专利名称：一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及金属纳米孔阵列的超 衍射极限聚焦的技术领域，特别涉及一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其可以制作出一种各级波带区域内开孔的金属膜和交替沉积金属和介质多层膜结构结合的分辨力增强型透镜。
背景技术：
近年来，纳米加工技术的发展，越来越多的研究学者开展纳米光子学的研究。纳米光子学在单分子探测、等离子体激光、超分辨聚焦和成像以纳米光刻等领域内有重要的应用前景。传统波带片以及显微技术由于在空气中聚焦，通常聚焦光斑都是衍射受限。虽然传统相衬技术以及浸油技术能够在一定程度上提高分辨力。然而人们对于光学分辨更高的要求为研究学者提出了新的难题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服传统波带片以及显微技术衍射受限的不足，利用各级环带纳米开孔金属膜结构产生的倏逝波和纳米厚度交替金属和介质多层膜结构的倏逝波传播能力，实现更高分辨力的远场超衍射极限聚焦，方便用于纳米光刻和高容量数据存储装置的一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜。本发明解决上述技术问题所采用的技术方案一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于步骤如下步骤(I)选择入射光的工作波长λ，根据其波长选择可以透光的基底材料；步骤(2)在基底表面蒸镀厚度为d的遮光金属膜，一定偏振态的工作波长λ的单色光垂直于遮光金属膜上表面入射；步骤(3)根据式(I)计算入射波光在所取的遮光金属膜中的趋肤深度c^f = 7,—(」—2(I)
ΔΤ S-y其中dF表不趋肤深度，ε i表不遮光金属的介电常数的实部，ε 2表不遮光金属周围介质的介电常数；步骤(4)取垂直穿过遮光金属膜的中心位置为ζ轴，假设ζ轴与遮光金属膜上表面相交位置为坐标原点，过遮光金属膜上表面中心点连线分别为X轴和I轴。在遮光金属膜表面(x-y平面)进行抽样，依据凡2A^Fresnel波带的第一级位置应该选择距原点"。=士。2+凡2 =^sxyI2Zszz，那么将m = O代入公式(2)、(3)计算，可以得到第一环
带的径向宽度w2m+1 = I r2m+1-r2m I，Φ 2m+1- Φ 2m = π (2)Φ η+1 = 2π^ 2 + SJX2m+l2 + y2m+l2) 1 (3)其中，λ是入射光在自由空间中的波长，exy和ε ζζ分别是遮光金属膜下方交替蒸镀纳米厚度的贵金属和介质多层膜横向和纵向的等效介电常数，f为设计聚焦透镜的焦距，w2m+1为第2m+l个环带的径向宽度；步骤(5)为了使遮光金属膜上的所有环带对聚焦光斑都有正贡献，各个环带间的相位差应为2πιπ。将m= I代入公式(2)、(3)，可知第3个环带的位置和径向宽度由(4)、
(5)、(6)式表不
权利要求
1.一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于包括下列步骤 步骤(I)选择入射光的工作波长λ，根据其波长选择透光的基底材料； 步骤(2)在基底表面蒸镀或溅射沉积厚度为d的遮光金属膜，一定偏振态的工作波长λ的单色光垂直于遮光金属膜上表面入射； 步骤(3)根据式(I)计算入射光在所取的遮光金属膜中的趋肤深度
2.根据权利要求I所述的一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于所述步骤(2)中的入射光可以为线偏振、圆偏振、及自然偏振光。
3.根据权利要求I所述的一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于所述步骤(8)中的纳米小孔可以为圆孔、方孔或者其他形状的小孔。
4.根据权利要求I所述的一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于所述步骤(8)中的纳米小孔可以为周期、非周期或者部分周期排布方式，排布方式由入射光偏振态和入射光方向决定。
5.根据权利要求I所述的一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，其特征在于所述步骤(9)中的贵金属和介质多层膜的厚度远小于入射光波长，色散关系可以为椭圆色散或双曲色散。
全文摘要
本发明提供一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的利记博彩app，该方法选取合适的基底材料，在基底上蒸镀或溅射沉积一层金属膜，让一定偏振态的单色光垂直于金属膜上表面入射；选取金属膜上表面的中心点为坐标原点，过中心点的坐标轴分别为x轴和y轴，垂直于金属膜的中心点连线为z轴；依据等光程原理，计算出金属膜的Fresnel各级环带位置；利用现有纳米加工技术，对金属膜的各环带区域开纳米小孔。环带区域内纳米小孔的周期或非周期排布位置由入射光的偏振态决定；紧接着交替蒸镀或溅射沉积纳米厚度的金属和介质平面多层膜结构。本发明所设计的透镜结构简单，可以用于纳米光刻和数据存储，大量提高电子器件的集成度，具有广阔的发展前景。
文档编号G02B5/18GK102621610SQ201210107598
公开日2012年8月1日 申请日期2012年4月13日 优先权日2012年4月13日
发明者冯沁, 姚纳, 杨磊磊, 王彦钦, 王长涛, 罗先刚, 胡承刚, 赵泽宇, 陶兴, 黄成 申请人:中国科学院光电技术研究所