动，改变暴露于等离子体中的部分，也是有效的。在这种情况下，可以将驱动机构设置在腔室10外。作为掩模材料111、112，可以使用耐等离子体性高的材料， 例如喷镀有Y2O3等陶瓷的铝板。另外，同样，作为用于简易地防止GND块91由于附着物而不能被DC接地的另一个方法，下述方法是有效的利用其它部件覆盖GND块91的一部分，作为该其它部件，使用可由等离子体缓慢地蚀刻的部件，总是使GND块91未失去导电性的面露出。例如，如图24A 所示，利用带台阶的保护膜113覆盖GND块91表面的一部分，使初始露出面91c具有接地功能。当在该状态下进行例如200小时的等离子体处理时，如图24B所示，GND块91的初始露出面91c失去导电性，但此时，带台阶的保护膜113的薄的部分被蚀刻，GND块91的新露出面91d出现。由此，新露出面91d发挥接地功能。这样的保护膜113具有防止壁面材料附着在GND块91上的效果、和减少离子向GND块91的流入从而防止污染的效果。在实际应用中，如图25所示，优选使用将薄的层114叠层多个、并将各层稍微错开的保护膜113a。在这种情况下，在将一个层114由于等离子体的蚀刻而消失的时间记为Te、 将GND块91的露出的表面被污染直至消失导电性的时间记为Tp时，设定层114的厚度，使得必须满足Te < Tp，由此，在GND块91中，总是能够确保保持导电性的表面。作为层114 的数目，优选选择为使得GND块91的寿命比维修的周期长。另外，为了提高维修性，如图所示，可以预先设置一层与其它层具有不同颜色的层114a，例如在该膜114a为一定面积以上的时刻进行更换，以掌握更换时间。作为保护膜113、113a，优选可由等离子体适度蚀刻的膜，例如可以优选使用光致抗蚀剂膜。作为用于简易地防止GND块91由于附着物而不能被DC接地的又一个方法，可以举出设置多个GND块91，将其中具有接地功能的块依次切换。例如，如图26所示，设置三个GND块91，设置切换开关115，使得只使它们中的一个接地。另外，在共用的接地线路116 中，预先设置有电流传感器117，监测在其中流动的直流电流。利用电流传感器117监测接地的GND块91的电流，在该电流值低于规定值的时刻，起不到接地功能，切换至另一个GND 块91。GND块91的数目可以在3 10个左右的范围内选择适当的数。在以上的例子中，未被接地的GND块处于电气浮动的状态，从保护未使用的GND块的观点考虑，可以施加保护用的电位、代替设置切换开关115。将该例子示于图27。在图27 中，在分别与各GND块91连接的接地线路118中分别设置可变直流电源119。由此，对于应当发挥接地功能的GND块91，控制与其对应的可变直流电源119的电压，使得该块的电压成为0V，对于其它的GND块91，控制与其对应的可变直流电源119的电压，使得该其它块的电压成为电流不流动的电压、例如100V。在与应当发挥接地功能的GND块91连接的接地线路 118中设置的电流传感器117的电流值低于规定值的时刻，判断为不起接地功能，将与另一 GND块91对应的可变直流电源119的电压值控制为该GND块起接地功能的值。
通过这样使来自直流电源119的施加电压为-IkV左右的负值，可以使与其连接的 GND块91作为用于向等离子体施加直流电压的电极起作用。但是，该值过大，对等离子体有不利影响。另外，通过控制向GND块91施加的电压，可以达到对GND块91进行清理的效果。接着，对如本实施方式那样使上部电极34的高频电力和直流电压重叠时的等离子体更详细地进行说明。图28以电子温度为横轴、以其强度为纵轴，是表示等离子体的电子温度分布的图。在要得到高密度等离子体的情况下，如上所述，使用13.56MHz以上的离子不跟随的比较高的高频电力是有效的，施加高频电力的情况下的等离子体(RF等离子体)的电子温度分布，如图28的曲线A(情况A)所示，在电子温度低的激发区域中，有强度的峰，当要得到更高的等离子体密度而提高功率时，电子温度为中间水平的离解区域的强度变高，因此，作为用于蚀刻的处理气体的C4F8气体那样的碳氟化合物气体(CxFy)的离解增加，蚀刻特性降低。与此相对，图28的曲线B (情况B)是通过施加直流电压而生成的等离子体(DC等离子体)的情况，是与曲线A (情况A)相等的等离子体密度，但在该情况下，在电子温度高的电离区域中存在强度的峰，几乎不存在激发区域和离解区域。因此，通过使直流电压与 13. 56MHz以上的高频电力重叠，可以不提高高频电力的功率而得到高等离子体密度。而且， 这样形成的等离子体是电子温度在激发区域和电离区域中具有强度峰的两极化的等离子体，即使是相同的等离子体密度，也能够形成处理气体的离解少的理想的等离子体。参照图29进一步具体地说明这一点。图29是表示将仅施加高频电力的情况和重叠有直流电压的情况下的等离子体的电子温度分布进行比较的图。图29的曲线C为向上部电极34供给频率60MHz的高频电力、向作为下部电极的基座16供给离子引入用的频率2MHz的高频电力的情况，向上部电极34供给的高频功率为2400W、向作为下部电极的基座16供给的高频功率为1000W。曲线D为同样地分别向上部电极34和基座16施加60MHz 和2MHz的高频电力、并且向上部电极34施加直流电压的情况，设定高频功率和直流电压的值，使得等离子体密度与曲线C的情况相同，使供给上部电极34的高频功率降低至300W，使直流电压为-900V。如图29所示，通过重叠直流电压，在相同的等离子体密度下，可以形成电子温度几乎不存在离解区域的两极化的高密度等离子体。在这种情况下，通过改变供给上部电极34的高频电力的频率和功率、以及直流电压的值，能够控制电子温度分布，从而能够得到更适合的等离子体状态。如上所述，向上部电极34施加的高频电力的频率越小，等离子体能量越高，Vdc也越高，进一步促进处理气体的离解，由施加直流电压而产生的控制界限窄，在向上部电极34施加的高频电力的频率为40MHz以上、例如60MHz的情况下，等离子体的能量低，因此，由施加直流电压而产生的控制界限宽。因此，向上部电极34施加的高频电力的频率优选为 40MHz以上。接着，对向作为下部电极的基座16供给的离子引入用的偏置高频电力进行说明。 来自供给至基座16的第二高频电源90的高频电力为用于离子引入的偏置高频电力，其频率(RF施加频率)为大约小于IOMHz或IOMHz以上，其作用不同。即，在RF施加频率的频率小于10MHz、例如为2MHz的情况下，通常离子能够跟随该RF施加频率，因此，如图30A所示，入射到晶片上的离子能量与根据高频电力电压的波形而变化的晶片电位对应。另一方面，在偏置高频的频率为IOMHz以上、例如13. 56MHz的情况下，通常离子不能跟随该RF施加频率，因此，如图30B所示，入射到晶片上的离子能量与晶片电位无关，依赖于Vd。。在图 30A的离子跟随的频率(例如2MHz)的情况下，离子的最大能量与Vpp对应，另外，在等离子体电位与晶片电位的差小的部分，离子能量变小，所以，如图31的离子能量分布图的曲线E 所示，晶片上的离子能量成为两极分化的宽阔的分布。另一方面，在图30B的离子不跟随的频率(例如13. 56MHz)的情况下，与晶片电位没有关系，离子能量与Vd。对应，如图31所示， 晶片上的离子能量在与Vd。对应的部分附近显示出最大值，几乎不存在能量比Vd。高的离子。因此，小于IOMHz的离子能够跟随的频率，适用于要利用大的离子能量提高生产率的情况，IOMHz以上的离子不能跟随的频率，适用于掩摸的表面粗糙为临界的情况等要求离子能量低的情况。因此，偏置用的高频电力的频率优选根据用途适当选择。以上，对为了发挥上述上部电极34的溅射功能、缩小等离子体的功能、和供给电子的功能等而施加直流电压的例子进行了说明，施加交流电压下也能够得到同样的效果。 但是，其频率比用于生成等离子体的高频率电力的频率小。另外，在施加直流电压和交流电压的任一种的情况下，可以使电压为脉冲状，也可以是AM调制或FM调制等调制后的电压。可是，存在使用作为低介电常数阻挡层的SiC作为底蚀刻停止层，对上层的作为被蚀刻层的Low-k膜进行蚀刻的情况，以往，在此时难以确保充分的蚀刻选择比。与此相对，使用本实施方式的等离子体蚀刻装置，一边将直流电压与第一高频电力重叠并施加于上部电极34，一边进行蚀刻，有效地发挥上述功能，由此，能够以对于作为蚀刻停止层的底膜的高蚀刻选择比，对作为绝缘膜的SiOC膜等Low-k膜进行蚀刻。图32A-B表示作为进行这样的蚀刻时典型的蚀刻对象的晶片W的截面结构。 如图32A所示，该晶片W从下面开始依次叠层有作为底膜的SiC层201、作为绝缘膜的 SiOC类膜202、SiO2膜203、和作为反射防止膜的BARC204，在其上层进一步形成有作为图案化为规定形状的蚀刻掩模的ArF抗蚀剂205。SiOC类膜202是构成成分中含有 Si、0、C和H的Low-k膜，例如可举出SiLK(商品名，道化学公司生产)、SOD-SiOCH的 MSQ(methylsilsesquioxane 甲基倍半硅氧烧)、CVD-SiOCH 的 CORAL(商品名，Novellus Systems公司生产)、Black Diamond(商品名，Applied Materials公司生产)等。另外，可以代替SiOC类膜202，而以其它的Low-k膜，例如PAE类膜、HSQ膜、PCB类膜、CF类膜等有机Low-k膜或SiOF类膜等无机Low-k膜作为对象。另夕卜，作为底膜的SiC层101，可以举出BLOk(商品名，Applied Materials公司生产)。如图32B所示，通过利用碳氟化合物(CF类)气体的等离子体对该晶片W进行蚀亥|J，形成与ArF抗蚀剂105的掩模图案对应的凹部(槽或孔)211。在该等离子体蚀刻中，通过向上部电极34重叠直流电压，能够充分地确保作为衬底的SiC层201与作为被蚀刻层的 SiOC类膜202的选择比。在该情况下，优选从可变直流电源50向上部电极34施加的直流电压为0 -1500V，作为蚀刻条件，例如腔室内压力=1.3 26. 7Pa，高频电力(上部电极/下部电极)=0 3000W/100 5000W，使用C4F8、N2和Ar的混合气体作为处理气体， 使其流量比为 C4F8/N2/Ar = 4 20/100 500/500 1500mL/min。接着，制备与图6同样的叠层结构的样品，实际利用图1的装置进行蚀刻。以形成有通孔(孔)图案的ArF抗蚀剂205作为掩模，对SiOC类膜202进行蚀刻，直至底膜的 SiC层201露出，形成通孔。蚀刻在以下所示的蚀刻条件1、2下进行，对于向上部电极34施力口-900V的直流电压的情况(实施例1、2)和不施加直流电压的情况(比较例1、2)，进行了蚀刻特性的比较。将其结果示于表1。

<蚀刻条件1>腔室内压力=6· 7Pa;高频电力(上部电极/下部电极)=400W/1500W ；处理气体流量C4F8/Ar/N2 = 6/1000/180mL/min ；上下部电极间距离=35mm ；处理时间=25 35秒；背压(氦气中心部/边缘部)=2000/5332Pa ；上部电极34的温度=60 0C ；腔室10侧壁的温度=60 0C ；基座16的温度=O0C〈蚀刻条件2>除了将高频电力(上部电极/下部电极)改变为800W/2500W以外，与蚀刻条件1相同。表1
比较例1实施例1
(DC 0V)__(DC-900V)
蚀 SiOC蚀刻速率~433
亥 Ij _(nm/min)___
条对SiC的选择比4.8— 15.1
件 CD (nm) _153__149_
rn 1fi11 对抗蚀剂的选择比3.496.3
L J比较例2实施例2
(DC OV)__(DC-900V)
蚀 SiOC蚀刻速率~J89
亥Ij _(nm/min)___
条对SiC的选择比2.9—6.3
件 CD (nm) _153__141_
2 对抗烛剂的选择比6.611.9 _ 从表1可看出，在蚀刻条件1和蚀刻条件2的任一种条件下，向上部电极施加-900V的直流电压的实施例1、2，与在相同条件下不施加直流电压的比较例1、2相比，对SiC的选择比和对抗蚀剂的选择比都大幅提高。另外，确认可以抑制通孔顶部的CD (Critical Dimension 临界尺寸)的扩大，同时大大改善蚀刻速率。蚀刻速率的提高和CD的控制(CD扩大的抑制)，在现有的蚀刻技术中难以兼得，但在本发明中已表明通过施加直流电压，能够使两者兼得。另外，从表1中的条件1和条件2的比较可判明，高频电力(上部电极/下部电极)小的一方，可更显著地得到由向上部电极34重叠直流电压而产生的对SiC的选择比提高的效果。接着，以上述蚀刻条件1或蚀刻条件2为基准，对改变其中某个条件时的蚀刻特性进行比较。表2是以蚀刻条件1为基准、改变供给上部电极34的高频电力时的蚀刻特性。从表2中可看出，当增大供给上部电极34的高频电力时，蚀刻速率提高，但对SiC的选择比有减小的趋势。另一方面，在该条件下，供给上部电极34的高频电力的变化对CD的影响小， 另外，对抗蚀剂的选择比在高频功率为400W时突出地优异。从以上结果可看出，作为供给上部电极；34的高频功率，优选大约200 800W的范围。表权利要求
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极； 向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元； 向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元； 向所述第一电极施加直流电压的直流电源； 向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于还包括控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制装置控制可否从所述直流电源向所述第一电极施加直流电压。
5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，所述控制装置控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于 向所述第二电极施加的第一高频电力的频率为27MHz以上。
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于 向所述第二电极施加的第一高频电力的频率为40MHz以上。
9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于 向所述第二电极施加的第二高频电力的频率为13. 56MHz以下。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述直流电源施加-2000 +1000V范围的电压。
11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述第一电极的与所述第二电极相对的面由含硅的物质形成。
12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于具有能够将所述第一电极改变为浮动状态或接地状态的可变装置，根据来自整体控制装置的指令，当向所述第一电极施加直流电压时，所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态，当不向所述第一电极施加直流电压时，所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。
14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有总是接地的导电性部件。
15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。
16.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件配置在所述第一电极的附近。
17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件呈环状配置在所述第一电极的外侧。
18.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。
19.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于具有覆盖所述导电性部件的一部分的保护板，通过使所述保护板相对于所述导电性部件相对移动的驱动机构，所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。
20.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件为一部分在等离子体中露出的圆柱形状，通过使所述导电性部件以圆柱的轴为中心转动的驱动机构，所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。
21.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于包括覆盖所述导电性部件的一部分、并且具有用等离子体进行蚀刻而得到的材质的台阶形状的保护膜，通过蚀刻所述保护膜，所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。
22.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件。
23.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。
24.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件配置在所述第一电极的附近。
25.如权利要求M所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件呈环状配置在所述第一电极的外侧。
26.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。
27.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。
28.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于能够向所述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。
29.如权利要求观所述的等离子体处理装置，其特征在于所述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。
30.如权利要求观所述的等离子体处理装置，其特征在于还包括将所述导电性部件的连接切换至所述直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用所述切换机构将所述导电性部件与所述直流电源侧连接时，从所述直流电源向所述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。
31.如权利要求观所述的等离子体处理装置，其特征在于能够向所述导电性部件施加负的直流电压。
32.如权利要求31所述的等离子体处理装置，其特征在于为了将在向所述导电性部件施加负的直流电压时流入所述处理容器内的直流电子电流排出，在所述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。
33.如权利要求32所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件配置在所述第一电极的附近，所述导电性辅助部件设置在所述第二电极的周围。
34.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于将处于第一状态和第二状态中的任一状态的导电性部件设置在所述处理容器内，所述第一状态是为了使向所述第一电极供给的来自所述直流电源的直流电流通过等离子体放出、根据来自整体控制装置的指令而被接地的状态，所述第二状态是从所述直流电源施加直流电压以对其表面进行溅射或蚀刻的状态，还包括连接切换机构，该连接切换机构能够在所述直流电源的负极与所述第一电极连接、且所述导电性部件与接地线路连接的第一连接，和所述直流电源的正极与所述第一电极连接、所述直流电源的负极与所述导电性部件连接的第二连接之间进行切换，通过该切换，能够分别形成所述第一状态和所述第二状态。
35.如权利要求34所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一状态在等离子体蚀刻时形成，所述第二状态在所述导电性部件的清理时形成。
36.一种等离子体处理方法，其特征在于在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力和频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有向所述第一电极施加直流电压的工序；一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序；和改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的工序。
37.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。
38.如权利要求37所述的等离子体处理方法，其特征在于控制向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。
39.如权利要求38所述的等离子体处理方法，其特征在于控制可否向所述第一电极施加直流电压。
40.如权利要求38所述的等离子体处理方法，其特征在于对生成的等离子体的状态进行检测，根据该检测信息，控制向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。
41.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于所述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。
42.如权利要求41所述的等离子体处理方法，其特征在于所述第一电极能够改变为浮动状态或接地状态，根据来自整体控制装置的指令，当向所述第一电极施加直流电压时，使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态，当不向所述第一电极施加直流电压时，使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。
43.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在所述处理容器内设置有总是接地的导电性部件，使由向所述第一电极施加的直流电压产生的电流通过等离子体放出。
44.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在所述处理容器内设置有根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件，使由向所述第一电极施加的直流电压产生的电流通过等离子体放出。
45.如权利要求44所述的等离子体处理方法，其特征在于所述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。
46.如权利要求44所述的等离子体处理方法，其特征在于能够向所述导电性部件施加直流电压或交流电压，根据来自整体控制装置的指令，施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。
47.如权利要求46所述的等离子体处理方法，其特征在于所述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。
48.如权利要求46所述的等离子体处理方法，其特征在于还包括将所述导电性部件的连接切换至施加直流电压的直流电源侧或接地线路侧的切换机构，当利用所述切换机构将所述导电性部件与所述直流电源侧连接时，从所述直流电流向所述导电性部件施加直流电压或交流电压，由此对其表面进行溅射或蚀刻。
49.如权利要求46所述的等离子体处理方法，其特征在于能够向所述导电性部件施加负的直流电压。
50.如权利要求49所述的等离子体处理方法，其特征在于为了将在向所述导电性部件施加负的直流电压时流入所述处理容器内的直流电子电流排出，在所述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。
51.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大所述绝缘膜与底膜的选择比，使用 C5F8、Ar、N2、或 C4F8、Ar、N2、或 C4F8、Ar、N2、O2、或 C4F8、Ar、队、CO 中的任一种组合作为所述处理气体。
52.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大所述绝缘膜与掩模的选择比，使用CF4、或0&、41~、或队、!12中的任一种组合作为所述处理气体。
53.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜上的有机反射防止膜进行蚀刻时，使用CF4、或CF4、C3F8、或CF4、C4F8、或CF4、C4F6中的任一种组合作为所述处理气体。
54.如权利要求36所述的等离子体处理方法，其特征在于在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，为了增大所述绝缘膜的蚀刻速度，使用 C4F6, CF4, Ar、O2、或 C4F6, C3F8, Ar、O2、或 C4F6, C4F8, Ar、O2、或 C4F6, C2F6, Ar、O2、或C4F8、Ar、O2、或C4F8、Ar、O2中的任一种组合作为所述处理气体。
55.如权利要求36 41和权利要求51 M中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。
全文摘要
本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
文档编号H01J37/32GK102263001SQ20111020620
公开日2011年11月30日 申请日期2005年6月21日 优先权日2004年6月21日
发明者佐藤学, 吉备和雄, 大矢欣伸, 大谷龙二, 小林典之, 山崎广树, 山泽阳平, 岩田学, 日向邦彦, 杉本胜, 松本直树, 矢野大介, 舆水地盐, 舆石公, 花冈秀敏, 速水利泰, 齐藤昌司 申请人:东京毅力科创株式会社