利用低电压材料的等离子体显示屏的利记博彩app

专利名称：利用低电压材料的等离子体显示屏的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及 一 种具有多个电极和沉积到电极上的低电压保护 层的气体放电器件。具体而言，本发明涉及一种等离子体显示屏，
该等离子体显示屏包括前板，具有由电介质层和低电压保护层 覆盖的扫描电极和维持电极；后板，具有多个列寻址电极；电介 质层；多个障壁；以及红色、绿色和蓝色荧光物层。
背景技术：
多数商用等离子体显示屏(PDP)为表面放电类型。下文参照 附图来描述现有技术的等离子体显示屏的构成。
图1是常规交流彩色等离子体显示屏的一部分的透视图。交流 PDP包括前板组件和后板组件。前板组件包括为玻璃衬底的前板 110、用于各行像素点(pixel site)的维持电极111和扫描电极112。 前板组件也包括电介质玻璃层113和保护层114。保护层114优选 地由氧化镁(MgO)制成。
后板组件包括玻璃后板115,多个列寻址电极116即数据电极 位于该玻璃后板115上。数据电极116由电介质层117覆盖。障 壁118在后板组件上。红色荧光物层120、绿色荧光物层121和蓝 色荧光物层122在电介质层117的顶部上并且沿着由障壁118创 建的侧壁来设置。各PDP像素被限定为与(i)包括维持电极lll 和扫描电极112的行和(ii)三个列寻址电极116的交点邻近的区 域，其中每个列寻址电极用于红色焚光物层120、绿色荧光物层 121和蓝色荧光物层122中的各相应层。
图2是沿着与寻址电极216的长维度垂直的平面获得的PDP 一部分、具体是与绿色焚光物层221对应的子像素200的侧视图。参照图2,在表面放电型PDP中，惰性气体混合物如Ne-Xe填充 前板组件与后板组件之间的空间225。
障壁218在后板组件上分离由障壁218形成的色通道。子像素 200被形成为由障壁218的侧边界定的区域和由维持电极211限定 的区域。通过在维持电极211与扫描电极212 (图中未示出)之间 施加的电压来生成气体放电，该气体放电产生分别激励红色、绿 色和蓝色荧光物层以发射可见光的真空紫外线(VUV)光。例如， VUV光激励如图2中所示绿色荧光物层221以从绿色荧光物层221 生成绿色光。
图3是沿着与寻址电极216的长维度平行的平面获得的并且在 与图2的平面垂直的平面中示出了子像素200的PDP的另一侧视 图。图3示出了限定为以下区域的子像素，该区域包括前板上的 透明维持电极311和扫描电极312的电极对与后板上的数据电极 316的交点。透明维持电极311具有连接到该透明维持电极的相邻 总线电极310,而透明扫描电极312具有连接到该透明扫描电极的 相邻总线电极313。总线电才及310和313通常为不透明。
PDP的工作维持电压取决于维持间隙330的几何形状、电介质 层、所用特定气体混合物和前板上的保护MgO层314的二次电子 发射系数。在维持放电时生成的可见光负责彩色PDP的亮度。
在维持放电之前通过经过板间隙331的寻址放电来实现启动 维持放电，这一点在下文中进一步加以描述。通过适当控制维持 电极311、扫描电极312和寻址电极316上的驱动电压来生成全色 图像。
在工作中，如图4中所示，等离子体显示器将时间帧分成子场， 各子场产生为了实现各像素的恰当强度而需要的一部分光。各子 场分成准备期、寻址期和维持期。维持期还分成多个维持周期。
准备期将任何导通像素重置为截止状态并且向气体和保护层 114的表面提供引火(priming)以允许后续寻址。在准备期中希望 将像素电极的各内表面置于与气体的点火电压(firing voltage )很4妄近的电压。
在寻址期过程中，利用共用电势来驱动维持电极，同时驱动扫 描电极以选择像素行、从而可以经由通过在竖直列电极上施加数 据电压来触发的寻址放电对该行中的像素进行寻址。因此在寻址 期过程中，依次地对各行进行寻址以将所需像素置于导通状态。
在维持期过程中，共用维持脉沖施加到所有扫描电极以在寻址 期过程中寻址的各子像素反复地生成等离子体放电。也就是说， 如果子像素在寻址期过程中导通，则在维持期过程中反复地对像 素进行放电以产生所需亮度。
为了在等离子体显示屏(PDP )上呈现来自视频源的全色图像， 需要恰当的驱动方案以实现充分灰度级并使运动画面失真最小 化。在交流等离子体显示屏中， 一种用以在像素中实现灰度级的
广泛使用的驱动方案是Shinoda提出的所谓ADS(寻址-显示分离) (Yoshikawa K， Kanazawa Y， Wakitani W, Shinoda T和Ohtsuka A, 1992年勿肌— 92, 605 )。
参照图4，可见在这一方法中16.7毫秒( 一个电视场)的帧时 间被划分成表示为SF1-SF8的八个子场。八个子场各自又被划分 成寻址期和维持期即显示期。先前在寻址期过程中寻址的像素在 维持期过程中导通和发光。维持期的持续时间取决于特定的子场。 通过在寻址期过程中控制对用于给定像素的各子像素的寻址，该 像素的强度可以变化为256个灰度级电平中的任一灰度级电平。
PDP的发光功效对于等离子体电视应用而言是很重要的问题。 应当进一 步提高效率以降低电子器件的消耗并减少消费者的能量 消耗。PDP的发光功效被定义为可见光通量与输入功率之比。PDP 的发光功效取决于从维持放电生成UV的效率、从由UV辐射的荧 光物生成可见光的效率和从放电单元发送可见光的效率。
PDP的低发光功效(较荧光灯而言)主要归因于从放电生成 UV的效率较低。
在典型PDP放电时，多数能量在壳层的离子加热中损失而较小百分比的能量(约40%或者更少)用于电子加热。在电子加热
中耗散的能量用于氙(Xe)和氖(Ne)原子的激励和电离。从氙 的激励中生成UV。因此，生成UV的效率与用于电子加热的能量 百分比紧密相关。通常认为较高的二次电子发射造成用于离子加 热的能量百分比较低而电子耗散的能量百分比较高。
在放电时来自保护层的二次电子发射可以包括归因于离子诱 导的过程、光子诱导的过程、亚稳诱导的过程等过程的作用。
在典型交流PDP放电中，二次电子发射以能量很低的离子(平 均离子能量为数电子伏特量级)对阴极表面的轰击为主。离子诱 导的二次电子发射归因于俄歇(Auger)去激励之后的俄歇中和以 及谐振中和。
图5示出了通过由Hagstrum开发的俄歇中和过程的电子发射 的示意图(H. D. Hagstrum, P/^&i^乂， 96， 336， ( 1954年))。
随着电离能量为&的离子接近绝缘体表面，它可以在价带中 俘获电子以变得中和并且同时通过中和而获得的能量将第二电子 激励到更高能量水平。如果受激励的电子超过表面势垒，则它可 以从表面逃逸并且变为二次电子。
二次电子射出的最大动能等于
五《(max) =￡i—2(Eg+;^)
其中，X为电子亲合能，Eg是固体的带隙能量，而&是气体离子的 电离能量。在交流彩色PDP中，氖和氙的气体混合物用于气体放电。 氖离子和氙离子对二次电子发射起作用。由于氖的电离能量
《为21.7eV，所以有足够能量用于待发射的俄歇电子，因为对于
MgO而言《—2(五g+;if) =21.7—2(7.8+1.3) 二3.5>0。
然而，氤离子i秀导的
二次电子发射几乎为零，因为氙的电离能量为12.1eV而且
《一2(五力)二12.1—2(7.8+1.3) =—6.1<0。
在Ne-Xe气体混合物中，有效二次电子发射系数iff (即在
Ne-Xe气体混合物放电中每传入离子的有效电子发射)小于Yw(即 氖离子的二次电子发射系数)，因为氙离子尤其是在较高氙含量的气体混合物中为主导。为了实现在电子加热中耗散的高能量百
分比(这可以获得高的UV生成效率)，需要高的有效二次电子发
射、也就是由低能量的氙离子诱导的二次电子发射。
基于俄歇电子处理的标准，带隙能量与电子亲合能之和 ￡;+;^<6.1#的膜对于由氙离子诱导的二次电子发射而言是必需的。
清楚的是普通MgO膜不能满足标准，因为MgO带隙过大。因而
本发明的目的是开发可以满足上述标准的新保护膜。
用更低带隙和/或更低电子亲合能的膜取代MgO膜是本发明的 关键主题。

发明内容
本发明的一个目的在于创建一种用于提高等离子体显示屏 (PDP)的发光功效、在(与常规MgO保护层相比的)更低电压 下工作的新保护层。
因而，本发明提供一种气体放电器件，该气体放电器件具有 多个电极；以及低电压保护层，沉积到电极上使得多个电极和低 电压保护层形成容纳可放电气体的容器，从而至少低电压保护层 暴露于可放电气体。
本发明还提供一种等离子体显示屏，该等离子体显示屏包括 前板，具有由电介质层和沉积于电介质层的顶部上的低电压保护 层覆盖的用于各行像素点的扫描电极和维持电极；后板，具有设 置于其上的多个列寻址电极；电介质层，覆盖列寻址电极；设置 于电介质层之上的多个障壁，分离列寻址电极并且与之间隔邻接； 红色荧光物层、绿色荧光物层和蓝色荧光物层，在障壁之间依次 设置于电介质层的顶部上；以及低电压保护层，沉积于前板上的 扫描电极与维持电极之间，使得在前板与低电压保护层之间的障 壁形成容纳可放电气体的容器，从而至少低电压保护层和荧光物 层暴露于可放电气体。
本发明还提供一种等离子体显示屏，该等离子体显示屏包括前板，具有用于各行像素点的扫描电极和维持电极；后板，具有
设置于其上的多个列寻址电极；电介质层，覆盖列寻址电极；设 置于电介质层之上的多个障壁，分离列寻址电极并且与之间隔邻 接；红色荧光物层、绿色荧光物层和蓝色荧光物层，在障壁之间 依次设置于电介质层的顶部上；以及低电压保护层，沉积于覆盖 前板上的扫描电极和维持电极的电介质层的顶部上，使得在前板 与低电压保护层之间的障壁形成容纳可放电气体的容器，从而至 少低电压保护层和荧光物层暴露于可放电气体。 本发明还提供一种由下式代表的复合物
其中X为0.01<%<1;及
其中M是从日e' Sr, Ba, Ra, Se, Y, Ti, Zr, Hf, V, N" Ta, Na, Al及其混 合物中选择的金属；以及
其中该复合物的形式为带隙从约3.5eV到约7eV的低电压保护层。
参照附图通过说明书将更好地理解本发明的这些和其它方面。


图1是根据现有技术的常规彩色等离子体显示器结构的透视图。
图2是沿着与寻址电极的长维度垂直的平面获得的图l彩色等 离子体显示屏的子像素的侧视图。
图3是沿着与寻址电极的长维度垂直的平面获得的图l彩色等 离子体显示屏的子像素的另一侧视图，并且该图示出了在与图2 的平面垂直的平面中的该子像素。
图4是示出了划分成子场的帧时间的寻址-显示分离(ADS) 灰度级技术的驱动方案的图(现有技术)。
图5是俄歇中和过程的示意图(现有技术)。
图6示出了在不同Ne-Xe气体混合物中具有新开发的Ba，9"o层的测试屏的放电电压及其与普通MgO层的比较。
图7示出了在不同Ne-Xe气体混合物中具有新开发的BaWg"0 层的测试屏的相对发光功效及其与常规MgO层的比较。发光功效 规范化为在7%Xe-Ne气体混合物中具有常规MgO层的测试屏的功效。
图8示出了在15%Xe-Ne气体混合物中具有各种新开发的 c^Mg，—"层的13"测试屏的最小维持电压及其与具有相同气体混合
物的普通MgO屏的比较。
图9示出了在15%Xe-Ne气体混合物中具有各种新开发的 c^Mg，—"层的13"测试屏的发光功效及其与具有相同气体混合物的 普通MgO屏的比專交。
具体实施例方式
如上文提到的那样，本发明的目的在于创建一种用于提高等离 子体显示屏(PDP)的发光功效、在(与常规MgO保护层相比的) 更低电压下工作的新保护层。
通过增加在氖和氤的惰性气体混合物放电时来自新保护层的 有效二次电子发射来实现低电压性能。有效二次电子发射所造成 的低电压可以增加等离子体显示屏的发光功效。低工作电压包括 低维持电压和低寻址电压。低维持电压也可以减少保护层的侵蚀 速率并且延长屏的寿命。更低寻址电压可以减少数据驱动电路的 消耗。
因而，本发明的基本方面在于将新保护层用于放电器件和等离 子体显示屏中。术语保护层指代以下薄绝缘层，该薄绝缘层具有 碱土金属氧化物与氧化镁的混合物和/或氧化镁与其它氧化物材料 如氧化钪、氧化钇、氧化锌、氧化钛、氧化钒、氧化铪、氧化钽 和/或这些材料的多混合物的混合物。
优选地，通过共同沉积提到的两种或者更多种材料来形成新保 护层。低电压保护层包括由下式代表的材料
其中X为0.0Kx《1;更优选地，x为0.0KxO.5;以及
其中M是从Be, Ca, Sr' Ba, Ra, Sc, Y. H, Zr, Hf, V, Ta, Zn, Na, Al及其混 合物中选择的金属。优选地，M是从Be，Ca,Sr，Ba，Ra及其混合物中
选择的金属。
通过共同沉积提到的两种或者更多种材料来形成保护层。优选 低电压保护层具有约3.5eV到约7eV的带隙。因此，这些材料产 生低于常规MgO材料的带隙，结果交流等离子体显示屏可以以更 低工作电压和更高的发光功效工作。更低工作电压也带来等离子 体显示屏更低的电子器件消耗。
为了实现这些目的，需要特殊密封工艺以防止新保护层免受可 能造成更高驱动电压和不良外电子发射(用于寻址放电的不良引 火条件)的污染。无污染的保护层有助于显著减少交流等离子体 显示屏的工作电压。因而，在无湿气和/或无C02的环境中或者在 真空环境中密封放电器件和等离子体显示器。
为了实现新保护层的优点，利用密封工艺以防止新保护层免受 可能造成更高驱动电压和不良外电子发射(用于寻址放电的不良 引火条件)的污染。本发明包括放电器件中(与MgO层相比)的 低电压保护层。低电压保护层沉积于覆盖电极的电介质层的顶部 上并且直接暴露于可放电气体。电极也可以由低电压保护层直接 覆盖。
例子包括碱土金属氧化物与氧化镁的混合物和/或氧化镁与以下氧 化物材料的混合物氧化钪、氧化钇、氧化锌、氧化钛、氧化钒、 氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化铝和/或其混合物。
在式中，M代表铍、4丐、锶、钡、镭、钪、钇、锌、钬、钒、 铪、钽、铝和锆或者其组合。更优选地，M是^咸土金属如Be,Ca,Sr,Ba 或者Ra。更优选地，M是金属如Be, Ca,&,ea,Ra或者其混合物。
13掺杂到MgO中的金属的原子浓度X的范围为0.01到1并且优
选地从0.01到0.5。
为了实现上述浓度，可以通过共同沉积氧化镁和其它碱土金属 氧化物或者以下氧化物材料来形成新保护层氧化钪、氧化钇、 氧化锌、氧化钛、氧化钒、氧化铪、氧化钽和/或这些化合物的任 何混合物。通过共同沉积氧化镁和上述金属的氧化物或者共同沉 积这些金属氧化物来形成低电压保护层。
通过共同沉积上文提到的两种或者多种材料来形成新保护层。 可以通过电子束蒸发两种或者更多种源材料来完成共同沉积，而 膜的组成取决于单独电子束源的沉积条件。也可以通过溅射提到 的两种或者更多种材料来实现共同沉积。
也可以通过沉积预混合的提到的材料来形成新保护层。可以通 过电子束蒸发预混合的提到的源材料来实现沉积。也可以通过溅 射预混合的提到的靶材料来实现沉积。也可以通过在氧环境中从 镁与那些金属如铍、钓、锶、钡、镭、钪、钇、锌、钛、钒、铪、 钽、铝和锆混合的靶材料的反应溅射来沉积膜。
可以通过其它沉积技术如化学气相沉积(CVD)、分子束外延 (MBE)、喷墨印刷、丝网印刷和旋涂来形成新保护层。新保护 材料也可以放置于部分区域而不是整个保护层上。
在一个优选实施例中，通过共同沉积预混合的这些金属氧化物 来形成低电压保护层。优选地通过从电子束蒸发、溅射、化学气 相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、喷墨印刷、丝网印刷和 旋涂中选择的方法来实现预混合氧化物的共同沉积。
需要特别注意防止低电压层免受空气中的湿气和二氧化碳的 污染。限定为防污染层的额外薄层可以用于防止表面免受湿气和 二氧化碳与低电压层的化学反应。防污染层由以下材料制成 BeO,MgO,AbO3,Si02,和/或这些材料的混合物。用以克服这一问题的
另一方式是在干燥和无co2的环境或者干燥的氮环境或者干燥的
惰性气体环境或者其它非反应气体环境中密封屏或者在真空中密封屏。
优选地，可放电气体包括至少一种元素如氙、氖、氩、氦、氪、 汞、氮、氧、氟和钠。
优选地，通过在氧环境中由反应'溅射共同沉积预混合金属来形 成低电压保护层。
例1
通过电子束共同沉积BaO和MgO来形成新开发的 B^Mg^o(o,oio^i)膜。也可以通过来自作为BaO和MgO的混合物
的单源材料的电子束沉积来形成该膜。在不同气体混合物中制作 使用Ba，g化O而不是MgO膜的测试屏。
参照图6，示出了在不同Ne-Xe气体混合物中具有新开发的 Ba，9"o层的测试屏的放电电压及其与普通MgO层的比较。
在图6中，Ba^g^o层的最小维持电压从7%到50%Xe-Ne气 体混合物比常规MgO层低15V到40V。在BajWg1—xO与MgO之间的 点火电压差甚至更明显，Ba^g"o层的点火电压的减少量在7%Xe 为13V、在25%Xe为30V而在50%Xe为100V。
图7示出了在不同Ne-Xe气体混合物中具有新开发的Ba阃g"o 层的测试屏的相对发光功效及其与常规MgO层的比较。发光功效 规范化为在7%Xe-Ne气体混合物中具有常规MgO层的测试屏的 功效。与常规MgO层相比，具有^，9"0层的测试屏的发光功效 比常规MgO层的发光功效至少高40%。
由于Ba阃g^o层在高Xe浓度时低得多的维持电压和点火电压， 所以具有Ba，g"o层的屏可以在Ne-Xe气体混合物中高百分比的 Xe时以合理的低电压达到高得多的发光功效。
例2
低电压保护层的另 一 例子是Ca，g"O <a01<x<"f》。通过电子束共 同沉积CaO和MgO来形成新开发的Ca，g，.xQ《aoi《x《1》。也可以通过来自作为CaO和MgO的混合物的单源材料的电子束沉积来形成 该膜。用15 % Xe-Ne气体混合物来制作使用caxMg^o膜而不是MgO 膜的13"屏。可以通过在无湿气和无C02的环境中密封屏来防止氢 氧化物和碳酸盐(carbonate formation )形成于Ca^g,—xo上。
图8示出了在15% Xe-Ne气体混合物中具有各种新开发的 caxMg,-xo层的13"测试屏的最小维持电压及其与具有相同气体混合 物的普通MgO屏的比较。在那些Ga舅gwO屏中的最小维持电压与 常规MgO屏相比减少20V到25V。
图9示出了 Ca^9^o屏的发光功效可以高达2.02流明/瓦(在 caxMgi-xO-3的情况下)，这比常规MgO屏的功效(1.44流明/瓦)
高40 0/。。
CaxMgi—xO-l、 CaxMg,-xO_2和CaxMg，—xO_3代表CaxMg，.^0层中
CaO和MgO的不同混合物。
已经具体参照优选实施例描述了本发明。应当理解前文描述和 例子仅为举例说明本发明。本领域技术人员可以构思其各种替代 和修改而不脱离本发明的实质和范围。因而，本发明旨在于涵盖 落入所附权利要求的范围内的所有这样的替代、修改和变形。
权利要求
1. 一种气体放电器件，包括多个电极；以及低电压保护层，沉积到所述电极上使得所述多个电极和所述低电压保护层形成容纳可放电气体的容器，从而至少所述低电压保护层暴露于所述可放电气体。
2. 根据权利要求1所述的气体放电器件，还包括
3. 根据权利要求1所述的气体放电器件，还包括在所述低电压 保护层的顶部上的防污染层，所述防污染层包括从Be0, Mgo. ai2o3, sra2 和/或这些材料的混合物中选择的材料。
4. 根据权利要求1所述的气体放电器件，还包括焚光物材料。
5. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述荧光物和所 述低电压保护层均暴露于所述可放电气体。
6. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述荧光物层包 括从红色荧光物、绿色荧光物、蓝色荧光物及其组合中选择的荧光 物材料。
7. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述容器包括衬底。
8. 根据权利要求7所述的气体放电器件，其中所述衬底包括与 之垂直的多个障壁。
9. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述可放电气体 包括从氙、氖、氩、氦、氪、汞、氮、氧、氟和钠中选择的至少一种元素。
10. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述气体放电 器件是荧光灯。
11. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述气体放电 器件是高强度放电灯。
12. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述气体放电器件是等离子体显示器。
13. 根据权利要求4所述的气体放电器件，其中所述荧光物选自于红色荧光物、绿色荧光物、蓝色荧光物及其组合。
14. 根据权利要求4所述的气体放电器件，还包括 设置于所述多个电极与所述荧光物层之间的电介质层。
15. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述低电压保 护层包括由下式代表的材料 其中X为0'01<x<1; 及其中M是从8e， Ca, Sr, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zlr， Hf, V, ,, Ta, Zii, Na, Al及其混合物中选择的金属。
16. 根据权利要求15所述的气体放电器件，其中所述金属选自 于Be, Ca, S" Ba， Ra及其';昆合物。
17. 根据权利要求15所述的气体放电器件，其中通过共同沉积 氧化镁和所述金属的氧化物或者共同沉积所述金属的氧化物来形成 所述低电压保护层。
18. 根据权利要求17所述的气体放电器件，其中通过从电子束 蒸发、溅射、分子束外延(MBE)、喷墨印刷、丝网印刷和旋涂中 选择的方法来执行所述氧化物的共同沉积。
19. 根据权利要求15所述的气体放电器件，其中通过沉积预混 合的所述金属的氧化物来形成所述低电压保护层。
20. 根据权利要求19所述的气体放电器件，其中通过从电子束 蒸发、溅射、化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、喷墨 印刷、丝网印刷和旋涂中选择的方法来执行所述预混合氧化物的所 述沉积。
21. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述低电压保 护层相比于MgO具有更低的工作电压。
22. 根据权利要求21所述的气体放电器件，其中所述低电压保护层通过在惰性气体放电时增加来自所述保护层的有效二次电子发 射来提高等离子体显示屏的发光功效。
23. 根据权利要求21所述的气体放电器件，其中所述更低的工作电压选自于低维持电压和/或低寻址电压，其中所述低维持电压减 少所述保护层的侵蚀速率，而所述更低寻址电压减少数据驱动电路的消耗。
24. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中所述低电压保 护层沉积于电极的顶部上使得所述低电压保护层直接暴露于可放电气体。
25. 根据权利要求2所述的气体放电器件，其中所述低电压保 护层沉积于设置在所述多个电极上的所述电介质层的表面上。
26. 根据权利要求1所述的气体放电器件，其中在无湿气和/或 无C O 2的环境中或者在真空环境中密封所述气体放电器件。
27. —种等离子体显示器，包括 第一衬底，具有多个障壁； 第二衬底，设置于所述第一衬底之上；多个电极，在所述第一衬底和所述第二衬底上且由所述多个障 壁分离；以及低电压保护层，沉积于所述第一衬底和所述第二衬底上的所述 多个电极之间，使得在所述第一衬底与所述低电压保护层之间的所 述障壁形成容纳可放电气体的容器，从而至少所述低电压保护层暴 露于所述可力文电气体。
28. 根据权利要求27所述的等离子体显示器，其中在无湿气和/或无C02的环境中或者在真空环境中密封所述等离子体显示器。
29. 根据权利要求27所述的等离子体显示器，其中所述低电压 保护层设置于所述前板的一部分上并且与前板上的至少一个电极对准。
30. 根据权利要求27所述的等离子体显示器，其中所述低电压 保护层包括由下式代表的材料其中X为0.0Kx^1;及其中M是乂人Be, Ca， Sr, Ba, Ra, Sc, Y, H, Zr' Hf, V, Nb, Ta, Zn, Na, Al及其混 合物中选择的金属。
31. —种等离子体显示屏，包括前板，具有用于各行子像素点的扫描电极和维持电极； 后^，具有设置于其上的多个列寻址电极； 电介质层，覆盖所述列寻址电极；设置于所述电介质层之上的多个障壁，分离所述列寻址电极并 且与之间隔邻接；红色荧光物层、绿色荧光物层和蓝色荧光物层，在所述障壁之 间依次设置于所述电介质层的顶部上；以及低电压保护层，沉积于覆盖所述前板上的扫描电极和维持电极 的电介质层的顶部上，使得所述后板上的荧光物层和所述障壁形成 容纳可放电气体的屏，从而至少所述低电压保护层和所述荧光物层 暴露于所述可放电气体。
32. —种由下式代表的复合物其中X为0.0Kx";及其中M是从Be, Ca, Sr, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, W, V, Nb, Ta, Zn, Na, Al及其混合物中选择的金属；以及其中所述复合物的形式为带隙从约3.5eV到约7eV的低电压保护层。
33. 根据权利要求32所述的复合物，其中M是从Be,Ca,Sr,8a，Ra 及其混合物中选择的金属。
全文摘要
一种气体放电器件具有多个电极；以及低电压保护层，沉积到电极上使得多个电极和低电压保护层形成容纳可放电气体的容器，从而至少低电压保护层暴露于可放电气体。还提供一种等离子体显示屏，该等离子体显示屏包括前板，具有用于各行像素点的扫描电极和维持电极；后板，具有设置于其上的多个列寻址电极；电介质层，覆盖列寻址电极；设置于电介质层之上的多个障壁，分离列寻址电极并且与之间隔邻接；红色荧光物层、绿色荧光物层和蓝色荧光物层，在障壁之间依次设置于电介质层的顶部上；以及低电压保护层。
文档编号H01J17/49GK101473400SQ200780023245
公开日2009年7月1日 申请日期2007年5月11日 优先权日2006年5月11日
发明者G·H·格里斯, N·H·克劳森, Q·严 申请人:松下电器产业株式会社