专利名称：一种sram源漏极尺寸的光学临近修正建模方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种新型的SRAM源极漏极尺寸的光学临近修正(OPC)建模方法。
背景技术：
在集成电路制造中，照相平板印刷术或平板印刷术通常用来将与集成电路的布局相关的图案转移到晶片衬底上，该晶片衬底包括，但不局限于，例如硅、硅锗(SiGe)、绝缘体硅(SOI)以及其各种组合物等材料。改进超大规模集成(VLSI)电路性能的努力，导致了对减小图形尺寸和增加布局密度的需求的增长，这又更加需要使用分辨率增强技术(RET)以扩展光刻工艺的能力。在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称0PC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应，光学临近修正是分辨率增强技术中的一种。随着曝光图形的不断变小，进入65nm以下节点，开始需要对源极漏极图形尺寸进行光学临近效应修正。由于源极漏极图形曝光时，衬底结构非常复杂，包括有源区/浅槽隔离区，及位于这两个区域上方的栅极组成，其光学效应一直难以精确预估，修正后误差可能达到特征尺寸的10%以上，于是在某些光刻条件下容易产生光刻缺陷。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种新型的关于SRAM源漏极尺寸的模型数据收集与建立的光学临近修正(OPC)方法，以达到精准预测源极漏极图形尺寸的目的，保证源极漏极的光刻工艺可以获得足够大的工艺窗口。本发明的目的是通过下述技术方案实现的
一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其中，包括 根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形或者浅槽隔离区图形，所述第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形，所述第三光罩用来曝光光学临近修正模型测试结构；
将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用所述第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用所述第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用所述第三光罩完成所述光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；
用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型，包括位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构， 位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构，以及位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，收集的数据包括根据工艺需求设计的线宽尺寸，间距尺寸，重复周期和线端间距尺寸。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，适用于65nm以下节点工艺。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第一曝光单元，所述第一曝光单元内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第二曝光单元，所述第二曝光单元内分布有一条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第三曝光单元，所述第三曝光单元内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定相隔间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。 上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第四曝光单元，所述第四曝光单元内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第五曝光单元，所述第五曝光单元内以均勻相隔间距和均勻线端间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第六曝光单元，所述第六曝光单元内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定线端间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。与已有技术相比，本发明的有益效果在于
本发明通过建立OPC模型不同测试结构下的衬底模拟，使得收集的OPC模型数据更为精确。进而，可以对源极漏极尺寸做到最精确的光学临近效应的修正和控制，保证光刻工艺获得足够大的工艺窗口和较少的缺陷。
图1是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构设计版图2是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的孤立线尺寸OPC模型测试结构设计版图；图3是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的孤立间距尺寸OPC模型测试结构设计版图4是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的密集间距尺寸OPC模型测试结构设计版图5是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的密集线端间距尺寸OPC 模型测试结构设计版图6是本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法中的孤立线端间距尺寸OPC 模型测试结构设计版图。
具体实施例方式下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。本发明SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法主要适用于65nm以下节点工艺，具体步骤包括测试光罩的设计，测试晶圆的制备以及数据的收集。其中，测试光罩是将传统的一块光学临近修正(OPC)光罩分成三块，根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形(Active Area)或者浅槽隔离区图形(STI)，第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形(Poly)，而第三光罩则用来曝光光学临近修正模型测试结构。将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用第三光罩完成光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成。用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，收集的数据包括根据工艺需求设计的线宽尺寸，间距尺寸，重复周期和线端间距尺寸，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型具体包括位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构， 位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构，以及位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构。进一步地，如图1所示，位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第一曝光单元01，第一曝光单元01内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区1，源极漏极区1内分布有栅极区2和有源区3。进一步地，如图2所示，位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第二曝光单元02，第二曝光单元02内分布有一条源极漏极区1，源极漏极区 1内分布有栅极区2和有源区3。进一步地，如图3所示，位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第三曝光单元03，第三曝光单元03内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定相隔间距的源极漏极区1，源极漏极区1内分布有栅极区2和有源区3。进一步地，如图4所示，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第四曝光单元04，第四曝光单元04内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区1，源极漏极区1内分布有栅极区2和有源区3。进一步地，如图5所示，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第五曝光单元05，第五曝光单元05内以均勻相隔间距和均勻线端间距平均分布有多条源极漏极区1，源极漏极区1内分布有栅极区2和有源区3。进一步地，如图6所示，位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第六曝光单元06，第六曝光单元06内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定线端间距的源极漏极区1，源极漏极区1内分布有栅极区2和有源区3。综上所述，本发明通过建立光学临近修正(OPC)模型不同测试结构下的衬底模拟， 使得收集的OPC模型数据更为精确。进而，可以对源极漏极尺寸做到最精确的光学临近效应的修正和控制，保证光刻工艺获得足够大的工艺窗口和较少的缺陷。以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但本发明并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何对该SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
权利要求
1.一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其特征在于，包括根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形或者浅槽隔离区图形，所述第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形，所述第三光罩用来曝光光学临近修正模型测试结构；将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用所述第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用所述第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用所述第三光罩完成所述光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。
2.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其特征在于，所述包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型，包括位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构，以及位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构。
3.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，收集的数据包括根据工艺需求设计的线宽尺寸， 间距尺寸，重复周期和线端间距尺寸。
4.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，适用于65nm以下节点工艺。
5.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第一曝光单元，所述第一曝光单元内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
6.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第二曝光单元，所述第二曝光单元内分布有一条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
7.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第三曝光单元， 所述第三曝光单元内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定相隔间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
8.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第四曝光单元， 所述第四曝光单元内以均勻相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
9.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第五曝光单元，所述第五曝光单元内以均勻相隔间距和均勻线端间距平均分布有多条源极漏极区， 源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
10.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第六曝光单元，所述第六曝光单元内均勻分布有两块面积相同、相互形成一定线端间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。
全文摘要
本发明公开了一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，根据设计图形制作三块测试光罩将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用第三光罩完成OPC模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。本发明通过建立OPC模型不同测试结构下的衬底模拟，使得收集的OPC模型数据更为精确。可以对源极漏极尺寸做到最精确的光学临近效应的修正和控制，保证光刻工艺获得足够大的工艺窗口和较少的缺陷。
文档编号G03F1/36GK102445835SQ20111030800
公开日2012年5月9日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者张辰明, 魏芳 申请人:上海华力微电子有限公司