一种光刻胶涂布轨迹的实施方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于半导体制造领域中光刻胶涂布的工艺过程领域，具体涉及一种光刻胶 涂布轨迹的实施方法。
【背景技术】
[0002] 对于半导体制造领域中光刻胶涂布，常见的工艺方法有旋涂和超声波喷涂。对于 旋涂工艺，如若光刻胶粘度较大、晶片尺寸较大，光刻胶就需要在晶片表面按一定规律分 布，之后再进行晶片的高速旋转来使光刻胶摊开；对于超声喷涂工艺，通过碰嘴与晶片的相 对运动来使雾化的光刻胶涂布在晶片表面。
[0003] 因此，如何制定喷嘴相对于晶片运动的轨迹方案就变得十分重要了，这直接关系 到晶片表面光刻胶的均匀性和工艺时间的长短，而这两点是衡量相关工艺设备的重要指 标。本发明就是针对这一点出发的。
【发明内容】
[0004] 针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种光刻胶涂布轨迹的实施方法。
[0005] 本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：一种光刻胶涂布轨迹的实施方法， 包括以下步骤：
[0006] 喷嘴/胶嘴从晶片边缘沿直径运动到晶圆中心，同时晶片沿一个方向匀速旋转；
[0007] 喷嘴/胶嘴从晶片中心继续沿所述直径运动到晶圆边缘，同时晶片反方向旋转；
[0008] 所述喷嘴/胶嘴的直线运动和晶片的旋转运动满足轨迹方程如下：
[0009] 轨迹方程
【主权项】
1. 一种光刻胶涂布轨迹的实施方法，其特征在于，包括以下步骤： 喷嘴/胶嘴从晶片边缘沿直径运动到晶圆中心，同时晶片沿一个方向匀速旋转； 喷嘴/胶嘴从晶片中心继续沿所述直径运动到晶圆边缘，同时晶片反方向旋转； 所述喷嘴/胶嘴的直线运动和晶片的旋转运动满足轨迹方程如下： 轨迹方程：
其中，R为喷嘴/胶嘴的直线运动距离，e为晶圆转动角度，t为时间，入为常数；螺旋 线间距为
，函数f(t)满足?
通过所述轨迹方程得到原点对称等距螺旋线的一半，原点对称后就得到了另一半的运 动轨迹，从而使晶片表面的光刻胶形成等距螺旋曲线。
2. 根据权利要求1所述的一种光刻胶涂布轨迹的实施方法，其特征在于，对于圆形喷 雾截面的光刻胶超声波喷涂情况，轴对称等距螺线的间距为圆形喷雾截面半径的3°_ 5倍。
【专利摘要】本发明为一种光刻胶涂布轨迹的实施方法，应用于半导体制造领域中光刻胶涂布的工艺过程，适用于超声波喷涂工艺和旋涂工艺中的光刻胶喷洒过程，解决了喷头（或胶嘴）相对于晶片运动过程中的一类优化问题，有助于提高胶膜的均匀性。该相对运动轨迹为原点对称的等距螺线，本发明给出实现该运动轨迹的硬件条件和基于该硬件条件实现该运动轨迹所要遵循的数学描述。本发明可应用于发明所属单位的喷胶设备、匀胶设备；也可以应用于切削加工领域，如平面铣削加工。
【IPC分类】G03F7-16
【公开号】CN104570609
【申请号】CN201310524314
【发明人】刘莹
【申请人】沈阳芯源微电子设备有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月29日