一种肖特基二极管的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了一种肖特基二极管，包括背面金属电极、衬底、外延层、氧化层、正面金属电极、势垒金属层及保护环，其中，背面金属电极、衬底及外延层三者由下至上顺次层叠设置，外延层上端面中央部位向下凹陷形成中心槽，保护环水平设置于处延层内且环绕中心槽设置，保护环上端面与外延层上端面平齐。氧化层覆盖于保护环上端面靠近保护环外侧的区域、以及外延层上端面位于保护环外侧的区域，势垒金属层覆盖于外延层和保护环两者上端面相对覆盖氧化层区域外的区域，正面金属电极覆盖于氧化层和势垒金属层两者的上端面。本实用新型整体结构简单，便于实现，成本低，且具有良好的防静电性能，进而便于推广应用。
【专利说明】
一种肖特基二极管
技术领域
[0001]本实用新型涉及半导体器件，具体是一种肖特基二极管。
【背景技术】
[0002]肖特基二极管也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势皇二极管，其为一种热载流子二极管。作为近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件，肖特基二极管反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。因此，肖特基二极管被广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域。然而，现有肖特基二极管存在防静电性能低下的缺陷，容易因为耐静电不够而产生早期失效，这一定程度上影响了肖特基二极管的推广应用。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种肖特基二极管，其具有良好的防静电性能，便于推广应用。
[0004]本实用新型解决上述问题主要通过以下技术方案实现:一种肖特基二极管，包括背面金属电极、衬底、外延层、氧化层、正面金属电极、势皇金属层及保护环，所述背面金属电极、衬底及外延层三者由下至上顺次层叠设置，所述外延层上端面中央部位向下凹陷形成开口向上的中心槽，所述保护环水平设置于处延层内且环绕中心槽设置，保护环上端面与外延层上端面平齐，且其底部的水平高度低于中心槽底部的水平高度;所述氧化层覆盖于保护环上端面靠近保护环外侧的区域、以及外延层上端面位于保护环外侧的区域，所述势皇金属层覆盖于外延层和保护环两者上端面相对覆盖氧化层区域外的区域，所述正面金属电极覆盖于氧化层和势皇金属层两者的上端面。
[0005]进一步的，所述保护环包括内层保护环和外层保护环，所述内层保护环的横截面为半圆形状，外层保护环的横截面为二分之一圆弧状，外层保护环与内层保护环同轴设置且包覆在内层保护环上;所述内层保护环的掺杂浓度大于外层保护环的掺杂浓度。
[0006]进一步的，所述氧化层覆盖保护环上端面外侧的二分之一环状区域，势皇金属层覆盖保护环上端面内侧的二分之一环状区域。
[0007]进一步的，所述衬底与外延层之间设置有由下至上顺次层叠设置的钛底层、钛钨合金阻挡层及钛粘附层。
[0008]综上所述，本实用新型具有以下有益效果:(I)本实用新型整体结构简单，便于实现，成本低，本实用新型的外延层中央区域设置有中心槽，在本实用新型受到静电冲击时，中心槽和保护环同时承受冲击，较现有技术增加了受冲击的区域面积，能降低冲击时的电流密度，进而使得本实用新型具有良好的防静电性能，便于推广应用。
[0009](2)本实用新型的保护环包括内层保护环和外层保护环，其中，内层保护环的掺杂浓度大于外层保护环的掺杂浓度，这能提升本实用新型外延层表面的离子浓度，利于多数载子注入，能提升本实用新型的抗静电能力。
[0010](3)本实用新型的衬底与外延层之间设置有由下至上顺次层叠设置的钛底层、钛钨合金阻挡层及钛粘附层，其中，钛底层和钛粘附层的设置能保证钛钨合金阻挡层与背面金属电极和外延层的粘附性，而钛钨合金阻挡层的设置能起到提升耐静电的作用，如此，本实用新型的防静电性能得到进一步的增强。
【附图说明】
[0011]此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中:
[0012]图1为本实用新型一个具体实施例的结构示意图。
[0013]附图中标记所对应的零部件名称:1、背面金属电极，2、衬底，3、外延层，4、氧化层，
5、正面金属电极，6、势皇金属层，7、保护环，8、钛底层，9、钛妈合金阻挡层，10、钛粘附层。
【具体实施方式】
[0014]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。
[0015]实施例1:
[0016]如图1所示，一种肖特基二极管，包括背面金属电极1、衬底2、外延层3、氧化层4、正面金属电极5、势皇金属层6及保护环7，其中，背面金属电极1、衬底2及外延层3三者由下至上顺次层叠设置，衬底2为N+型，外延层3为N-型。本实施例的外延层3上端面中央部位向下凹陷形成开口向上的中心槽，保护环7水平设置于处延层3内且环绕中心槽设置，保护环7上端面与外延层3上端面平齐，且其底部的水平高度低于中心槽底部的水平高度。本实施例的氧化层4覆盖于保护环7上端面靠近保护环7外侧的区域、以及外延层3上端面位于保护环7外侧的区域，势皇金属层6覆盖于外延层3和保护环7两者上端面相对覆盖氧化层4区域外的区域，正面金属电极5覆盖于氧化层4和势皇金属层6两者的上端面。本实施例在具体设置时，氧化层4优选覆盖保护环7上端面外侧的二分之一环状区域，此时，势皇金属层6覆盖保护环7上端面内侧的二分之一环状区域。
[0017]实施例2:
[0018]本实施例在实施例1的基础上做出了如下进一步限定:本实施例的保护环7包括内层保护环和外层保护环，其中，内层保护环的横截面为半圆形状，外层保护环的横截面为二分之一圆弧状，内层保护环和外层保护环两者的上端面均为平面，外层保护环与内层保护环同轴设置且包覆在内层保护环上。本实施例的保护环7为P型掺杂区，内层保护环的掺杂浓度大于外层保护环的掺杂浓度。
[0019]实施例3:
[0020]本实施例在实施例1或实施例2的基础上做出了如下进一步限定:本实施例还包括钛底层8、钛钨合金阻挡层9及钛粘附层10，其中，钛底层8、钛钨合金阻挡层9及钛粘附层10设于衬底I与外延层3之间且三者由下至上顺次层叠设置。
[0021]以上所述的【具体实施方式】，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的【具体实施方式】而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括背面金属电极(I)、衬底(2)、外延层(3)、氧化层(4)、正面金属电极(5)、势皇金属层(6)及保护环(7)，所述背面金属电极(1)、衬底(2)及外延层(3)三者由下至上顺次层叠设置，所述外延层(3)上端面中央部位向下凹陷形成开口向上的中心槽，所述保护环(7)水平设置于处延层(3)内且环绕中心槽设置，保护环(7)上端面与外延层(3)上端面平齐，且其底部的水平高度低于中心槽底部的水平高度;所述氧化层(4)覆盖于保护环(7)上端面靠近保护环(7)外侧的区域、以及外延层(3)上端面位于保护环(7)外侧的区域，所述势皇金属层(6)覆盖于外延层(3)和保护环(7)两者上端面相对覆盖氧化层(4)区域外的区域，所述正面金属电极(5)覆盖于氧化层(4)和势皇金属层(6)两者的上端面。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，所述保护环(7)包括内层保护环和外层保护环，所述内层保护环的横截面为半圆形状，外层保护环的横截面为二分之一圆弧状，外层保护环与内层保护环同轴设置且包覆在内层保护环上;所述内层保护环的掺杂浓度大于外层保护环的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层(4)覆盖保护环(7)上端面外侧的二分之一环状区域，势皇金属层(6)覆盖保护环(7)上端面内侧的二分之一环状区域。4.根据权利要求1?3中任意一项所述的一种肖特基二极管，其特征在于，所述衬底(I)与外延层(3)之间设置有由下至上顺次层叠设置的钛底层(8)、钛钨合金阻挡层(9)及钛粘附层(10)。
【文档编号】H01L29/06GK205692841SQ201620672734
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月30日 公开号201620672734.9, CN 201620672734, CN 205692841 U, CN 205692841U, CN-U-205692841, CN201620672734, CN201620672734.9, CN205692841 U, CN205692841U
【发明人】王作义, 陈小铎, 崔永明, 马洪文, 白磊
【申请人】四川广瑞半导体有限公司