一种超大尺寸va模式lcd液晶显示器的制造方法

文档序号:10169958阅读:517来源:国知局
一种超大尺寸va模式lcd液晶显示器的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种IXD液晶显示器,尤其涉及一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器。
【背景技术】
[0002]近年来,液晶显示器凭借着体积小、功耗低等优点已经越来越广泛的深入普通百姓的生活,随着液晶显示器步入更多的领域,人们对LCD产品的性能要求也越来越高。黑白屏作为普通TN模式LCD的升级版本应运而生,而VA模式的产品就是其中最主要的代表,因为其具有比TN产品更高的对比度、更宽的视角、更佳的视觉效果,被越来越多的使用在仪器仪表、家居用品、车载等多个领域,VA模式IXD也逐步向大尺寸、多色彩、高路数等方向发展。
[0003]VA模式(vertical aligned mode),意为垂直配向模式,负性液晶(Λ ε〈0)。在非通电状态下,液晶分子在垂直配向力的作用下垂直于玻璃面板方向排列,当施加一定的电压后液晶分子开始转动,通过施加不同的电压,可以显示不同的辉度。该种液晶使用过程中最大的缺点在于粘度特别大,极不容易灌注进液晶盒,如果采用传统常温液晶抽真空灌注法极易产生灌注不满、亮点、空穴等废品,尤其是针对超大尺寸产品,很难达到客户对产品外观和性能的要求,并且灌注周期特别长,通常在8-12小时。

【发明内容】

[0004]本实用新型提供了一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器,克服了因为VA液晶粘度大和产品超大尺寸而产生的灌注不满和空穴等缺陷,使VA产品的尺寸增大到长宽单方向400mm左右。
[0005]为了达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案实现:
[0006]一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器,包括自上而下设置的上偏光片、液晶盒和下偏光片,所述液晶盒由自上而下设置的上ΙΤ0玻璃基板、上PI取向层、液晶层、下PI取向层、下ΙΤ0玻璃基板组成,上PI取向层、液晶层、下PI取向层通过边框胶封闭在上ΙΤ0玻璃基板和下ΙΤ0玻璃基板之间;液晶层为VA模式,厚度范围为3.Ομπι— 4.0 μ m,由衬垫料和液晶构成,衬垫料以密度范围为每平方毫米150个?200个均匀分布,周围由液晶填充;上偏光片、下偏光片为偏振度大于99%的高偏振度偏光片;上ΙΤ0玻璃基板和下ΙΤ0玻璃基板采用ΙΤ0导电膜玻璃材质,其厚度范围为0.4mm?1.1mm,方阻范围为15 Ω/ □?60 Ω / □ 0
[0007]所述液晶盒的光程差为Δ nd = 300?400nm。
[0008]所述上偏光片与下偏光片的透过轴相互垂直,并且与对应的上PI取向层、下PI取向层摩擦方向的夹角为40?45°。
[0009]与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
[0010]1)采用大灌注口、配套白钢槽进行液晶灌注,且液晶经二次脱泡和全程加热,成功克服了因为VA液晶粘度大和产品超大尺寸而产生的灌注不满和空穴等缺陷;
[0011]2)实现超大尺寸VA产品生产,VA产品的尺寸增大到长宽单方向400_左右;
[0012]3)灌注周期缩短到2-3小时。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的结构示意图。
[0014]图2是本实用新型所述液晶盒的结构不意图。
[0015]图3是本实用新型所述灌注口的结构示意图。
[0016]图中:1.上偏光片2.液晶盒3.下偏光片4.上ΙΤ0玻璃基板5.上PI取向层6.液晶层7.边框胶8.衬垫料9.下ΙΤ0玻璃基板10.下PI取向层11.液晶
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步说明:
[0018]见图1,是本实用新型所述液晶显示器的结构示意图。本实用新型所述一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器,包括自上而下设置的上偏光片1、液晶盒2和下偏光片3,所述液晶盒2由自上而下设置的上ΙΤ0玻璃基板4、上PI取向层5、液晶层6、下PI取向层10、下ΙΤ0玻璃基板9组成,(如图2所示)上PI取向层5、液晶层6、下PI取向层10通过边框胶7封闭在上ΙΤ0玻璃基板4和下ΙΤ0玻璃基板9之间;液晶层6为VA模式,厚度范围为
3.Ομπι— 4.0 μ m,由衬垫料8和液晶11构成,衬垫料8以密度范围为每平方毫米150个?200个均匀分布,周围由液晶11填充;上偏光片1、下偏光片3为偏振度大于99%的高偏振度偏光片;1IT0玻璃基板4和下ΙΤ0玻璃基板9采用ΙΤ0导电膜玻璃材质,其厚度范围为
0.4mm ?1.1mm,方阻范围为 15 Ω / □?60Ω / 口。
[0019]所述液晶盒6的光程差为Δ nd = 300?400nm。
[0020]所述上偏光片1与下偏光片3的透过轴相互垂直,并且与对应的上PI取向层5、下PI取向层10摩擦方向的夹角为40?45°。
[0021]本实用新型一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器的制造工艺如下:
[0022]1)采用低方阻ΙΤ0导电膜玻璃作为上ΙΤ0玻璃基板4和下ΙΤ0玻璃基板9,其厚度范围为0.4mm?1.1mm,方阻范围为15Ω / □?60Ω / □;
[0023]2)在上ΙΤ0玻璃基板4与下ΙΤ0玻璃基板9的ΙΤ0侧涂PI取向剂,PI取向剂的预倾角为86?90°,固化温度250?270°C ;用摩擦绒布以特定的角度摩擦,配合适合的摩擦条件,使PI取向层5、10形成沟槽,且上PI取向层5和下PI取向层10的沟槽夹角为0 ?10° ;
[0024]3)在5.0s?5.5s时间内,在液晶盒2内均匀喷溅衬垫料8,衬垫料8大小为
3.0 μ m?4.0 μ m,以密度范围为每平方毫米150个?200个均匀分布;
[0025]4)衬垫料8和液晶11构成的液晶层6为垂直配向即VA模式,由于衬垫料8的支撑作用液晶盒2的厚度范围控制在3.0 μπι?4.0 μπι ;使用环氧树脂胶即边框胶7作为黏合剂精确贴合上ΙΤ0玻璃基板4与下ΙΤ0玻璃基板9,形成液晶盒2 ;液晶盒2的光程差控制在Δ nd = 300?400nm之间,其大小为液晶分子的折射率各向异性Δ η与液晶盒2盒厚d的乘积;
[0026]5)衬垫料8周围灌注液晶11填充液晶盒2,设计边框胶7形状时预留一个尽量大的灌注口,并在灌注口上设置若干短线状胶点(如图3所示),在上、下ΙΤ0玻璃基板4、9粘合和液晶11灌注进液晶盒2时起缓冲作用,防止液晶11进液晶盒2时速度过快;液晶11灌注前抽真空脱泡一次,浸泡海绵片后再次抽真空脱泡,每次灌注均使用新海绵片;使用宽度略宽于灌注口的宽口白钢槽灌注,抽真空和灌注过程中液晶11全程保持温度在80?85°C;
[0027]6)在液晶盒2的上ΙΤ0玻璃基板4表面贴合上偏光片1,在下ΙΤ0玻璃基板9表面贴合下偏光片3,上、下偏光片1、3均米用偏振度99%以上的尚偏振偏光片,且上、下偏光片1、3的透过轴相互垂直,上、下偏光片1、3与对应的上、下PI取向层5、10摩擦方向的夹角在40?45°。
[0028]本实用新型中,上、下玻璃基板4、9采用ΙΤ0导电膜玻璃材质,其厚度范围为
0.4mm—1.1mm,方阻范围为15 Ω/ □ —60 Ω / 口。(阻值不宜过小,过小阻值的ΙΤ0层厚度会增大,像素间缝隙会变大,容易产生灌注不满和空穴)。
[0029]灌注口的开口尺寸尽量大,最好能比窄边略小一点以便与液晶11灌注,并在开口上设置若干短线状胶点(尺寸2.0*0.2mm)起上下ΙΤ0玻璃基板4、9粘合和液晶11灌注进液晶盒2时缓冲的作用,白钢槽宽度略宽于灌注口。
[0030]以上所述,仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超大尺寸VA模式IXD液晶显示器,其特征在于,包括自上而下设置的上偏光片、液晶盒和下偏光片,所述液晶盒由自上而下设置的上ITO玻璃基板、上PI取向层、液晶层、下PI取向层、下ITO玻璃基板组成,上PI取向层、液晶层、下PI取向层通过边框胶封闭在上ITO玻璃基板和下ITO玻璃基板之间;液晶层为VA模式,厚度范围为3.Ομπι—4.0 μπι,由衬垫料和液晶构成,衬垫料以密度范围为每平方毫米150个?200个均匀分布,周围由液晶填充;上偏光片、下偏光片为偏振度大于99%的高偏振度偏光片;上ΙΤ0玻璃基板和下ΙΤ0玻璃基板采用ΙΤ0导电膜玻璃材质,其厚度范围为0.4mm?1.1mm,方阻范围为15 Ω/ □?60 Ω / □ 02.根据权利要求1所述的一种超大尺寸VA模式LCD液晶显示器,其特征在于,所述液晶盒的光程差为And = 300?400nmo3.根据权利要求1所述的一种超大尺寸VA模式LCD液晶显示器,其特征在于,所述上偏光片与下偏光片的透过轴相互垂直,并且与对应的上PI取向层、下PI取向层摩擦方向的夹角为40?45°。
【专利摘要】本实用新型涉及一种超大尺寸VA模式LCD液晶显示器,包括自上而下设置的上偏光片、液晶盒和下偏光片,液晶盒由自上而下设置的上ITO玻璃基板、上PI取向层、液晶层、下PI取向层、下ITO玻璃基板组成,上PI取向层、液晶层、下PI取向层通过边框胶封闭在上ITO玻璃基板和下ITO玻璃基板之间;液晶层由衬垫料和液晶构成。本实用新型克服了因为VA液晶粘度大和产品超大尺寸而产生的灌注不满和空穴等缺陷,使VA产品的尺寸增大到长宽单方向400mm左右,并且灌注周期缩短到2-3小时。
【IPC分类】G02F1/1341, G02F1/13, G02F1/1339
【公开号】CN205080341
【申请号】CN201520834501
【发明人】刘威, 侯英光, 左适之, 陈曦
【申请人】亚世光电股份有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月26日
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