专利名称：离子注入设备的灯丝的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及制造半导体器件的离子注入设备，尤其是指离子注入设备 上的灯丝。
背景技术：
半导体器件的制造过程中，通常需要通过离子注入设备对半导体的衬底注 入各种离子改变衬底的导电特性，来满足不同用途的不同导电需求。图1为现有中电流的离子注入设备10的示意图。图1中离子注入设备10具有离子源， 离子源上具有的倒U型结构灯丝12。灯丝12具有释放电子部分及接脚部分， 接脚部分两端部121、 122接通电压后，灯丝的释放电子部分就会释放电子发出 离子束。气体分子11通过通气管道14被输入离子注入设备的反应室内，离子 束与气体分子ll碰撞产生注入离子。产生的注入离子在离子注入设备的电场的 作用下，被注入半导体衬底13内。倒U型灯丝结构筒单，但是容易被烧断，使用寿命很短。对于中电流离子 注入设备来说，较多采用铟分子作为气体分子。使用铟分子的离子注入设备的 若离子源出现的问题，大致90%是由于倒U形灯丝被烧断导致的。为了提高灯 丝的使用寿命，需要对灯丝的形状进行改进。图2所示为现有的辫子型灯丝15， 辫子型灯丝相比倒U形灯丝虽然提高了使用寿命，但是由于释放电子的面积变 小而降低了灯丝释放电子的能力。因此，需要提供一种新的离子注入设备的灯丝。实用新型内容本实用新型解决的技术问题是提供一种使用寿命较长且提高释放电子能力 的离子注入设备的灯丝。为解决该技术问题，本实用新型提供了一种离子注入设备的灯丝，该灯丝
具有释放电子的释放电子部分，且该释放电子部分设置成至少两层。进一步地，至少一层的灯丝的释放电子部分为w型。 与现有技术相比，本实用新型的双层灯丝不仅不易被烧断，延长了使用寿 命，而且提高了释放电子部分的面积，从而提高了释放电子的能力。至少一层的灯丝释放电子部分为w型，更进一步提高释放电子的能力。
通过以下对本实用新型的实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其实用新型的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为 图1为现有中电流的离子注入设备的示意图； 图2为辫子型灯丝的示意图； 图3为本使用新型双层灯丝的正视图； 图4为本发明新型双层灯丝的侧视立体示意图。
具体实施方式
请参阅图3及图4,灯丝1包括可释放电子的释放电子部分2和接脚部分3。 接脚部分两端4、 5接通电压后，释放电子部分2释放电子发出离子束。释放电 子部分2设置成至少两层，这样不仅灯丝1不容易被烧断，延长了使用寿命， 而且增加了释放电子的面积，提高了灯丝1电子释放能力。释放电子部分2的 每层均设置成W型更一步增加了释放电子的面积，提高灯丝的电子释放能力。可以理解的是，释放电子部分也可以只有一层设置成W型，虽然没有每层 均设置成W型效果好，但亦可解决本实用新型提出的技术问题。上述W型不仅 包括图3及图4所示的锯齿形状也包括波浪形状或其它类似形状。
权利要求1. 一种离子注入设备的灯丝，其具有能够释放电子的释;^文电子部分，其特征在 于该释》支电子部分设置成至少两层。
2. 权利要求1所述的灯丝，其特征在于至少一层灯丝的释放电子部分为W型。
3. 权利要求2所述的灯丝，其特征在于所述W型是指锯齿形状。
4. 权利要求2所述的灯丝，其特征在于所述W型是指波浪形状。
专利摘要本实用新型公开一种离子注入设备的灯丝，该灯丝包括释放电子的释放电子部分和接通电压的接脚部分。灯丝的释放电子部分设置成至少两层，其中每层为W型。与现有技术相比，本实用新型的灯丝不仅不易被烧断，延长了使用寿命，而且提高了释放电子的能力。
文档编号H01J37/08GK201038119SQ200720067979
公开日2008年3月19日 申请日期2007年3月20日 优先权日2007年3月20日
发明者单易飞, 旭 史, 勇 张, 虓 李 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司