专利名称：具有平辅式瓷衬的半导体加工设备的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体加工设备，更具体地说，涉及一种用于加工室，如等离子体蚀刻室的瓷衬。
在半导体加工领域，通常是采用真空加工室，它通过将一种蚀刻或淀积用的气体供应到真空室中并对该气体加一射频(RF)场，将气体激励成等离子体状态，来在基片上蚀刻和化学汽相淀积(CVD)材料。在共有的U.S.专利Nos.4,340,462；4,948,458；5,200,232和5,820,723中，公开了平行板反应器，变压器耦合等离子体(TCPTM)反应器(也叫做电感耦合等离子体(ICP)反应器)，和电子回旋共振(ECR)反应器及它们构件的例子。由于在这些反应器中等离子体环境的腐蚀性及使颗粒物和/或重金属污染减至最小的要求，所以十分希望这种设备及其构件都显示很高的耐蚀力。
在半导体基片的加工过程中，一般是利用机械夹紧件和静电夹紧件(ESC)，在真空室内的适当位置处，将基片固定在基片托架上。这类夹紧系统及其构件的例子，可以在共有的U.S.专利Nos.5,262,029和5,838,529中找到。
生产气体可以用各种方法，如通过排气嘴，气环，气体分配板等将生产气体供应到室中。控制用于感应耦合等离子体反应器及其构件的气体分配板温度的例子，可以在共有的U.S.专利No.5,863,376中找到。
铝及铝合金通常用于制造等离子体反应器的壁。为了防止反应器壁腐蚀，已推荐了各种技术，来用各种涂层涂覆铝表面。例如，U.S.专利No.5,641,375公开了将铝制室壁阳极化，来减少壁的等离子体侵蚀和磨损。上述的专利‘375说明，最后阳极化层被溅蚀掉或蚀刻掉，并且该室必须更换。U.S.专利No.5,680,013说明，在U.S.专利No.4,491,496中公开了一种用于将Al2O3火焰喷涂在蚀刻室金属表面上的技术。上述的专利‘013说明，由于热循环和涂层在腐蚀性环境中的最后破坏，所以在铝和瓷涂层和氧化铝之间的热膨胀系数上的差异导致涂层破裂。U.S.专利No.5,085,727公开了一种用于等离子体室壁的碳涂层，其中涂层用等离子体参与的CVD淀积。
为了保护室壁，U.S.专利Nos.5,366,585；5,556,501；5,788,799；5,798,016；和5,885,356都推荐了衬里配置。例如，‘585专利公开了一种独立式的瓷衬，该瓷衬具有至少0.005英寸的厚度并由固体氧化铝机加工而成。‘585专利还提到，可使用一种陶瓷层，其淀积不用消耗内层铝，可通过火焰喷涂或等离子体喷涂的氧化铝提供。‘501专利公开了一种与加工过程相容的聚合物或石英或瓷制的衬里。‘799专利公开了一种控制温度的瓷衬，该瓷衬具有一埋入其中的电阻加热器并且瓷体可以是氧化铝，二氧化硅，二氧化钛，二氧化锆，碳化硅，碳化钛，碳化锆，氮化铝，氮化硼，氮化硅和氮化钛。‘016专利公开了一种陶瓷，铝，钢和/或石英衬里，同时优选用铝，因为它容易机加工并具有氧化铝，Sc2O3或Y2O3涂层，优选用Al2O3涂覆铝，以便对铝提供保护，免受等离子体的影响。‘356专利公开了一种供在CVD室中使用的晶片基座氧化铝瓷衬和氮化铝瓷屏蔽层。U.S.专利No.5,904,778公开了一种涂覆在独立式SiC上的SiC CVD涂层，供作室壁，室顶部，或围绕晶片的卡圈(collar)用。U.S.专利No.5,292,399公开了一种包围晶片基座的SiC环。在U.S.专利No.5,182,059中公开了一种制备烧结SiC的技术。
关于等离子体反应器构件，如喷头气体分配系统，已经对有关喷头的材料提出了各种各样的建议。例如，共有的U.S.专利No.5,569,356公开了一种由硅、石墨或碳化硅制造的喷头。U.S.专利No.5,888,907公开了一种由无定形碳。SiC或Al制造的喷头电极。U.S.专利Nos.5,066,200和5,022,979公开了一种喷头电极，它或是完全用SiC制成，或是用涂有SiC的碳基底制成(该SiC涂层用CVD法淀积)，以便提供十分纯的SiC表面层。
由于对半导体加工设备的构件需要有很高纯度和耐蚀力，所以在该技术中有必要对这类用于构件的材料和/或涂层方面加以改进。此外，在反应室材料方面，能够增加等离子体反应室使用寿命并因此减少设备停工时间的任何材料，在降低加工半导体片成本方面都是有利的。
本发明提供一种用于等离子体加工室的平铺式衬里，半导体基片可以在该室内进行加工。平铺式衬里包括一个瓷砖组合件，它设置在室的一个侧壁内部。等离子体室可以包括基片支承件、气源和能源。基片支承件设置在反应室的内部空间，在该基片支承件上可以加工一个或多个基片。室的侧壁在基片支承件周边的外部间隔开，并且气源将生产气体供应到内部空间。能源在基片加工过程中将内部空间中的生产气体激励成等离子体状态。
按照优选实施例，平铺式衬里用一弹性支承件如弹性接合或一弹性可弯曲的金属框架支承。例如，弹性支承件可以包括一个弹性接合，它将每块瓷砖都附接到各自的金属衬垫件上。各金属衬垫件可以支承在有弹性可弯曲的金属框架上，该金属框架由热控制件这样支承，以便热量可以经由一热流路线(thermal path)从瓷砖中排出，上述热流路线通过弹性接合，金属衬垫件和可弯曲的金属框架延伸到热控制件。可供选择地，弹性支承件可以包括在每块瓷砖和室侧壁之间的弹性接合。
砖可以是一连串互锁的瓷砖如SiC砖。弹性可弯曲的金属框架可以包括一个内框架件和一个外框架件，上述内框架件由外框架件支承，而外框架件由室支承。内框架件和外框架件可以加工成一定形状，以便在等离子体加工系统工作过程中适应砖衬和框架件上不同的热应力。在这种配置中，外框架件的上部可以用室的热控制部件支承，外框架件的下部可以附接到内框架件的下部，而平铺式衬里可以用内框架件支承。另外，可弯曲的金属框架可以包括一连续式上部和分段式的下部。例如，可弯曲的金属框架可以是圆筒形，而分段式下部可以包括若干轴向上延伸的分段，这些分段通过轴向延伸的缝槽(slot)相互分开。如果内金属框架件和外金属框架件都是圆筒形，并包括连续式上部和分段式下部，则分段式的下部包括在轴向上延伸的若干分段，它们通过轴向延伸的缝槽相互分开。
按照本发明的另一个实施例，陶瓷等离子体屏蔽件从平铺式衬里的下部向内延伸，同时该陶瓷等离子体屏散件包括若干通道，在基片加工过程中，生产气体和反应副产品穿过这些通道从反应室内部排出。例如，陶瓷等离子体屏蔽件可以包括多个分蔽的屏蔽件分段，它们支承在室侧壁和基片支承件之间的环形空间内，通道包括从室侧壁径向上向内延伸的缝槽。陶瓷等离子体屏蔽件可以通过一导电的弹性接合附接到可弯曲的金属框架上，并且该等离子体屏蔽件可以通过该弹性接合电接地到可弯曲的金属框架上。
图1示出按照本发明第一实施例所述的等离子体反应室，其中平铺式衬里支承在围绕基片支承件的弹性框架上；图2示出没有各种构件(包括衬里)的图1等离子体反应室；图3示出本发明的一个实施例，其中瓷衬包括一连串的安装在衬垫板上的砖；图4示出图3等离子体反应室的透视图；图5示出图3等离子体反应室中引入晶片的缝槽祥图；图6示出图3中砖的各边如何以互锁配置方式装配在一起；和图7示出图3所示的装置在200个晶片运转过程中，其加热器法兰、砖和下部法兰的温度变化曲线图。
按照本发明，一种包括瓷砖组合件的平铺式衬里可以达到下述其中一个或多个目的通过提供穿过衬里的电接地路线，保持良好的等离子体形成；通过提供衬里的热控制，避免加工过程变动；通过提供一弹性衬里支承件，克服瓷构件和金属构件之间不同的热膨胀，及通过屏蔽Al室壁防止铝(“Al”)的污染，并加工基片中的构件。关于衬里的电接地，将瓷衬用导电材料制造。优选的瓷材料是Si或SiC，这些材料可以达到很高的纯度，并发现它们对等离子体室如等离子体蚀刻室中所看到的腐蚀性条件显示出很高的耐蚀力。
本发明提供一种等离子体室，其中各种构件(包括瓷衬)都用Si或SiCo制造。这些材料在等离子件环境中是兼容的，因为Si或SiC的等离子体侵蚀(erosion)产生气态的Si或C的化合物，可以将它们从室中抽出而没有基片的颗粒污染。关于热控制，现已发现SiC显示出特别高的导热性，该导热性能在加工基片如硅片过程中将衬里加热或冷却到所希望的温度范围。关于克服不同的膨胀，将按照本发明所述的弹性支承件设计成使瓷衬能在反应室内自由地膨胀或收缩。关于防止Al污染，瓷衬将等离子体限制在衬里的内部，并因此避免了Al壁或构件被等离子体腐蚀。
按照本发明所述的真空加工室可用于各种半导体等离子体加工工艺，如蚀刻，淀积，抗剥离(resist stripping)等。图1示出具有电感耦合等离子体源的单片真空加工室2的一个例子，其中通过合适的装置(未示出)，如气体分配环，气体分配板，喷射喷嘴等，将加工气体供应到加工室2中，并通过合适的真空泵在该室的内部4中保持真空。在室中待加工的基片可以包括支承在基片支承件8上的硅半导体片6。基片支承件8可以包括一个静电卡盘和一个聚焦环10。真空泵可以连接到端壁如加工室底部中的大出口孔12上。真空加工室可以包括一个介质窗14，一个气体分配板16，并可以通过一外部RF电线如平面线圈18将RF电源加到室中，上述平面线圈18在一个端壁如室顶部上的介质窗14的外部。然而，等离子体发生源可以是任何其它类型的等离子体发生设备，如ECR反应器，平行板反应器，螺旋反应器，螺旋谐振器等。等离子体发生源可以附接到一个组合式安装装置如环形安装用法兰上，该环形安装用法兰可移动式安装在反应室的端壁上。
为了保持安装用法兰和室2之间的真空紧密密封，可将合适的环形密封圈装配在室2端壁中的槽内，并且RF屏蔽件可围绕真空密封件。如果由真空泵提供大的真空力，则不必用紧固件来将安装用法兰附接到室2上。取而代之的是，安装用法兰可以简单地搁在室2的端壁上。如果希望的话，可以将等离子体发生源组合件的安装用法兰或另外部件这样铰接到室2上，以便等离子体发生源可绕轴旋转到一个方向，如使用室2内部4的垂直方向上。
室包括由瓷砖构成的衬里20。用于将等离子体限制在包围晶片6的空间中的等离子体屏蔽件22从衬里20的下端向内延伸。在图1所示的实施例中，衬里20用一弹性可弯曲的框架支承，该弹性可弯曲框架包括一个内支承框架24和一个外支承框架26。为了在加工基片过程中使衬里保持在所希望的温度下，加热器28设置在内框架支承件24的顶部上。在操作时，加热器28加热衬里20是有效的，并且可以通过温度控制件30完成从衬里20中排去热量，该温度控制件经由内框架和外框架从衬里中排出热量。其它类型的加热装置，如一种埋置在衬里中的加热器或合适的径向加热装置也可以使用。在1999.9.23发布的共有的U.S.专利序列号No09/401，308(Attorney DocketNO.015290-369)中，公开了一种合适的辐射加热器详细情况，其公开内容特此合并参考。
如图2所示，反应室可以具有一种模块设计，它能将各种各样的等离子体发生源安装于其上。另外，基片8可以这样支承在以悬臂方式安装的支承臂一端处，以便可以通过使组合件穿过室侧壁中的开口32从室中取出整个基片支承件/支承臂组合件。室可以用任何合适的材料制造，并且按照本发明的优选实施例，室用单件铝或铝合金制成。
按照本发明的第一实施例，等离子体室衬里20包括互锁的瓷衬元件如平砖34，如图3和4所示。为了提供等离子体的电接地路线，砖34优选地是导电性材料如硅或碳化硅。这种材料提供一种增加的利益在于它不含铝，并因此而减少了加工过基片的Al污染。按照优选实施例，是将SiC砖结合到铝衬板36上。一种优选的结合材料是导热弹性体38，它可以吸收由SiC和Al不同热膨胀系数所引起的侧向应力。每个砖和衬板的组合件都可以用一弹性可弯曲的框架40附接到室壁上，该框架40包括一个内框架42和一个外框架44。通过用导线49供电的加热器48和温度控制件50，达到衬里的温度控制。
弹性接合可以包括任何合适的弹性材料如一种聚合物材料，该聚合物材料与真空环境兼容，并且在高温下如高于200℃时抗热降解。弹性体材料可以任选地包括一种导电和/或导热颗粒的填料或其它形状的填料，如金属丝网，纺织或非纺织的导电纤维等。可在超过160℃的等离子体环境中使用的聚合材料包括聚酰亚胺，聚酮，聚醚酮，聚醚砜，聚对苯二甲酸乙酯，氟代乙烯-丙烯共聚物，纤维素，三乙酸酯，硅氧烷，和橡胶。高纯弹性材料的例子包括从General Electric购买的单组分室温固化的粘结剂，如RTV133和RTV167；从GeneralElectric购买的一种单组分可流动的热固化(比如高于100℃)粘结剂如TSE 3221，和从Dow Corning购买的两部分加成固化的弹性体如“SILASTIC”。特别优选的弹性体是从Rhodia购买的聚二甲基硅氧烷，它含有弹性体如催化剂固化(比如，Pt固化)的弹性体，如V217，该弹性体在250℃和更高温度下是稳定的。
在弹性体是一种导电弹性体的情况下，导电填料可以包括导电金属或金属合金的颗粒。一种供在等离子体反应室对杂质敏感的环境中使用的优选金属是一种铝合金，如含重量百分数为5-20％硅的铝基合金。例如，铝合金可以包括重量百分数约为15％的硅。然而，也可以用硅或碳化硅的填料颗粒。
等离子体屏蔽件52从砖34的下面边缘向里延伸。等离子体屏蔽件52优选的是一种导电陶瓷材料如硅或碳化硅，并且包括若干开口54，这些开口54都小到足够限制等离子体，但它们能用真空泵将生产气体和加工副产品除去。
加热器48可以包括一个埋置在铝铸件中的电阻加热元件。这样，通过使电流穿过加热元件，将把热量供应到铝铸件上，该铝铸件又将热量导入内框架42，铝衬板36，导热弹性体38并导入砖34。在加热器铝制主体加热和冷却过程中，加热器将比砖34所形成的瓷衬膨胀到更大程度。为了适应这种膨胀和收缩，将内支承框架和外支承框架加工成形到可弹性弯曲。例如，可以将框架这样分段，以便其一连串的径向上延伸的下面部分被轴向上延伸的缝槽分离开。此外，可以将内框架和外框架加工成形到提供所希望的导热性量。例如，外框架44可以是一种金属如铝或铝合金制造，并且其下面部分可以具有足够排出衬里中热量的厚度，而其薄的上面部分足够能在加工半导体基片过程中由于热应力而使外部框架充分弯曲。
图5示出室壁的一部分，其中通过传送缝槽55可以将基片如晶片导入室中和从室中取出。在图5所示的装置中，某些砖34在靠近缝槽55的轴向方向上较短。缝槽55可以用整件陶瓷材料或者用另外的材料如阳极化铝制出。例如，其中具有缝槽55的陶瓷材料可以包括任何合适的材料，如涂覆CVD SiC的粉浆浇铸的SiC，整体(bulk)CVDSiC，有或没有CVD SiC涂层的烧结SiC，反应结合的SiC，石墨转化SiC等。图5示出如何能围绕缝槽55装配内支承框架的详细情况。外支承框架(未示出)可以用同样方法加工成形。
为了阻挡晶片6和室壁46之间的视线，每块砖34都可以具有边缘56，它们与相邻砖的配合边缘互锁，如图6所示。正如在这个可供选择的实施例中所示出的，室58可以具有多边形内表面60，其中通过一导电和导热的弹性体直接将砖结合到反应室的平表面60上。这种配置是有利的，因为它具有比砖/背衬板配置更少的部件，并能更快地实施取出衬里用于清洗和更换。
在上述实施例中，反应室中的等离子体可以被气体分配板的Si或SiC表面、衬里、等离子体屏蔽件和基片支承件限制，该基片支承件向上贯穿等离子体屏蔽件的内周边。由于Si或SiC表面位于等离子体和反应室的铝表面之间，所以与具有Al表面直接面对基片的反应室相比，使等离子体溅射Al表面减至最少并减少了Al污染加工过的晶片。
在衬里包括Si或SiC砖，而这些砖是通过导电和/或导热弹性体结合材料结合到铝衬垫板上的实施例中，可以将砖定好尺寸和/或加工成形，以便用覆盖整个等离子体室内壁周边的方式装配在一起。室壁可以是任何所希望的形状，如圆筒形，多边形等。一个合适的观察孔让各个晶片进出该室，并可以设置一附加的开口，以便能用常规辅助设备如过程监测设备进行各种测量。砖可以具有面向室内部的矩形平表面。可供选择地，砖的暴露面可以这样弯曲，以便砖形成室的圆筒形内壁。
在砖和衬垫板组合件用螺栓固定到Al制内支承框架(它绕室的内壁延伸)上的实施例中，可以适应在等离子体室起动，工作和停止工作过程中所产生的热应力。可以选择SiC的数量，以便达到所希望的对部件和/或结合应力的限制，上述结合应力由于在等离子体室中遇到的热力而产生。
在内支承框架的下面法兰用螺栓固定到Al制外支承框架的下面边缘上，及将外支承框架的上面边缘处的法兰用螺栓固定到位于室顶部的顶板上的实施例中，外支承件分段成被缝槽分开的垂直延伸的板，这些缝槽从外支承框架的下端延伸到顶部法兰。为了提供SiC砖表面的温度控制，可以将位于内支承框架顶部法兰上方的加热器用螺栓固定到内框架上。在这种装置情况下，加热器可以发热，该热可以从内支承框架热传导到衬板和SiC砖上。加热器可以包括一单电阻加热器，它完全围绕室的内壁延伸。可供选择地，加热器可以包括任何合适的加热器装置，该装置达到所希望的衬里温度控制，比如，在等离子体蚀刻介质材料如二氧化硅的过程中，使衬里的内表面保持在所希望的温度下，如在80-160℃温度范围内。
室可以包括包围基片支承件的等离子体屏蔽件。可以用任何合适的技术将环形屏蔽件附接到载环上。例如，可以用前面讨论过的弹性体结合材料将屏蔽件粘结式结合到载环上。此外，可以这样将载环用螺栓固定到内框架上的下面法兰上，以便将屏蔽件夹紧在载环和法兰之间。屏蔽件可以是任何合适的材料制造，该材料将承受用于半导体生产的等离子体环境。碳化硅是一种用于屏蔽件的优选材料。屏蔽件可以包括一个整体环或多个间隔开的环分段。例如，屏蔽件可以包括圆周上间隔开的分段。
在通过输送缝槽将晶片转入和转出室的实施例中，内框架和外框架其中都包括切口，并且包围缝槽的砖这样安排，以使较小的砖在缝槽的下面，而较大的砖在缝槽的上面。缝槽的内部可以用一晶片通道插件形成。用于插件的优选材料是碳化硅。插件可以包括整件材料或几件材料的组合件。中等高度的砖和短砖优选地是粘结式与弹性体一起结合到同样尺寸的衬垫板上，该衬垫板又用螺栓固定到内框架上。
按照本发明的实施例，其中通过用SiC砖覆盖表面来避免铝构件的视线表面，砖的边缘优选地是这样设计，以便它们相互叠加。例如，砖可以具有配合的边缘，其中将一块砖上的伸出部分容纳在相邻砖的凹槽中。这种效果可以通过任何边缘设计得到，其中在砖的相对表面之间不设置直线路线。因此，配合的弯曲式或多边式边缘表面，如V形、U形、W形、槽形、缺口形、偏移形等等类型的边缘都可以提供所希望的配合砖边缘。
互锁的砖接合消除了到铝构件的视线，并适应衬里构件在等离子体室起动，工作和/或停止工作过程中的不同热膨胀/收缩作用。例如，来自加热器的热和/或淀积在砖上的等离子体离子热能，由内框架进行热传导，经由弹性体结合，向上传到外框架并传入室的顶板。由于顶板通过冷却通道进行水冷却，所以将通过外框架传递的热从室中除去。
在加工半导体基片的过程中，可以在室中产生等离子体之前，用加热器将砖预热。例如，可以用加热器将砖加热到所希望的温度，并且可以用一热控制系统来调节加热器功率，以便使砖保持在所希望的温度下。在室中产生等离子体之后，控制系统可以自动地减少加热器功率，以便保持所希望的时间温度变化。另外，可以调节内框架和/或外框架的热阻抗，以便达到所希望的砖工作温度范围并限制加热器的最高温度。
图7示出在等离子体蚀刻一批半导体片过程中，于内支承件加热器法兰，内支承件下面法兰，和砖衬垫板处测得的温度。2℃的温度波动由一个蚀刻周期中等离子体离子能的变动引起。用于下面法兰的温度设定点是100℃。
在加工半导体基片，如等离子体蚀刻硅片的过程中，为了使蚀刻加工过程中产生的气态副产品中的聚合物淀积减至最少，理想情况是使暴露于等离子体中的室表面保持在约80℃至约160℃，优选的是在110至150℃的温度下。此外，这些表面的这种温度控制达到在按顺序加工单个晶片过程中使加工变化减少。按照图1-7中所示装置的优选实施例，在室中起弧等离子体之前，电阻加热器通过热传导将瓷衬加热，亦即，来自加热器的热量通过弹性Al制框架传到瓷衬。在这种装置中，加热器和与其接触的Al框架部分可以加热到约300℃，以便将瓷衬加热到约150℃。弹性Al框架由内框架和外框架构成，它能使与加热器接触的这部分Al框架相对于与瓷衬接触的Al框架部分膨胀，并因此适应中间部分Al框架上的任何弯曲应力。
为了提供高纯和/或高导热性的SiC构件，这些构件可以用CVDSiC制造。CVD SiC可以淀积在一个基片如石墨上，并生长到所希望的厚度，在此之后如通过机加工来除去基片。例如，在圆筒形衬里情况下，可以在一石墨圆筒上将CVD SiC淀积到所希望的厚度，并在以后切削去掉石墨圆筒，同时留下CVD SiC圆筒衬里。CVD SiC的优点包括高导热率(比如，CVD SiC具有比烧结SiC多约一倍的热导率)和特制的电阻率(比如，Sic的电阻率可以从导电体改变到半导电体)。反应器构件采用CVD SiC的优点是它能跨过反应器内部构件的表面得到十分均匀的温度分布。在其中使构件保持在足够高的温度下，以便使该构件暴露面上形成的聚合物减至最少进行加工的情况下，从温度控制和产生颗粒最少的观点来看，采用CVD SiC是十分有利的。
上面已经说明了本发明的原理，优选实施例和操作方式。然而，不应当把本发明看作是局限于所讨论的特定实施例。因此，应当把上述实施例看作是例证性的而不是限制性的，并且应该理解，在不脱离如下面权利要求所述的本发明范围的情况下，在那些实施例中可以由该技术的技术人员进行改变。
权利要求
1.一种处理半导体基片用的等离子体加工室的瓷衬用瓷砖，所述瓷砖通过弹性接合连接到一个支承件上。
2.如权利要求1所述的瓷砖，其特征在于，所述瓷砖基本由化学汽相沉积SiC构成。
3.如权利要求1所述的瓷砖，其特征在于，所述瓷砖基本由烧结SiC构成，其上涂覆有化学汽相沉积SiC。
4.如权利要求1所述的瓷砖，其特征在于，所述支承件包括多个金属衬垫件，所述弹性接合将每块瓷砖都附接到相应的金属衬垫件上。
5.一种处理半导体基片用的等离子体加工室的瓷衬，所述瓷衬包括一个瓷砖组合件，各瓷砖通过弹性接合连接到一个支承件上。
6.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，所述支承件包括一个可弯曲的金属框架。
7.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，所述瓷砖具有互锁的边缘。
8.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，所述支承件包括多个金属衬垫件，所述弹性接合将每块瓷砖都附接到相应的金属衬垫件上。
9.如权利要求8所述的瓷衬，其特征在于，所述金属衬垫件支承在可弯曲的金属框架上，而可弯曲的金属框架被一热控制件这样支承，以便通过一条热流路线将热从瓷砖中排出，该热流路线贯穿弹性接合，金属衬垫件和可弯曲的金属框架延伸到热控制件。
10.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，所述瓷衬由一弹性支承件支承，该支承件包括一可弯曲的金属框架，上述可弯曲的金属框架这样被一热控制件支承，以便通过一热流路线将热量从瓷衬中除去，该热流路线贯穿可弯曲的金属框架延伸到热控制件。
11.如权利要求10所述的瓷衬，其特征在于，可弯曲的金属框架包括一个分段式内框架件和一个分段式外框架件，弹性接合将每块瓷砖结合到相应的内框架件分段上，内框架件被外框架件支承，而外框架件被室支承。
12.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，瓷砖由化学汽相淀积SiC构成。
13.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，瓷砖由烧结SiC构成，其上涂覆有化学汽相淀积SiC。
14.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，瓷衬被一弹性支承件支承，该弹性支承件包括内金属框架件和外金属框架件，所述内、外金属框架件加工成一定形状，以便能在等离子体加工系统操作过程中，适应瓷衬和框架件上不同的热应力。
15.如权利要求14所述的瓷衬，其特征在于，外框架件的下面部分附接到内框架件的下面部分上，而瓷衬被内框架件支承。
16.如权利要求5所述的瓷衬，其特征在于，瓷衬中包括一个缝槽，该缝槽作为基片进出该室的通道。
17.一种处理半导体基片用的等离子体加工室的一种瓷的等离子体屏蔽件，所述基片支承在一个基片支承件上，所述屏蔽件支承在加工室一个侧壁和上述基片支承件之间的一个环形空间内，该屏蔽件包括若干通道，在加工基片过程中，通过这些通道将生产气体和反应副产品从加工室内部除去。
18.如权利要求17所述的瓷等离子体屏蔽件，其特征在于，所述瓷等离子体屏蔽件用SiC制造，并包括多个分段，这些分段支承在室侧壁和基片支承件之间的环形空间中，所述通道包括从室侧壁径向上向里延伸的缝槽。
19.如权利要求17所述的瓷等离子体屏蔽件，其特征在于，所述瓷等离子体屏蔽件通过一导电的弹性接合附接到一弹性支承件上，该弹性支承件包括一可弯曲的金属框架，并且等离子体屏蔽件通过弹性接合电接地到可弯曲的金属框架上。
全文摘要
等离子体加工室包括一个瓷衬，该瓷衬C瓷砖形式安装在一弹性支承件上。衬里和其它部件如气体分配板和等离子体屏蔽件都可以用SiC制造，SiC有利于限制等离子体并提供室的内表面温度控制。衬里可以用加热器加热，该加热器通过热传导将热量提供给衬里。为了除去衬里中过量的热，弹性支承件可以是铝制支承框架，该支承框架将热从衬里传导到一温度控制件，如室的顶板上。支承框架可以包括连续式上面部分和分段式下面部分，该分段式下面部分能在等离子体室内加工半导体基片过程中适应热应力。
文档编号H01J37/16GK1734710SQ200510084740
公开日2006年2月15日 申请日期2000年9月11日 优先权日1999年9月23日
发明者威廉·S·肯尼迪, 罗伯特·A·马拉斯钦, 杰罗姆·S·休贝塞克 申请人:兰姆研究公司