相位共轭波发生装置及波长变换方法

专利名称：相位共轭波发生装置及波长变换方法
技术领域：
本发明涉及相位共轭波发生装置、波长变换方法、光色散补偿方法以及多波长光发生装置。具体地说，本发明涉及用非退化的四波混合(NDFWM)来产生相位共轭波的装置、用NDFWM来变换波长的方法、用NDFWM来补偿光色散的方法、以及用来产生具有不同波长的复合光的装置。
由于有希望把相位共轭波用于补偿光通信光纤的色散、把相位共轭波用于能体现波长复用通信特征的波长变换机构，等等之中，已对相位共轭波进行了种种研究。如图1所示，在无相位共轭波的波长复用通信中，不仅需有与不同波长数一样多的半导体激光器101至107，还必须通过光纤111至117由光耦合器120来叠加半导体激光器101至107的光输出。这样，相应的系统就会随波长数的增加而加大尺寸和复杂化。
作为产生相位共轭波的方法，例如曾提出过应用光纤在光学上的非线性的方法、应用行波型半导体激光放大器的方法，以及应用输出波长由注入的光确定的半导体激光器，等等。
应用行波型半导体激光放大器来产生相位共轭波的方法已详述于文献〔1〕(A.Mecozzi et al.，IEEE JOURNAL OF QUANTUMELECTRONICS，Vol.31，No.4，April 1995，pp.686-699)中。
在上述方法中，如文献〔1〕的图6所示，泵(激励)光束与探测光束(也称为“信号”光束)为定向耦合器耦合，然后此耦合的泵激光束与探测光束经透镜系统与光隔离器输入行波型半导体激光放大器中，再从此行波型半导体激光放大器中提取出相位共轭波。
色心激光器(CCL)的光输出，作为泵激光束，经光学隔离器(OI)、Babinet-Soleil补偿器与透镜系统，输送给定向耦合器。外腔激光二极管(ECLD)的光输出，作为探测光束，经光隔离器、λ/2板与λ/4板输送给定向耦合器。
应用半导体激光器代替半导体激光放大器来产生相位共轭波的方法已详述于文献〔2〕(Patrick P.Iannone et al.，IEEEJOURNAL OFQUANTUM ELECTRONICS，Vol.31，No.7，July 1995 pp.1285-1291)。
在上述方法中，除了用到半导体激光器外，采用了具有与文献〔1〕所述方法中类似机构的装置。此半导体激光器经形成为使振荡输出的光的波长同于外部注入的泵激光束的光的波长。
以上两种方法的相同点是，泵激光束与探测光束两者是输入到半导体激光放大器或半导体激光器的一端，而探测光束的相位共轭波则是从半导体激光放大器或半导体激光器的另一端取出。
相反，在文献〔3〕(S.Murata et al.，Appl.Phy，Lett.58(14)，8，April1991，pp1458-1460)中描述了这样一种方法，从外部将探测光束输入到半导体激光器内去振荡泵激光束，而将探测光束的相位共轭波从入射端输出。
但是，根据文献〔1〕与〔2〕所述的方法，由于需要三种光学器件，例如产生探测光束的光源、产生泵激光束的光源、产生相位共轭波用的半导体激光放大器或半导体激光器，这就导致用来使这些部件相互耦合的机构相应地变得复杂。特别是还要求能以良好的效率使探测光束与泵激光束耦合的光耦合器。
另外，在文献(3)所述的方法中，由于半导体激光器内存在的法巴里-珀罗方式，在半导体激光器的光不输出端需要有高反射率的反射膜用来输出相位共轭波。因此，如文献〔3〕所述，相位共轭波的波长必然限于以法巴里-珀罗方式谐振的波长。
本发明的目的之一在于提供相位共轭波发生装置，它能使相位共轭波发生机构较为简单同时生成不依赖于法巴里-珀罗方式的相位共轭波；波长变换方法，它通过形成这种相位共轭波来变换波长；应用这种相位共轭波补偿光色散的方法；以及用来产生具有不同波长的复合光的多波长光。
根据本发明的一个方面，由于是把DFB(分布反馈)半导体激光器用作半导体器件来产生相位共轭波，而把通过振荡半导体激光器获得的单模光束用作泵激光束，就可以省除用来耦合泵激光束与探测光束的机构，由此可以简化相位共轭波发生装置的结构。此外，由于采用了光纤而不必考虑泵激光束的衰减，利用较强的泵激光束就能提高作为输出光束的相位共轭波的强度。
尽管DFB半导体激光器具有单一振荡方式，但波长可以自由变化。为了改变波长，例如可以通过将DFB半导体激光器一侧的电极分成多个电极，来改变供给于半导体激光器的电流的分布。这样就能利用DFB半导体激光器来改变泵激光束的波长。结果得以自由地改变相位共轭波的波长。
由于DFB半导体激光器产生的相位共轭波(光束)是随探测光束与泵激光束输出，要是只需将相位共轭波光束取出，可把相应的滤光片设在DFB半导体激光器的输出端一侧。
由于采用DFB半导体激光器时相位共轭波光束的波形是作为探测光束的波形的反转形式出现，故可用DFB半导体激光器来补偿光纤的色散。
根据本发明的另一方面，提供了环形光路，使得具有不同振荡波长的一个DFB半导体激光器的输入端与另一个DFB半导体激光器的输出端相连接，而由定向分路耦合器或类似器件将此光路中的光束提取到外部。
由于具有不同波长且在上述环形光路中的复合光束可以用作探测光束，具有不同波长的复合相位共轭波就能生成每一种半导体激光。这样，由于此种多波长光发生装置可以包括至少两个DFB半导体激光器、光纤与光输出器件而可使尺寸最小化，于是此种装置可以做到微型化，还由于能减少光学部件与此种装置间的连接点数，就可以减少组装的时间与劳动量。
此外，通过在此环形光路中插入标准件，可使光束的强度放大。要是再在此环形光路中插入光隔离器，就可减小沿反向行进的光束分量。
由于能通过改变DFB半导体激光的波长来改变光束波长之间的间隔，就易于调节输出光束的波长。
本发明的其它的与更进一步的目的与特点，将在弄清了结合附图所描述的说明性实施例后获得理解，或可从后附权利要求书中得到认识，而在实施本发明时，内行的人还将发现这里未提及的种种优点。
图1例示了用来将具有不同波长的复合光输入到光纤中的传统装置；图2示明依据本发明一实施例的相位共轭波发生装置；图3A是部分切除的透视图，示明用于依据本发明上述实施例的相位共轭波发生装置中的DFB半导体激光器；图3B是沿图3A中I-I线截取的表明上述DFB半导体激光器的剖面图；图4是曲线图，示明依据本发明上述实施例的相位共轭波发生装置获得的光谱例子；图5表明应用了依据本发明上述实施例的相位共轭波发生装置的多波长光发生装置的结构例子；图6表明由本发明上述实施例的相位共轭波发生装置所产生的具有不同频率的光谱例；图7为侧视图，表明用于上述实施例的相位共轭波发生装置中的DFB半导体激光器的温度控制例。
下面相对于


本发明的若干实施例。应该注意，在全部附图中对于相同或相似的部分与部件附以相同或相似的标号，而略去对相同或相似部分与部件的说明。
图2示明应用NDFWM的依据本发明一实施例的相位共轭波发生装置的结构。
在图2中，将可变波长光源3经第一光纤2连接DFB半导体激光器1的一端(光入射端)。光谱分析电路5经第二光纤4与光接收装置8连接DFB半导体激光器1的另一端(光出射端)。
DFB半导体激光器1具有例如图3A与3B所示结构。
在图3A中，于n-Imp衬底11的上表面上形成有n-InGaAsP定向层12。在定向层12与衬底11间的接合面上形成有波纹衍射光栅13，此光栅具有厚度在光通过方向上作周期性变化的膜。如图3B所示，衍射光栅13在其中央部分13C具有相移型式，其中使周期位移λ/(λ是此波导中的光的波长)。
于定向层12上形成有未掺杂的多量子阱(MQW)激活层14，而在激活层14上形成有p-InGaAsP缓冲层15和p-InP层16。MQW激活层14形成为交替地叠置着五层7nm厚的Inx’G1-x’As(x’＝0.532)阱层和五层10nm厚的GaxIn1-xAsgPrg(x＝0.283，y＝0.611)缓冲层。
p-InP层16至n-InP衬底11的上部构型成在剖面上有一凸部。此凸部的平面形式是在光通过方向上延伸的带状。在此带状凸部的两侧，于n-InP衬底11上依次形成了p-InP层17与n-InP层18。在最上层即p-InP层16与n-PnP层18之上形成有p-InGaAsP层19。
于n-InP衬底11的下表面上形成有n侧电极20。另外，在p-InGaAsP层19上形成有三个分束p侧电极21a、21b、21c。
n-InP的能带宽度大于激活层14的。此外，在激活层14周围的InP是一包层。
在DFB半导体激光器1的两个端面上分别涂有无反射膜22使得至少能透过相位共轭波。下面涉及的数值仅仅用作举例，DFB半导体激光器1的谐振腔长度为900μm，形成于中央区的p侧电极21b的长度约为580μm，而形成在两侧区域上的p侧电极21a、21c的长度为160μm。
图2中，标号6指聚焦透镜，标号7指用来给DFB半导体激光器1供给驱动电流的驱动电流供给电路。
下面说明上述相位共轭波发生装置的操作。
首先经由MQW激活层14从p侧电极21a、21b、21c给DFB半导体激光器1的n侧电极20供给驱动电流，从MQW激活层14的一端可以40mW输出连续振荡的波长为1549nm的光。此时把大小相同的例如400mA的电流分别供给各p侧电极21a、21b、21c。
由于从DFB半导体激光器1振荡输出的光束具有单一的激光模式和窄的波长带宽，因而此振荡输出的光具有稳定的波长。于是为DFB半导体激光器1振荡输出的角频率WP的光束可用作泵激光束(激励光束)。
然后从可变波长光源3输出波长为1574nm的探测光束。此时的探测光束是通过第一光纤4与聚焦透镜6输入到DFB半导体激光器1的输入端。与此同时，应用光谱分析电路5检查了从DFB半导体激光器1另一端输出的光束的光谱。检查结果如图4所示。
在图4中，除泵激光束在波长1549nm处有光谱峰值和探测光束在波长1574nm处有光谱峰值外，另一光谱峰值存在于1524nm波长处。结果可以看到从DFB半导体激光器1能输出不同于泵激光束与探测光束的第三光束。
设ωS为探测光束的角频率而ωC为上述第三光束的角频率，业已发现此第三光束是相位共轭波，因为可以根据图4中的试验结果推导出下述方程(1)ωC＝2ωP-ωS(1)在光束的角频率ω，光束的频率υ与光束的波长λ间，满足关系式ω＝2πυ，λ＝υ/λ。式中λ是光束。
正如前面已指出过的，要是由DFB半导体激光器1产生泵激光束，则可省去用来使探测光束和泵激光束耦合的机构，这样就能简化相位共轭波发生装置的结构。从而能使包括有此种装置的光通信装置微型化。
不同于常规装置中的情形，与泵激光束的强度通过光纤的衰减无关，用作输出光束的相位共轭波的强度可以由较强的泵激光束来提高，因为这种泵激光束是产生于DFB半导体激光器1中的。这是由于相位共轭波的强度直接随泵激光束强度的平方变化的结果。
下面说明供给于DFB半导体激光器1的p侧电极21a、21b、21c的电流分配。
上述情形已描述于Y.Kotaki等的OFC’90，THURSDAYMORNING，159中，即当供给于三个p侧电极21a、21b、21c的电流的大小不同时，DFB半导体激光器1的单一振荡模(波长)将位移。
例如，当把注入到中央p侧电极21b的电流Ib增加，同时使注入到形成于DFB半导体激光器1两端附近的p侧电极21a、21b、21c的电流Ia、Ic保持不变时，振荡波长就会移向长波长侧。供给各p侧电极21a、21b、21c的电流可以通过驱动电流供给电路7调节。
这样，如果采用的DFB半导体激光器1具有如图3B所示的多个p侧电极21a、21b、21c以及在其两端的无反射膜时，就可通过改变泵激光束的波长来自由地改变相位共轭波的波长。
如上所述，利用这种相位共轭波发生装置，可以在波长复用通信中实现波长变换。
同时，上述DFB半导体激光器1的相位共轭波输出是相对于泵激光束沿轴向对称地存在。因此，如图2所示，当探测光束经脉冲调剂成在脉冲前部具有较长的波长λf而在脉冲的后部具有较短的波长λb时，可使相位共轭波的波形变形成在探测光束脉冲的前部如同λb变短，而在探测光束脉冲的后部如同λf变长。
现在把上述现象用于实践中，当脉冲式的探测光束(信号光束)通过例如长50km的第一光纤2时，由于光纤中的色散将会扩展开，使得相位共轭波也取扩展的波形。此时，探测光束脉冲的前部处的波长与其后部相比将变长。
但是，相位共轭波的波形在前后部分中于波形的尺寸上表现为探测光束波形的反转形式。于是，如果第二光纤4的长度例如也是50km，则随着此光束于第二光纤4中前进，此光束的脉冲波形即被压缩，使得这一脉冲波形符合需要地变形成具有原先的窄脉冲宽度。这是由于此脉冲中的较长波长部分与较短波长部分相比在此光纤中传播得更快。
接着说明应用多个上述相位共轭波发生装置来产生具有不同频率的光的光发生装置。
图5示明一种多波长光发生装置，它应用两个各具有不同振荡波长的第一与第二DFB半导体激光器22和23，按预定的频率间隔产生复合光。
第一DFB半导体激光器22与第二DFB半导体激光器23的构型与图3A和3B中所示的基本一致，但这里的两个DFB半导体激光器则具有不同的波长，这是因为它们被形成为或是具有不同栅线间距的光栅13或是在MQW层14中具有不同组成的阱层和阻挡层。在此设υ1与υ2分别是第一与第二DFB半导体激光器22与23的振荡光束的频率。
第一DFB半导体激光器22的输入端22a经第一光纤24连接第二DFB半导体激光器23的输出端23b。第二DFB半导体激光器23的输入端23经第二光纤25连接第一DFB半导体激光器22的输出端22b。这样，第一与第二DFB半导体激光器22与23由于它们串联成环形光路而处于相同的条件之下。
此外，在图5的光环路中，第一光纤24串联一光隔离器26，用来例如使光束在第一光纤24中依顺时针方向前进。光隔离器26的设置是用来防止沿此光路反射回。
再有，第二光纤25串联上频率为υ1-υ2的法布里-珀罗标准件27。此法布里-珀罗标准件27可以视作为例如具有这样的构型平行地设置有两块平直玻璃板并在这两块玻璃板内表面之间形成反射层。
还有，在第二光纤25上连接一个大致呈X形的定向分路耦合器28。第二光纤25的一些部分在定向分路耦合器28的一侧与光路串联，而在定向分路耦合器28另一侧上的光路则经第三光纤29连接到外部器件上。
第一驱动电流供应电路30连接第一DFB半导体激光器22，第二驱动电流供应电路31连接第二DFB半导体激光器23。
多波长光可以由具有上述结构的多波长光发生装置依下面的方式发射出。
首先由第一、第二驱动电流供给电路30、31分别将电流供给第一、第二DFB半导体激光器22、23，可以由第一、第二DFB半导体激光器22、23分别振荡输出频率为υ1、υ2的第一、第二光束。
由第一、第二半导体激光器22、23分别发射出第一、第二光束并分别在第一、第二光纤24、25中顺时针走向前进。然后，频率分别为υ1、υ2的第一、第二光束分别输入第二、第一DFB半导体激光器23、22的输入端。
由于频率υ为ω/2π，频率为前述方程(1)的关系给定的光束在下面将出现于环形光路中。
首先，从输入有频率为υ2的光束的第一DFB半导体激光器22中，输出频率υ3由下述方程(2)给定的第三光束。
υ3＝2υ1-υ2＝υ1+(υ1-υ2)(2)类似地，从输入有频率为υ1的第一光束的第二DFB半导体激光器23中，输出频率υ4由下述方程(3)给定的第四光束。
υ4＝2υ2-υ1＝υ2-(υ1-υ2)(3)
此外，当第四光束经光纤输入第一DFB半导体激光器22后，它可以用作为探测光束，然后从第二DFB半导体激光器23的输出端，输出频率γ5由下述方程(4)给定的第五光束以及第一与第三光束。
υ5＝2υ1-υ4＝2υ1-(2υ2-υ1)＝(2υ1-υ2)+(υ1-υ2)＝υ3+(υ1-υ2) (4)再有，当第三光束经光纤输入第二DFB半导体激光器23内时，它就可以用作探测光束，然后从第二DFB半导体激光器23的输出端，输出频率γ6由下述方程(5)给定的第六光束以及第二与第四光束。
υ6＝2υ2-υ3＝2υ2-(2υ1-υ2)＝(2υ2-υ1)-(υ1-υ2)＝υ4-(υ1-υ2) (5)据以上可知，从第一DFB半导体激光器22中可以相对于所述装置的泵激光束的频率υ1，输出频率在υ1-υ2间隔的复合光束，而从第二DFB半导体激光器23中可以相对于此装置的泵激光束的频率υ2，输出频率在-(υ1-υ2)间隔的复合光束。
由方程(2)至(5)给出的相同关系可以为相对于各光束的1/λ所满足。
作为举例，设定第一DFB半导体激光器22的振荡波长和振荡光输出分别为1556nm和40mW，而第二半导体激光器23的振荡波长和振荡光输出分别为1552nm和40mW，然后就可在约2nm波长间隔发射具有约1mW输出的八个不同波长的光束。
上述波长间隔例如可以通过改变第一或第二DFB半导体激光器23或23的振荡波长(泵激光束)加以改变。
此外，为了改变DFB半导体激光器的波长，如图3B所示，在DFB半导体激光器一侧上形成的电极可以分束成多个电极，而后可以调节供给于这多个电极的电流。代替将DFB半导体激光器分束的方式，可如图6所示将Peltier加热装置30与热敏电阻31设在与第一或第二半导体激光器22或23相接触的位置，这时就可以由热敏电阻31测出第一或第二DFB半导体激光器22或23的温度，然后根据此探测出的温度，通过由温度控制电路控制供给于Peltier加热装置30的电流，可以将第一与第二DFB半导体激光器22、23的温度保持在所需的值。这是由于DFB半导体激光器的振荡频率可根据温度变化在预定范围内改变的缘故。
按上述方式，如果第一与第二DFB半导体激光器22与23的输出端和输入端是位于环形光路上，这时就可以利用第一与第二DFB半导体激光器22、23所产生的相位共轭光束，如图7所示，得以依预定间隔形成复合光束。由于具有不同频率的复合光束是在定向耦合器28内扩展开直至第三光纤29处，故可通过第三光纤29将部分上述光束提取给外部装置。
在通过环形的第一与第二光纤24、25时，由于有光隔离器26，可以防止此复合频率的光束逆时针走向行进。第一与第二光纤24、25中的光束强度由于频率偏离υ1或υ2而减弱。但要是此光束通过第一与第二DFB半导体激光器22、23，它就会由于这两个激光器的半导体增益媒质而放大，而且这一放大操作还会借助于具有υ1-υ2谐振能量间隔的法布里-珀罗标准件而加速。于是可以拓宽实际可用的频率范围。
如上所述，要是利用DFB半导体激光器来产生相位共轭波时，是可以采用至少两个DFB半导体激光器来产生具有复合频率的光束的。因此，不仅可使多波长光发生装置微型化，而且还可以显著减少装置中的光纤连接作业，于是可以提高操作效率。另外，在所述环形光路中自然可以采用三个或更多个数的DFB半导体激光器。
尽管在上述实施例中，DFB半导体激光器1是作为InP/InGaAsP层结构形成，但也可采用另外的InP/InA/GaAs层结构。此外还可以采用与GaAs衬底匹配的材料。
在实际应用时，本相位共轭波发生装置中可用发光二极管、半导体激光器等来置换可变波长光源3，并可将只透过相位共轭光束的滤光片10设于DFB半导体激光器1的输出端外侧。此滤光片10可以设在DFB半导体激光器1与透镜6之间，或设在透镜6与光纤4之间。
如上所述，根据本发明的一个方面，由于是把DFB用作产生相位共轭波的半导体器件而把通过振荡DFB半导体激光器获得的单模光束用作泵激光束，故能省去耦合探测光束与泵激光束的机构，由此可以简化相位共轭波发生装置的结构。此外可不必考虑泵激光束因光纤造成的衰减，作为输出光束的相位共轭波的强度可以通过采用较强的泵激光束来增强。
虽然DFB半导体激光器具有单一的振荡模，但波长则可以自由变化。例如，通过将DFB半导体激光器一侧的电极分束成一批电极，就可在大小程度上改变供给此半导体激光器的电流分布。结果可以自由地改变相位共轭波的波长。
由于DFB半导体激光器产生的相位共轭波(光束)是与探测光束和泵激光束一起输出，通过在DFB半导体激光器输出端侧设置滤光片，是可以只提取相位共轭波光束的。
由于相位共轭波光束的波形在采用了DFB半导体激光器时表现为探测光束波形的倒转形式，故可利用DFB半导体激光器来补偿光纤的色散。
根据本发明的另一个方面，设置的环形光路使得具有不同振荡波长的一个DFB半导体激光器的输入端连接另一个DFB半导体激光器的输出端，然后再将此另一个DFB半导体激光器的输出端连接到最先述及的那一个DFB半导体激光器的输出端，而把通过环形光路的光束输入到各DFB半导体激光器内作为探测光束，产生具有不同波长的一批相位共轭波。于是，这种多波长光发生装置可以包括至少两个DFB半导体激光器、光纤与光输出器件而其尺寸减小。此外，减少了光纤连接点的个数则可以减少组装作业所需的时间与劳力。
同时，在环形光路中插入了标准件而可使光束强度放大。除此，要是将光隔离器插入此环形光路中，则可以减少光束依反向行进的分量。
由于光束波长间的间隔可以通过改变DFB半导体激光器的波长来改变，故容易调节输出光束的波长。
内行的人在了解到本发明所公开的内容后，是能够在不脱离本发明的范围内给出种种变更型式的。
权利要求
1.一种相位共轭波发生装置，此装置包括DFB(分布反馈)半导体激光器，它具有光输入端、光输出端、能透过形成在各端上的相位共轭波的无反射膜、以及能发生单模振荡的光栅结构；探测光束发生光源，它用来将探测光束注入到上述DFB半导体激光器的光输入端；用来将电流供给上述DFB半导体激光器以振荡泵激光束的装置；用来通过将所述探测光束注入此振荡前述泵激光束的DFB半导体激光器内，探测从此激光器的光输出端输出的所述相位共轭波的装置。
2.如权利要求1所述的相位共轭波发生装置，特征在于所述的DFB半导体激光器具有波长可变结构。
3.如权利要求2所述的相位共轭波发生装置，特征在于所述波长可变结构包括有在所述DFB半导体激光器内分成几个部分的一侧电极，而所述电流供给装置则用来调节供给所述电极的电流。
4.如权利要求1所述相位共轭波发生装置，特征在于在所述DFB半导体激光器的光输出端的外侧设有用来只透过相位共轭波的滤光片。
5.如权利要求1所述的相位共轭波发生装置，特征在于所述DFB半导体激光器在其内侧包括有λ/4相移衍射光栅。
6.一种波长变换方法，此方法包括下述步骤通过供给电流来振荡DFB半导体激光器，此激光器具有用来在光输入端和光输出端上透过相位共轭波的无反射膜；以及用探测光束照射处于振荡状态的所述DFB半导体激光器的光输入端，而得以从所述光输出端发射出相位共轭波光束来变换波长。
7.一种光色散补偿方法，此方法包括下述步骤通过供给电流来振荡DFB半导体激光器，此激光器具有能发生单模振荡的光栅结构以及用来在光输入端和光输出端上透过相位共轭波的无反射膜；将探测光束输入上述DFB半导体激光器的光输入端，此探测光束通过第一光纤且此光束的信号波形由于上述第一光纤的色散而失真；以及输出相位共轭波的光束，此共轭波的光束是由所述DFB半导体激光器输入有前述探测光束时输出，而此探测光束则是在它通过第二光纤补偿了前述色散而恢复原有波形后，从这一具有与第一光纤一致长度的第二光纤中输出。
8.一种多波长光发生装置，此装置包括至少两个具有不同振荡波长的DFB半导体激光器；用来将一DFB半导体激光器的输入端与其余的DFB半导体激光器的输出端串联的环形光路；用来将电流供给所述至少两个DFB半导体激光器的电流源；以及用来从所述环形光路中取出一部分光的光输出部。
9.如权利要求8所述多波长光发生装置，特征在于在所述环形光路中插入有标准件，而此标准件的谐振能量间隔经选择成与由所述至少两个DFB半导体激光器振荡的光的能量差一致。
10.如权利要求8所述多波长光发生装置，特征在于它还包括插入部分所述光路中的光隔离器。
11.如权利要求8所述多波长发生装置，特征在于所述光输出部是由定向分路耦合器组成。
12.如权利要求8所述多波长光发生装置，特征在于对所述至少两个DFB半导体激光器设有振荡波长交错控制装置。
13.如权利要求12所述多波长光发生装置，特征在于所述振荡波长交错/控制装置是用来对所述至少两个DFB半导体激光器的每个分束的电极控制电流量的装置。
14.如权利要求12所述多波长光发生装置，特征在于所述振荡波长交错/控制装置是用来控制所述至少两个DFB半导体激光器温度的装置。
全文摘要
给出了一种装置，它包括DFB半导体激光器，此激光器有λ/4相移光栅和涂在其光输入端与光输出端上的无反射膜以透过相位共轭波；探测光束光源，用来将探测光束射入此激光器的光输入端；电流供给装置，用来将电流供给此激光器以振荡泵激光束；以及用来提取相位共轭波的透镜系统，此共轭波是在将探测光束射入振荡泵激光束的这一DFB半导体激光器中时由此激光器的光输出端输出。
文档编号G02F1/00GK1155672SQ9611447
公开日1997年7月30日 申请日期1996年11月14日 优先权日1996年11月14日
发明者锹治彦 申请人:富士通株式会社