应用于中波红外成像的红外滤光片的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型所设计的应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其单晶锗的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在2500到5500纳米，其中2500～5500范围内Tavg≥95％，3500～5000范围内T≥90％，同时采用了对称的膜系设计，进一步简化了膜系结构降低了生产成本。
【专利说明】
应用于中波红外成像的红外滤光片
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种红外热成像仪组件，特别是应用于中波红外成像的红外滤光片。
【背景技术】
[0002]红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
[0003]红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。
[0004]但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比，且膜系结构简单的应用于红外敏感元件的红外滤光片。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型所设计的应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层，所述第二镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本实用新型得到的应用于中波红外成像的红外滤光片，其单晶锗的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在2500到5500纳米，其中2500?5500范围内Tavg >95%, 3500?5000范围内90%，同时采用了对称的膜系设计，进一步简化了膜系结构降低了生产成本。
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图。
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。[0011 ]图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
【具体实施方式】
[0012]下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0013]实施例1。
[0014]如图1、图2所示，本实施例描述的中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板2以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层I和第二镀膜层3，所述第一镀膜层I包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层，所述第二镀膜层3包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层。
【主权项】
1.一种应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板(I)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(11)和第二镀膜层(12)，其特征是所述第一镀膜层(11)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层，所述第二镀膜层(12)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层。
【文档编号】G02B5/20GK205450324SQ201521130551
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年12月30日
【发明人】王继平, 吕晶, 胡伟琴, 刘晶
【申请人】杭州麦乐克电子科技有限公司