液晶显示装置、阵列基板及阵列基板的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示装置、阵列基板及阵列基板的利记博彩app，涉及显示技术领域。阵列基板，一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线。本发明同时还公开了该阵列基板的制造方法。
【专利说明】
液晶显示装置、阵列基板及阵列基板的利记博彩app
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种具有高透光率的液晶显示装置、阵列基板及阵列基板的利记博彩app。
【背景技术】
[0002]透明显示(Transparent Display)是一种可以在画面显示的同时实现透明效果的显示技术，即显示器本身具有一定程度的光穿透性，能够让使用者观看显示器显示画面的同时，清楚地看见显示器后侧的背景。由于能提供用户更好的使用体验，并具备轻薄，节能的优势，被认为是下一代绿色环保型的显示技术。随着大型面板厂家积极开发并展出透明显示概念产品，透明显示器市场有望成为显示市场的一个重大发展方向。
[0003]透明显示是同时具备显示和透明效果的显示装置。透明显示面板在关闭时，面板就仿佛一块透明玻璃；当其工作时，观看者不仅能够观看到在面板上显示的内容，同时还能透过面板观看到面板后的物体。目前由透明显示技术已经衍生出很多新颖的产品，例如透明展示柜，透明眼镜，智能窗户等等应用，并已获得了市场的认可。
[0004]透明显示技术是以平板显示器件为基础而开发的新型显示技术，但相对于传统平板显示技术，透明显示技术主要有以下几个特点:高透过率;耗电量低;满足基本显示要求。
[0005]作为透明显示器，透过率是最重要的一个技术指标，目前行业并无相应的技术标准，一般认为透过率大于10%的显示面板可认为透明显示面板。普通的LCD作为被动发光显示器件，具有一定的透过率，但一般只有4%至7%，对于透明显示相对较低，如何提高材料透过率是液晶面板透明化主要要解决的问题。而OLED，PDP等自发光器件，需要去除自身不发光材料，或者替换透明材料实现透明，主要的工作是透明材料开发。
[0006]透明显示技术可通过像素结构优化，以达到更高的透明度，对于透明被动显示器件来说，可以使用环境光实现显示，耗电量很低。而主动显示器件，虽然发光部分依旧耗费电能，但相对结构简单，面积减小，耗电量也会相对减少。传统液晶显示器，在CF基板与TFT基板对位的时候存在3?I Oum的对位偏差。在像素周边对应BM的区域，由于对位偏差的存在，遮光的BM层会进入像素开口区，导致像素的实际开口面积下降，光利用效率降低。
【发明内容】
[0007]有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种低功耗、高透过率透明液晶显示装置、阵列基板及阵列基板的利记博彩app。
[0008]为了达到上述或其它目的，本发明一方面提出了一种阵列基板，包括:一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域;像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接;透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线。
[0009]进一步地，该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内形成在与该阵列基板垂直的方向上的重叠区域，该透明电极与该像素电极单元之间的重叠区域形成存储电容器。
[0010]进一步地，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。
[0011]进一步地，该透明电极在垂直于该基板方向上设置于该像素电极与该数据线之间。
[0012]进一步地，该透明电极上方覆盖氧化铌薄膜。
[0013]进一步地，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。
[0014]为了达到上述或其它目的，本发明另一方面提出了一种阵列基板，包括:一基板，该基板上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，半导体层，第二金属层，保护绝缘层，厚膜绝缘层，透明电极，隔离绝缘层，像素电极;其中，第一金属层形成的图案包括复数条扫描线，第二金属层形成的图案包括复数条数据线和漏极，该复数条数据线和该复数条扫描线呈十字型交叉布置;主动元件，包括:源极，设置在十字型交叉区域的该数据线图案，栅极，设置在十字型交叉区域的该扫描线图案，以及漏极;像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔贯穿隔离绝缘层、绝缘层与该主动元件的漏极电性连接;透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。
[0015]为了达到上述或其它目的，本发明又一方面提出了一种阵列基板，包括:一基板，该基板上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，半导体层，第二金属层、保护绝缘层，透明电极，厚膜绝缘层，像素电极;其中，第一金属层形成的图案包括复数条扫描线，第二金属层形成的图案包括复数条数据线和漏极，该复数条数据线和该复数条扫描线呈十字型交叉布置;主动元件，包括:源极，设置在十字型交叉区域的该数据线图案，栅极，设置在十字型交叉区域的该扫描线图案，以及漏极;像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔贯穿隔离绝缘层、绝缘层与该主动元件的漏极电性连接;透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。
[0016]为了达到上述或其它目的，本发明再一方面提出了一种液晶显示装置，包括:上述阵列基板;对置基板，与该阵列基板相对设置;液晶层，夹置在该阵列基板与该对置基板之间；还包括公共电极，呈面电极图案分布在该对置基板上；其中，该公共电极层与该透明电极同时施加相同电位电压。
[0017]为了达到上述或其它目的，本发明又一方面提出了一种液晶显示装置阵列基板的利记博彩app，包括:提供一阵列基板，形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线;在该第一金属层的图案上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案;在该半导体图案上，形成第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置;还包括薄膜晶体管的源极、漏极;在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上整面分布有透明电极；在该透明电极上分布隔离绝缘层，在该隔离绝缘层上分布像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，形成复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该隔离绝缘层和该绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接;其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。
【附图说明】
[0018]图1为示意性示出本发明阵列基板侧像素结构平面示意图；
[0019]图2为示意性示出本发明阵列基板平面结构示意图；
[0020]图3为示意性示出本发明阵列基板侧透明电极图案平面示意图；
[0021]图4为示意性示出本发明一实施例图1中像素结构沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0022]图5为示意性示出图4中所示的存储电容器结构示意图；
[0023]图6为示意性示出本发明另一实施例图1中像素结构沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0024]图7a?7e为示意性示出一实施例阵列基板不同制作步骤平面结构示意图；
[0025]图8为示意性示出本发明液晶显示装置剖面结构示意图；
[0026]图9为示意性示出本发明液晶显示装置对置基板平面结构示意图；
[0027]图10为示意性示出本发明液晶显示装置在工作状态下剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0029]图1为示意性示出本发明阵列基板侧像素结构平面示意图。如图1所示，本发明实施例提供了一种像素结构，包括:扫描线101与数据线103在像素中央垂直正交，在数据线103与扫描线101的交叉处设有薄膜晶体管。薄膜晶体管的栅极为十字型交叉区域的该扫描线101的图案，薄膜晶体管的源极为十字型交叉区域的该数据线103图案，以及薄膜晶体管的漏极104，薄膜晶体管的沟道102。薄膜晶体管漏极104的上方设有接触孔105，像素电极107覆盖接触孔105与像素电极107实现等电位连接。
[0030]在数据线层与像素电极层之间，分布着透明电极106。透明电极层是一层设置有开口的透明导电层，开口位置处于像素电极的下方，在像素的上下左右四个边，像素电极107与透明电极106部分重叠。同时，在透明电极层的开口区域，在数据线和扫描线的上方，覆盖有透明电极延伸部。
[0031]如图1所示，透明电极106在像素的开口区域形成一个十字型交叉结构。构成十字型交叉结构的透明电极分别覆盖数据线103与扫描线101，用以屏蔽数据线103与扫描线101电压对像素电极电压的扰动。具体地，数据线103与像素电极107之间，以及扫描线101与像素电极107之间都存在耦合电容。像素电极107上的电压在保持时间内电位是浮置的，在像素电极107电压的保持时间内，扫描线101和数据线103上的电压变动会通过耦合电容影响到像素电极107，通过将透明电极106的延伸部设置成十字型交叉结构覆盖数据线103和扫描线101，可以提升液晶显示器件的显示品质。
[0032]图2为示意性示出本发明阵列基板平面结构示意图。如图2所示，透明电极106，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部109至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线103和该扫描线101。
[0033]相邻像素的像素电极107之间存在左右间隙SI，上下间隙S2。间隙SI和S2越小，像素的光利用效率越尚。限制SI与S2大小的因素包括:曝光机的曝光精度;相邻像素电极107电压之间的干扰强度。一般，间隙SI和S2在5um左右。在图2中，像素电极107与透明电极106部分重叠，形成像素的存储电容Cs。重叠区域L1、L2、L3和L4分布在像素的四个边上，此外还分布在十字型交叉结构区域。
[0034]图3为示意性示出本发明阵列基板侧透明电极图案平面示意图。如图3所示，透明电极层的图案包括透明电极106和透明电极延伸部109，以及透明电极延伸部109区域镂空形成开孔106a，透明电极层位于数据线层与像素电极层之间，在数据线层的漏极104上方分布着接触孔，为了避免覆盖接触孔的像素电极层与透明电极层短路，在接触孔的区域把透明电极的延伸部区域镂空形成开孔106a，用于容纳该接触孔贯穿通过。
[0035]本发明提供的像素结构中的透明电极106为透明导电薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。具体地有ITO(锡掺杂三氧化铟)、ΑΖ0(铝掺杂氧化锌)、纳米银线、石墨烯等。优选地，采用ITO材料。
[0036]在数据线103与扫描线101的正上方覆盖十字型交叉结构的透明电极106的延伸部109，除了屏蔽数据线103与扫描线101的电压扰动外，还可以降低数据线层金属与扫描线层金属的反光。为了提高环形透明电极层对下方金属层的消光效果，同时降低环形透明电极的阻抗，可以在ITO等透明导电薄膜上方覆盖氧化铌薄膜。
[0037]图4所示为像素电极与数据线金属层之间的透明电极层的其中一种分布方式。在像素AA’方向的截面图，对应的层次关系为:在玻璃、塑料等衬底基板111的上方分布扫描线101，在扫描线101的上方分布栅极绝缘层112，在栅极绝缘层112的上方分布半导体层102，在半导体层102的上方分布数据线(源极)103和漏极104，在数据线103的上方分布保护绝缘层113，在保护绝缘层113的上方分布厚膜绝缘层114，在厚膜绝缘层114的上方分布透明电极层106，在透明电极层106的上方分布隔离绝缘层115，在隔离绝缘层115的上方分布像素电极107，像素电极107通过贯穿隔离绝缘层115、厚膜绝缘层114和保护绝缘层113的接触孔105与漏极104实现电学连接。根据实际需要，可以省略保护绝缘层113。
[0038]结合图1和图4，图5所示为像素电极与透明电极在像素四个边上部分重叠以及在十字型交叉结构上形成的存储电容Cs。因为像素电极与透明电极都是透明导电薄膜，重叠部分的区域依然是透光区域，这样的结构设计可以提高像素的光利用效率。
[0039]图6所示为像素电极与数据线金属层之间的透明电极层的其中另一种分布方式。在像素AA’方向的截面图，对应的层次关系为:在玻璃、塑料等衬底基板111的上方分布扫描线101，在扫描线101的上方分布栅极绝缘层112，在栅极绝缘层112的上方分布半导体层102，在半导体层102的上方分布数据线(源极)103和漏极104，在数据线103的上方分布保护绝缘层113，在保护绝缘层113的上方分布透明电极层106，在透明电极层106的上方分布厚膜绝缘层114，在厚膜绝缘层114的上方分布像素电极107，像素电极107通过贯穿厚膜绝缘层114和保护绝缘层113的接触孔105与漏极104实现电学连接。
[0040]本发明提供了第一基板的利记博彩app，以上述实施例中的阵列基板为例，给出利记博彩app步骤如下:
[0041]首先，如图7a所示，提供一透明基板，形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线101;在该第一金属层的图案上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案，如半导体沟道图案102。
[0042]接着，如图7b所示，在该半导体图案上，形成第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线103，该复数条数据线103与该复数条扫描线101呈十字型交叉布置;还包括薄膜晶体管的源极、漏极104。
[0043]接着，如图7c所示，在该第二层金属薄膜图案上覆盖绝缘层，如保护绝缘层和厚膜绝缘层，在该绝缘层上整面分布有透明电极106及其十字型交叉结构的延伸部109，在接触孔的区域把透明电极的延伸部区域镂空形成开孔106a，用于容纳该接触孔贯穿通过；
[0044]接着，如图7d所示，在透明电极层上方覆盖隔离绝缘层后刻蚀形成接触孔105，接触孔贯穿隔离绝缘层、厚膜绝缘层和保护绝缘层。
[0045]最后，如图7e所示，在该隔离绝缘层上分布像素电极107，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，形成复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该隔离绝缘层和该绝缘层的一接触孔105与漏极实现电学连接；
[0046]其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部109，该延伸部109至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线103和该扫描线101。
[0047]图8为示意性示出本发明液晶显示装置剖面结构示意图。如图8所示，本发明还提供了一种液晶显示装置，包括:上述各实施方式以及对应各实施例的阵列基板100，对置基板200，以及夹设于该阵列基板100与该对置基板200之间的液晶功能层300。
[0048]图9为示意性示出本发明液晶显示装置对置基板平面结构示意图。如图9所示，该液晶显示器件采用的对置基板200，包括衬底基板211(图中未示)、公共电极201、遮光图案202、间隙子203。根据需要，可以省略遮光图案202。在图10中，在对置基板200与第一基板100之间为液晶功能层300，包括对置基板侧配向膜303、液晶301、阵列基板侧配向膜302。
[0049I图10为示意性示出本发明液晶显示装置在工作状态下剖面结构示意图。如图10所示，环型透明电极106与第二基板上的公共电极201，电位固定，不随像素电压的变化而变化。优选地，环型透明电极与第二基板上的公共电极201的电位相等。在间隙SI和S2区域，由于环型透明电极与公共电极201之间的电位差为0，位于该区域的液晶分子排列状态固定，不随像素电压的变化而变化，液晶分子的状态可控。如图9所示，即使在像素电极与公共电极201之间施加各种不同的电位，在间隙SI和S2区域的液晶分子，排列状态都是固定的。
[0050]本发明提出的像素结构，有如下特点:
[005?] (I)金属线少:只有扫描线与数据线两条垂直正交的金属线。金属线少，金属遮光与反光的影响就小。
[0052](2)金属线细:在扫描线、数据线与像素电极之间隔着保护层与厚膜层，像素之间的耦合电容小，金属线可以做的很细。金属线细，金属遮光与反光的影响就小。
[0053](3)对于使用UV2A(Ultrav1let induced mult1-domain Vertical Alignment)技术的液晶显示模式，扫描线与数据线就是液晶显示畴与相邻液晶显示畴之间的分界线，显示畴之间的黑纹直接分布在金属线上方，不额外占用不透光的区域，像素的光利用效率尚O
[0054](4)对于使用常黑模式的VA显示技术，在第一基板上的透明电极与第二基板上的公共电极之间的电位差设为O，在间隙SI和S2区域，液晶显示稳定的黑态，从而可以省略间隙SI和S2正上方的第二基板上的黑色矩阵。采用本发明的技术方案，透明电极与像素电极之间的重叠面积充分，像素电极的电力线主要集中于像素电极与透明电极之间，散发到像素电极外侧的电力线少，对间隙SI和S 2区域的液晶的扰动微弱，可以解决像素电极电压(电力线)扰动导致的间隙SI和S 2的漏光问题。
[0055](5)对于使用常白模式的VA显示技术，在第一基板上的透明电极与对置基板上的公共电极之间的电位差设为6V，在间隙SI和S2区域，液晶显示稳定的黑态，从而可以省略间隙SI和S2正上方的对置基板上的黑色矩阵。采用本发明的技术方案，透明电极与像素电极之间的重叠面积充分，像素电极的电力线主要集中于像素电极与透明电极之间，散发到像素电极外侧的电力线少，对间隙SI和S 2区域的液晶的扰动微弱，可以解决像素电极电压(电力线)扰动导致的间隙SI和S 2的漏光问题。
[0056]以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
[0057]另外需要说明的是，在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括: 一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线； 主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域； 像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过接触孔与该主动元件电性连接； 透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内形成在与该阵列基板垂直的方向上的重叠区域，该透明电极与该像素电极单元之间的重叠区域形成存储电容器。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极在垂直于该基板方向上设置于该像素电极与该数据线之间。5.根据权利要求1-4任一项所述的像素结构，其特征在于，该透明电极上方覆盖氧化铌薄膜。6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。7.—种阵列基板，包括: 一基板，该基板上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，半导体层，第二金属层，保护绝缘层，厚膜绝缘层，透明电极，隔离绝缘层，像素电极； 其中，第一金属层形成的图案包括复数条扫描线，第二金属层形成的图案包括复数条数据线和漏极，该复数条数据线和该复数条扫描线呈十字型交叉布置； 主动元件，包括:源极，设置在十字型交叉区域的该数据线图案，栅极，设置在十字型交叉区域的该扫描线图案，以及漏极； 像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔贯穿隔离绝缘层、绝缘层与该主动元件的漏极电性连接； 透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。8.—种阵列基板，包括: 一基板，该基板上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，半导体层，第二金属层、保护绝缘层，透明电极，厚膜绝缘层，像素电极； 其中，第一金属层形成的图案包括复数条扫描线，第二金属层形成的图案包括复数条数据线和漏极，该复数条数据线和该复数条扫描线呈十字型交叉布置； 主动元件，包括:源极，设置在十字型交叉区域的该数据线图案，栅极，设置在十字型交叉区域的该扫描线图案，以及漏极； 像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔贯穿隔离绝缘层、绝缘层与该主动元件的漏极电性连接;透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。9.一种液晶显示装置，包括: 如权利要求1-8所述的阵列基板； 对置基板，与该阵列基板相对设置； 液晶层，夹置在该阵列基板与该对置基板之间； 还包括公共电极，呈面电极图案分布在该对置基板上； 其中，该公共电极层与该透明电极同时施加相同电位电压。10.—种液晶显示装置阵列基板的利记博彩app，包括: 提供一阵列基板，形成第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线； 在该第一金属层的图案上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；在该半导体图案上，形成第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置;还包括薄膜晶体管的源极、漏极； 在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上整面分布有透明电极； 在该透明电极上分布隔离绝缘层，在该隔离绝缘层上分布像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，形成复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该隔离绝缘层和该绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接； 其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域，在每一个该像素电极单元的区域内还形成有该透明电极的延伸部，该延伸部至少覆盖呈十字型交叉布置的该数据线和该扫描线，该透明电极的延伸部还设置有开孔，用于容纳该接触孔贯穿通过。
【文档编号】G02F1/1343GK106094365SQ201610454751
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月21日
【发明人】不公告发明人
【申请人】上海纪显电子科技有限公司